JPS5945970A - 窒化硅素の焼結方法 - Google Patents

窒化硅素の焼結方法

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JPS5945970A
JPS5945970A JP57152113A JP15211382A JPS5945970A JP S5945970 A JPS5945970 A JP S5945970A JP 57152113 A JP57152113 A JP 57152113A JP 15211382 A JP15211382 A JP 15211382A JP S5945970 A JPS5945970 A JP S5945970A
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JP
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sintering
silicon nitride
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atm
temperature
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JP57152113A
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樋口 松夫
塚田 博
正明 本多
西本 達也
栄治 上條
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Sumitomo Electric Industries Ltd
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Sumitomo Electric Industries Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (イ)技術分野 この発明は高温強度が高く、高密度を有する窒化けい素
焼結体を得るための窒化けい素の焼結方法に関するもの
である。
(ロ)技術の背景 最近セラミックス材料、特に耐熱性材料としてのセラミ
ックスの開発が盛んに行われており、なかでも高温にお
いて安定な耐熱性物質である共有結合性化合物、特に窒
tヒけい素(SiaN+)が非常にすぐれた材料である
ことが知られている。
一般にセラミックスは、原料セラミックス粉末を成形焼
結して使用されるものであるが、S + 3N 4の場
合は、一般の酸化物セラミックスと異なり、難焼結性物
質であるため、単独組成たとえばSi3N4粉末のみを
焼結しても緻密な焼結体を得ることは困難である。
このためSi3N4粉末の場合などにはMgO1A、7
!、03、Y2O3、Ce0g、BeOなどの酸化物粉
末、周期律表IVa、■a1■a族金属の窒化物、炭化
物を焼結助剤として添加して焼結することが行われてい
る。
しかしてこのような焼結助剤を加えたSi3N4粉末を
使用して通常行われているプレス成形をして真空あるい
は常圧で加熱焼結する方法は、焼結コストが低く工業的
に有用ではあるが、Si3N4焼結体に微孔がそのまま
残存するので高密度の焼結体を得ることは困難である。
これに対して、高温下で加圧しながら焼結するホットプ
レス法は、より緻密な焼結体を得ることはできるが、高
温において強度低下が生ずる欠点があり、また焼結コス
トが高くつくという難点がある。
この高温における強度低下は、焼結助剤の添加により5
iBN4の粉末界面に低融点物質が生成することによる
ものであると考えられ、焼結助剤を使用する場合は不可
避である。
さらに焼結助剤の混合割合を減少し、あるいは焼結助剤
を添加亡ずに高圧ガス雰囲気中で焼結したり、爆発成型
などで粉末に瞬間的に高圧を加えて粉砕したのち、焼結
するなどの方法が試みられているが、何れの方法も焼結
コストが高く、また高温強度の低下現象が残る欠点があ
り、工業的な方法として成功していない。
(へ)発明の開示 本発明者らは上記の点に鑑みて焼結助剤を用いながら高
温強度、高密度のSi3N4焼結体を得るSi3N4粉
末の焼結法について、焼結助剤粉末を添加したSi3N
4粉末をプレス成形したのち、真空、減圧あるいは加圧
などの各種の雰囲気および温度など焼結条件を変化させ
て焼結を行って試験を繰返した結果、この発明に至った
ものである。
即ち、この発明は焼結助剤を添加したSi3N4粉末の
成型体を焼結するに際し、昇温しで焼結完了するまでの
過程の雰囲気を、第1段階をi、(1’latm以下の
真空雰囲気とし、第2段階を10−8〜0.9 atm
の減圧窒素雰囲気とじ、更に第3段階はlatm以上の
加圧雰囲気というように段階的に変えて焼結することを
特徴とするものであり、これによって前記従来の焼結体
特性の欠点即ち、高温特性の劣化を解消し、高密度で高
温強度にすぐれたSi3N4焼結体が得られるのである
以下この発明の焼結法を詳細に説明する。
窒化硅素粉末に焼結助剤として、周期律表IV a 。
Va、Via族金属の窒化物、炭化物の1種または2種
以上、又は上記炭化物又は窒化物にLi 、 BeXM
g。
A、g、Ca、 Ti、 Y、 Zr、 Ba、 Ce
 等の酸化物を加えたものの粉末を添加して充分混合後
成型体とし、この成型体を焼結炉に装填し昇温しで焼結
する。この昇温開始から焼結完了までの過程を、例えば
第1図にする如く、 (1)常温−1100°Cまでの第1段階を10”at
m以下の真空雰囲気とする。
(2) 110(1)〜180 o ’Cまでの第2段
階を01−3〜0.9atmの窒素分圧を有する減圧雰
囲気とする。
(3)1800°Cの焼結キープ途中でl atm以上
の加圧窒素雰囲気とする。
3段階の雰囲気とするものである。
(1)の110−3at以下の真空雰囲気にすることに
よって焼結助剤を合有するSiHうN、粉末成型体に吸
着している酸素や水分を除去することができる。
(2)の段階では、該Si3N4粉末成型体表面の酸素
を除去すること、粒界組成をコントロールし5iBN4
結晶の粗大化成長を抑制すること等の効果がある。
又(3)の第3段階では1 atm以−りの加圧窒素雰
囲気にすることによってSi3N4の分解を抑制しつつ
焼結を完結させるものである。
上記第1〜3段階の雰囲気を段階的に変えて焼結するこ
とによって緻密で強度の高い焼結体が得られるのである
焼結進行は第2段階の1100〜18oO°Cにおいて
最も進行し、その時の雰囲気圧力はできるだけ小さい方
が焼結体中に微細孔が残存しなくなる。
しかしてSi3N4の焼結は@2段階の1100〜16
00°Cにて大きく進行するのであり、その時の雰囲気
圧力はできるだけ小さい方が、焼結体中に微孔が残存し
ない点から好ましい。
またこの第2段階における10−3〜0.9atm の
減圧雰囲気としては、N2ガス、N2+)I2の混合ガ
ス2−1− COの混合ガスあるいはN2十H2斗CO
の混合ガスが有効である。
第3段階のl atm以上の加圧窒素雰囲気としては、
2〜l 5 (l atmでの通常の加圧雰囲気、20
00atm程度の熱間静水圧(HIP)などいずれでも
よい。
第1図は本発明の詳細な説明するための昇温カーブ1と
雰囲気圧力2の実施例である。
以下この発明を実施例により詳細に説明する。
実施例1゜ α型を90%以−L含む513N、>  (西独シュタ
ルク社製) 100gに対してTiN 5 gをボール
ミルで混合し粉砕を行った。
次いでこの粉末を2t/cnr” の圧力で長さ5 Q
 myrt幅25 /nm 、厚さl Otnxの板に
成形したのち、焼結炉に装填した。
そして炉内を真空(1,3X i O’ atm )に
したのち、昇温をはじめ110 (+ ”Cに達したと
ころで流量5)/mjnCN2ガスを導入し、排気バル
ブを調整して0.6atm に設定し、さらに層温をつ
づけ、1800°Cの焼結キープの途中で排気バルブを
止め、N2ガスを導入して雰囲気圧力を10atmとし
、同温度で焼結を完了せしめた。
次いで炉内を1200°Cまで降温したのち、雰囲気圧
力を1 atmにしてさらに降温をつづけた。
十分に冷却したのち焼結1本を炉から取出し、得られた
焼結体の特性を調べたところ第1表に示、す結果を得た
なお比較例として実施例1と同じ粉末を用いて昇温初期
より1 atmあるいはloatmのN2ガス雰囲気で
焼結したもの、および11(同°Cまでは真空1100
°C以上をlOatmのN2ガス雰囲気として焼結した
焼結体を示した。
実施例2゜ 実施例1における流量5)/繍のN2ガスを導入して0
.6atmに設定するという1100〜1600’Cの
昇温過程を流量5ノ/―のN2ガスと流量2ノ/yni
nのI]2N2ガス時に導入して圧力を0.8atmに
設定した以外は実施例1と全く同庁にして焼結し、5i
3N1焼結体を得た。
その物性は第2表に示した。
第   2   表 上表の第1表、第2表をみると実施例1に比べて酸素含
有鼠の低い実施例2の方が高温曲げ強度も高くなること
が認められた。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の詳細な説明するための説明図で実線1
が温度カーブ、点線2が雰囲気圧力の劣化を示す。

