JPH0723271B2 - ガラス状炭素被覆物品 - Google Patents
ガラス状炭素被覆物品Info
- Publication number
- JPH0723271B2 JPH0723271B2 JP2159695A JP15969590A JPH0723271B2 JP H0723271 B2 JPH0723271 B2 JP H0723271B2 JP 2159695 A JP2159695 A JP 2159695A JP 15969590 A JP15969590 A JP 15969590A JP H0723271 B2 JPH0723271 B2 JP H0723271B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glassy carbon
- coated article
- substrate
- regular reflectance
- reflectance
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
- Ceramic Products (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、ダスト発生防止効果の大きなガラス状炭素被
覆物品に関する。
覆物品に関する。
（従来の技術） 無機質基体、例えば黒鉛基体にガラス状炭素を被覆する
ことにより、基体からのダスト発生防止、吸湿又はガス
吸着の防止、不純物汚染の防止、生体修復材における生
体適合性の向上、さらにはガス不透過性の付与等の効果
があることから、産業界の広い分野で使用されている。
例えば（特公昭52-39684号公報、特開昭62-207785号公
報、特開昭62-252394号公報、特開昭62-270489号公報、
特開昭63-54729号公報参照）。
ことにより、基体からのダスト発生防止、吸湿又はガス
吸着の防止、不純物汚染の防止、生体修復材における生
体適合性の向上、さらにはガス不透過性の付与等の効果
があることから、産業界の広い分野で使用されている。
例えば（特公昭52-39684号公報、特開昭62-207785号公
報、特開昭62-252394号公報、特開昭62-270489号公報、
特開昭63-54729号公報参照）。
上記効果のうち、特にダスト発生防止効果は、例えば各
種の半導体関連製品の性能向上及び不良率低下に直接寄
与するので注目されており、よりダスト発生防止効果の
大きなガラス状炭素被覆物品の開発が望まれている。
種の半導体関連製品の性能向上及び不良率低下に直接寄
与するので注目されており、よりダスト発生防止効果の
大きなガラス状炭素被覆物品の開発が望まれている。
（発明が解決しようとする課題） 本発明は、ダスト発生防止効果の大きなガラス状炭素被
覆物品を提供することを目的とする。
覆物品を提供することを目的とする。
（課題を解決するための手段） 本発明者らは、前記目的を達成するために、表面被覆状
態とダスト発生機構の関係について種々検討したとこ
ろ、ガラス状炭素被覆物品の表面の滑らかさとダスト発
生量との間に密接な関係があることを見出し、表面の滑
らかさを表す尺度であるところの正反射率、すなわちそ
のものの表面に対し30度の角度で入射させた光の強さの
割合（以下、正反射率という）が２〜19％であるガラス
状炭素被覆物品が極めてダスト発生量が少なく好適であ
ることを新規に知見し、本発明を完成するに至った。
態とダスト発生機構の関係について種々検討したとこ
ろ、ガラス状炭素被覆物品の表面の滑らかさとダスト発
生量との間に密接な関係があることを見出し、表面の滑
らかさを表す尺度であるところの正反射率、すなわちそ
のものの表面に対し30度の角度で入射させた光の強さの
割合（以下、正反射率という）が２〜19％であるガラス
状炭素被覆物品が極めてダスト発生量が少なく好適であ
ることを新規に知見し、本発明を完成するに至った。
即ち、本発明は、基体の表面に対し30度の角度で入射さ
せた光の正反射率が１〜８％となるように表面を処理し
た無機質基体にガラス状炭素を被覆した物品であって、
その物品の表面に対し30度の角度で入射させた光の正反
射率が２〜19％であることを特徴とするガラス状炭素被
覆物品である。
せた光の正反射率が１〜８％となるように表面を処理し
た無機質基体にガラス状炭素を被覆した物品であって、
その物品の表面に対し30度の角度で入射させた光の正反
射率が２〜19％であることを特徴とするガラス状炭素被
覆物品である。
以下、本発明についてさらに詳しく説明する。
本発明で使用される無機質基体の材質としては、黒鉛、
