JPS5967093A - 光記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ■　発明の背景 技術分野 本発明は、光記録媒体、特にヒートモードの光記録媒体
に関する。

先行技術 光記録媒体は、媒体と書き込みないし読取ヘッドが非接
触であるので、記録媒体が摩耗劣化しないという特徴を
もち、このため１種々の光記録媒体の開発研究が行われ
ている。

このような光記録媒体のうち、暗室による画像処理が不
要である等の点で、ヒートモード光記録媒体の開発が活
発になっている。

このヒートモードの光記録媒体は、記録光を熱として利
用する光記録媒体であり、その１例として、レーデ−等
の記録光で媒体の一部を融解、除去等して、ピットと称
される小穴を形成して書き込みを行い、このピッ］・に
より情報を記録し、このピットを読み出し光で検出して
読み出しを行うものがある。

そして、このようなピット形成型の媒体の１例として、
基体上に、ニトロセルロース等の自己酸化性化合物と光
吸収体とを含む記録層を設層し、ニトロセルロース等を
分解させてピットを形成するものや、熱可塑性樹脂と光
吸収体とからなる記録層全塗設し、樹脂を融解してピッ
トを形成するものや、光吸収色素を蒸着し、これを融解
してピットを形成するものなどが知られている。

このようなヒートモードの光記録媒体に書き込みを行う
ための記録光および読み出し光としては９ｇき込みおよ
び読み出し装置を小型なものとするために、７５０〜８
３０ｎｍの発振波長の半導体レーデ−等の長波長記録光
を用いることが好ましい。

ところで、長波長光に吸収をもつ光吸収体のうち１代表
的に用いられる色素としては。

シアニン色素がある。

しかし、シアニン色素を記録層中に含有させたときには
、熱や光に対する安定性が低く。

生保存性が悪い。　例えば、室内光にさらした状態で保
存するような場合、書き込みができない状態となってし
まう。　あるいは、高温下にて保存するような場合、や
ばＩ）　’ｔ４−き込みができない状態となってしまう
。

また、読み出し光のくりかえし照射により。

いわゆる再生劣化を生じ、Ｃ／Ｎ比が劣化する。

さらに、特に１色素と熱可塑性樹脂とから記録層を形成
するような場合、−已形成したピットを消去光や熱によ
り消去して、再書き込みをすることができるが、このよ
うな消去をくりかえすことにより、書き込み特性が劣化
してしまう。

加えて、書き込み感度や読み出しのＣ／Ｎ比についても
十分満足できない。

とｔｌ、に対し、熱や光に対する安定性の高い光吸収色
素としては、フタロシアニン錯体力ある。

し、かじ１通常のフタロシアニン錯体け、上記のような
長波長光に吸収がなく、書き込みを行うことができない
。

あるいは、一部の７タロシアニン錯体ハ長波長デーに吸
収のあるものもを〕るが、ヒートモードの媒体では、記
録再生特性は光吸収特性のみで決せられるものでないこ
とから、一部のフタロシアニン錯体のうち、長波長光に
吸収のあるものであっても、媒体に適用したときには、
書き込み感度が低く、読み出しのＣ／Ｎ比が低い、 ＩＩ　　発明の目的 本発明は、このような実状に鑑みなされたものであって
、その主たる目的は、半導体レーデ−等の長波長の記録
光、読み出し光を用いるような場合、生保存性が良好で
、再生劣化等が少なく、シかも書き込み感度と読み出し
Ｃ／Ｎ比が高いなど、すぐれた特性をもつ光記録媒体を
提供すること（である。

本発明者らは、このような目的につき鋭意研究を行った
結果、このような目的を達成する特定の７タロシアニン
錯体群を見い出し。

本発明をなすに至った。

すなわち１本発明ｔよ、基体上に、マンガンフタロシア
ニンの６配位構造の錯体を含む記録層を有することを特
徴とする光記録媒体である。

また、第２の発明は、基体上に、マンガンフタロシアニ
ンの６配位構造の錯体と、自己酸化性化合物または熱可
塑性樹脂を含む記録層を有することを特徴とする光記録
媒体である。