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)焼結助剤として珪素以外の窒化物またはこれと炭
    化物、Si以外酸化物と組合せて添加した窒化硅素粉末
    の成型体を焼結するに際し、昇温から焼結完了までの雰
    囲気を第1段階を真空雰囲気、第2段階を減圧窒素雰囲
    気、第8段階を加圧窒素雰囲気と段階的にかえて焼結す
    ることを特徴とする窒化硅素の焼結方法。
  2. (2)真空雰囲気がIlo−3at以下であることを特
    徴とする特許請求の範囲第1項記載の窒化けい素の焼結
    方法。
  3. (3)減圧窒素雰囲気が窒素分圧l0−3〜0.9at
    mであることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の
    窒化けい素の焼結方法。
  4. (4)加圧窒素雰囲気が1 atm以上であることを特
    徴とする特許請求の範囲第1項記載の窒化けい素の焼結
    方法。
  5. (5)焼結助剤がlva 、 ■a 、 Vla族金属
    の窒化物、炭化物、Li、 Be、 Mg、 Aノ、C
    a%Ti、 Y、 Zr1Ba、 Ce等の酸化物から
    選ばれた1種または2種以上であることを特徴とする特
    許請求の範囲第1項記載の窒化硅素の焼結方法。
JP57152113A 1981-10-12 1982-08-31 窒化硅素の焼結方法 Granted JPS5945970A (ja)

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JP57152113A JPS5945970A (ja) 1982-08-31 1982-08-31 窒化硅素の焼結方法
DE8282305421T DE3266050D1 (en) 1981-10-12 1982-10-12 Method for sintering silicon nitride
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JPS5945970A true JPS5945970A (ja) 1984-03-15
JPH0224790B2 JPH0224790B2 (ja) 1990-05-30

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60186470A (ja) * 1984-03-02 1985-09-21 日本セメント株式会社 窒化ケイ素焼結体の製造方法
WO2021225158A1 (ja) * 2020-05-07 2021-11-11 Agc株式会社 セラミックス焼結体の製造方法及びセラミックス焼結体

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60186470A (ja) * 1984-03-02 1985-09-21 日本セメント株式会社 窒化ケイ素焼結体の製造方法
JPH0455993B2 (ja) * 1984-03-02 1992-09-07 Nihon Cement
WO2021225158A1 (ja) * 2020-05-07 2021-11-11 Agc株式会社 セラミックス焼結体の製造方法及びセラミックス焼結体

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JPH0224790B2 (ja) 1990-05-30

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