JPS6119168A - トランジスタの製造方法 - Google Patents
トランジスタの製造方法Info
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- JPS6119168A JPS6119168A JP13992384A JP13992384A JPS6119168A JP S6119168 A JPS6119168 A JP S6119168A JP 13992384 A JP13992384 A JP 13992384A JP 13992384 A JP13992384 A JP 13992384A JP S6119168 A JPS6119168 A JP S6119168A
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- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 31
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/70—Bipolar devices
- H01L29/72—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
この発明は、エミッタ形成の微細化をはかシ、併せてエ
ミッタ、ベース間のリーク電流の低減をはかったトラン
ジスタの製造方法に関するものである。
ミッタ、ベース間のリーク電流の低減をはかったトラン
ジスタの製造方法に関するものである。
従来例の構成とその問題点
バイポーラトランジスタの微細化、高周波化を図るため
の一方法として、例えば、エミッタ領域を形成するだめ
の不純物拡散工程で用いた開口をその１ま電極コンタク
ト用窓として用い、改めてマスクを使用することなく自
己整合的に電極形成するいわゆるウォッシュドエミッタ
法が提案されている。
の一方法として、例えば、エミッタ領域を形成するだめ
の不純物拡散工程で用いた開口をその１ま電極コンタク
ト用窓として用い、改めてマスクを使用することなく自
己整合的に電極形成するいわゆるウォッシュドエミッタ
法が提案されている。
この方法で形成されたｎｐｎ エピタキシャルプレー
ナ形トランジスタの断面構造図を第１図に示す。この構
造のトランジスタは、高不純物濃度のｎ形シリコン基板
１の上に低不純物濃度でｎ形のエピタキシャル層２を成
長させ、この中にｐ形不純物を拡散してベース領域３を
形成し、ベース領域内のエミッタ領域を形成するべき部
分上の熱酸化シリコン膜５を除去してエミッタ拡散用開
口６を形成した後、リン（Ｐ）をドープした酸化シリコ
ン膜（以後ＰＳＧ膜と記す）（図示せず）で全面を被覆
し、開口６からＰＳＧ膜内にドープしたリンをベース領
域３内に拡散させてエミッタ領域４を形成し、次に、ベ
ースコンタクト窓７を形成した後、ＰＳＧ膜をすべて除
去してエミッタ拡散用間ロト同一形状のエミッタコンタ
クト窓６を開け、最後に、コンタクト窓に電極８を形成
する過程を経て形成される。
ナ形トランジスタの断面構造図を第１図に示す。この構
造のトランジスタは、高不純物濃度のｎ形シリコン基板
１の上に低不純物濃度でｎ形のエピタキシャル層２を成
長させ、この中にｐ形不純物を拡散してベース領域３を
形成し、ベース領域内のエミッタ領域を形成するべき部
分上の熱酸化シリコン膜５を除去してエミッタ拡散用開
口６を形成した後、リン（Ｐ）をドープした酸化シリコ
ン膜（以後ＰＳＧ膜と記す）（図示せず）で全面を被覆
し、開口６からＰＳＧ膜内にドープしたリンをベース領
域３内に拡散させてエミッタ領域４を形成し、次に、ベ
ースコンタクト窓７を形成した後、ＰＳＧ膜をすべて除
去してエミッタ拡散用間ロト同一形状のエミッタコンタ
クト窓６を開け、最後に、コンタクト窓に電極８を形成
する過程を経て形成される。
ところで、このトランジスタの構造ではエミッタ形成用
のＰＳＧ膜が基板上からすべて除去されるため、ベース
領域上の酸化シリコン膜の厚みがベース領域の形成工程
でできた熱酸化シリコン膜だけとなυ薄くなる。しかも
、近年、トランジスタの微細化、高周波化につれてベー
ス拡散深さが浅くなり、ベース領域上の熱酸化シリコン
膜の厚みがますます薄くなる傾向にある。このようなベ
ース領域上の酸化シリコン膜厚の減少は、エミソリーク
あるいはショート現象の発生をもたらす原因となる。ま