■　発明の具体的構成 以Ｆ１本発明の具体的構成を詳細に説明する。

大発明の光記録媒体の記録層中には、マンガンフタロシ
アニンの６配位構造の錯体が含有される。

この場合、錯体は、中心金属原子としてマンガンをもち
、このマンガンに、平面構造にて、フタロシアニン分子
が４配位し、さらに。

平面の上下から他の２つの配位子が配位して６配位構造
をとっているものである。

このような上下から配位する２つの配位子が配位するこ
とによって、吸収が長波域にシフＬＬ、Ｌかもヒートモ
ード媒体に適用して。

感度とＣ／Ｎ比が格段と向上する。

なお、中心金り原子がマンガン以外では。

本発明所定の効果は実状しない。

このような上下から配位する２つの配位子の種類には、
特に制限はないが、２つの配位子のうちのいずれか一方
または両方は、　ｐＫａが４〜１０であることが好まし
い。

とり、　Ｋより、波長のシフト量が大きくなり。

７５０　ｎｍ〜８３０　ｎｍ、特に７８０〜８３０ｎｒ
ｎにおいて、】０４　以上の吸生係数εが得られ、しか
も感度およびＳ／Ｎ比はきわめて高いものとなる。

この場合、配位子のｐＫａは４．５〜６０であるとより
一層好ましい結果をうる。

このようなｐＫａをもつ配位子としては、ピリジン、３
〜メチルビリジン７４−メチルビリジン、３−エチルぎ
りジン、３−イソプロピルピリジン、４−フェニルピリ
ジン、３−アミノピリジン、４−ビニルピリジン、３〜
フエニルピリジン、３−ヒドロキシぎりジン。

３−１−ブチルピリジン、３．５−ジメチルピリジン、
３−スチリルピリジン、４−アミノピリジン、Ｏ−メチ
ル−３−ヒドロキシピリジン、Ｏ−メチル−４−ヒドロ
キシピリジン。

Ｓ−メチル−３−メルカプトピリジン、Ｓ−メチル−４
〜メルカプトピリジン等のピリジン類。

キノリン、３−ヒドロキシキノリン、５−アミン午ノリ
ン、６−アミノキノリン、イソキノリン、１−アミノイ
ソキノリン、３−アミノイソキノリン２４−アミノイソ
キノリン。

Ｏ−メチル−４−ヒドロキシキノリン、Ｓ−メチル−４
−メルカプトキノリン、Ｓ−メチル−５−メルカプトキ
ノリン、３−アミノキノリン、４−アミノキノリン、４
−ジメチルアミノキノリン、４−ジメチルアミノ−３，
５−ジメチルキノリン、６−アミノキノリン。

７−アミノキノリン、５−ヒドロキシキノリン２６−ヒ
Ｐロキシキノリン、７−ヒドロキシキノリン、８−ヒド
ロキシキノリン、５−アミノイソキノリン、６−アミノ
イソキノリン、７−アミノイソキノリン、８−アミノイ
ソキノリン等のキノリン類。

アクリジン、４−メチルアクリジン、４〜メトキシアク
リジン２９−メチルアクリジン。

３−アミノアクリジン、９−アミノアクリジン、３，６
−ジメチルピリジン、９−ヒドラジノアクリジン、３−
ヒドロキシアクリジン。

４−ヒドロキシアクリジン、４−カルボキシアクリジン
等のアクリジン類。

４−アミノピリミジン、２，４−ジヒドロキシピリミジ
ン、　　２，４．６−　）リヒドロキシピリミジン、５
．５−ジエチル−２，４，６−）ジヒドロキシピリミジ
ン等のピリミジン類。

フエナントリジン、６−アミツフエナントリジン、３−
ヒドロキシフェナントリジン。

８−ヒドロキシフエナントリジン等の７エナントリジン
類。

３−アミノピリダジン、４−アミノピリダジン等のピリ
ダジン類。

ペンツイミダゾール類。

１−アミノフタラジン等のフタラジン類。

その他、　ＣＮ　、Ｃ２Ｈ５ＯＨ等 などがある。

これに対し、中心金属マンガンは、２価であって、錯体
全体が中性であってもよい。

また、３価をとり、錯体がＮａ＋等の陽イオンと塩を形
成することもできる。

さらに、フタロシアニンは、非置換体であっても、置換
基を有するものであってもよい。

フタロシアニンが置換基を有するものである場合、置換
基の数は総計１２ｆβ１．特に８測具ｔであることが好
ましい。

そして、置換基は、ベンゼン環の任意の位置に結合する
ことができるが９％に七の４位または５位（下記）に結
合することが好ましい。

このような置換基のうち、特に好適なものとしては、シ
アノ基、カルボキシル基、アミノ基、アルキルオキシカ
ルボニル基、アルキルカルボニルアミノ基、アルキルア
ミノスルホニル基、アルキルカルボニルオキシ基、アル
キルアミノカルボニル基、アルキルスルホンアミド基、
アルコキシ基、ノ・ロゲン原子。

ニトロ基等を挙げることができる。

次に、このような６配伯構造の錯体のうち特に好ましい
具体的化合物例を挙げるが１本発明は、これらのみに限
定されるものではない。

このような錯体は、　　Ｉｎｏｒｇａｎｌｃ　Ｃｈｅｒ
ｎｉｓｔｒ３／７（５）８４７　（ｘ９６ｍ）等に記載
されておシ。

常法に従い置換または非置換のフタロシアニンを得た後
、ピリジン等の配位子を添加し。

未配位の配位子を減圧留去する等により容易に合成する
ことができる。

以上詳述したような錯体は、記録光の照射により、記録
光を吸収して融解可能であるので、錯体のみから蒸着な
いし塗布によシ記録層を設層してもよい。

ただ、一般には、記録層に、錯体とともに。

自己酸化性化合物または熱可塑性樹脂を含有させて、自
己酸化性化合物を燃焼させたシ。

熱可塑性樹脂を融解させたシすることが好ましい。　こ
れによシ膜物性が向上する。

記録層に含有される自己酸化性化合物は。

昇温したとき、酸化的な分解を生じるものである。

このような自己酸化性化合物の例としては。

特願昭５５−９９２０２号に記載したようなものを挙け
ることができるが、これらのうち、ｔ！Ｐ！Ｆにニトロ
セルロースが好適でアル。

また、自己酸化性化合物にかえて、あるいけ、場合によ
っては、これに加えて含有される熱可塑性樹脂は、記録
光を吸収した光吸収体の昇温により、軟化するものであ
り、熱可塑性樹脂としては、公知の種々のものを用いる
ことができる。

これらのうち、特に好適に用いることができる熱可塑性
樹脂には、以下のようなものがある。

１）ポリオレフィン ポリエチレン、ポリノロピレン、ポリ４−メチルペンテ
ン−１など。

１１）ポリオレフィン共重合体 例えば、エチレン−酢酸ビニル共重合体。

エチレン−アクリレート共重合体、エチレン−アクリル
酸共重合体、エチレン−プロピレン共重合体、エチレン
−ブテン−１共重合体、エチレンー無水マレイン酸共重
合体、エチレンゾロビレンターホリマー （ＥＰＴ　）など。

この場合、コモノマーの１合比は任意のものとすること
ができる。

ｉｉｉ　）　　塩化ビニル共重合体 例えば、酢酸ビニル−塩化ビニル共重合体、塩化ビニル
−塩化ビニリデン共重合体。

増化ビニル−無水マレイン酸共重合体、アクリル酸エス
テルないしメタアクリル省エステルと塩化ビニルとの共
重合体、アクリルニトリル−塩化ビニル共重合体、塩化
ビニルエーテル共重合体、エチレンないしプロピンンー
塩化ビニル共重合体、エチレン−酢酸♂ニル共重合体に
塩化ビニルをグラフト重合したものなど。

この場合、共重合比は任意のものとすることができる。

ｉｖ）　　ｍ化ビニリデン共重合体 塩化ビニリデン−塩化ビニル共重合体。

塩化ビニリデン−塩化ビニル−アクリルニトリル共重合
体、塩化ビニリデン−ブタジェン−ハロゲン化ビニル共
重合体など。

この場合、共重合比は、任意のものとすることができる
。

■）ポリスチレン ｖｉ）　　スチレン共重合体 例えば、スチレン−アクリルニトリル典型１合体（ＡＳ
ｔｌ脂）、スチレン−アクリルニトリル−ブタジェン共
重合体（ＡＢＳ　！脂）。

スチレン−無水マレイン嗜共重合体（ＳＭＡ樹脂）、ス
チレン−アクリルエステル−アクリルアミド共重合体、
スチレン−ブタジェン共重合体（ＳＢＲ）　、スチレン
−塩化ビニリデン共重合体、スチレン−メチルメタアク
リレート共重合体など。

この場合、共重合比は任意のものとすることができる。

ｖｉｉ）　　スチロール型重合体 例えば、ｐ−メチルスチロール、α−メチルスチロール
、２．５−ジクロルスチロール、α、β−ビニルナフタ
リン、α−ビニルｅ　リシン、アセナフナン、ビニルア
ントラセンなど、あるいはこれらの共重合体。

ｖｉｉｉ）　　クマロン−インデン樹脂クマロン−イン
デン−スチレン＋７）　共重合体。

ｌｘ）　　テルペン樹脂ないしピコライト飼えば、α−
ピネンから得られるリモネンの１合体であるテルペン樹
脂やβ−ヒネンから得られるピコライト。

×）アクリル樹脂 特に下記式で示される原子団を含むものが好ましい。

式 ％式％ 上記式に訃いて、ＲＩは、水素原子・またけアルキル基
を表わし、Ｒ２は、渦換才たは非植換のアルキル基を表
わす。　この場合。

上記式において、ＲＩは、水素原子または炭素原子数１
〜４の低級アルキル基、特に水素原子またはメチル基で
あることが好ましい。　また、Ｒ２は、置換、非置換い
ずれのアルキル基であってもよいが、アルキル基の炭素
原子数は１〜４であることが好ましく、またＲ２が置換
アルキル基であるときには、アルキル基を置換する置換
基は、水酸基、ハロゲン原子またはアミン基（特にジア
ルキルアミノ基）であることが好ましい。

このような上記式で示される原子団は。

他の〈シかえし原子団とともに、共１合体を形成して各
ｎ１アクリル樹脂を′ｍ成してもよいが、通常は４上記
式で示される原子団の１釉または２種以上を〈″しかえ
し単位とする単独重合体または共重合体を形成してアク
リル樹脂を構成することになる。

×１）ポリアクリルニトリル ×１１）アクリルニトリル共重合体 例えば、アクリルニトリル−酢酸ヒニル共重合体、アク
リルニトリル−塩化ビニル共重合体、アクリルニトリル
−スチレン共重合体、アクリルニトリル−塩化ビニリデ
ン共重合体、アクリルニトリル−ビニルピリジン共重合
体、アクリルニトリル−メタクリル酸メチル共重合体、
アクリルニトリル−ブタジェン共重合体、アクリルニト
リル−アクリル酸ブチル共重合体など。

この場合、共重合比は任意のものとすることができる。

×１１）ポリアクリルアミドないしダイア七トンアクリ
ルアミドポリマー ポリアクリルアミドないしアクリルニトリルにアセトン
を作用させたダイア七トンアクリルアミＰポリマー。

ｘｔｖ）ポリ酢酸ビニル Ｗ）酢酸ビニル共重合体、 例えば、アクリル酸エステル、ビニルエーテル、エチレ
ン、塩化ビニル等との共重合体など。

共１合比は任意のものであってよい。

ｘｖｉ）前リビニルエーテル 例えば、ポリビニルメチルニーデル、ポリビニルエチル
エーテル、ポリビニルブチルエーテルなど。

ｘｖｉＤポリアミド この場合、ポリアミドとしては、ナイロン６、ナイロン
６６、ナイロン６１０．ナイロン６１２．ナイロン９．
ナイロン１１゜ナイロン１２．ブイロン１３等の通常の
ホモナイロンの他、ナイロン６、／６６／６１０゜ナイ
ロン６／６６／１２．ナイロン６／６６／１１等のり１
１１合体や、場合によっては変性ナイロンであってもよ
い。

Ｘ１ｉｉｉ）ポリエステル 例えば、シュウ酸、コハク酸、マレイン酸、アジピン酸
、セパステン酸等の脂肪族二塩基酸、あるいはイソフタ
ル酸、テレフタル酸などの芳香族二塩基酸などの各種二
塩基酸と、エチレングリコール、テトラメチレングリコ
ール、ヘキサメチレンクリコール等のグリコール類との
縮合物や、共縮合物が好適である。　そして、これらの
うちでは、特に脂肪族二塩基酸とグリコール類との縮合
物や、グリコール類と脂肪族二塩基酸との共縮合物は、
特に好適である。

さらに１例えば無水フタル酸とグリセリンとの縮合物で
あるグリプタル樹脂を、脂肪酸、天然樹脂等でエステル
化変性し六変性グリシタル樹脂なども好適に使用される
。

遁×）ポリビニルアセタール系樹脂 ポリビニルアルコールを、アセタール化して得られるポ
リビニルホルマール、ポリビニルアセタール系樹脂はい
ずれも好適に使用される。

この場合、ポリビニルアセタール系樹脂のアセタール化
度は任意のものとすることができる。

ＸＸ）ポリウレタン樹脂 ウレタン結合をもつ熱可塑性ポリウレタン樹脂 特［Ｊ”ＩＪ＝＋−ル類と、ジイソシアネート類との縮
合によって得られるポリウレタン樹脂、就中アルキレン
グリコールとアルギレンジイソシアネートとの縮合によ
って得られるポリウレタン樹脂が好適である。

双１）ポリエーテル ポリオキシメチレン、スチレンホルマリン樹脂、環状ア
セタールの開環重合物、ポリエチレンオキザイドおよび
グリコール。

ポリプロピレンオキサイドおＬびダリコール、プロピレ
ンオキサイド−エチレンオキサイド共重合体など。

ポリフェニレンオキサイド。

ｘｘｉｉ）セルロース銹導体 有機酸エステル、エーテルないしこれらの混合体。

ｘｘｉｉｉ）ポリカーボネート 例えば、ポリジオキシジフェニルメタンカーボネート、
ポリジオキシジフェニルエタンカーボネート、ジオキシ
ジフェニルプロバンカーボネート竹の各行ポリカーボネ
ート。

×Ｘｖ）上記Ｉ）〜ｘｘｉｉｉ　）の２机以上のブレン
ド体。

またはその仙の熱可塑性樹脂とのブレンド体。

なお、自己酸化性化合物および熱可塑性樹脂の分子量等
は秤々のものであってよい。

このような自己６安化性化合物才たけ熱可塑性樹脂と、
錯体とは１通常、１−量比で、１対０．１〜１００の広
範な量比の中から、所望の書き込み感度が得られるよう
に設層される。

このような記録層を設層するには、一般に常法に従い塗
設すればよく、その厚さは、一般に、０．０１〜２μｍ
程度とされる。

なお、このような記録層には、この他、他のポリマーな
いしオリゴマー、各挿可塑剤。

界面活性剤、帯電防止剤、滑剤、難燃剤、安定剤１分散
剤等が含有されていてもよい。

なお、上記したように、記録層は、錯体を蒸着して形成
することができる。

また、　８１１体のみから、あるいは錯体と自己酸化性
化合物または熱可塑性樹脂とから記録層を形成する場合
、その塗布に用いる溶媒としては０例えば、メチルエチ
ルケトン、メチルイソグチルケトン、シクロヘキサノン
等のケトン糸、酢酸ブチル、酢酸エチル、カルピトール
アセテート、ブチルカルピトールアセテート等のエステ
ル系、メチルセロソルブ。

エチルセロソルブ等のエーテル系、ないしトルエン、キ
シレン等の芳香族系、ジクロロエタン等のハロゲン化炭
化水素系などを用いればよい。

このような記録層を塗設する基体の利質には特に制限は
なく、各種樹脂、ガラス、セラミックス、金に＠吟いず
れであってもよい。

また、その形状は使用用途に応じ、テープ。

ディスク、ドラム、ベルト等いずれであってもよい なり、基体は１反射層等の下地層を有するものであって
もよい また。記録層上には、透明基体を用いるときに裏面とし
て機能する反射層や、各種最上層保穫層、バーンミラ一
層などを設けることもできる。

本発明の媒体は、このような基体の一面上に上記の記録
層を有するものであってもよく。

その画面に記録層を有するものであってもよい。　また
、基体の一面上に記録りを塗設したものを２つ用い、そ
れらを記録層が向がいあうようにして、所定の間隙をも
って対向させ、ぞハを密閉したりして、ホコリやキズが
つかないようにすることもできる。

■　発明の具体的作用 本発明の媒体は、走行ないし回転下において、記録光を
パルス状に照射する。　このとき、記録層中の錯体の発
熱により、自己酸化性化合物が分解するか、あるいは熱
可塑性樹脂や、錯体が融解し、ビットが形成される。

この場合、５００〜８５０ｎｍの波長の記録光、４、〒
に７５０〜８３０ｎｍの半導体レーデ−などを用いたと
き、きわめて良好な書き込みを行うことができる。

このように形成されたピットは、やはり媒体の走行ない
し回転下、読み出し光の反射光ないし透過光を検出する
ことにより読み出される。

なお、記録層に熱可塑性樹脂を用いるときには、一旦記
録層に形成したピットを光ないし熱で消去し、再書き込
みを行うこともできるっ ■　発明の具体的効果 本発明によれば、可視光はもとより、７５０〜８５０ｎ
ｍの波長の半導体レーデ−１発光ダイオードを用いても
、＠わめて感度の高い書き込みを行うことができる。

これは１本発明の錯体が７５０〜８５０ｎｍにおいて、
１０４以上にもおよぶ吸光係数をもつことによる。

捷だ、きわめて良好な形状のピットを形成することがで
き、読み出しのＣ／Ｎ比もきわめて高い。

２らに、熱や光に対する安定性が高く、生保存性が良好
で、室内光にさらしても、書き込み特性の劣化はない。

捷た。いわゆる再生劣化もきわめて少ない。

そして、消去再書き込みを行うようなときにも特性の劣
化は少ない。

■　発明の具体的実施例 以Ｆ１本発明の具体的実施例を示し１本発明をさらに詳
細に説明する。

実施例１ ます、上述の錯体＆１を、対応するフタロシアニン錯体
にピリジンを配位させ、未配位ピリジンを留去して単離
した。

錯体の同定は、可視光の吸収スペクトルと化学分析によ
って行った。

次に、この錯体を、窒素含量１１．５〜１２．２％で、
Ｊ、ｌ５Ｋ６７０３にもとづく粘度２０秒のニトロセル
ロースと１重量比で１：１となるヨウニ、ジクロロエタ
ン２ニジクロヘキサノン２：トルエン１の溶媒中に溶解
した。

コｔ’Ｌ　ヲ、　直８１１　ｃｍのアクリル樹脂ディス
ク基板上に、０．６　μｍの厚さに塗布設層して。

本発明の媒体を得た。

一方、これとは別に、錯体應１を、比較用シアニン色素
、３．３’−ジ（３−アセトキシプロピル）−１１−ジ
フェニルアミノ−１０，１２−エチレン−５，６，５：
　６’−ジベンゾチアトリカルギシアニンバークロレー
ト（イーストマンコダノク社製１４４０１　）にかえ、
上記と全く同様にして、比較用の媒体を得た。

このようにして作成した２つの媒体につき。

これを１８００　ｒｐｍで回転させながら、ＡぬａＡｓ
−ＧａＡ、ｓ　　半導体レーデ−記録光（８３０ｎｍ）
を１　μｍφに集光し、（集光部用力１０ｍＶ、Ｌ６　
ｆｖｌＨｚの周波数で、パルス列状に照射した。

これにより１両媒体にはピットがトラック状に形成され
た。

この俵、読み出し光として、　ＡｇＧａＡｓ　−ＧａＡ
ｓ半導体レーデ−（８３０ｎｍ）を、１μｍφに集光し
く集光部１　ｍＷ　）　、　３０　ＫＨｚの周波数のパ
ルス列として、媒体１８００　ｒｐｍ回転回転対照射１
反射光のピーク−ピーク間のＣ／Ｎ比を測定した。

結果を表１に示す。

さらに、ピット形成後の媒体に、読み出し光を連続５分
間照射して、Ｃ／Ｎ比の再生劣化を測定した。　結果を
表１に示す。

これとは別に１両媒体を４０Ｗの螢光灼１ｍ下に２４時
間おいた後書き込みを行い、Ｃ／Ｎ比の測定を行い、耐
光性を評価した。

また１両媒体を、１５０℃の条件に５分間おいた後■き
込みを行い、Ｃ／Ｎ比の測定を行い、耐熱性を評価した
。

これらの結果を表１に示す。

表　　　１ 媒　　体　　　　本発明　　　比　較 色　　　素　　　　　　　　　錯体Ａ１　　　シアニン
Ｃ／Ｎ比　　　　　４１　ｄＢ　　　３５　ｄＢ再生劣
化（Ｃ／Ｎ比）　　　４１ｄＢ　　　　２８ｄＢ耐光性
　（Ｃ／’Ｎ比）４１ｄＢ　　　　−□なお、比較用の
媒体では、上記の光ないし熱の存在下の保存によシ、書
き込み不能の状態となった。

表１に示される結果から１本発明の媒体が。

生保存性にすぐれ、再生劣化が少なく、高いＣ／Ｎ比を
得られることがわかる。

実施例２ 実施例１における錯体Ａ１を下記表２に示される化合物
にかえ、実施例１と同様に、Ｃ／Ｎ比、再生劣化、耐光
性、耐熱性を測定した。

結果を表２に示す。

なお、各媒体において、記録光、読み出し光は、実施例
１と同一の８３０　ｎｍのものを用いた。

表２に示される結果から１本発明の効果があきらかであ
る。

実施例３ 央ｈＩＩ□例１における錯体ｊｈ１を錯体扁５Ｋか工、
ニトロセルロースをクマロン−インデン樹脂（日鉄化学
株式会社製Ｖ　−、１２０）にかえ、記録層の厚さを０
５μｍｖｃかえた他は。

実施例１と同様に本発明の媒体を得た。

丑だ、比較用のシアニン色素としては、３−エチル−２
−（７−（３−エチル−２−ペンゾチアゾリニリデン）
−１，３，５−へシタトリエチル）ベンゾチアゾリニウ
ム　パークロレ−１・（イーストマン　コダック社製１
５０７１　）を用いた。

実施例１と同様の条件で、　８３０　ｎｍにて記録およ
び読み出しを行い、Ｃ／Ｎ比、再生劣化２面１光性、耐
熱性を測定した。

結果を表３に示す。

表　　　　　３ Ｃ／Ｎｌ＋’（ｄＢ）　　　　　　　　４２　　　　３
５再生劣化Ｃ／Ｎ比（ｄＢ）　　　　４］　　　　２６
削光性　Ｃ／Ｎ比（ｄＢ）　　４２　　−一耐熱ゼＬ　
　Ｃ／Ｎ比（ｄＢ）　　　４〇　　　−シアニン色素を
用いる比較用媒体は、光および熱の存在下での保存性に
劣り、書き込み不能となっており、これらの結果から１
本発明の効果があきらかである。

実施例４ １１１体ＩＦｈ　１お・よひ、４６５を０．０２μｍ　
Ｊ！′７に蒸着し、実施例１と同様の測定を行い１表４
に示される結果を得た。

表　　　　　４ 媒　　体　　　　　本発明　本発明 組体ｊ６１５ Ｃ／Ｎ比（（１８）　　　　　　４３　　　４４再生劣
イヒＣ／Ｎ比　　　　４２　　４２叫光性　Ｃ／Ｎ比　
　　　４３　　４４月熱性　Ｃ／’　Ｎ比　　　　４３
　　４３実施例５ 熱可ｑｆＪ性樹脂として、数平均分子量１０万のポリス
チレンおよびナイロン６／６６／１２典型合体を用い、
また帥１素として化合物屋１を用い、実に例１に準じ５
本発明の２独の媒体を作製した。

この場合、樹脂と色素との重量比は３：１記録層厚さは
０．７μｍとした。

’ｋ　ＪＩＦ＋例１と同様、８３０ｎｍのＡ／ＣａＡｓ
　−ＧａＡｓ　　半導体レーデ−にて書き込みおよび読
み出しを行い、Ｃ／Ｎ比、再生劣化、耐熱性耐光性を測
定した。

廿だ、書き込み後、ｔｏｏ’ｃの赤外線ヒーターを２０
秒間全面照射して、ピットを消去後、再書き込みを行っ
た。

くりかえし１０回の消去、！＞−４！＋き込みを行い、
Ｃ／Ｎ比を測定し、消去劣化を評価した。

これらの結果を表５に示す。

表　　　　　５ 媒　　体　　　　　本発明　　本発明 樹　　　脂　　　　　　　　　ポリスチレン　　ナイロ
ンＣ／Ｎ比（ｄＢ）　　　　　　４２　　　４０Ｐ」生
方化Ｃ／Ｎ比（ｃｌＢ）　　　　４１　　　　３８血１
介性　Ｃ／Ｎ叱（（ＩＢ）　　　４１　　　　４０而・
ｊ熱性　Ｃ／Ｎ比（ｄＢ）　　　　４０　　　　３Ｂ消
去劣化Ｃ／Ｎ比（ｃｌＢ）　　　　４２　　　　４０表
５に示される触法から１本発明の効果があきらかである
。　すなわち、再生劣化が少なく、生保存イイ１にすぐ
れ、良好なＣ／Ｎ比を示し、消広、再書き込み特性もき
わめて良好であることがわかる。

出願人　東京電気化等ニュー業株式会社代理人弁理土石
　井　陽　−

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、　　＊；体にニ、マンガンフタロシアニンの６配位
   構造の錯体を含む記録層を有することを特徴とする光記
   録媒体。 ２　マンガンフタロシアニンの６配位構造の錯体が、　
   ｐＫａ　４〜１０の配位子を１つまたは２つもつ特許請
   求の範囲第１項に記載の光記録媒体。 ３、　マンガンが２価または３価である特許請求の範囲
   第１項または第２項に記載の光記録婢一体。 ４　フタロシアニンが、非置換であるか、総計１２個以
   下の置換基をもつ特許請求の範囲第１甲ないし第３項の
   いずれかに記載の光記録媒体。 ５、　　基！上に、マンガンフタロシアニンの６配位構
   造の錯体と、自己酸化性化合物または熱可塑性樹脂とを
   含む記録層を有することを特徴とする光記録媒体。 ６、　マンガンフタロシアニンの６配位構造の錯体が、
   ｐＫａ４〜１０の配位子を１つまたは２つもつ特許請求
   の範囲第５項に記載の光記録媒体。 ７、　マンガンが２価または３価である特許請求の範囲
   第５項または第６項に記載の光記録媒体。 ８、　フタロシアニンが、非置換であるか、総計１２個
   以下の置換基をもつ特許請求の範囲第５項ないし第７項
   のいずれかに記載の光記録媒体。