JP2890849B2 - 窒化珪素焼結体の製造方法 - Google Patents
窒化珪素焼結体の製造方法Info
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Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は窒化珪素焼結体の製造方
法に係る。
法に係る。
【0002】
【従来の技術】窒化珪素は耐熱性構造材料として最も広
く実用され、また研究開発が進められている材料であ
る。窒化珪素は難焼結性であるので、Y2O3, Al2O3, MgO
などの焼結助剤を添加し、1700〜1800℃で焼結される。
また、高強度化、緻密化のために、ホットプレスを使用
した焼結法、HIP(熱間等方加圧)を使用した焼結法
(特公昭62-13310号公報、N2 圧〜2500気圧)あるいは
ガス圧焼結法(特公昭62-41191号公報、N2 圧〜300 気
圧)なども採用される。
く実用され、また研究開発が進められている材料であ
る。窒化珪素は難焼結性であるので、Y2O3, Al2O3, MgO
などの焼結助剤を添加し、1700〜1800℃で焼結される。
また、高強度化、緻密化のために、ホットプレスを使用
した焼結法、HIP(熱間等方加圧)を使用した焼結法
(特公昭62-13310号公報、N2 圧〜2500気圧)あるいは
ガス圧焼結法(特公昭62-41191号公報、N2 圧〜300 気
圧)なども採用される。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】ガスタービンのホイー
ルでは1400℃のような高温で高強度であることが要求さ
れるが、従来の窒化珪素焼結体では1400℃で羽根物に必
要な約700MPa以上の曲げ強度を実現することができなか
った。その理由は、緻密な焼結体を得るためには焼結助
剤の量を多くするか、高温で焼成する必要があるが、焼
結助剤を多くすると粒界相が厚くなり、特にAl2O3 を多
く添加すると粒界相(ガラス相)の軟化温度を低下さ
せ、また高温で焼結しても粒径が大きくなるために、強
度が低下し、またその結果粒界も厚くなり、結局、高温
強度が低下するためと考えられる。
ルでは1400℃のような高温で高強度であることが要求さ
れるが、従来の窒化珪素焼結体では1400℃で羽根物に必
要な約700MPa以上の曲げ強度を実現することができなか
った。その理由は、緻密な焼結体を得るためには焼結助
剤の量を多くするか、高温で焼成する必要があるが、焼
結助剤を多くすると粒界相が厚くなり、特にAl2O3 を多
く添加すると粒界相(ガラス相)の軟化温度を低下さ
せ、また高温で焼結しても粒径が大きくなるために、強
度が低下し、またその結果粒界も厚くなり、結局、高温
強度が低下するためと考えられる。
【0004】そこで、本発明は、空気中1400℃で約700M
Pa以上の高強度を有する窒化珪素焼結体を製造できる方
法を提供することを目的とする。
Pa以上の高強度を有する窒化珪素焼結体を製造できる方
法を提供することを目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、窒化珪素粉末に対して焼結助剤としてY2
O3 2.5〜5.5wt%とAl2O3 0.005〜0.012 wt%添加し
た均一混合粉末を成形し、該成形体を1530〜1650℃の範
囲内の温度まで加熱して予備焼結し、次いで該温度範囲
内の温度で圧力を1500気圧以上まで昇圧して本焼結する
ことを特徴とする窒化珪素焼結体の製造方法を提供す
る。
に、本発明は、窒化珪素粉末に対して焼結助剤としてY2
O3 2.5〜5.5wt%とAl2O3 0.005〜0.012 wt%添加し
た均一混合粉末を成形し、該成形体を1530〜1650℃の範
囲内の温度まで加熱して予備焼結し、次いで該温度範囲
内の温度で圧力を1500気圧以上まで昇圧して本焼結する
ことを特徴とする窒化珪素焼結体の製造方法を提供す
る。