アルミナ、炭化けい素、窒化けい素、窒化アルミニウ
ム、ムライト等の種類に関係なく使用可能であるので、
以下、この分野に典型な黒鉛基体を例にとって説明す
る。
アルミナ、炭化けい素、窒化けい素、窒化アルミニウ
ム、ムライト等の種類に関係なく使用可能であるので、
以下、この分野に典型な黒鉛基体を例にとって説明す
る。
黒鉛基体は、一般に粒径が数百μｍ以下の黒鉛粒子の集
合体である。これらの構成粒子又は構成粒子に外部から
付着した粒子が、機械的、熱的あるいは電気的等の各衝
撃により脱離したものがダストである。従って、このダ
ストの発生を防止するには、構成粒子及び付着粒子の脱
離を防止することが必要であり、そのために基体表面を
ガラス状炭素で被覆するのもその防止法の一例である。
合体である。これらの構成粒子又は構成粒子に外部から
付着した粒子が、機械的、熱的あるいは電気的等の各衝
撃により脱離したものがダストである。従って、このダ
ストの発生を防止するには、構成粒子及び付着粒子の脱
離を防止することが必要であり、そのために基体表面を
ガラス状炭素で被覆するのもその防止法の一例である。
本発明のガラス状炭素被覆物品は、正反射率が１〜８％
となるように表面を処理した無機質基体にガラス状炭素
を被覆して表面の正反射率を２〜19％にしたものであ
る。
となるように表面を処理した無機質基体にガラス状炭素
を被覆して表面の正反射率を２〜19％にしたものであ
る。
前記基体の表面の正反射率が１〜８％となるように処理
した後ガラス状炭素を被覆する理由は、基体表面の正反
射率が１％未満の如く粗れている場合には、表面は脱離
し易い粒子でおおわれた状態にあり、これにガラス状炭
素を被覆しても被覆層ごと粒子が脱離してダストが発生
するからであり、一方、８％を超えるとガラス状炭素被
覆層が剥離し易くなるからである。
した後ガラス状炭素を被覆する理由は、基体表面の正反
射率が１％未満の如く粗れている場合には、表面は脱離
し易い粒子でおおわれた状態にあり、これにガラス状炭
素を被覆しても被覆層ごと粒子が脱離してダストが発生
するからであり、一方、８％を超えるとガラス状炭素被
覆層が剥離し易くなるからである。
また、前記ガラス状炭素被覆物品の正反射率が２〜19％
であることが必要な理由は、被覆後の表面の正反射率が
２％未満と粗れていると、例えば機械的衝撃が加わった
場合に表面の微小な凹凸の凸部が欠けたりするため、ダ
スト発生の防止効果が小さく、一方、19％を超えるとガ
ラス状炭素被覆層が剥離し易くなるからである。
であることが必要な理由は、被覆後の表面の正反射率が
２％未満と粗れていると、例えば機械的衝撃が加わった
場合に表面の微小な凹凸の凸部が欠けたりするため、ダ
スト発生の防止効果が小さく、一方、19％を超えるとガ
ラス状炭素被覆層が剥離し易くなるからである。
なお、ここで言う表面が粗れている状態とは、顕微鏡あ
るいはSEM観察により、ガラス状炭素被覆後の表面に基
体の構成粒子の形態が認められるような状態のことを言
うのであり、この状態では、ガラス状炭素被覆物品の表
面に入射した光のほとんどは、基体の構成粒子の形跡で
ある表面の微小な凹凸により乱反射され、正反射率が２
％未満となるのである。これに対して、表面の正反射率
が２〜19％のごとく滑らかな場合には、上記のような問
題は起こらずダスト発生量は著しく減少する。
るいはSEM観察により、ガラス状炭素被覆後の表面に基
体の構成粒子の形態が認められるような状態のことを言
うのであり、この状態では、ガラス状炭素被覆物品の表
面に入射した光のほとんどは、基体の構成粒子の形跡で
ある表面の微小な凹凸により乱反射され、正反射率が２
％未満となるのである。これに対して、表面の正反射率
が２〜19％のごとく滑らかな場合には、上記のような問
題は起こらずダスト発生量は著しく減少する。
次に、本発明のガラス状炭素被覆物品の製造方法の一例
を説明する。
を説明する。
本発明のガラス状炭素被覆物品は、基体の表面の正反射
率が１〜８％となるように処理した後ガラス状炭素を被
覆することにより製造される。
率が１〜８％となるように処理した後ガラス状炭素を被
覆することにより製造される。
前記基体の表面の正反射率が１〜８％となるように処理
する方法としては、バフ、パッド、ブラシ、紙ヤスリ等
による通常の研磨法で充分であるが、特にバフやパッド
を使用すると研磨により脱離した粒子が基体の細孔中に
目詰めされ、ガラス状炭素被覆後のガス不透過性効果が
大きくなる利点がある。
する方法としては、バフ、パッド、ブラシ、紙ヤスリ等
による通常の研磨法で充分であるが、特にバフやパッド
を使用すると研磨により脱離した粒子が基体の細孔中に
目詰めされ、ガラス状炭素被覆後のガス不透過性効果が
