JPH0246550B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0246550B2 JPH0246550B2 JP61185054A JP18505486A JPH0246550B2 JP H0246550 B2 JPH0246550 B2 JP H0246550B2 JP 61185054 A JP61185054 A JP 61185054A JP 18505486 A JP18505486 A JP 18505486A JP H0246550 B2 JPH0246550 B2 JP H0246550B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- coating
- graphite
- base material
- glassy carbon
- thermal expansion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 39
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims description 30
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims description 30
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 24
- 229910021397 glassy carbon Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 claims description 8
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 6
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 claims description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 34
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 33
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 9
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 8
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 5
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N Vinyl chloride Chemical compound ClC=C BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 3
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000001680 brushing effect Effects 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N Vinyl acetate Chemical compound CC(=O)OC=C XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 238000010000 carbonizing Methods 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 229910000041 hydrogen chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N hydrogen chloride Substances Cl.Cl IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005470 impregnation Methods 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000012188 paraffin wax Substances 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 1
- -1 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Ceramic Products (AREA)
Description
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体の製造工程に於て使用されるサ
セプター、黒鉛ヒーター等の半導体処理治具の構
成材料として用いられるガラス状炭素被覆体に関
する。 〔従来の技術〕 サセプター、黒鉛ヒーターなどはシリコンなど
の半導体を製造する際に欠くことのできないもの
である。 例えば、サセプターは高純度のシリコン基板等
の製品を接触するため、その製品を汚染しないと
いう特性が要求される。また、高温に於せる塩化
水素雰囲気での耐エツチング性、ほぼ1200℃まで
の繰返し使用に耐える耐熱衝撃性も要求される。 さらに、チヨクラルスキー法などで使用される
黒鉛ヒーターは、その加熱温度が1600℃を越える
ので、黒鉛中に含まれる金属などの不純物が揮散
し易く、シリコンなどの半導体製品を汚染すると
いう欠点があつた。 この欠点を補うものとして、従来から炭素成形
品、若しくはセラミツクス成形品の上に化学気相
蒸着(CVD)法による炭化ケイ素を被覆した被
覆体が使用されている(参考文献;特開昭56−
10921号公報)。 しかし、炭化ケイ素被覆体は、炭化ケイ素被膜
と、炭素若しくはセラミツスとの熱膨張係数が異
なつているため、繰返し使用による熱サイクルに
より被膜にクラツクが発生し、そのクラツクを通
して炭素若しくはセラミツクス成型品から不純物
が浸み出し、製品を汚染するという欠点を有して
いた。 これらの欠点を克服する手段として、炭素又は
セラミツク成形品にガラス状炭素を被覆する提案
がある(特公昭52−39684号公報)。 この方法で得られるガラス状炭素被覆体は、上
記炭化ケイ素被覆体と比較して被膜の均一性が優
れており、さらに被膜の厚味が10μmと、炭化ケ
イ素被膜の約100μmと比較して薄いため、熱サ
イクルによるクラツク、剥離が生じ難いという
数々の利点を有している。 しかしながら、ガラス状炭素被覆体は、膜厚が
薄いが故に、例えば、サセプターとして使用する
場合、水素雰囲気中で1000℃以上の高温に加熱さ
れるので、ガラス状炭素と水素が反応して炭化水
素ガスが発生する。 従つて、長時間使用すると、ガラス丈炭素被膜
が消耗し、基材の黒鉛が露出してしまい、黒鉛基
材からの不純物が放出されて、半導体製品を汚染
することになる。 上記黒鉛の露出を防ぐために、ガラス状炭素被
膜の厚さを厚くすると、これを急熱急冷等の苛酷
な条件で使用した場合、ガラス状炭素被膜に剥離
およびクラツクが発生するという欠点があつた。 一方、炭化水素化合物のガスを黒鉛基材上で熱
分解させ、アモルフアスな炭素を黒鉛基材の表面
にコーテイングすることも知られている(特開昭
60−103087号公報)。 しかし、この方法では、黒鉛基材はアモルフア
スな炭素の熱膨張係数とほぼ同一なものを使用す
る必要があり、また熱サイクルによる耐久性も十
分ではなかつた。 〔発明が解決しようとする問題点〕 本発明は上記欠点を解消し、黒鉛基材の選定が
容易であり、しかも長時間の使用に耐え、かつ、
急熱急冷の条件で使用しても剥離またはクラツク
が生じ難いガラス状炭素被覆体を提供することを
目的としている。 〔問題点を解決するための手段〕 本発明者らは鋭意研究を重ねた結果、ガラス状
炭素被膜を厚くした場合に剥離およびクラツクが
発生するのは、ガラス状炭素と黒鉛基材との熱膨
張係数の差が1.5×10-6/℃を越える場合である
ことを究明した。さらに、本発明者らはガラス状
炭素被膜の厚みについて検討の結果、第1に被膜
の厚みが200μm以下で、かつ、上記熱膨張係数
の差が1.5×10-6/℃以下であると剥離およびク
ラツクの発生が少なくなること、第2の被膜の厚
みは最小15μmないと摩耗による黒鉛基材の露出
のおそれがあること、そして第3に上記熱膨張係
数の差を容易に1.5×10-6/℃以下とし、かつ、
熱サイクルによる耐久性をさらに高めるためには
ガラス状炭素被膜に耐熱性無機質粉末を存在させ
ればよいことを見い出し、本発明を完成させたも
のである。 すなわち、本発明は、有機重合体の熱分解生成
物からなり耐熱性無機質粉末を含んでなる厚さ
15μm〜200μmのガラス状炭素の被膜を、黒鉛基
材との熱膨張係数の差を1.5×10-6/℃以下とし
て黒鉛基材上に設けてなることを特徴とするガラ
ス状炭素被覆体である。 本発明のガラス状炭素被覆体は、有機重合体の
不完全熱分解生成物(以下、PC物質という)を
溶剤に溶かした溶液に耐熱性無機質粉末(以下、
骨材という)を配合してスラリーとし、それを黒
鉛基材の表面に塗布し焼成することにより得られ
る。 以下さらに本発明を詳しく説明する。 本発明で用いる有機重合体は、塩化ビニル樹
脂、油溶性フエノール樹脂、アルキルフエノール
樹脂、塩素化パラフイン、塩素化ポリプロピレ
ン、酢酸ビニル樹脂またはポリカーボネート樹脂
が好適である。特に不浸透性炭素被覆を施した物
品の使途が半導体製造用サセプターの場合には、
不純物の面から塩化ビニル樹脂がとりわけ好まし
い。 これら有機重合体の熱分解はその種類を問わず
粒状品又は粉末を、不活性雰囲気例えばアルゴン
ガス中で200〜500℃で30分以上加熱して行う。し
かしながら、完全に炭化させないほうが好まし
い。この加熱の望ましい温度・時間は加熱装置お
よび有機重合体の種類によつて異なるが、分解生
成物の炭素原子と水素原子の重量比(C/H比)