【0006】出発原料としての窒化珪素粉末は、平均粒
径0.4μm以下、より好ましくは0.2μm、金属元素で
表わした不純物総量が30ppm 以下のものを使用する。Si
3N4 粉末の粒径が大きくなると、焼結粒子の粒径が大き
くなり、強度低下の原因になる。また、不純物が多いと
粒界ガラス相の軟化温度が低下し、高温強度が低下す
る。
径0.4μm以下、より好ましくは0.2μm、金属元素で
表わした不純物総量が30ppm 以下のものを使用する。Si
3N4 粉末の粒径が大きくなると、焼結粒子の粒径が大き
くなり、強度低下の原因になる。また、不純物が多いと
粒界ガラス相の軟化温度が低下し、高温強度が低下す
る。
【0007】焼結助剤としてはY2O3とAl2O3 を用いる。
添加量はSi3N4 粉末と焼結助剤(酸化物換算)の合計量
を 100wt%とした内割りで、Y2O3を2.5〜5.5wt%、Al
2O3 を 0.005〜0.012 wt%である。本発明の大きな特徴
の1つはAl2O3 の添加量が従来のものと比べて極めて少
ないことである。すなわち、本発明は、Al2O3 が多量に
存在すると焼結体の粒界ガラス相の軟化温度を低下さ
せ、それが焼結体の最高強度を低下させること、しかし
本発明の方法ではAl2O3 は極めて少量でも緻密に焼結で
きることを見い出して完成されたものである。より詳し
く述べると、Al2O 3 が0.012 wt%を越え、またY2O3が5.
5wt%を越えると、緻密焼結はするが粒界ガラス相が増
加し、また粒界ガラス相の軟化温度が低下し、高温強度
が低下する。一方、Al2O3 が0.005 wt%未満、Y2O3が2.
5wt%未満では緻密に焼結しない。
添加量はSi3N4 粉末と焼結助剤(酸化物換算)の合計量
を 100wt%とした内割りで、Y2O3を2.5〜5.5wt%、Al
2O3 を 0.005〜0.012 wt%である。本発明の大きな特徴
の1つはAl2O3 の添加量が従来のものと比べて極めて少
ないことである。すなわち、本発明は、Al2O3 が多量に
存在すると焼結体の粒界ガラス相の軟化温度を低下さ
せ、それが焼結体の最高強度を低下させること、しかし
本発明の方法ではAl2O3 は極めて少量でも緻密に焼結で
きることを見い出して完成されたものである。より詳し
く述べると、Al2O 3 が0.012 wt%を越え、またY2O3が5.
5wt%を越えると、緻密焼結はするが粒界ガラス相が増
加し、また粒界ガラス相の軟化温度が低下し、高温強度
が低下する。一方、Al2O3 が0.005 wt%未満、Y2O3が2.
5wt%未満では緻密に焼結しない。
【0008】Y2O3は平均粒径0.4μm以下、より好まし
くは0.3μm、純度99.9%以上の粉末、あるいはイット
リウムアルコキシド、例えばイットリウムイソプロポキ
シドを用いる。Al2O3 は平均粒径0.2μm以下、より好
ましくは0.1μm、純度99.9%以上の粉末、あるいはア
ルミニウムアルコキシドを用いる。これらの粒径、純度
の限定理由は、基本的にSi3N4 の場合と同様である。ま
た、アルコキシド原料を用いた場合には、微細分散性、
純度とも粉末よりも優れることができる。
くは0.3μm、純度99.9%以上の粉末、あるいはイット
リウムアルコキシド、例えばイットリウムイソプロポキ
シドを用いる。Al2O3 は平均粒径0.2μm以下、より好
ましくは0.1μm、純度99.9%以上の粉末、あるいはア
ルミニウムアルコキシドを用いる。これらの粒径、純度
の限定理由は、基本的にSi3N4 の場合と同様である。ま
た、アルコキシド原料を用いた場合には、微細分散性、
純度とも粉末よりも優れることができる。
【0009】出発粉末の成形は常法により行なうことが
できる。すなわち、典型的には、均一混合粉末を加圧成
形する。次いで、焼成するが、本発明では焼成温度を15
30〜1650℃の範囲内として、従来の常圧焼結温度1700〜
1800℃、あるいは特公昭62-13310号公報のHIP焼結温
