JPH0222175A - 炭化珪素ホイスカー又は窒化珪素粉末を含む反応結合窒化珪素複合材料の製造及び焼結 - Google Patents

炭化珪素ホイスカー又は窒化珪素粉末を含む反応結合窒化珪素複合材料の製造及び焼結

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JPH0222175A
JPH0222175A JP1081367A JP8136789A JPH0222175A JP H0222175 A JPH0222175 A JP H0222175A JP 1081367 A JP1081367 A JP 1081367A JP 8136789 A JP8136789 A JP 8136789A JP H0222175 A JPH0222175 A JP H0222175A
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nitrogen
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ジョー レイ ワン
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    • C04B35/78Ceramic products containing macroscopic reinforcing agents containing non-metallic materials
    • C04B35/80Fibres, filaments, whiskers, platelets, or the like

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本明細書中において使用されている“%”及び“部”と
いう用語は別の指示がないかぎり重量%及び重量部を意
味する。gはグラム、IIIgはミリグラム、mはメー
トル、CII+はセンナメートル、mmはミリメートル
、ミクロン及びμmは10−6メートル、lはリットル
、psiはボンド/インチ2、及びMPaは10hパス
カルを意味する。
本明細書中における温度は全て、別の指示がないかぎり
℃である。
本発明は、炭化珪素ホイスカー、窒化珪素粉末、又は双
方を含む窒化珪素セラミックの反応結合工程及び焼結工
程を含む方法による製造に関する。
マンゲルス(Mangels)による1982年10月
26日に許可された米国特許第4,356.136号に
は、窒素雰囲気中における二工程の燃焼手順により反応
結合窒化珪素セラミック(炭化珪素ホイスカーを含まな
い)を窒化珪素粉末及び圧縮助剤中に充填し、圧縮しう
ろことが開示されている。第一の工程は低圧窒素雰囲気
中であり、第二の工程は高圧窒素雰囲気中である。この
特許の実施例1には1、05 kg/cmt(15ps
i)の窒素雰囲気中1875℃以下の第−工程燃焼及び
21kg/cm2(300psi )の窒素雰囲気中1
925℃以下の第二工程燃焼が開示されている。
マーチネンゴ(Martinengo)らによる198
2年9月28日に許可された米国特許第4,351.7
87号には、珪素粒子及び焼結助剤(この場合も炭化珪
素ホイスカーを含まない)の混合物から形状物(sha
pe)がプレスさるうろこと、形状物は窒素化されて反
応結合形状物を製造しうろこと、及び反応結合形状物は
保護粉末中に埋封した後窒素雰囲気中における燃焼によ
り圧縮されうろことが開示されている。実施例1におい
ては、保護粉末はSi3N、、BNSMgO及びFeを
含み、燃焼は1800℃以下、最終窒素圧750トルで
ある。
フノルド(Hunold) らによる1987年8月1
8日に許可された米国特許第4.687.655号には
、珪素粉末、酸化イッl−IJウム粉末及び酸化アルミ
ニウム粉末の混合物の冷間等方加ニブレスにより形状物
を製造し、製造された形状物の高圧窒素雰囲気中におけ
る二工程燃焼により炭化珪素ホイスカーは含まないが、
窒化珪素含量が99.1%(理論密度の98%)のセラ
ミックが製造されうろことが開示されている(実施例6
)。燃焼の第一工程は最高温度1270℃、窒素圧50
乃至80MPaであり、第二工程は最高温度1800℃
、窒素圧80乃至150MPaであった。この特許には
また常圧下における窒素又は窒素/水素混合物を用いた
窒素化の場合には実施例に匹敵するサイクルは100乃
至140時間続(だるうということも記載されている。
炭化珪素ホイスカーを含むセラミック複合材料について
も種々の示唆がなされてきた。たとえば、SiCホイス
カーで強化された5iJ4を含む複合材料はランドバー
ブ(Lundberg) らによりAm、 Ceraa
+。
Soc、 Bull、第66巻、第2号第330乃至3
33頁(1987年)に開示されている。ランドバーブ
らの文献には、バッチの冷間等方加ニブレスによりバー
を製造し、バーを窒素化し、かつ窒素化されたバーを焼