た、ＰＳＧ膜がすべて除去されるためパッシベーション
効果も失われ、信頼性が大きく損われる不都合も生じる
。
のＰＳＧ膜が基板上からすべて除去されるため、ベース
領域上の酸化シリコン膜の厚みがベース領域の形成工程
でできた熱酸化シリコン膜だけとなυ薄くなる。しかも
、近年、トランジスタの微細化、高周波化につれてベー
ス拡散深さが浅くなり、ベース領域上の熱酸化シリコン
膜の厚みがますます薄くなる傾向にある。このようなベ
ース領域上の酸化シリコン膜厚の減少は、エミソリーク
あるいはショート現象の発生をもたらす原因となる。ま
た、ＰＳＧ膜がすべて除去されるためパッシベーション
効果も失われ、信頼性が大きく損われる不都合も生じる
。
発明の目的
本発明は、上記の不都合を排除することができるトラン
ジスタ、すなわち、エミッタ拡散用開口とエミッタコン
タクト窓を同一形状にしてエミッタ寸法の微細化をはか
シながらも、エミッタ形成用に使用したＰＳＧ膜をベー
ス領域上に残しベース領域上の絶縁膜を厚くして特性の
向上をはかったトランジスタの製造方法を提供するもの
である。
ジスタ、すなわち、エミッタ拡散用開口とエミッタコン
タクト窓を同一形状にしてエミッタ寸法の微細化をはか
シながらも、エミッタ形成用に使用したＰＳＧ膜をベー
ス領域上に残しベース領域上の絶縁膜を厚くして特性の
向上をはかったトランジスタの製造方法を提供するもの
である。
発明の構成
本発明の製造方法は、コレクタ領域となる一導電形の半
導体層中にベース領域を形成すると同時に、同ベース領
域上には第１の酸化シリコン膜を形成し、同第１の酸化
シリコン膜中にエミッタ形成用の開口を設けた後、全面
に一導電形の不純物をドープした第２の酸化シリコン膜
を形成し、前記エミッタ拡散用の開口から前記第２の酸
化シリコン膜中の不純物を前記ベース領域内へ拡散させ
てエミッタ領域を形成し、次いで、前記ベース領域上の
第１の酸化シリコン膜と第２の酸化シリコン膜の積層絶
縁膜へ選択的に凹所をもうけた後、同凹所中に残存する
絶縁膜とエミッタ領域上の第２の酸化シリコン膜を除去
して前記ベース領域表面の一部とエミッタ領域表面のほ
ぼ全域を露出させベースコンタクト窓およびエミッタコ
ンタクト窓を形成する方法である。この方法によれば、
拡散用開口と電極数シ出し用コンタクト窓が同一形状の
エミッタが形成されるとともに、ベース領域上が前記第
１の酸化シリコン膜と前記第２の酸化シリコン膜で覆わ
れた構造のトランジスタが形成される。したがって、ベ
ース領域上の絶縁膜を厚くすることができ、また、電極
部を除く他の表面全域をＰＳＧ膜で覆うこともできる。
導体層中にベース領域を形成すると同時に、同ベース領
域上には第１の酸化シリコン膜を形成し、同第１の酸化
シリコン膜中にエミッタ形成用の開口を設けた後、全面
に一導電形の不純物をドープした第２の酸化シリコン膜
を形成し、前記エミッタ拡散用の開口から前記第２の酸
化シリコン膜中の不純物を前記ベース領域内へ拡散させ
てエミッタ領域を形成し、次いで、前記ベース領域上の
第１の酸化シリコン膜と第２の酸化シリコン膜の積層絶
縁膜へ選択的に凹所をもうけた後、同凹所中に残存する
絶縁膜とエミッタ領域上の第２の酸化シリコン膜を除去
して前記ベース領域表面の一部とエミッタ領域表面のほ
ぼ全域を露出させベースコンタクト窓およびエミッタコ
ンタクト窓を形成する方法である。この方法によれば、
拡散用開口と電極数シ出し用コンタクト窓が同一形状の
エミッタが形成されるとともに、ベース領域上が前記第
１の酸化シリコン膜と前記第２の酸化シリコン膜で覆わ
れた構造のトランジスタが形成される。したがって、ベ
ース領域上の絶縁膜を厚くすることができ、また、電極
部を除く他の表面全域をＰＳＧ膜で覆うこともできる。
実施例の説明
本発明にかかるトランジスタの製造方法の一実施例を第
２図ａ ％ ｅの断面図を参照にして説明する。
２図ａ ％ ｅの断面図を参照にして説明する。
まず、コレクタ領域となる高不純物濃度のｎ形シリコン
基板１を準備し、この上に低不純物濃度のｎ形エピタキ
シャル層２を１〜２０μｍの厚さに成長させる。この後
、表面に熱酸化シリコン膜９を形成し、周知の写真食刻
法によりベース領域を形成するべき部分を覆っている熱
酸化シリコン膜９を除去し、露出させたシリコン基板部
分に熱拡散法あるいはイオン注入法によシ、ボロン（Ｂ
）を拡散させベース領域３を形成する。この工程で、ベ
ース領域３０表面上に熱酸化シリコン膜が形成される（