度1700〜1900℃より低い焼結温度を採用することを特徴
としている。すなわち、従来は、常圧焼結温度として17
00〜1800℃が採用されるが、この温度では焼結体が充分
に緻密化せず、理論密度の99%に達する高密度の焼結体
を得ることはできなかった。そこで、高温で充分に焼結
させるために、Si3N4 の熱分解を抑制すべく高圧をかけ
て焼成する方法(HIP) が利用されている。このようなH
IP法によれば焼結が進み、理論密度の99%以上の高密
度の焼結体を得ることも可能である。しかしながら、高
温で焼結されるため、粒径も成長し、強度が所望の様に
向上しないという問題があった。
できる。すなわち、典型的には、均一混合粉末を加圧成
形する。次いで、焼成するが、本発明では焼成温度を15
30〜1650℃の範囲内として、従来の常圧焼結温度1700〜
1800℃、あるいは特公昭62-13310号公報のHIP焼結温
度1700〜1900℃より低い焼結温度を採用することを特徴
としている。すなわち、従来は、常圧焼結温度として17
00〜1800℃が採用されるが、この温度では焼結体が充分
に緻密化せず、理論密度の99%に達する高密度の焼結体
を得ることはできなかった。そこで、高温で充分に焼結
させるために、Si3N4 の熱分解を抑制すべく高圧をかけ
て焼成する方法(HIP) が利用されている。このようなH
IP法によれば焼結が進み、理論密度の99%以上の高密
度の焼結体を得ることも可能である。しかしながら、高
温で焼結されるため、粒径も成長し、強度が所望の様に
向上しないという問題があった。
【0010】これに対して、本発明は、驚くことに、15
00気圧以上の高圧を利用する場合には、従来Si3N4 が焼
結しないと考えられていた1530〜1650℃の低い温度でも
焼結が進行し、理論密度の99%以上、さらには99.5%以
上の高密度のSi3N4 焼結体を得ることができること、ま
たこのように低温高圧下で焼結した場合には粒成長が抑
えられるため、また粒界相にAl2O3 が少ないため、1400
℃で約700MPa以上の4点曲げ強度という高強度の発現も
可能になるということを発見して為されたものである。
従来より、窒化珪素の一般的焼結温度として1600℃以上
であることが言及されることはあったが、実際に1600℃
でSi3N4 焼結体を作製した例はなく、仮に1600℃で焼結
されたとしても、得られる焼結体の密度は極めて低いも
のとならざるを得ないことが、当業者の常識である。ま
た、前述の如く、HIP法を採用する理由は、より高温
であるいはより長時間焼結してより緻密な焼結体を得る
ためにSi3N4 及び酸化物助剤の熱分解を防止することに
あるから、HIP処理を採用しながら、なおかつ焼成温
度を1700℃より低くしようということは、当業者の常識
では考えられないことであった。本発明者は、あえてこ
れを行ない、上記の如く驚くべき知見を得て、本発明に
到達したものである。
00気圧以上の高圧を利用する場合には、従来Si3N4 が焼
結しないと考えられていた1530〜1650℃の低い温度でも
焼結が進行し、理論密度の99%以上、さらには99.5%以
上の高密度のSi3N4 焼結体を得ることができること、ま
たこのように低温高圧下で焼結した場合には粒成長が抑
えられるため、また粒界相にAl2O3 が少ないため、1400
℃で約700MPa以上の4点曲げ強度という高強度の発現も
可能になるということを発見して為されたものである。
従来より、窒化珪素の一般的焼結温度として1600℃以上
であることが言及されることはあったが、実際に1600℃
でSi3N4 焼結体を作製した例はなく、仮に1600℃で焼結
されたとしても、得られる焼結体の密度は極めて低いも
のとならざるを得ないことが、当業者の常識である。ま
た、前述の如く、HIP法を採用する理由は、より高温
であるいはより長時間焼結してより緻密な焼結体を得る
ためにSi3N4 及び酸化物助剤の熱分解を防止することに
あるから、HIP処理を採用しながら、なおかつ焼成温