結することにより複合材料が製造されることが開示され
ている。バッチは70乃至100%のマトリックス材料
及び30%以下のSiCボイスカーを含有した。マトリ
ックス材料は55%の次微子Si、37%のSi3N4
.6%のY2O3及び2%のA 1 !03を含有した
。1000℃において1時間、次いで3時間の二工程窒
素化を用いた。
窒素化されたバーは1850℃において加圧せず焼結す
るか、アルゴン雰囲気中1700℃において熱間等方加
圧プレスした。
珪素、窒化珪素及び有機結合剤の混合物(炭化珪素ホイ
スカーを含まない)が金型成形されて所望の形状物(s
hape)となり、窒素化され、かつ熱間等方加圧プレ
スされて窒化珪素セラミックを製造しうろこと(たとえ
ば1979年5月31日に許可された英国特許第1,5
46.928号参照)、及び珪素粉末から成形品(炭化
珪素ホイスカーを含まない)を製造し、窒素化して窒化
珪素とする前に不活性雰囲気中で焼結して理論密度の6
0乃至75%とじうろことも示唆されている(たとえば
、1985年2月19日に許可された米国特許第4,5
00,482号参照)。
本発明は、炭化珪素ホイスカーで強化されるか、窒化珪
素粒子を含むか、又は双方を含む焼結された反応結合窒
化珪素複合材料の製法である。その方法は、平均粒度5
μm以下の粉末状珪素と炭化珪素ホイスカー、窒化珪素
粒子又は炭化珪素ボイスカーと窒化珪素粒子を適量の焼
結助剤と混合し、得られた混合物から形状物をプレスし
、窒素雰囲気中で形状物を加熱して反応結合させ、かつ
形状物を焼結することを含む。好ましくは、プレスされ
た形状物は焼成され粉砕されて所望の外形とされる。窒
素雰囲気中で加熱されて反応結合させるのは粉砕された
形状物である。形状物が加熱されて反応結合される窒素
雰囲気は約1気圧の絶対圧力である。炭化珪素ホイスカ
ーがバッチの約10乃至35%を構成するか、窒化珪素
がバッチの約15乃至50%を構成するか、又は炭化珪
素ホイスカーがバッチの約10乃至35%を構成し、か
つ窒化珪素がバッチの15乃至50%を構成する。
加熱は、形状物の珪素及び窒素間の反応による窒素の消
費が完了することがすでに決定されている温度に達する
まで窒素及び形状物間の反応がある所与の温度(その後
その温度より高温に形状物を加熱する)で実質的に完了
するように、またその後焼結助剤を含む反応により理論
値の65乃至85%のSi3N4物体を製造するのに十
分な量のガラスを迅速に製造するように形状物が加熱さ
れるように制御される。焼結助剤は最も望ましくは3乃
至7%のMgO及び3乃至7%のCeO2であるが、2
乃至8%のY2O3,6%のY2O3及び2%のA20
3.2乃至8%のMgO1BeO1Hf02又はZrO
□、又は1乃至5%のCaOでもよい。
本発明者が考える最良の態様を構成する以下の実施例か
ら本発明が更に十分に理解されよう。
実施例1 粉末状珪素、MgO、CeO□及び炭化珪素ホイスカー
から窒化珪素複合材料を製造した。使用した粉末状珪素
は、“Kemanord II C(8μm)”という
名称(0,43%のFeが分析されている)て市販され
ている。このものはあらかじめ0.2%のトリエタノー
ルアミンを用いて15時間乾燥粉砕して平均粒度4μm
、範囲2〜20μmとした。MgOは” Baikow
iski M30CRhigh 5urface″とい
う名称で市販されており、CeOzは“Rhone P
ouleneOpaline Ground″という名
称で市販されており、炭化珪素ホイスカーは“Tate
ho 1−3−105″という名称で市販されている。
550gの珪素、38gのMgO138gのCeO2、
及び950m&の無水エチルアルコールから成る材料を
ボールミル中で4時間粉砕し、ミルから出したスラリを
、回転排気フラスコからエタノールを蒸留することによ
り乾燥させた。次いで、乾燥物72gを350rall
の無水エチルアルコール及び0.44m1のポリサイエ
ンス・インコーホレーテッド(Polyseince 
+ Inc、)から市販されているポリエチレンイミン
分散剤と手で混合することによりスラリを製造した。約
4分間の超音波振動により凝集物を破壊した後、スラリ
を低速低剪断プレングー中で以下のものと混合した。
(1)ザ・ダウ・ケミカル・カンパニー(The Do
−Chemical Company)からDow X
U34030300という名称で入手しうるセラミック
結合剤2g、ポリエチレングリコール400 1,3g
、及びエチルアルコール200n+1から成る配合物、
及び(2)以下のようにして製造した炭化珪素ボイスカ
ーのスラリ。
次いで得られたスラリを、回転排気フラスコからエチル
アルコール及び分散剤を蒸留することにより乾燥させた
。次いで等方塊ニブレスを用い30、000psi  
(約207MPa)の圧力で加圧することにより乾燥材
料から直径約19mm長さ511II11の円筒状形状
物を製造し、従来の型式の空気流オーブン中で535℃
