JPS59203784A - 非酸化物系セラミックス焼結体のモリブデンシリサイド被膜の形成方法 - Google Patents

非酸化物系セラミックス焼結体のモリブデンシリサイド被膜の形成方法

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JPS59203784A
JPS59203784A JP58076000A JP7600083A JPS59203784A JP S59203784 A JPS59203784 A JP S59203784A JP 58076000 A JP58076000 A JP 58076000A JP 7600083 A JP7600083 A JP 7600083A JP S59203784 A JPS59203784 A JP S59203784A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の技術分野１ 本発明は非酸化物系セラミックス焼結体の導電性被膜の
形成方法に関する。
［発明の技術的背景とその問題点］ 従来より、セラミックス焼結体を金属部材に接合させる
ためにセラミックス焼結体の表面に導電性被膜を形成さ
せることが行われている。
この導電性被膜の形成方法としては、セラミックス焼結
体表面にモリブデン粉末とマンガン粉末とを主成分とす
るモリブデン−マンガンメタライズペーストを塗布し、
還元雰囲気中で焼成する方法が一般に行なわれており、
まれにセラミックス焼結体をモリブデン酸リチウム水溶
液中に浸漬し、還元雰囲気中で焼成する方法も行なわれ
ている。
これらの方法は、いずれもアルミナ等の酸化物系レラミ
ックス焼結体に適用され、成功を治めてぎているが、近
年、耐摩耗性や高温特性の良好なことで脚光を浴びてい
る窒化ケイ素等の非酸化物系セラミックス焼結体につい
ては検討の余地があり、例えば前者の方法では導電性被
膜の形成が困難であることから、これらの方法は非酸化
物系セラミックス焼結体には必ずしも適用できないこと
がわかっている。そのため例えば反応焼結法により得ら
れたポーラスな窒化ケイ素製セラミックス焼結体表面に
モリブデン酸アンモニウム塩を含浸させ、還元してモリ
ブデンからなる導電性被膜を形成させる方法も試みられ
ている。
しかしながら、この方法は導電性被膜が窒化ケイ素セラ
ミックスの熱膨張係数とほぼ等しい熱膨張係数を有する
モリブデンからなるので、セラミックス焼結体どうしを
接合させる場合は有効であるが、非酸化物系セラミック
ス焼結体を金属部材、特に鋼材と接合させる場合は十分
な接合強度が得られないという問題があった。
［発明の目的］ 本発明者等はこのような点に対処して鋭意研究を進めた
結果、従来からアルミナ等の酸化物系のセラミックス焼
結体に適用されてきたモリブデン酸リチウム法が窒化ケ
イ素等の非酸化物系セラミックス焼結体に対しては特に
有効であることを見出した。
すなわち、モリブデン酸リチウム法におけるリチウム等
の金属が窒化ケイ素セラミックス焼結体表面を荒らす結
果、反応および接合が強化され、有効であることを見出
した。
本発明はこのような知見に基づいてなされたもので、金
属部材特に鋼材との接合を強力なものにするための、非
酸化物系セラミックス焼結体の導電性被膜の形成方法を
提供することを目的とする。
［発明の概要］ すなわち本発明方法は、非酸化物系レラミックス焼結体
表面にモリブデン酸の金属塩を被着し、加熱してこの金
属塩を熔融後、還元雰囲気中で焼３− 成することを特徴とする。
本発明に使用する非酸化物系セラミックス焼結体として
は、窒化ケイ素、炭化ケイ素、ザイアロン等があげられ
、特に常圧焼結、ホットプレス等により得られる緻密質
のものが使用できる。
本発明に使用するモリブデン酸の金属塩としては、モリ
ブデン酸リチウム、モリブデン酸カリウム、モリブデン
酸カルシウム、モリブデン酸ナトリウム、モリブデン酸
鉛等があげられる。
本発明において、非酸化物系セラミックス焼結体表面に
モリブデン酸の金属塩を被着するには、モリブデン酸金
属塩の水溶液をセラミックス焼結体表面に塗布あるいは
浸漬することにより行なうことができる。この後１００
〜２００℃に加熱して乾燥し、さらに空気中で７００〜
８５０℃で５〜３０分間加熱して金属塩を熔融し、水素
雰囲気あるいはホーミングガス等の還元雰囲気中で１２
００〜１５００℃に加熱して焼成することにより導電性
被膜を形成させる。
なお本発明においで、モリブデン酸金属塩を空４− 気中で加熱して熔融させる理由は、レラミックス焼結体
との密着性を強化し濡れ竹を改善することによる。
このような方法により形成された導電性被膜は、例えば
モリブデン酸金属塩と窒化ケイ素とが反応して形成され
たもので、窒化ケイ素と金属との中間の熱膨張係数を有
するモリブデンシリサイドから主に形成されているので
、接合強度の大きいセラミックス焼結体と金属部材との
接合体を得ることができる。
［発明の実施例］ 次に本発明の実施例について説明する。
窒化ケイ素製セラミックス焼結体の表面に１３重産気の
モリブデン酸すヂウム水溶液を塗布し、１５０℃で乾燥
した後、空気中で８００℃、１０分間加熱してモリブデ
ン酸リチウムを熔融１ノ、次いで窒素：水素−１：１の
ホーミングガス中で１４００℃で６０分間加熱して焼成
した。
１ｒ１−られた導電性被膜は、モリブデンシリサイド（
Ｍｏ　５３　ｉ　３　）　テあツｔｃ。
このＪこうにして導電性被膜を形成させた後、ニッケル
めっぎを施し、銀ろうを介して鋼材と接合したところ、
接合強度は２．３ｋｇ／ｍ（であった。
［発明の効果１ 以上説明したように本発明方法によれば、非酸化物系セ
ラミックス焼結体、特に窒化ケイ素系セラミックス焼結
体に対してリチウムが攻撃して接合を強化し、また形成
された導電性被膜は主にセラミックス焼結体と金属との
中間の熱膨張係数を有するモリブデンシリサイドからな
るので、接合時および接合後の界面での剥離やクラック
を抑えることができる。
代即人弁理士　　　須　山　佐　− ＝　７−

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）非酸化物系セラミックス焼結体表面にモリブデン
    酸の金属塩を被着し、加熱してこの金属塩を熔融後、還
    元雰囲気中で焼成することを特徴とする非酸化物系セラ
    ミックス焼結体の導電性被膜の形成方法。
  2. （２）非酸化物系セラミックス焼結体は窒化ケイ素系セ
    ラミックス焼結体である特許請求の範囲第１項記載の非
    酸化物系セラミックス焼結体の導電性被膜の形成方法。
  3. （３）モリブデン酸の金属塩はモリブデン酸リチウムで
    ある特許請求の範囲第１項または第２項記載の非酸化物
    系セラミックス焼結体の導電性被膜の形成方法。
  4. （４）熔融は空気中で７００〜８５０℃の温度で加熱す
    ることにより行なわれる特許請求の範囲第１項ないし第
    ３項のいずれか１項記載の非酸化物系セラミックス焼結
    体の導電性被膜の形成方法。
  5. （５）導電性被膜はモリブデンシリサイドからなる特許
    請求の範囲第１項ないし第４項のいずれか１項記載の非
    酸化物系セラミックス焼結体の導電性被膜の形成方法。
JP58076000A 1983-04-28 1983-04-28 非酸化物系セラミックス焼結体のモリブデンシリサイド被膜の形成方法 Granted JPS59203784A (ja)

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