度を1700℃より低くしようということは、当業者の常識
では考えられないことであった。本発明者は、あえてこ
れを行ない、上記の如く驚くべき知見を得て、本発明に
到達したものである。
【0011】そこで、本発明では、1530〜1650℃、特に
1600℃未満の温度で焼成することを特徴としているが、
直ちに高圧にすると焼結体内の気孔の圧力も高くなっ
て、緻密化しないので、最初に低圧下で予備焼結させ
る。予備焼結の圧力はSi3N4 が熱分解しない限り、低い
圧力が望ましいが、減圧下ではSi3N4 が熱分解し易いの
で、一般的には1気圧N2 雰囲気で行なう。ただし、こ
の予備焼結もHIP装置内で行なうことが都合がよい関
係上、実際の圧力は1〜30気圧位になるであろう。要
は、本焼結の1500気圧以上に対して低い圧力、常圧付近
であればよい。
1600℃未満の温度で焼成することを特徴としているが、
直ちに高圧にすると焼結体内の気孔の圧力も高くなっ
て、緻密化しないので、最初に低圧下で予備焼結させ
る。予備焼結の圧力はSi3N4 が熱分解しない限り、低い
圧力が望ましいが、減圧下ではSi3N4 が熱分解し易いの
で、一般的には1気圧N2 雰囲気で行なう。ただし、こ
の予備焼結もHIP装置内で行なうことが都合がよい関
係上、実際の圧力は1〜30気圧位になるであろう。要
は、本焼結の1500気圧以上に対して低い圧力、常圧付近
であればよい。
【0012】典型的には、予備焼結は、1気圧付近のN
2 雰囲気下、0.5〜10℃/分程度の昇温速度で1530〜16
50℃の範囲内の温度まで昇温して行なう。昇温プロフィ
ルは所望に変更できる。予備焼結の終点の1つのメドは
理論密度の90%程度である。1530〜1650℃の範囲内の温
度に到達したら、次に圧力を5〜20気圧/分程度の昇圧
速度で1500気圧以上まで昇圧し、その圧力に保持して本
焼結を行なう。本焼結の圧力は1500気圧以上、典型的に
は1500〜2500気圧である。1500気圧未満では焼結体の10
00℃強度が低下するからである。高圧側は装置の問題が
なければ、特に上限はない。
2 雰囲気下、0.5〜10℃/分程度の昇温速度で1530〜16
50℃の範囲内の温度まで昇温して行なう。昇温プロフィ
ルは所望に変更できる。予備焼結の終点の1つのメドは
理論密度の90%程度である。1530〜1650℃の範囲内の温
度に到達したら、次に圧力を5〜20気圧/分程度の昇圧
速度で1500気圧以上まで昇圧し、その圧力に保持して本
焼結を行なう。本焼結の圧力は1500気圧以上、典型的に
は1500〜2500気圧である。1500気圧未満では焼結体の10
00℃強度が低下するからである。高圧側は装置の問題が
なければ、特に上限はない。
【0013】こうして、本発明の方法により低温高圧焼
結された窒化珪素焼結体は、Si3N4 結晶粒の粒成長を抑
制したままで緻密に焼結し、理論密度の99%以上、さら
には99.5%以上の高密度で、かつ1000℃での4点曲げ強
度が1000MPa 以上、1400℃で700MPa以上の高強度を発現
する。本発明者は、従来、99%以上の相対密度で700MPa
以上の1400℃に於ける強度を実現した窒化珪素焼結体を
知らない。
結された窒化珪素焼結体は、Si3N4 結晶粒の粒成長を抑
制したままで緻密に焼結し、理論密度の99%以上、さら
には99.5%以上の高密度で、かつ1000℃での4点曲げ強
度が1000MPa 以上、1400℃で700MPa以上の高強度を発現
する。本発明者は、従来、99%以上の相対密度で700MPa
以上の1400℃に於ける強度を実現した窒化珪素焼結体を
知らない。
【0014】
【作用】Al2O3 の添加量を極少量としたので粒界ガラス
相の軟化温度の低下が防止され、また1650℃以下の低い
温度でSi3N4 を焼結するので粒成長を抑制し、さらに15
00気圧以上の高圧を加えたことにより粒界相の厚さを薄
くでき、その結果、高密度、高強度、高硬度、特に高温
高強度の焼結体が得られる。
相の軟化温度の低下が防止され、また1650℃以下の低い