大きくなる利点がある。
正反射率が１〜８％となるように処理された無機質基体
の表面にガラス状炭素を被覆して正反射率が２〜19％の
ガラス状炭素被覆層を形成する方法としては、基体表面
に、有機重合体の熱分解物を溶媒に溶解させたものを基
体に塗布し、不活性あるいは真空中で焼成する方法を適
用することができる。なお、ガラス状炭素を被覆した後
の正反射率は、被覆前の基体の正反射率より大きくな
り、しかも被覆層の厚さに比例して正反射率は大きくな
る傾向を有するため、これらの点を考慮して、被覆層の
厚さを適宜決定することが好ましい。有機重合体として
は、塩化ビニル樹脂、ポリビニルアルコール、油溶性フ
ェノール樹脂、アルキルフェノール樹脂、塩素化パラフ
ィン、塩素化ポリプロピレン、酢酸ビニル樹脂、ポリカ
ーボネート樹脂などがあげられるが、特に不純物の面か
らは上記のうち塩化ビニル樹脂が好ましい。
の表面にガラス状炭素を被覆して正反射率が２〜19％の
ガラス状炭素被覆層を形成する方法としては、基体表面
に、有機重合体の熱分解物を溶媒に溶解させたものを基
体に塗布し、不活性あるいは真空中で焼成する方法を適
用することができる。なお、ガラス状炭素を被覆した後
の正反射率は、被覆前の基体の正反射率より大きくな
り、しかも被覆層の厚さに比例して正反射率は大きくな
る傾向を有するため、これらの点を考慮して、被覆層の
厚さを適宜決定することが好ましい。有機重合体として
は、塩化ビニル樹脂、ポリビニルアルコール、油溶性フ
ェノール樹脂、アルキルフェノール樹脂、塩素化パラフ
ィン、塩素化ポリプロピレン、酢酸ビニル樹脂、ポリカ
ーボネート樹脂などがあげられるが、特に不純物の面か
らは上記のうち塩化ビニル樹脂が好ましい。
（実施例） 次に、実施例と比較例により、さらに具体的に本発明を
説明する。
説明する。
実施例１〜３、比較例１〜２ 表面の正反射率が0.2％であるカサ比重1.85の等方性黒
鉛の表面を工業用パッド（スコッチブライト7448）で研
磨し、表面の正反射率を８％とした。
鉛の表面を工業用パッド（スコッチブライト7448）で研
磨し、表面の正反射率を８％とした。
一方、ポリ塩化ビニルを窒素中390℃で熱分解しタール
状の炭素前駆体を得、トリクレンにこの炭素前駆体を溶
解し、それを上記の等方性黒鉛に塗布した後、真空雰囲
気中1200℃で焼成し、正反射率が９％、15％、19％、20
％のガラス状炭素被覆物品をそれぞれ作製した。
状の炭素前駆体を得、トリクレンにこの炭素前駆体を溶
解し、それを上記の等方性黒鉛に塗布した後、真空雰囲
気中1200℃で焼成し、正反射率が９％、15％、19％、20
％のガラス状炭素被覆物品をそれぞれ作製した。
実施例４〜５、比較例３〜４ 表面の正反射率が0.1％であるカサ比重1.60の押出材黒
鉛の表面を工業用パッド（スコッチブライト7448）で研
磨し、表面の正反射率を１％とした。
鉛の表面を工業用パッド（スコッチブライト7448）で研
磨し、表面の正反射率を１％とした。
この押出材黒鉛の表面に、実施例１〜４と同様の方法で
ガラス状炭素被覆を行ない、正反射率が1.8％、２％、
５％のガラス状炭素被覆物品をそれぞれ作製した。
ガラス状炭素被覆を行ない、正反射率が1.8％、２％、
５％のガラス状炭素被覆物品をそれぞれ作製した。
実施例１〜５、比較例１〜４が得られたガラス状炭素被
覆物品の正反射率及びダスト量を測定したところ、表１
の結果が得られた。尚、表１に記載した物性値の測定は
次の方法で行なった。
覆物品の正反射率及びダスト量を測定したところ、表１
の結果が得られた。尚、表１に記載した物性値の測定は
次の方法で行なった。
（１）正反射率（％） 光沢計GM−060（ミノルタカメラ社製）を用いて30°入
射光の正反射率を測定。
射光の正反射率を測定。
（２）ダスト量（個／cm2・min） ガラスセル（15φ×30l）中に試料（７×７×7,3ケ）を
入れ、振幅0.05mm60Hzで振動を加え、0.3μｍ以上のパ
ーティクル数をパーティクルカウンターで測定。
入れ、振幅0.05mm60Hzで振動を加え、0.3μｍ以上のパ
ーティクル数をパーティクルカウンターで測定。
（発明の効果） 本発明のガラス状炭素被覆物品はダスト発生防止効果が
大きいために、これを用いて製造した例えば半導体関連
製品の性能向上、不良率の低下など寄与するところが大
きい。
大きいために、これを用いて製造した例えば半導体関連
製品の性能向上、不良率の低下など寄与するところが大
きい。
本発明のガラス状炭素被覆物品は、化学、半導体、原子
力、航空宇宙などの広い産業分野で使用される。その具
体例をあげれば、シリコンウエハーなどのエピタキシャ