が結果的に10〜25:1の範囲に入るよう実験によ
り定めればよい。 このようにして得られるPC物質に溶剤を加え
て溶かし、濃度200〜500g/の溶液をつくる。
溶剤は溶解性の点から脂肪族塩素系の溶剤が好ま
しい。不溶解物が残ればろ過して不溶解物を取除
く。 上記熱膨張係数の差を容易に1.5×10-6/℃以
下とし、かつ、熱サイクルによる被膜の耐久性を
高めるために骨材を上記溶液に配合しスラリーと
する。骨材としては、黒鉛、炭化珪素、アルミナ
などの物質をあげることができ、その形態は直径
が50μm以下の球形または不定形でよく、また、
長径500μm以下の棒状または繊維状でもよい。
骨材として上記有機重合体を炭化したものを用い
ると、最終的に被覆層内がほぼ均質となるため不
浸透性の点でとくに好ましい。その平均粒径は
20μm以下になるよう出来るだけ細かく粉砕した
ほうが塗布層の表面状態の点で好ましい。このよ
うにして得られたスラリーを黒鉛基材の表面に塗
布する。 ここで特に留意すべき事柄としては、黒鉛基材
はガラス状炭素被膜との熱膨張係数の差が1.5×
10-6/℃以下となるものを使用することである。
上記限度を越えると剥離およびクラツクの発生防
止効果がない。 黒鉛はその品種により熱膨張係数が2×10-6〜
6×10-6/℃の範囲で種々のものがある。一方、
ガラス状炭素被膜の熱膨張係数は通常3×10-6〜
4×10-6/℃であるが、被膜の製造条件たとえば
原料の有機重合体の種類、焼成条件などにより、
多少変化する。そこで通常は被膜の製造条件をま
ず定めて、得られる被膜の熱膨張係数を測定した
のち、これに近い熱膨張係数の黒鉛基材を選定す
る方法が好ましい。 このようにして選定された黒鉛基材をサセプタ
ー、黒鉛ヒーターなど所定の形状に加工したもの
に上記スラリーを塗布する。 塗布の方法は超音波含浸、はけ塗り、スプレ
ー、浸漬などである。塗布後、比較的低温(50〜
100℃程度)で乾燥する。ここで重要な点は被膜
の厚さである。被膜の厚さは15μm〜200μmの範
囲にしなければならない。被膜の厚さが200μm
を越えると、熱膨張係数の差を1.5×10-6/℃以
下としても、急熱急冷によりクラツクが入つてし
まう。また、15μm未満では、被覆体の使用時に
被膜が摩耗して黒鉛基材が露出するおそれがあ
る。 なお、上記厚さは後記焼成を行なつた後の厚さ
である。厚さは被覆体の被覆前後の重さの差から
算出される。被覆層を厚くするにはスラリーの
塗布・乾燥を繰り返す、スラリーをより厚く塗
布する、PC物質溶液の濃度を高くする等によ
り可能である。 上記の焼成とは、不活性雰囲気下または真空中
で600〜1300℃程度の温度で30分以上の加熱を施
すことであり、これによりPC物質は炭素化する。
なお、スラリーを厚く塗布した場合、またはPC
物質の溶解濃度を高くした場合には泡の発生を防
ぐために焼成の際の昇温速度をやや遅くするほう
がよい。 〔実施例〕 以下、実施例および比較例をあげて本発明をさ
らに具体的に説明する。 実施例1〜3、比較例1〜3 第1表に示す各種の熱膨張係数を有する黒鉛を
用意し、それを20cm×50cm×1cmの板状に加工し
黒鉛基材とした。 つぎに、塩化ビニル樹脂(電気化学工業(株)製
SS−110)をアルゴン雰囲気下400℃で、30分間
不完全熱分解して得たPC物質を第1表に示す割
合でトリクレンに溶解させた。その際、骨材とし
て、実施例1と比較例1では炭化珪素粉末(平均
粒径10μm、熱膨張係数5.0×10-6/℃)、実施例
2では黒鉛粉末A(平均粒径20μm、熱膨張係数
3.0×10-6/℃)及び実施例3では黒鉛粉末B(平
均粒径20μm、熱膨張係数5.0×10-6/℃)を第1
表に示す割合で配合した。 このようにして得られたスラリーをはけ塗りに
より黒鉛基材上に塗布した。塗布回数は1〜5回
の範囲であつた。 以上の工程で得られた基材を1150℃にて、40分
間に焼成を行ない、ガラス状炭素被覆体を得た。
これら避覆体の被膜の厚味は第1表に示す通りで
あつた。 得られたガラス炭素被覆体を室温〜1150℃の真
空中に於ける急熱急冷サイクルを最高200回まで
繰り返し行い、表面のクラツク発生の有無を100
倍の光学顕微鏡で観察した。 その結果は第1表に示す通りであり、比較例1
〜3では3回〜30回のサイクル数でクラツクが発
生したが、本発明の実施例1〜3ではいずれも
200回までのサイクル数ではクラツクは認められ
なかつた。
セプター、黒鉛ヒーター等の半導体処理治具の構
成材料として用いられるガラス状炭素被覆体に関
する。 〔従来の技術〕 サセプター、黒鉛ヒーターなどはシリコンなど
の半導体を製造する際に欠くことのできないもの
である。 例えば、サセプターは高純度のシリコン基板等
の製品を接触するため、その製品を汚染しないと
いう特性が要求される。また、高温に於せる塩化
水素雰囲気での耐エツチング性、ほぼ1200℃まで
の繰返し使用に耐える耐熱衝撃性も要求される。 さらに、チヨクラルスキー法などで使用される
黒鉛ヒーターは、その加熱温度が1600℃を越える