温度でSi3N4 を焼結するので粒成長を抑制し、さらに15
00気圧以上の高圧を加えたことにより粒界相の厚さを薄
くでき、その結果、高密度、高強度、高硬度、特に高温
高強度の焼結体が得られる。
【0015】
【実施例】以下の実施例及び比較例では下記の出原料を
用いた。 Si3N4 粉末:平均粒径0.2μm、最大粒径0.4μm、 金属元素で表した不純物総量30ppm Y2O3 :平均粒径0.3μm、最大粒径0.6μm、純度99.9%の粉末 イットリウムイソプロポキシド Al2O3 :平均粒径0.02μm、最大粒径0.1μm、純度99.9%の粉末 アルミニウムイソプロポキシド実施例 前記Si3N4 粉末及び焼結助剤を窒化珪素製の容器とボー
ルからなるボールミルで混合した。添加量は表1に示す
が、金属アルコキシドの場合はY2O3,Al2O3 に換算した
値である。混合溶媒としては、粉末の場合はエチルアル
コールを、金属イソプロポキシドの場合はイソプロパノ
ールを用いた。混合時間は72時間であった。混合終了後
やはり窒化珪素製のボールを入れた同質の広口容器に移
し、容器全体に解砕を可とする程度の振動をかけて50℃
で溶媒を真空蒸発させて乾燥した。成形体は150kgf/cm
2 で金型プレスし、次いで3000kgf/cm2 でゴム袋にて
静水圧成形した。特に成形体作成までは異物の混入を防
止する目的で清浄な空気中で行なった。
用いた。 Si3N4 粉末:平均粒径0.2μm、最大粒径0.4μm、 金属元素で表した不純物総量30ppm Y2O3 :平均粒径0.3μm、最大粒径0.6μm、純度99.9%の粉末 イットリウムイソプロポキシド Al2O3 :平均粒径0.02μm、最大粒径0.1μm、純度99.9%の粉末 アルミニウムイソプロポキシド実施例 前記Si3N4 粉末及び焼結助剤を窒化珪素製の容器とボー
ルからなるボールミルで混合した。添加量は表1に示す
が、金属アルコキシドの場合はY2O3,Al2O3 に換算した
値である。混合溶媒としては、粉末の場合はエチルアル
コールを、金属イソプロポキシドの場合はイソプロパノ
ールを用いた。混合時間は72時間であった。混合終了後
やはり窒化珪素製のボールを入れた同質の広口容器に移
し、容器全体に解砕を可とする程度の振動をかけて50℃
で溶媒を真空蒸発させて乾燥した。成形体は150kgf/cm
2 で金型プレスし、次いで3000kgf/cm2 でゴム袋にて
静水圧成形した。特に成形体作成までは異物の混入を防
止する目的で清浄な空気中で行なった。
【0016】次いで、この成形体を表1に示す焼成条件
で焼成した。焼成は、N2 雰囲気の炉で行なった。昇温
速度は5℃/min 、最高温度に到達するまでは1atm の
N2 雰囲気下で、最高温度到達後に表1に示す条件まで
毎分15atm の昇圧速度で加圧した。また、最高温度での
保持時間は4時間とした。この昇温、昇圧プロファイル
の例を図1に示す。
で焼成した。焼成は、N2 雰囲気の炉で行なった。昇温
速度は5℃/min 、最高温度に到達するまでは1atm の
N2 雰囲気下で、最高温度到達後に表1に示す条件まで
毎分15atm の昇圧速度で加圧した。また、最高温度での
保持時間は4時間とした。この昇温、昇圧プロファイル
の例を図1に示す。
【0017】これらの焼結体の室温4点曲げ強度(JIS R
1601)、高温4点曲げ強度 (JIS R 1604、大気中)を測
定して表1に示す結果を得た。測定は各10〜12本の試料
について行ない、その測定値の算術平均により求めた。
1601)、高温4点曲げ強度 (JIS R 1604、大気中)を測
定して表1に示す結果を得た。測定は各10〜12本の試料
について行ない、その測定値の算術平均により求めた。
【0018】
【表1】
【0019】比較例 実施例と同様にして、但し、焼結助剤の添加量あるいは
焼成温度を変えて、焼結体を作製し、強度等を実施例と
同様に測定した。その作製条件及び結果を表2に示す。
焼成温度を変えて、焼結体を作製し、強度等を実施例と
