JPS59225534A - 半導体装置の樹脂封止成形方法 - Google Patents
半導体装置の樹脂封止成形方法Info
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- JPS59225534A JPS59225534A JP10199583A JP10199583A JPS59225534A JP S59225534 A JPS59225534 A JP S59225534A JP 10199583 A JP10199583 A JP 10199583A JP 10199583 A JP10199583 A JP 10199583A JP S59225534 A JPS59225534 A JP S59225534A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、リードフレームに装着された半導体素子部
を封止する、半導体装置の樹脂封止成形方法に関する。
を封止する、半導体装置の樹脂封止成形方法に関する。
半導体素子が装着されたリードフレームを、第1図に斜
視図で示す。(1)はリードフレームで、各ダイパッド
部に半導体素子(2)が装着され、金属細線(3)によ
りワイヤボンドされである。
視図で示す。(1)はリードフレームで、各ダイパッド
部に半導体素子(2)が装着され、金属細線(3)によ
りワイヤボンドされである。
この種の半導体装置の従来の樹脂封止成形方法は、第2
図に成形金型部の斜視図で示すようにしていた。(4)
は上金型で、下金型(5)に対応している。
図に成形金型部の斜視図で示すようにしていた。(4)
は上金型で、下金型(5)に対応している。
この下金型(5)上の所定位置に第1図の状態の複数の
リードフレーム(1)を配置し、下金型(5)上に上金
型(4)を結合する。そこで、上金型(4)に設けられ
である樹脂投入口(6)から封止用樹脂(力を投入し7
、加圧棒(8)を下降して樹脂(力を加圧注入する。
リードフレーム(1)を配置し、下金型(5)上に上金
型(4)を結合する。そこで、上金型(4)に設けられ
である樹脂投入口(6)から封止用樹脂(力を投入し7
、加圧棒(8)を下降して樹脂(力を加圧注入する。
この樹脂(7)は粉末固形状のものが投入前に予備加熱
され半溶融状態になっておシ、上金型(5)と下金型(
6)も加熱され高温状態になっている。これにより樹脂
(力は徐々に流動状態になり、下金型(6)の各移送路
(9)を通って各リードフレーム(1)の半導体素子(
2)部に至る。上金型(4)、下金型(5)には各半導
体素子(2)部に対応する位置にキャビティ(図示は略
す)が形成されてあり、これらに樹脂(力が圧入され、
各半導体素子(2)部を囲い成形硬化される。
され半溶融状態になっておシ、上金型(5)と下金型(
6)も加熱され高温状態になっている。これにより樹脂
(力は徐々に流動状態になり、下金型(6)の各移送路
(9)を通って各リードフレーム(1)の半導体素子(
2)部に至る。上金型(4)、下金型(5)には各半導
体素子(2)部に対応する位置にキャビティ(図示は略
す)が形成されてあり、これらに樹脂(力が圧入され、
各半導体素子(2)部を囲い成形硬化される。
こうして、上金型(4)、下金型(5)からリードフレ
ーム(1)を取出し、樹脂ばシなど付着不要樹脂を取除
くと、第3図に示すように、各半導体素子(2)部を封
止した樹脂封止体0ωが形成された状態になる。
ーム(1)を取出し、樹脂ばシなど付着不要樹脂を取除
くと、第3図に示すように、各半導体素子(2)部を封
止した樹脂封止体0ωが形成された状態になる。
上記従来の半導体装置の樹脂封止成形方法では、封止用
樹脂(7)は予備加熱前は、熱硬化性樹脂の粉末を圧縮
して固められタブレット状にされてあり、この状態では
取扱いが容易であるが、問題は予備加熱にある。予備加
熱は、樹脂(7)が成形金型に圧入され移送路(9)を
流動するのを容易にするため、高周波加熱器等によシ、
粉末固形状の樹脂(7)をあらかじめ加熱し半溶融状態
にするものである。この軟化した樹脂(7)は、取扱い
が非常に難しく、これが樹脂封止の全自動化を困難にし
、従来、樹脂封止作業のうち、この樹脂(力投人のみは
ほとんど人手によっていた。また、全自動化する場合に
は、樹脂(7)を予備加熱せずに投入しており、このた
め、流動性が悪く、樹脂成形の品質を損うことが多かつ
た。
樹脂(7)は予備加熱前は、熱硬化性樹脂の粉末を圧縮
して固められタブレット状にされてあり、この状態では
取扱いが容易であるが、問題は予備加熱にある。予備加
熱は、樹脂(7)が成形金型に圧入され移送路(9)を
流動するのを容易にするため、高周波加熱器等によシ、
粉末固形状の樹脂(7)をあらかじめ加熱し半溶融状態
にするものである。この軟化した樹脂(7)は、取扱い
が非常に難しく、これが樹脂封止の全自動化を困難にし
、従来、樹脂封止作業のうち、この樹脂(力投人のみは
ほとんど人手によっていた。また、全自動化する場合に
は、樹脂(7)を予備加熱せずに投入しており、このた
め、流動性が悪く、樹脂成形の品質を損うことが多かつ
た。