において1時間燃焼させた。
燃焼の目的は結合剤及び可塑剤を焼きつくすことである
前述のように円筒状形状物の製造に使用する炭化珪素ホ
イスカースラリは、250mfのエチルアルコール、0
.32 gのポリエチレンイミン分散剤(ポリサイエン
ス・インコーホレーテッドより市販されている)及び2
8gの炭化珪素ホイスカー(5%の塩酸中で2時間沸騰
させ、次いでデカンテーションにより微粒子を分離した
もの)より製造される。炭化珪素ボイスカーをエチルア
ルコール及び分散剤と混合し、次いで解離させ、約4分
間の超音波振動により分散させる。
535℃以下で燃焼させた形状物を次いで、タングステ
ン加熱要素を具備する電気加熱炉中に置かれているモリ
ブデンセッター(setter)中に置いた。炉は排気
され、物体は燃焼した。燃焼は以下のとおりであった。
(11750℃まで約り℃/分の速度で上昇させ、75
0℃に2時間保持し、最初に炉内を真空に保持した。
(21750℃に保持して約21/2時間後、71容量
%の窒素、25容量%のヘリウム及び4容量%の水素を
含む気体を炉内に導入して炉内の絶体気圧を約1.1気
圧とし、この組成の気体が炉内の圧力を示された圧力に
保持した。
+31750℃に保持した最後、及びその後のサイクル
の残りには、(窒素、ヘリウム及び水素から成る気体よ
りむしろ)窒素を炉内に導入して約1.1気圧の圧力に
保持し、1150℃まで5℃/時間の公称速度であるが
センサーが感知しうるほどの窒素の消費を示す信号を受
けた場合には一時停止して加熱した。
(4)炉の温度が1150℃に達するや否や1650℃
まで5℃/分の速度で加熱した(炉の温度が1150℃
に達した時には物体及び窒素間の反応は完了していると
いうことは以下に記載するようにしてすでに決定されて
いた)。
(511650℃に1時間保持した。及び(6)炉内を
15℃/分の速度で冷却した。
得られた複合材料は理論密度の約75%の密度を有する
こと、炭化珪素ホイスカー、焼結された反応結合窒化珪
素、珪化鉄、約0.2%の残存珪素、ホスタライト (
fosterite)、Ce5iOJ及び少量のセリア
−マグネシアシリケートガラスを含むことが見い出され
た。それらは優れた強度及び耐熱衝撃性を有するので、
構造セラミックスとして使用するのにみごとに適してい
た。たとえばそれらの4点曲げ強度は4060kg/c
m”  (58,000psi )で゛あった。
実施例1に記載したようにして製造した物体は炭化珪素
ボイスカーの公称含量が20%で、窒化珪素の公称含量
が80%であり、ガラス、珪素、及びその他の第二相は
無視できた。この方法はまたその他の物体の製造にも使
用された。バッチ配合物の実施例は以下の表にガラス形
成成分を無視して%の単位で確認されている。
実施例 珪素 窒化 炭化珪素 番号    珪素1ホイスカー 対照100 ”−枳陪B3 B 32.000  73.000 54.000 24.000  5B、000 33.000 25.000 84.000 39.000 ?8.000  89.000 鵞使用した窒化珪素は5tarck LC−10という
名称で入手しうる。その平均粒度は約1〜2μmである
2焼結することなく反応結合した。
3焼結及び反応結合した。
4実施例8の手順に使用した炭化珪素ホイスカーはAm
erican Matrixという名称で入手しうる。
実施例2乃至8及び前述の対照例の手順において窒素及
び珪素間の反応が完了した時の炉の温度は以下のとおり
であった。実施例2.1290”。
実施例3.1125°:実施例4.1150°;実施例
5.1135’;実施例6.1210°:実施例7.1
100°;実施例8.1145@;対照例、1345゜ 窒化珪素物体の靭性及び熱的性質が炭化珪素ホイスカー
の配合により劇的に改良されることは公知である。それ
故、前述の実施例において記載したようにして製造した
物体が構造用途にりっばに適することが認められよう。
実施例1において述べたように、“炉の温度が1150
℃に達した時には物体及び窒素間の反応は完了している
ということは以下に記載するようにしてすでに決定され
ていた。′この決定は、750℃に保持した後炉を13
00℃まで5℃/時間の公称速度で加熱したが、センサ
ーが感知しうるほどの窒素の消費を示す信号を受けた場
合には一時停止すること、及び窒素の消費を追跡するこ
と以外実施例1の手順を実施することにより成された。
使用した全窒素の約50%が消費される1125乃至1
150℃において実質的に一時停止すること及び炉の温
度が1150℃から1300℃に加熱された時には窒素
は消費されないことが見い出された。従って、実施例−
1の手順においては物体及び窒素間の反応は炉の温度が
1150℃に達した時には完了しているとみなされた。
比較のため、珪素、MgO及びCeO2のポリエチレン
イミン分散液を、回転排気フラスコから分散剤を蒸留す
ることにより乾燥させ、炭化珪素ボイスカーを添加する
ことなく乾燥材料から直径約19鶴長さ51鶴の円筒状