同様に測定した。その作製条件及び結果を表2に示す。
【0020】
【表2】
【0021】表1及び表2から見られる通り、本発明に
よれば、1400℃空気中の強度が大幅に向上した(約700M
Pa以上)。また、1000℃空気中の強度は室温強度とほぼ
同等で、平均1100MPa という高強度を示した。また、実
施例の焼結体の1400℃における耐酸化性を重量増加で調
べたところ、重量増加の時間依存性が放物線則に従い、
その酸化反応速度定数は1400℃で1〜4×10-7mg2 ・cm
-4・ sec-1であった。これは従来の焼結体のそれが10-5
mg2 ・cm-4・ sec-1であったので、それより約2桁小さ
く、耐酸化性が大きく向上できたことを示す。
よれば、1400℃空気中の強度が大幅に向上した(約700M
Pa以上)。また、1000℃空気中の強度は室温強度とほぼ
同等で、平均1100MPa という高強度を示した。また、実
施例の焼結体の1400℃における耐酸化性を重量増加で調
べたところ、重量増加の時間依存性が放物線則に従い、
その酸化反応速度定数は1400℃で1〜4×10-7mg2 ・cm
-4・ sec-1であった。これは従来の焼結体のそれが10-5
mg2 ・cm-4・ sec-1であったので、それより約2桁小さ
く、耐酸化性が大きく向上できたことを示す。
【0022】
【発明の効果】本発明によれば、ガスタービン等に好適
な、1400℃の高温度で約700MPa以上の高強度の窒化珪素
焼結体が得られる。
な、1400℃の高温度で約700MPa以上の高強度の窒化珪素
焼結体が得られる。
【図1】実施例の焼結温度及び圧力プロファイルを示す
図である。
図である。
Claims (1)
- 【請求項1】 窒化珪素粉末に対して焼結助剤としてY2
O3 2.5〜5.5wt%とAl2O3 0.005〜0.012 wt%を添加
した均一混合粉末を成形し、該成形体を1530〜1650℃の
範囲内の温度まで加熱して予備焼結し、次いで該温度範
囲内の温度で圧力を1500気圧以上まで昇圧して本焼結す
ることを特徴とする窒化珪素焼結体の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3005176A JP2890849B2 (ja) | 1991-01-21 | 1991-01-21 | 窒化珪素焼結体の製造方法 |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP3005176A JP2890849B2 (ja) | 1991-01-21 | 1991-01-21 | 窒化珪素焼結体の製造方法 |
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04240161A JPH04240161A (ja) | 1992-08-27 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3005176A Expired - Fee Related JP2890849B2 (ja) | 1991-01-21 | 1991-01-21 | 窒化珪素焼結体の製造方法 |
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---|---|
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1991
- 1991-01-21 JP JP3005176A patent/JP2890849B2/ja not_active Expired - Fee Related
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---|---|
JPH04240161A (ja) | 1992-08-27 |
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