この発明は、粉末固形状のままの封止用樹脂を成形金型
の投入口に入れ、加圧棒で少し加圧後停止しておき、加
熱された成形金型の熱にょシ樹脂が溶融する時間経過後
、加圧棒で加圧しリードフレームの半導体素子部を樹脂
封止成形するようにし、投入樹脂が固形状態でよく取扱
いが容易になシ、樹脂封止作業の全自動化が容易になり
、省力化される、半導体装置の樹脂封止成形方法を提供
することを目的としている。
の投入口に入れ、加圧棒で少し加圧後停止しておき、加
熱された成形金型の熱にょシ樹脂が溶融する時間経過後
、加圧棒で加圧しリードフレームの半導体素子部を樹脂
封止成形するようにし、投入樹脂が固形状態でよく取扱
いが容易になシ、樹脂封止作業の全自動化が容易になり
、省力化される、半導体装置の樹脂封止成形方法を提供
することを目的としている。
以下、この発明の一実施例による半導体装置の樹脂封止
成形方法を、第4図(ト)〜(D)に工程順に示す成形
金型部の断面図により説明する。まず(4)図に示すよ
うに、下金型(5)上に各リードフレーム(1)を配置
し、上金型(4)を結合し、各金型を内装しであるヒー
タ(図示は略す)によシ加熱する。予備加熱をしない粉
末固形状の封止用樹脂(7)を樹脂投入口(6)から入
れ、加圧棒(8)を下降する。aυ及び(2)は止金型
(4)及び下金型(5)に形成されであるキャビティで
ある。このとき、樹脂(7)は固形状であり、取扱いが
極めて容易である。次に、03)図のように、投入され
ている樹脂(7)に加圧棒(8)が接し、若干加圧した
瞬間に加圧棒(8)の下降を停止させる。この停止時間
は数!〜数十秒で、樹脂(力の体積などにより決定する
。このとき、上金型(4)、下金型(5)は加熱されて
高温に維持されであるので、この熱によシ樹脂(7)は
徐々に軟化し、流動できる状態になる。この流動可能に
至る所定の停止時間が経過すると、(C)図に示すよう
に、加圧棒(8)を下降し樹脂(7)を加圧する。これ
により、樹脂(7)は各移送路(9)に分岐して流動し
、さらに多数個所のキャビティ0η、(2)に圧入され
、各リードフレーム(1)の各半導体素子(2)部をそ
れぞれ囲い、樹脂封止体(IIが成形される。これらの
樹脂封止作業が硬化すると、(D)図のように、上金型
(4)と下金型(5)を開き、樹脂封止体(101が形
成されたリードフレーム(1)を取出す。
成形方法を、第4図(ト)〜(D)に工程順に示す成形
金型部の断面図により説明する。まず(4)図に示すよ
うに、下金型(5)上に各リードフレーム(1)を配置
し、上金型(4)を結合し、各金型を内装しであるヒー
タ(図示は略す)によシ加熱する。予備加熱をしない粉
末固形状の封止用樹脂(7)を樹脂投入口(6)から入
れ、加圧棒(8)を下降する。aυ及び(2)は止金型
(4)及び下金型(5)に形成されであるキャビティで
ある。このとき、樹脂(7)は固形状であり、取扱いが
極めて容易である。次に、03)図のように、投入され
ている樹脂(7)に加圧棒(8)が接し、若干加圧した
瞬間に加圧棒(8)の下降を停止させる。この停止時間
は数!〜数十秒で、樹脂(力の体積などにより決定する
。このとき、上金型(4)、下金型(5)は加熱されて
高温に維持されであるので、この熱によシ樹脂(7)は
徐々に軟化し、流動できる状態になる。この流動可能に
至る所定の停止時間が経過すると、(C)図に示すよう
に、加圧棒(8)を下降し樹脂(7)を加圧する。これ
により、樹脂(7)は各移送路(9)に分岐して流動し
、さらに多数個所のキャビティ0η、(2)に圧入され
、各リードフレーム(1)の各半導体素子(2)部をそ
れぞれ囲い、樹脂封止体(IIが成形される。これらの
樹脂封止作業が硬化すると、(D)図のように、上金型
(4)と下金型(5)を開き、樹脂封止体(101が形
成されたリードフレーム(1)を取出す。
この状態の樹脂ばりなと不要樹脂を取除くと、第3図の
状態になる。
状態になる。
第5図はこの発明の他の実施例を示す加圧棒の縦断面図
である。加圧棒α場の中心部にはヒータα→をはめ込ん
であり、加熱しておき加圧のとき樹脂 □(7)の溶
融を促進するようにしている。
である。加圧棒α場の中心部にはヒータα→をはめ込ん
であり、加熱しておき加圧のとき樹脂 □(7)の溶
融を促進するようにしている。
なお、上記実施例では樹脂投入口を上金型(4)に設け
たが、下金型(5)の上方内に設け、下方から加圧棒で
加圧するようにしてもよい。
たが、下金型(5)の上方内に設け、下方から加圧棒で
加圧するようにしてもよい。
以上のように、この発明の方法によれば、粉末固形状態
の封止用樹脂を成形金型の投入口に入れ、 。
の封止用樹脂を成形金型の投入口に入れ、 。
加圧棒で少し加圧後停止し、成形金型の加熱による樹脂
の溶融時間経過後、加圧棒で加圧しリードフレームの半
導体素子部を樹脂封止成形するようにしたので、投入樹
脂が固形状態でよく取扱いが容易になり、樹脂封止作業
の全自動化が容易にでき、省力化し生産性が向上される
。
の溶融時間経過後、加圧棒で加圧しリードフレームの半
導体素子部を樹脂封止成形するようにしたので、投入樹
脂が固形状態でよく取扱いが容易になり、樹脂封止作業