形物をプレスすること以外前節に記載されている手順を
繰り返した。炉の温度が1150℃に達した時には全窒
素消費の約60%しか生じていなかった。炉の温度が1
200゜Cに達した時には約77%、炉の温度が125
0℃に達した時には約83%であることが見い出された
。炉の温度が実質的に1345℃に達するまで窒素の消
費は完了しなかった。
前述の実施例において記載したようにして製造した複合
材料中のMgOCe0z焼結助剤は、燃焼中に反応して
少量のマグネシウム−セリウムシリケート(窒素)ガラ
ス(1650℃の燃焼温度において液体である)を生ず
るので非常に有利であった。従って、液体焼結の結果密
度の大きい物体が得られた。液体窒素ガラスもまた物体
(反応結合窒化珪素及び炭化珪素ホイスカーを含む)中
の隙間中に流入しうるので、冷却中に固化すると多孔度
は減少し、クランク開始の可能性のあるサイトが除去さ
れた。1650℃の燃焼温度は、実施例1の複合材料組
成に対して最適であることが実験的に決定された。この
決定は、同一の方法であるが1550’  1600”
  1650”、1700”及び1750°の最適燃焼
温度でセラミックを製造し、製造されたセラミックの密
度を測定することにより成された。示された温度は、相
を考慮することより選択したこれらの燃焼温度において
製造されたセラミックの性質に基いて最適であると選択
された。
窒化珪素粒子は、炭化珪素ホイスカーと共に又はその代
わりに前述の実施例において配合された。
いずれの場合も窒化珪素は燃焼中物体の窒素透過性を増
大させ、燃焼中に局所的に放出される発熱の一部を吸収
する。たとえば、実施例1において記載されているよう
にして製造した物体の窒素化は、 15%の炭化珪素ボイスカー5.35%の珪素及び50
%の窒化珪素を含むバッチでは1125℃において完了
することが見い出され、25%の炭化珪素ボイスカー5
.25%の珪素及び50%の窒化珪素を含むバッチでは
1135℃において完了することが見い出された。
S反応に用いた窒化珪素及び反応に用いた珪素から製造
された窒化珪素の重量に基づく。
反応結合窒化珪素複合材料の焼結においては窒化珪素の
分解及び液体の損失を防ぐために被覆粉末も使用しうる
。焼結中に被覆粉末を使用することにより炭化珪素ホイ
スカーの含量に依存して嵩密度が5乃至15%増大しう
ろことが見い出された。増大は前述の実施例1において
記載したようにして焼結することにより得られる嵩密度
との比較である。
この方法は、MgO及びCeO□の代わりにその他の焼
結助剤を用いても可能であることが認められよう。Mg
O及びCeO2は、たとえば2乃至8%のY2O3,6
%のY2O,及び2%のAgNO2,2乃至8%のMg
O12乃至8%BeO,2乃至8%のHf(h、2乃至
8%のZrOい又は1乃至5%のCaOとおきかえるこ
とができる。焼結助剤の組成、割合又は双方が異なれば
異なる燃焼温度が最適となることは認められよう。最適
温度は、いくつかの新しい組成に対して前述のようにし
て実験的に決定すべきである。
実験温度は相を考慮することにより選択してもよいし、
比較的幅広い温度について研究してもよい。
前述の実施例において記載した方法を実施するのに使用
した珪素出発材料中の少量の鉄が複合材料からSiO□
を除去する触媒として作用するため有利であることが見
い出された。バッチに約0.2乃至0.6%の鉄が存在
するのが望ましい、 Fezes(又はN1p)もまた
炭化珪素ホイスカーを分解することな(SiO□の除去
を触媒するのに使用しうる。
約0.2乃至0.6%のFeを生ずる量が必要である。
前述のようにして複合材料を製造するのに使用するバッ
チ内のFe又はPetosは窒素化プロセスの最終工程
中に形成される珪化鉄として複合材料中に存在する。
前述の本発明の詳細から、特許請求の範囲に定義される
本発明の精神及び範囲から逸脱することなく種々の変化
及び改良がなされうろこと、及び実質的には本発明は炭
化珪素ボイスカーで強化した焼成反応結合窒化珪素セラ
ミックの製法であり、その方法は平均粒度5μm以下の
粉末状珪素と炭化珪素ボイスカー、及び適量の焼成助剤
を混合すること、得られた混合物から形状物をプレスす
ること、及び粉砕した形状物を窒素雰囲気中約1気圧の
絶対圧力下で加熱することを含むことが認められよう。
焼成状剤は最も望ましくは3乃至7%のMgO及び3乃
至7%のCeO□であるが、2乃至8%のyzos、6
%のYe、0.及び2%のAf203.2乃至8%のM
gO、BeO、)IfOz又はZrO2、又は1乃至5
%のCaOでもよい。粉砕した形状物の加熱は、彫物の
珪素及び窒素間の反応による窒素の消費が完了すること
がすでに決定されている温度に達するまで窒素及び形状
物間の反応がある所与の温度(その後その温度より高温
に彫物を加熱する)で実質的に完了するように制御し、
その後焼結助剤を含む反応により理論密度の65乃至8
5%のSi3N、物体を製造するのに十分な量のガラス