ル気相成長，その他各種絶縁膜あるいは多結晶膜の気相
成長などの工程で使用する各種サセプタ、ダイオード，
トランジスタ,ICなどの半導体電子部品の組立て，化学
処理，製造，検査などを行なうときに使用する各種治
具、金属の融解，蒸発，還元精製などに用いられるルツ
ボ、半導体の単結晶化，精製など半導体原料を高温で融
解させて種々の処理を行なう装置に用いられる各種部
材、液相エピタキシャル成長の工程で使用するボート、
各種反応管などである。
力、航空宇宙などの広い産業分野で使用される。その具
体例をあげれば、シリコンウエハーなどのエピタキシャ
ル気相成長，その他各種絶縁膜あるいは多結晶膜の気相
成長などの工程で使用する各種サセプタ、ダイオード，
トランジスタ,ICなどの半導体電子部品の組立て，化学
処理，製造，検査などを行なうときに使用する各種治
具、金属の融解，蒸発，還元精製などに用いられるルツ
ボ、半導体の単結晶化，精製など半導体原料を高温で融
解させて種々の処理を行なう装置に用いられる各種部
材、液相エピタキシャル成長の工程で使用するボート、
各種反応管などである。
Claims (1)
- 【請求項１】基体の表面に対し30度の角度で入射させた
光の正反射率が１〜８％となるように表面を処理した無
機質基体にガラス状炭素を被覆した物品であって、その
物品の表面に対し30度の角度で入射させた光の正反射率
が２〜19％であることを特徴とするガラス状炭素被覆物
品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2159695A JPH0723271B2 (ja) | 1990-06-20 | 1990-06-20 | ガラス状炭素被覆物品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2159695A JPH0723271B2 (ja) | 1990-06-20 | 1990-06-20 | ガラス状炭素被覆物品 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0450185A JPH0450185A (ja) | 1992-02-19 |
| JPH0723271B2 true JPH0723271B2 (ja) | 1995-03-15 |
Family
ID=15699300
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2159695A Expired - Lifetime JPH0723271B2 (ja) | 1990-06-20 | 1990-06-20 | ガラス状炭素被覆物品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0723271B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2022209966A1 (ja) * | 2021-03-30 | 2022-10-06 | イーグル工業株式会社 | 摺動部品 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4936608B2 (ja) * | 2001-06-28 | 2012-05-23 | イビデン株式会社 | ガラス状炭素被覆イオン注入装置用部材 |
| JP3785422B2 (ja) * | 2004-09-14 | 2006-06-14 | 株式会社万雄 | 温風加熱器 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6345188A (ja) * | 1986-08-08 | 1988-02-26 | 電気化学工業株式会社 | ガラス状炭素被覆体 |
| JPS6355182A (ja) * | 1986-08-26 | 1988-03-09 | 電気化学工業株式会社 | ガラス状炭素被覆体の製造法 |
-
1990
- 1990-06-20 JP JP2159695A patent/JPH0723271B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2022209966A1 (ja) * | 2021-03-30 | 2022-10-06 | イーグル工業株式会社 | 摺動部品 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0450185A (ja) | 1992-02-19 |
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