第２図ａ）。
基板１を準備し、この上に低不純物濃度のｎ形エピタキ
シャル層２を１〜２０μｍの厚さに成長させる。この後
、表面に熱酸化シリコン膜９を形成し、周知の写真食刻
法によりベース領域を形成するべき部分を覆っている熱
酸化シリコン膜９を除去し、露出させたシリコン基板部
分に熱拡散法あるいはイオン注入法によシ、ボロン（Ｂ
）を拡散させベース領域３を形成する。この工程で、ベ
ース領域３０表面上に熱酸化シリコン膜が形成される（
第２図ａ）。
次に、ベース領域３上の熱酸化シリコン膜６を選択的に
除去してエミッタ拡散用の開口６を形成した後、全面に
ＰＳＧ膜１０を形成し、開口６の内部に形成されたＰＳ
Ｇ膜内にドープされているリンをベース領域内に拡散さ
せエミッタ領域４を形成する（第２図ｂ）。
除去してエミッタ拡散用の開口６を形成した後、全面に
ＰＳＧ膜１０を形成し、開口６の内部に形成されたＰＳ
Ｇ膜内にドープされているリンをベース領域内に拡散さ
せエミッタ領域４を形成する（第２図ｂ）。
次に、ベース領域上のＰＳＧ膜を選択的に除去し、絶縁
膜中に凹所１１をもうける（第２図Ｃ）。
膜中に凹所１１をもうける（第２図Ｃ）。
この後、レジスト膜１２を全面に被覆し、フォトエツチ
ング法によシ凹所１１上のレジスト膜およびエミッタ拡
散用の開口６上のレジスト膜を除去する。なお、レジス
ト膜１２のパターン形成にあたってはマスク合わせずれ
を考慮してやや広い範囲でレジスト膜を除去する（第２
図ｄ）。
ング法によシ凹所１１上のレジスト膜およびエミッタ拡
散用の開口６上のレジスト膜を除去する。なお、レジス
ト膜１２のパターン形成にあたってはマスク合わせずれ
を考慮してやや広い範囲でレジスト膜を除去する（第２
図ｄ）。
このレジスト膜をマスクとして凹所１１からその底部に
ある熱酸化シリコン膜６を除去し、ベースコンタクト窓
７を形成するとともに、エミッタ領域４の上のＰＳＧ膜
１０をすべて除去してエミッタコンタクト窓６を形成す
る。これらのコンタクト窓に高純度のアルミニウム（八
β）あるいは重量比で１％のシリコン（Ｓｔ）を含んだ
アルミニウムからなる電極８を形成することによりトラ
ンジスタが形成される（第２図ｅ）。
ある熱酸化シリコン膜６を除去し、ベースコンタクト窓
７を形成するとともに、エミッタ領域４の上のＰＳＧ膜
１０をすべて除去してエミッタコンタクト窓６を形成す
る。これらのコンタクト窓に高純度のアルミニウム（八
β）あるいは重量比で１％のシリコン（Ｓｔ）を含んだ
アルミニウムからなる電極８を形成することによりトラ
ンジスタが形成される（第２図ｅ）。
なお、本発明の方法ではベースコンタクト窓７を形成す
るだめに絶縁膜のエツチング処理を２度施しているが、
この理由はベース領域上の絶縁膜がエミッタ領域上の絶
縁膜よりも厚いため、１回のエツチング処理でベースコ
ンタクト窓とエミッタコンタクト窓を開けた場合、エミ
ッタコンタクト窓が大きく開きすぎベース領域までがこ
の中に露出してしまう不都合を除くためである。
るだめに絶縁膜のエツチング処理を２度施しているが、
この理由はベース領域上の絶縁膜がエミッタ領域上の絶
縁膜よりも厚いため、１回のエツチング処理でベースコ
ンタクト窓とエミッタコンタクト窓を開けた場合、エミ
ッタコンタクト窓が大きく開きすぎベース領域までがこ
の中に露出してしまう不都合を除くためである。
このように、本発明のトランジスタの製造方法によれば
エミッタ形成に使用したＰＳＧ膜が電極部を除く表面の
ほぼ全域に残ることになる。
エミッタ形成に使用したＰＳＧ膜が電極部を除く表面の
ほぼ全域に残ることになる。
発明の詳細
な説明したように、本発明のトランジスタの製造方法に
よればエミッタ拡散用開口とエミッタコンタクト窓を同
一形状にしてエミッタを微細化をはかシ、しかもエミッ
タ形成に使用したＰＳＧ膜をベース領域上にそのまま残
存させることができるためベース領域上の絶縁膜が厚く
なる。したがって、ベース拡散が浅くなシ、この拡散工
程で形成される酸化シリコン膜が薄くなってもエミッタ
電極配線とベース領域間のリークあるいはショートがお
こりにくくなる。しかも、ＰＳＧ膜で電極部を除く表面
のほぼ全域が覆われるためパンシベーション効果も大き
く、信頼性も高くなる。
よればエミッタ拡散用開口とエミッタコンタクト窓を同
一形状にしてエミッタを微細化をはかシ、しかもエミッ
タ形成に使用したＰＳＧ膜をベース領域上にそのまま残
存させることができるためベース領域上の絶縁膜が厚く
なる。したがって、ベース拡散が浅くなシ、この拡散工
程で形成される酸化シリコン膜が薄くなってもエミッタ
電極配線とベース領域間のリークあるいはショートがお
こりにくくなる。しかも、ＰＳＧ膜で電極部を除く表面
のほぼ全域が覆われるためパンシベーション効果も大き
く、信頼性も高くなる。
第１図は従来の高周波トランジスタの断面構造図、第２
図（、）〜（、）は本発明のベース領域上の絶縁膜が厚
い高周波トランジスタの工程断面図である。 １・・・・・ｎ形シリコン基板、２・・・・・・ｎ形エ
ピタキシャル層、３・・・・・ベース領域、４−・・・
エミッタ領域、５，９・・・・・・熱酸化シリコン膜、
６・・・・・・エミッタ拡散用開口（エミッタコンタク
ト窓）、７・−・・・ベースコンタクト窓、８−・・・
・電極、１０・・・・・・ＰＳＧ膜、１１・・・・・凹
所、１２・・・・レジスト膜。
図（、）〜（、）は本発明のベース領域上の絶縁膜が厚
い高周波トランジスタの工程断面図である。 １・・・・・ｎ形シリコン基板、２・・・・・・ｎ形エ
ピタキシャル層、３・・・・・ベース領域、４−・・・
エミッタ領域、５，９・・・・・・熱酸化シリコン膜、
６・・・・・・エミッタ拡散用開口（エミッタコンタク
ト窓）、７・−・・・ベースコンタクト窓、８−・・・
・電極、１０・・・・・・ＰＳＧ膜、１１・・・・・凹
所、１２・・・・レジスト膜。
Claims (1)
- コレクタ領域となる一導電形の半導体層中にベース領域
を形成すると同時に、同ベース領域上には第１の酸化シ
リコン膜を形成し、同第１の酸化シリコン膜中にエミッ
タ形成用の開口を設ける工程、全面に一導電形の不純物
を含んだ第２の酸化シリコン膜を形成し、前記エミッタ
形成用の開口から前記第２の酸化シリコン膜中の不純物
を前記ベース領域内へ拡散させてエミッタ領域を形成す
る工程、前記ベース領域上の第１の酸化シリコン膜と第
２の酸化シリコン膜との積層絶縁膜へ選択的に凹所をも
うける工程、同凹所中に残存する前記絶縁膜とエミッタ
領域上の前記第２の酸化シリコン膜を除去して前記ベー
ス領域表面の一部とエミッタ領域表面のほぼ全域を露出
させベースコンタクト窓およびエミッタコンタクト窓を
形成する工程を特徴とするトランジスタの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13992384A JPS6119168A (ja) | 1984-07-05 | 1984-07-05 | トランジスタの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13992384A JPS6119168A (ja) | 1984-07-05 | 1984-07-05 | トランジスタの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6119168A true JPS6119168A (ja) | 1986-01-28 |
Family
ID=15256804
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13992384A Pending JPS6119168A (ja) | 1984-07-05 | 1984-07-05 | トランジスタの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6119168A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63141369A (ja) * | 1986-12-03 | 1988-06-13 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
-
1984
- 1984-07-05 JP JP13992384A patent/JPS6119168A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63141369A (ja) * | 1986-12-03 | 1988-06-13 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
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