ので、黒鉛中に含まれる金属などの不純物が揮散
し易く、シリコンなどの半導体製品を汚染すると
いう欠点があつた。 この欠点を補うものとして、従来から炭素成形
品、若しくはセラミツクス成形品の上に化学気相
蒸着(CVD)法による炭化ケイ素を被覆した被
覆体が使用されている(参考文献;特開昭56−
10921号公報)。 しかし、炭化ケイ素被覆体は、炭化ケイ素被膜
と、炭素若しくはセラミツスとの熱膨張係数が異
なつているため、繰返し使用による熱サイクルに
より被膜にクラツクが発生し、そのクラツクを通
して炭素若しくはセラミツクス成型品から不純物
が浸み出し、製品を汚染するという欠点を有して
いた。 これらの欠点を克服する手段として、炭素又は
セラミツク成形品にガラス状炭素を被覆する提案
がある(特公昭52−39684号公報)。 この方法で得られるガラス状炭素被覆体は、上
記炭化ケイ素被覆体と比較して被膜の均一性が優
れており、さらに被膜の厚味が10μmと、炭化ケ
イ素被膜の約100μmと比較して薄いため、熱サ
イクルによるクラツク、剥離が生じ難いという
数々の利点を有している。 しかしながら、ガラス状炭素被覆体は、膜厚が
薄いが故に、例えば、サセプターとして使用する
場合、水素雰囲気中で1000℃以上の高温に加熱さ
れるので、ガラス状炭素と水素が反応して炭化水
素ガスが発生する。 従つて、長時間使用すると、ガラス丈炭素被膜
が消耗し、基材の黒鉛が露出してしまい、黒鉛基
材からの不純物が放出されて、半導体製品を汚染
することになる。 上記黒鉛の露出を防ぐために、ガラス状炭素被
膜の厚さを厚くすると、これを急熱急冷等の苛酷
な条件で使用した場合、ガラス状炭素被膜に剥離
およびクラツクが発生するという欠点があつた。 一方、炭化水素化合物のガスを黒鉛基材上で熱
分解させ、アモルフアスな炭素を黒鉛基材の表面
にコーテイングすることも知られている(特開昭
60−103087号公報)。 しかし、この方法では、黒鉛基材はアモルフア
スな炭素の熱膨張係数とほぼ同一なものを使用す
る必要があり、また熱サイクルによる耐久性も十
分ではなかつた。 〔発明が解決しようとする問題点〕 本発明は上記欠点を解消し、黒鉛基材の選定が
容易であり、しかも長時間の使用に耐え、かつ、
急熱急冷の条件で使用しても剥離またはクラツク
が生じ難いガラス状炭素被覆体を提供することを
目的としている。 〔問題点を解決するための手段〕 本発明者らは鋭意研究を重ねた結果、ガラス状
炭素被膜を厚くした場合に剥離およびクラツクが
発生するのは、ガラス状炭素と黒鉛基材との熱膨
張係数の差が1.5×10-6/℃を越える場合である
ことを究明した。さらに、本発明者らはガラス状
炭素被膜の厚みについて検討の結果、第1に被膜
の厚みが200μm以下で、かつ、上記熱膨張係数
の差が1.5×10-6/℃以下であると剥離およびク
ラツクの発生が少なくなること、第2の被膜の厚
みは最小15μmないと摩耗による黒鉛基材の露出
のおそれがあること、そして第3に上記熱膨張係
数の差を容易に1.5×10-6/℃以下とし、かつ、
熱サイクルによる耐久性をさらに高めるためには
ガラス状炭素被膜に耐熱性無機質粉末を存在させ
ればよいことを見い出し、本発明を完成させたも
のである。 すなわち、本発明は、有機重合体の熱分解生成
物からなり耐熱性無機質粉末を含んでなる厚さ
15μm〜200μmのガラス状炭素の被膜を、黒鉛基
材との熱膨張係数の差を1.5×10-6/℃以下とし
て黒鉛基材上に設けてなることを特徴とするガラ
ス状炭素被覆体である。 本発明のガラス状炭素被覆体は、有機重合体の
不完全熱分解生成物(以下、PC物質という)を
溶剤に溶かした溶液に耐熱性無機質粉末(以下、
骨材という)を配合してスラリーとし、それを黒
鉛基材の表面に塗布し焼成することにより得られ
る。 以下さらに本発明を詳しく説明する。 本発明で用いる有機重合体は、塩化ビニル樹
脂、油溶性フエノール樹脂、アルキルフエノール
樹脂、塩素化パラフイン、塩素化ポリプロピレ
ン、酢酸ビニル樹脂またはポリカーボネート樹脂
が好適である。特に不浸透性炭素被覆を施した物
品の使途が半導体製造用サセプターの場合には、
不純物の面から塩化ビニル樹脂がとりわけ好まし
い。 これら有機重合体の熱分解はその種類を問わず
粒状品又は粉末を、不活性雰囲気例えばアルゴン
ガス中で200〜500℃で30分以上加熱して行う。し
かしながら、完全に炭化させないほうが好まし
い。この加熱の望ましい温度・時間は加熱装置お
よび有機重合体の種類によつて異なるが、分解生
成物の炭素原子と水素原子の重量比(C/H比)
が結果的に10〜25:1の範囲に入るよう実験によ
り定めればよい。 このようにして得られるPC物質に溶剤を加え
て溶かし、濃度200〜500g/の溶液をつくる。
溶剤は溶解性の点から脂肪族塩素系の溶剤が好ま
しい。不溶解物が残ればろ過して不溶解物を取除
く。 上記熱膨張係数の差を容易に1.5×10-6/℃以
下とし、かつ、熱サイクルによる被膜の耐久性を
高めるために骨材を上記溶液に配合しスラリーと