の全自動化が容易にでき、省力化し生産性が向上される
。
第1図は半導体素子が装着されたリードフレームの斜視
図、第2図は従来の樹脂封止成形方法を示す成形金型の
結合前の要部の斜視図、第3図は第2図の成形金型によ
う樹脂封止体が成形され取出され不要樹脂部分が取除か
れたリードフレームの斜視図、第4図はこの発明の一実
施例による樹脂封止成形方法を工程順に示す成形金型部
の要部の縦断面図、第6図はこの発明の他の実施例を示
す加圧棒の縦断面図である。 1・・・リードフレーム、2・・・半導体素子、4・・
・成形上金型、5・・・成形下金型、6・・・樹脂投入
口、ツ・・・封止用樹脂、8・・・加圧棒、10・・・
樹脂封止体、13・・・加圧棒、14・・・ヒータ なお、図中同一符号は同−又は相当部分を示す。 代理人 大岩増雄 第1図 第4 rZI
図、第2図は従来の樹脂封止成形方法を示す成形金型の
結合前の要部の斜視図、第3図は第2図の成形金型によ
う樹脂封止体が成形され取出され不要樹脂部分が取除か
れたリードフレームの斜視図、第4図はこの発明の一実
施例による樹脂封止成形方法を工程順に示す成形金型部
の要部の縦断面図、第6図はこの発明の他の実施例を示
す加圧棒の縦断面図である。 1・・・リードフレーム、2・・・半導体素子、4・・
・成形上金型、5・・・成形下金型、6・・・樹脂投入
口、ツ・・・封止用樹脂、8・・・加圧棒、10・・・
樹脂封止体、13・・・加圧棒、14・・・ヒータ なお、図中同一符号は同−又は相当部分を示す。 代理人 大岩増雄 第1図 第4 rZI
Claims (1)
- (1) 複数個の半導体素子が装着されたり一ドフレ
ームを、成形金型の下金型上に配置し、この下金型上に
成形金型の下金型を結合し、上記成形金型の樹脂投入口
から粉末固形状の封止用樹脂を投入し、加圧棒で少し加
圧後一時停止し、上記成形金型の加熱による上記樹脂の
溶融する暫時経過後、上記加圧棒で加圧し上記各半導体
素子部を樹脂封止する半導体装置の樹脂封止成形方法0
(2)加圧棒に加熱手段を装着したーことを特徴とする
特許請求の範囲第1項記載の半導体装置の樹脂封止成形
方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10199583A JPS59225534A (ja) | 1983-06-06 | 1983-06-06 | 半導体装置の樹脂封止成形方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10199583A JPS59225534A (ja) | 1983-06-06 | 1983-06-06 | 半導体装置の樹脂封止成形方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59225534A true JPS59225534A (ja) | 1984-12-18 |
Family
ID=14315403
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10199583A Pending JPS59225534A (ja) | 1983-06-06 | 1983-06-06 | 半導体装置の樹脂封止成形方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59225534A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1271640A3 (en) * | 1996-07-12 | 2003-07-16 | Fujitsu Limited | Mold for manufacturing semiconductor device |
US6881611B1 (en) | 1996-07-12 | 2005-04-19 | Fujitsu Limited | Method and mold for manufacturing semiconductor device, semiconductor device and method for mounting the device |
-
1983
- 1983-06-06 JP JP10199583A patent/JPS59225534A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1271640A3 (en) * | 1996-07-12 | 2003-07-16 | Fujitsu Limited | Mold for manufacturing semiconductor device |
US6881611B1 (en) | 1996-07-12 | 2005-04-19 | Fujitsu Limited | Method and mold for manufacturing semiconductor device, semiconductor device and method for mounting the device |
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