を迅速に製造するように形状物を加熱する。好ましくは
約1乃至10容量%の水素を燃焼サイクルのはじめに炉
内に導入する。また、約20乃至30容量%のヘリウム
を燃焼サイクルのはじめに・炉内に導入するのも好まし
い。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)炭化珪素ホイスカーで強化された焼結窒化珪素複
    合材料の製造方法にして、平均粒度5μm以下の粉末状
    珪素を、適量の焼結助剤と、以下の成分: (a)10乃至35%の炭化珪素ホイスカー、(b)1
    5乃至50%の窒化珪素、又は (c)10乃至35%の窒化珪素ホイスカー及び15乃
    至50%の窒化珪素 と混合し、得られた混合物から形状物をプレスし、この
    形状物を窒素雰囲気中約1気圧の絶対圧力下で加熱し、
    そして (d)前記形状物の珪素及び窒素間の反応による窒素の
    消費が完了することがすでに決定されている温度に達す
    るまで窒素及び形状物間の反応がある所与の温度(その
    後その温度より高温に形状物を加熱する)で実質的に完
    了するように、また (e)その後前記形状物を迅速に加熱して前記焼結助剤
    を含む反応により理論密度の65乃至85%のSi_3
    N_4物体を製造するのに十分な量のガラスを製造する
    ように、 加熱速度を制御することを含む方法であって、適量の焼
    結助剤が、各々3乃至7%のMgO及びCeO_2、2
    乃至8%のY_2O_3、6%のY_2O_3及び2%
    のAl_2O_3、2乃至8%のMgO、BeO、Hf
    O_2又はZrO_2、又は1乃至5%のCaOである
    方法。
  2. (2)前記焼結助剤が3乃至7%のMgO及び3乃至7
    %のCeO_2であり、窒素及び粉砕した形状物間の反
    応を完了する燃焼が約1150℃の最高温度である請求
    項(1)記載の方法。
JP1081367A 1988-03-31 1989-03-31 炭化珪素ホイスカー又は窒化珪素粉末を含む反応結合窒化珪素複合材料の製造及び焼結 Pending JPH0222175A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US07/175,905 US4919868A (en) 1988-03-31 1988-03-31 Production and sintering of reaction bonded silicon nitride composites containing silicon carbide whiskers or silicon nitride powders
US175905 1988-03-31

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0222175A true JPH0222175A (ja) 1990-01-25

Family

ID=22642155

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Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH035374A (ja) * 1989-06-01 1991-01-11 Mitsubishi Gas Chem Co Inc 窒化ケイ素―炭化ケイ素複合焼結体およびその製造法
DE4102628A1 (de) * 1991-01-30 1992-08-06 Bayer Ag Verfahren zur herstellung eines werkstoffes auf si(pfeil abwaerts)3(pfeil abwaerts)n(pfeil abwaerts)4(pfeil abwaerts)-basis, so hergestellte werkstoffe sowie deren verwendung
US5342562A (en) * 1991-03-21 1994-08-30 W. R. Grace & Co.-Conn. Reaction processing of AlN/SiC composites and solid solutions
US5256610A (en) * 1992-11-27 1993-10-26 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Sintering silicon nitride
JPH0733530A (ja) * 1993-07-26 1995-02-03 Toshiba Corp セラミックス基複合材料およびその製造方法
GB9413267D0 (en) * 1994-07-01 1994-08-24 T & N Technology Ltd Sintered reaction-bonded silicon nitride components