する。骨材としては、黒鉛、炭化珪素、アルミナ
などの物質をあげることができ、その形態は直径
が50μm以下の球形または不定形でよく、また、
長径500μm以下の棒状または繊維状でもよい。
骨材として上記有機重合体を炭化したものを用い
ると、最終的に被覆層内がほぼ均質となるため不
浸透性の点でとくに好ましい。その平均粒径は
20μm以下になるよう出来るだけ細かく粉砕した
ほうが塗布層の表面状態の点で好ましい。このよ
うにして得られたスラリーを黒鉛基材の表面に塗
布する。 ここで特に留意すべき事柄としては、黒鉛基材
はガラス状炭素被膜との熱膨張係数の差が1.5×
10-6/℃以下となるものを使用することである。
上記限度を越えると剥離およびクラツクの発生防
止効果がない。 黒鉛はその品種により熱膨張係数が2×10-6〜
6×10-6/℃の範囲で種々のものがある。一方、
ガラス状炭素被膜の熱膨張係数は通常3×10-6〜
4×10-6/℃であるが、被膜の製造条件たとえば
原料の有機重合体の種類、焼成条件などにより、
多少変化する。そこで通常は被膜の製造条件をま
ず定めて、得られる被膜の熱膨張係数を測定した
のち、これに近い熱膨張係数の黒鉛基材を選定す
る方法が好ましい。 このようにして選定された黒鉛基材をサセプタ
ー、黒鉛ヒーターなど所定の形状に加工したもの
に上記スラリーを塗布する。 塗布の方法は超音波含浸、はけ塗り、スプレ
ー、浸漬などである。塗布後、比較的低温(50〜
100℃程度)で乾燥する。ここで重要な点は被膜
の厚さである。被膜の厚さは15μm〜200μmの範
囲にしなければならない。被膜の厚さが200μm
を越えると、熱膨張係数の差を1.5×10-6/℃以
下としても、急熱急冷によりクラツクが入つてし
まう。また、15μm未満では、被覆体の使用時に
被膜が摩耗して黒鉛基材が露出するおそれがあ
る。 なお、上記厚さは後記焼成を行なつた後の厚さ
である。厚さは被覆体の被覆前後の重さの差から
算出される。被覆層を厚くするにはスラリーの
塗布・乾燥を繰り返す、スラリーをより厚く塗
布する、PC物質溶液の濃度を高くする等によ
り可能である。 上記の焼成とは、不活性雰囲気下または真空中
で600〜1300℃程度の温度で30分以上の加熱を施
すことであり、これによりPC物質は炭素化する。
なお、スラリーを厚く塗布した場合、またはPC
物質の溶解濃度を高くした場合には泡の発生を防
ぐために焼成の際の昇温速度をやや遅くするほう
がよい。 〔実施例〕 以下、実施例および比較例をあげて本発明をさ
らに具体的に説明する。 実施例1〜3、比較例1〜3 第1表に示す各種の熱膨張係数を有する黒鉛を
用意し、それを20cm×50cm×1cmの板状に加工し
黒鉛基材とした。 つぎに、塩化ビニル樹脂(電気化学工業(株)製
SS−110)をアルゴン雰囲気下400℃で、30分間
不完全熱分解して得たPC物質を第1表に示す割
合でトリクレンに溶解させた。その際、骨材とし
て、実施例1と比較例1では炭化珪素粉末(平均
粒径10μm、熱膨張係数5.0×10-6/℃)、実施例
2では黒鉛粉末A(平均粒径20μm、熱膨張係数
3.0×10-6/℃)及び実施例3では黒鉛粉末B(平
均粒径20μm、熱膨張係数5.0×10-6/℃)を第1
表に示す割合で配合した。 このようにして得られたスラリーをはけ塗りに
より黒鉛基材上に塗布した。塗布回数は1〜5回
の範囲であつた。 以上の工程で得られた基材を1150℃にて、40分
間に焼成を行ない、ガラス状炭素被覆体を得た。
これら避覆体の被膜の厚味は第1表に示す通りで
あつた。 得られたガラス炭素被覆体を室温〜1150℃の真
空中に於ける急熱急冷サイクルを最高200回まで
繰り返し行い、表面のクラツク発生の有無を100
倍の光学顕微鏡で観察した。 その結果は第1表に示す通りであり、比較例1
〜3では3回〜30回のサイクル数でクラツクが発
生したが、本発明の実施例1〜3ではいずれも
200回までのサイクル数ではクラツクは認められ
なかつた。
本発明によれば、黒鉛基材の選定が容易であ
り、しかも急熱急冷のサイクルをくり返してもク
ラツクが発生することがなく、寿命の長い優れた
ガラス状炭素被覆体が得られ、実用上極めて利用
価値の高いものである。
り、しかも急熱急冷のサイクルをくり返してもク
ラツクが発生することがなく、寿命の長い優れた
ガラス状炭素被覆体が得られ、実用上極めて利用
価値の高いものである。
Claims (1)
- 1 有機重合体の熱分解生成物からなり耐熱性無
機質粉末を含んでなる厚さ15μm〜200μmのガラ
ス状炭素の被膜を、黒鉛基材との熱膨張係数の差
を1.5×10-6/℃以下として黒鉛基材上に設けて
なることを特徴とするガラス状炭素被覆体。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61185054A JPS6345188A (ja) | 1986-08-08 | 1986-08-08 | ガラス状炭素被覆体 |
