JPS5954257A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS5954257A JPS5954257A JP16535082A JP16535082A JPS5954257A JP S5954257 A JPS5954257 A JP S5954257A JP 16535082 A JP16535082 A JP 16535082A JP 16535082 A JP16535082 A JP 16535082A JP S5954257 A JPS5954257 A JP S5954257A
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- capacitor
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Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 13
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 29
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 28
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 29
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract description 8
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract description 8
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract description 8
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract description 8
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 abstract description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract 8
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract 5
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract 5
- 238000010030 laminating Methods 0.000 abstract 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- ZPSJGADGUYYRKE-UHFFFAOYSA-N 2H-pyran-2-one Chemical compound O=C1C=CC=CO1 ZPSJGADGUYYRKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101150114751 SEM1 gene Proteins 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は半導体装置に係り、特に他の集積回路素子と
共に同一基板内に形成されるコンデンサに関する。
共に同一基板内に形成されるコンデンサに関する。
従来、半導体集積回路素子、例えばＮＰＮ トランジス
タにおいて、そのエミッタ領域（Ｎ型拡故層）を形成す
る方法として、高濃ｊ現のＮ型不純物を含む多結晶シリ
コン膜を拡散源として熱拡散を行う方法がある。そして
、このよう々方法で形成されたＮ型拡故層と配、ｉｌ−
とのコンタクトをとる場合、セルフアラインメント（自
己整合）でコンタクトをとる所ＳＰ！セルファラインド
・コンタクト技術が用いられている。
タにおいて、そのエミッタ領域（Ｎ型拡故層）を形成す
る方法として、高濃ｊ現のＮ型不純物を含む多結晶シリ
コン膜を拡散源として熱拡散を行う方法がある。そして
、このよう々方法で形成されたＮ型拡故層と配、ｉｌ−
とのコンタクトをとる場合、セルフアラインメント（自
己整合）でコンタクトをとる所ＳＰ！セルファラインド
・コンタクト技術が用いられている。
しかしガから、従来、ＮＰＮ ｌ−ランジスタと共にコ
ンデンサを同一基板内に形成する場合、セルフアライン
メントで」−記コンタクトをとることが不可能であった
。こわは、従来のコンデンサが、半導体基板内の拡散層
の上に７（９い酸化膜を形成し、さらにこのは化膜上に
金属層例えばアルミニウム層を形成した構造であっただ
めである。すなわち、上記コンタクトをとるためのＰＥ
Ｐ （Ｐｈｏｔｏ Ｅｎｇｒａｖｉｎｇ Ｐｒｏｃｅｓ
ｓ ）においては、コンデンサ部分の薄い酸化膜が露出
している（このとき、アルミニウム層は形成されていな
い。）ため、コンタクト部の酸化膜と同時にコンデンサ
部の薄い酸化膜もエツチングされることになり、とのた
めコンデンサとしての機能を果さなく在るからである。
ンデンサを同一基板内に形成する場合、セルフアライン
メントで」−記コンタクトをとることが不可能であった
。こわは、従来のコンデンサが、半導体基板内の拡散層
の上に７（９い酸化膜を形成し、さらにこのは化膜上に
金属層例えばアルミニウム層を形成した構造であっただ
めである。すなわち、上記コンタクトをとるためのＰＥ
Ｐ （Ｐｈｏｔｏ Ｅｎｇｒａｖｉｎｇ Ｐｒｏｃｅｓ
ｓ ）においては、コンデンサ部分の薄い酸化膜が露出
している（このとき、アルミニウム層は形成されていな
い。）ため、コンタクト部の酸化膜と同時にコンデンサ
部の薄い酸化膜もエツチングされることになり、とのた
めコンデンサとしての機能を果さなく在るからである。
この発明は上記実情に鑑みてなされたもので、その目的
は、他の集積回路素子におけるコンタクトのセルフアラ
インメントを可能としたコ／デンリー構造の半導体装置
を提供することにある。
は、他の集積回路素子におけるコンタクトのセルフアラ
インメントを可能としたコ／デンリー構造の半導体装置
を提供することにある。
この発明は、不純物層、薄い酸化膜及び金属層の三層構
造からなる従来のコンデンサの当該酸化膜と金属層との
間に、他の集積回路素子の拡散源となる高濃度の不純物
を含む多結晶・／リコン膜を介在させて四層構造とする
もので、この多結晶／リコン膜によりコンタクト形成時
に賢いてレリい酸化膜がエツチングされることを防止す
るものである。
造からなる従来のコンデンサの当該酸化膜と金属層との
間に、他の集積回路素子の拡散源となる高濃度の不純物
を含む多結晶・／リコン膜を介在させて四層構造とする
もので、この多結晶／リコン膜によりコンタクト形成時
に賢いてレリい酸化膜がエツチングされることを防止す
るものである。
以下、図１１１１を参１１咳シてこの発明の一実施例を
説、明する。第１図はこの発明に係るコンデンサの構造
を示す断面図である。同図において、１はＰ型シリコン
基板、２はこの基板１上に形成されたＮ＋型埋込み層、
３はこのＮ１型埋込み層２上に形成されたＮ型エピタキ
シャル層、４はＰ型分離拡散層、５はＮ型エピタキシャ
ル層３の表面に形成されたＮ型拡散層である。そして、
このＮ型拡散層５上に、薄い酸化シリコン膜６、高濃度
Ｎ型多結晶シリコンｊ仄７、及びアルミニウム合金配線
８が順次形成されることにより、ＭＯＳ （Ｍｅｔａｌ
０ｘｉｄｅ Ｓｅｍ１ｃｏｎｄｕｃｔｏｒ ）型コン
デンサｇが形成されている。
説、明する。第１図はこの発明に係るコンデンサの構造
を示す断面図である。同図において、１はＰ型シリコン
基板、２はこの基板１上に形成されたＮ＋型埋込み層、
３はこのＮ１型埋込み層２上に形成されたＮ型エピタキ
シャル層、４はＰ型分離拡散層、５はＮ型エピタキシャ
ル層３の表面に形成されたＮ型拡散層である。そして、
このＮ型拡散層５上に、薄い酸化シリコン膜６、高濃度
Ｎ型多結晶シリコンｊ仄７、及びアルミニウム合金配線
８が順次形成されることにより、ＭＯＳ （Ｍｅｔａｌ
０ｘｉｄｅ Ｓｅｍ１ｃｏｎｄｕｃｔｏｒ ）型コン
デンサｇが形成されている。
次に、上記ＭＯ８型コンデンサｇを有する半導体装置の
製造方法について説明する。この方法においては、ＭＯ
８型コンデ／ザｇと共に他の集積回路素子、例えばＮＰ
Ｎ ｌ−ランジスタも同時に形成する場合について説明
する。先ず、第２図（ａ）に示すように、Ｐ型シリコン
基板２１にＮ＋型埋込み層２２・２３を形成した後、Ｎ
型エピタキシャル層２４を成長させる。次に、選択酸化
法によりＮ型エピタキシャル層２４内にＰ型分離拡散層
２５を形成すると共に Ｎｌ−力１す埋込み層２２．２
３にそれぞれつながるようにＮ型拡散層２６．２７を形
成する。しかる後、熱酸化法によりＰ型シリコン基板２
１０表面に酸化シリコン膜（Ｓ１０２）、’、！ｌを形
成する５７次に、第２図（ｂ）に示すように、酸化シリ
コン膜２８の所定部分をエツチングした後、熱酸化法に
より、このエツチング部に薄い酸化シリコン膜（Ｓｉ０
２ ） ２９を形成する。その後、レジスト膜３０をマ
スクにして、Ｐ型拡散層形成予定領域に、Ｐ型不純物例
えばピロンをイオン注入する。次に、第２図（ｃ）に示
すように、ＣＶＤ （Ｃｈｅｍｉ ｃａｌ Ｖａｐｏ
ｕｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ）法により、酸化シリコン
膜（Ｓｉ０２）３１を形成した後、前記イオン注入され
たゾロンの熱拡散を行い、ＰＭ拡散層３２を形成する。
製造方法について説明する。この方法においては、ＭＯ
８型コンデ／ザｇと共に他の集積回路素子、例えばＮＰ
Ｎ ｌ−ランジスタも同時に形成する場合について説明
する。先ず、第２図（ａ）に示すように、Ｐ型シリコン
基板２１にＮ＋型埋込み層２２・２３を形成した後、Ｎ
型エピタキシャル層２４を成長させる。次に、選択酸化
法によりＮ型エピタキシャル層２４内にＰ型分離拡散層
２５を形成すると共に Ｎｌ−力１す埋込み層２２．２
３にそれぞれつながるようにＮ型拡散層２６．２７を形
成する。しかる後、熱酸化法によりＰ型シリコン基板２
１０表面に酸化シリコン膜（Ｓ１０２）、’、！ｌを形
成する５７次に、第２図（ｂ）に示すように、酸化シリ
コン膜２８の所定部分をエツチングした後、熱酸化法に
より、このエツチング部に薄い酸化シリコン膜（Ｓｉ０
２ ） ２９を形成する。その後、レジスト膜３０をマ
スクにして、Ｐ型拡散層形成予定領域に、Ｐ型不純物例
えばピロンをイオン注入する。次に、第２図（ｃ）に示
すように、ＣＶＤ （Ｃｈｅｍｉ ｃａｌ Ｖａｐｏ
ｕｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ）法により、酸化シリコン
膜（Ｓｉ０２）３１を形成した後、前記イオン注入され
たゾロンの熱拡散を行い、ＰＭ拡散層３２を形成する。
さらに、減圧ＣＶＤ法により膜厚９ｏｏ１の窒化シリコ
ン膜３３を形成する。次に、第２図（ｄ）に示すように
コンデンサ及びコンタクト形成予定領域における酸化シ
リコン膜２８をホトエツチングにより除去した後、町度
熱酸化を行いコンデンサ形成予定領域に膜厚２０００
Ｘの酸化シリコン膜（Ｓｉ０２）３４を形成する。その
後、減圧ＣＶＴ）法を用いて高濃度Ｎ型多結晶シリコン
を２０００Ｘ堆積し、ホトレジストを用いたドライエツ
チングによりコンタクト形成予定征ｌ域及び所定のコン
タクト形成予定ｉ（Ｉ域にのみ高濃度Ｎ型多結晶シリコ
ン膜３５を形成する。このとき、第３（ツ１に示すよう
に、窒化シリコン１１（↓３３と高濃度Ｎ型多結晶シリ
コン膜３５との知なる領域Ａを２勤以上とし、マスクず
れが生じても麟い洞化シリコン膜３４が常に窒化シリコ
７１１＋ｊｐ ３．１又は高濃度Ｎ型多結晶シリコン膜
３５に覆われているようにする。
ン膜３３を形成する。次に、第２図（ｄ）に示すように
コンデンサ及びコンタクト形成予定領域における酸化シ
リコン膜２８をホトエツチングにより除去した後、町度
熱酸化を行いコンデンサ形成予定領域に膜厚２０００
Ｘの酸化シリコン膜（Ｓｉ０２）３４を形成する。その
後、減圧ＣＶＴ）法を用いて高濃度Ｎ型多結晶シリコン
を２０００Ｘ堆積し、ホトレジストを用いたドライエツ
チングによりコンタクト形成予定征ｌ域及び所定のコン
タクト形成予定ｉ（Ｉ域にのみ高濃度Ｎ型多結晶シリコ
ン膜３５を形成する。このとき、第３（ツ１に示すよう
に、窒化シリコン１１（↓３３と高濃度Ｎ型多結晶シリ
コン膜３５との知なる領域Ａを２勤以上とし、マスクず
れが生じても麟い洞化シリコン膜３４が常に窒化シリコ
７１１＋ｊｐ ３．１又は高濃度Ｎ型多結晶シリコン膜
３５に覆われているようにする。
次に、高濃度Ｎ型多結晶シリコン１摸ｓ ｓを拡散源と
して熱拡散を行いＮ型拡散層３６を形成する。その後、
Ｐ型拡散層３２のコンタクト号（−ルを形成するため、
当該ウエノ・を酸化シリコン膜２９のエツチング液に入
れると、コンタクト領域における酸化シリコンＪＱ２９
以外は、すべて窒化シリコン膜３３又は高濃度Ｎ型多結
晶シリコン膜３５により俊われているので、第２図（ｅ
）に示すようにコンタクト領域における酸化シリコン膜
２９のみがエツチングされ、コンタクトホール３７がセ
ルフアラインメントで形成される。壕だ、同時に高濃度
Ｎ型多結晶シリコン膜３５０表面に形成された薄い酸化
シリコン膜も除去される。その後、コンデンサ領域及び
Ｎ型拡散層３６のコンタクト領域における多結晶シリコ
ン膜３５、及びＰ型拡散層３２のコンタクト領域を含む
領域に金属配線、例えばアルミニウム合金配線３８を形
成することにより、ＭＯ８型コンデンサ９を含む半導体
集積回路が得られる。
して熱拡散を行いＮ型拡散層３６を形成する。その後、
Ｐ型拡散層３２のコンタクト号（−ルを形成するため、
当該ウエノ・を酸化シリコン膜２９のエツチング液に入
れると、コンタクト領域における酸化シリコンＪＱ２９
以外は、すべて窒化シリコン膜３３又は高濃度Ｎ型多結
晶シリコン膜３５により俊われているので、第２図（ｅ
）に示すようにコンタクト領域における酸化シリコン膜
２９のみがエツチングされ、コンタクトホール３７がセ
ルフアラインメントで形成される。壕だ、同時に高濃度
Ｎ型多結晶シリコン膜３５０表面に形成された薄い酸化
シリコン膜も除去される。その後、コンデンサ領域及び
Ｎ型拡散層３６のコンタクト領域における多結晶シリコ
ン膜３５、及びＰ型拡散層３２のコンタクト領域を含む
領域に金属配線、例えばアルミニウム合金配線３８を形
成することにより、ＭＯ８型コンデンサ９を含む半導体
集積回路が得られる。
この半導体集積回路にあっては、Ｐ型拡散層３２のコン
タク）・ホール３７の形成時において、当該コンタクト
領域以外は、ＭＯ８型コンデンサ９を構成する酸化シリ
コン膜２９を含めて窒化シリコン膜３３又は高濃度Ｎ型
多結晶シリコン膜３５によシ榎われているので、コンタ
クトホール３７をセルファジィンメントで形成できるも
のである。また、同時に高濃度Ｎ型多結晶シリコン膜３
５の表面に形成された薄い酸化シリコン膜も除去される
ので良好なコンタクトが得られ、従来のようにコンタク
トホール形成のためのＰＥＰを追加することな（ＭＯ８
型コンデンサ９を形成できるものである。−１だ、ＭＯ
８型コンデンザ９０部分がアルミニウム合金配線３８に
より覆われているので、Ｘ線等の放射線の照射を受けて
も、薄いシリコン酸化膜３４中あるいはこのシリコン酸
化膜３４とＮ型拡散層２６との界面に準位が形成されず
、リーク電流のツＩ３生、耐圧劣化などの経時変化のな
いＭＯ８型コンデンサ９が得られる。
タク）・ホール３７の形成時において、当該コンタクト
領域以外は、ＭＯ８型コンデンサ９を構成する酸化シリ
コン膜２９を含めて窒化シリコン膜３３又は高濃度Ｎ型
多結晶シリコン膜３５によシ榎われているので、コンタ
クトホール３７をセルファジィンメントで形成できるも
のである。また、同時に高濃度Ｎ型多結晶シリコン膜３
５の表面に形成された薄い酸化シリコン膜も除去される
ので良好なコンタクトが得られ、従来のようにコンタク
トホール形成のためのＰＥＰを追加することな（ＭＯ８
型コンデンサ９を形成できるものである。−１だ、ＭＯ
８型コンデンザ９０部分がアルミニウム合金配線３８に
より覆われているので、Ｘ線等の放射線の照射を受けて
も、薄いシリコン酸化膜３４中あるいはこのシリコン酸
化膜３４とＮ型拡散層２６との界面に準位が形成されず
、リーク電流のツＩ３生、耐圧劣化などの経時変化のな
いＭＯ８型コンデンサ９が得られる。
尚、上記実施例においては、ＭＯ８型コンデンサ９を構
成する絶縁膜を、Ｐ型拡散層３２の形成後に形成した薄
い酸化シリコン膜３４を用いて説明したが、Ｐ型拡散層
３２の形成前に形成した薄い酸化シリコン膜２９を用い
てもよい。
成する絶縁膜を、Ｐ型拡散層３２の形成後に形成した薄
い酸化シリコン膜３４を用いて説明したが、Ｐ型拡散層
３２の形成前に形成した薄い酸化シリコン膜２９を用い
てもよい。
壕だ、上記実施例においては、ＭＯ８型コンデンザ９を
構成する多結晶シリコン膜をＮＰＮトランジスタのエミ
ッタ（Ｎ型拡散層３６）の拡散源として用いるだめ高濃
度Ｎ型多結晶シリコン膜３５としたが、これに限定する
ものではなく、ＰＮＰ ）ランジスタのエミッタ等のＰ
型拡散層の拡散源として用いる場合には高濃度Ｐ型多結
晶シリコン膜とするものである。捷だ、ＭＯ８型コンデ
ンサ９と府時に形成する集積回路素子はバイポーラトラ
ンジスタに限らず、ＭＯ８型トランジスタ、抵抗等であ
ってもよい７、さらに、多結晶シリコン膜上に形成する
金属配線はアルミニウム合金配線３８に限らずその他の
金属であってもよいことは勿論である。
構成する多結晶シリコン膜をＮＰＮトランジスタのエミ
ッタ（Ｎ型拡散層３６）の拡散源として用いるだめ高濃
度Ｎ型多結晶シリコン膜３５としたが、これに限定する
ものではなく、ＰＮＰ ）ランジスタのエミッタ等のＰ
型拡散層の拡散源として用いる場合には高濃度Ｐ型多結
晶シリコン膜とするものである。捷だ、ＭＯ８型コンデ
ンサ９と府時に形成する集積回路素子はバイポーラトラ
ンジスタに限らず、ＭＯ８型トランジスタ、抵抗等であ
ってもよい７、さらに、多結晶シリコン膜上に形成する
金属配線はアルミニウム合金配線３８に限らずその他の
金属であってもよいことは勿論である。
以上のようにこの発明によれば、他の集積回路素子のコ
ンタクトをセルファジィンメントで良好に形成させるこ
との可能かコンデンサ構造の半導体装置を提供できる。
ンタクトをセルファジィンメントで良好に形成させるこ
との可能かコンデンサ構造の半導体装置を提供できる。
第１図はこの発明の一実施例に係る半導体装置の構成を
示す断面図、第２図（ａ）〜（ｅ）は上記装置の製造工
程の一例を示す断面図、第３図は第２図（ｄ）の工程図
の一部を取出して示す断面図である。 １・・・Ｐ型シリコン基板、５・・・Ｎ型拡散層、６・
・・酸化シリコン膜、７・・・高濃度Ｎ型多結晶シリコ
ン膜、８・・・アルミニウム合金配線。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第２図 −２３８− 第３図 ／′Ａ
示す断面図、第２図（ａ）〜（ｅ）は上記装置の製造工
程の一例を示す断面図、第３図は第２図（ｄ）の工程図
の一部を取出して示す断面図である。 １・・・Ｐ型シリコン基板、５・・・Ｎ型拡散層、６・
・・酸化シリコン膜、７・・・高濃度Ｎ型多結晶シリコ
ン膜、８・・・アルミニウム合金配線。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第２図 −２３８− 第３図 ／′Ａ
Claims (1)
- 第一導電型の半導体基体の一主面に、高濃度の不純物を
含む多結晶シリコン膜を拡散源として形成された拡散層
と共にコンデンサを有する半導体装置において、前記コ
ンデンサを、前記半導体基体の表面に形成された第二導
電型の不純物領域、この不純物領域上に形成された絶縁
金属層によシ構成したことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16535082A JPS5954257A (ja) | 1982-09-22 | 1982-09-22 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16535082A JPS5954257A (ja) | 1982-09-22 | 1982-09-22 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5954257A true JPS5954257A (ja) | 1984-03-29 |
| JPH0366815B2 JPH0366815B2 (ja) | 1991-10-18 |
Family
ID=15810684
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16535082A Granted JPS5954257A (ja) | 1982-09-22 | 1982-09-22 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5954257A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61272963A (ja) * | 1985-05-28 | 1986-12-03 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
| JPH01183842A (ja) * | 1988-01-19 | 1989-07-21 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体集積回路 |
| JPH01232757A (ja) * | 1988-03-14 | 1989-09-18 | Sony Corp | 半導体装置とその製造方法 |
| JPH01283861A (ja) * | 1988-05-10 | 1989-11-15 | Fuji Electric Co Ltd | 集積回路装置の製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5754360A (ja) * | 1980-09-18 | 1982-03-31 | Nec Corp | Handotaisochinoseizohoho |
-
1982
- 1982-09-22 JP JP16535082A patent/JPS5954257A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5754360A (ja) * | 1980-09-18 | 1982-03-31 | Nec Corp | Handotaisochinoseizohoho |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61272963A (ja) * | 1985-05-28 | 1986-12-03 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
| JPH01183842A (ja) * | 1988-01-19 | 1989-07-21 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体集積回路 |
| JPH01232757A (ja) * | 1988-03-14 | 1989-09-18 | Sony Corp | 半導体装置とその製造方法 |
| JPH01283861A (ja) * | 1988-05-10 | 1989-11-15 | Fuji Electric Co Ltd | 集積回路装置の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0366815B2 (ja) | 1991-10-18 |
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