US5834840A (en) * 1995-05-25 1998-11-10 Massachusetts Institute Of Technology Net-shape ceramic processing for electronic devices and packages
US5801073A (en) * 1995-05-25 1998-09-01 Charles Stark Draper Laboratory Net-shape ceramic processing for electronic devices and packages
US6602439B1 (en) * 1997-02-24 2003-08-05 Superior Micropowders, Llc Chemical-mechanical planarization slurries and powders and methods for using same
TW579372B (en) * 1998-07-29 2004-03-11 Sumitomo Chemical Co Process for producing alumina sintered body
US8012533B2 (en) 2005-02-04 2011-09-06 Oxane Materials, Inc. Composition and method for making a proppant
CN105384455A (zh) * 2015-10-27 2016-03-09 合肥龙多电子科技有限公司 一种硼酸镁晶须增强的碳化硅基陶瓷电路板基板材料及其制备方法
CN105367109A (zh) * 2015-10-27 2016-03-02 合肥龙多电子科技有限公司 一种含纳米钇铝石榴石粉的高致密碳化硅基陶瓷电路板基板材料及其制备方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB717555A (en) * 1952-08-07 1954-10-27 Arthur Abbey Improvements in or relating to shaped silicon nitride bodies and their manufacture
IT1117334B (it) * 1977-12-23 1986-02-17 Fiat Spa Procedimento per la sinterizazzione di nitruro di silicio reaction bonded
DE2910943A1 (de) * 1979-03-20 1980-09-25 Motoren Turbinen Union Verfahren zur herstellung von keramikformteilen aus siliziumnitrid
US4285895A (en) * 1979-03-23 1981-08-25 Ford Motor Company Method of densifying a reaction bonded silicon nitride article
US4356136A (en) * 1980-08-29 1982-10-26 Ford Motor Company Method of densifying an article formed of reaction bonded silicon nitride
JPS60200863A (ja) * 1984-03-21 1985-10-11 三菱マテリアル株式会社 窒化珪素基セラミツクス
DE3514284A1 (de) * 1985-04-19 1986-10-23 Elektroschmelzwerk Kempten GmbH, 8000 München Verfahren zur herstellung von formkoerpern aus reaktionsgebundenem siliciumnitrid durch nitridierung unter hohem stickstoffgasdruck
DE3610274A1 (de) * 1986-03-04 1987-09-10 Claussen Nils Keramischer formkoerper und verfahren zu seiner herstellung
DE3786105T2 (de) * 1986-03-17 1993-09-16 Sumitomo Electric Industries Kompakter keramischer koerper, insbesondere auf basis von siliciumnitrid und keramischen fasern und sein herstellungsverfahren.

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