US07/048,754 US4816338A (en) | 1986-06-10 | 1987-05-12 | Glassy carbon-coated article |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61185054A JPS6345188A (ja) | 1986-08-08 | 1986-08-08 | ガラス状炭素被覆体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6345188A JPS6345188A (ja) | 1988-02-26 |
JPH0246550B2 true JPH0246550B2 (ja) | 1990-10-16 |
Family
ID=16163995
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61185054A Granted JPS6345188A (ja) | 1986-06-10 | 1986-08-08 | ガラス状炭素被覆体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6345188A (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0723271B2 (ja) * | 1990-06-20 | 1995-03-15 | イビデン株式会社 | ガラス状炭素被覆物品 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60103087A (ja) * | 1983-11-08 | 1985-06-07 | 日立化成工業株式会社 | 加熱用黒鉛部材 |
-
1986
- 1986-08-08 JP JP61185054A patent/JPS6345188A/ja active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60103087A (ja) * | 1983-11-08 | 1985-06-07 | 日立化成工業株式会社 | 加熱用黒鉛部材 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6345188A (ja) | 1988-02-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR20060059911A (ko) | 기재상의 복합 내화성 금속 카바이드 코팅 및 이의 제조방법 | |
US4816338A (en) | Glassy carbon-coated article | |
EP0529593B1 (en) | A glass carbon coated graphite chuck for use in producing polycrystalline silicon | |
JP3481241B2 (ja) | 炭素をベースとする材料の酸化防止保護 | |
JP4054148B2 (ja) | 耐食性部材の製造方法及び耐食性部材 | |
JPS6241705A (ja) | ガラス状炭素被覆炭素材の製造方法 | |
JPH0246550B2 (ja) | ||
JPH0561774B2 (ja) | ||
US4686116A (en) | Process for coating small refractory particles | |
JPH0224794B2 (ja) | ||
JP3078671B2 (ja) | 耐蝕性部材、その使用方法およびその製造方法 | |
JPS6355183A (ja) | ガラス状炭素被覆体の製造方法 | |
JP2527666B2 (ja) | ガラス状炭素被覆物品 | |
JPH06122579A (ja) | ガラス状炭素被覆物品の製造法 | |
JPH0753635B2 (ja) | ガラス状炭素被覆サセプタ−及びその製造方法 | |
US3484278A (en) | Pyrolytic beryllia | |
JPH0718013B2 (ja) | ガラス状炭素被覆体の製造方法 | |
JP6768233B2 (ja) | 基材を疎水化する方法 | |
JPH01103976A (ja) | セラミック被覆黒鉛材料の製造法 | |
JPS62292611A (ja) | ガラス状炭素フイルムの製造法 | |
JPH05125660A (ja) | 熱分解炭素複合材および高温炉用断熱材 | |
JPH059395B2 (ja) | ||
EP0039774A1 (en) | Refractory structure and process for making it | |
JPH0723271B2 (ja) | ガラス状炭素被覆物品 | |
KR20050019572A (ko) | 화학기상증착에 의한 bn박막상에 sic 박막제조 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |