JPS59199518A - 非晶質シリコン化合物層を基体から除去する方法 - Google Patents

非晶質シリコン化合物層を基体から除去する方法

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Publication number
JPS59199518A
JPS59199518A JP7307483A JP7307483A JPS59199518A JP S59199518 A JPS59199518 A JP S59199518A JP 7307483 A JP7307483 A JP 7307483A JP 7307483 A JP7307483 A JP 7307483A JP S59199518 A JPS59199518 A JP S59199518A
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JP
Japan
Prior art keywords
substrate
photosensitive material
amorphous silicon
silicon compound
compound layer
Prior art date
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Pending
Application number
JP7307483A
Other languages
English (en)
Inventor
Koichi Ooshima
大嶋 孝一
Yoshiyuki Kageyama
喜之 影山
Yukio Ide
由紀雄 井手
Itaru Fujimura
藤村 格
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ricoh Co Ltd
Original Assignee
Ricoh Co Ltd
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Publication date
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Publication of JPS59199518A publication Critical patent/JPS59199518A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 技術分野 この発明は、7)!子写真の感光体や太陽電池に用いら
れる非晶質シリコン系化合物層の剥離除去技術に関づ−
る。
従来技拝し 感光体に使用されCいるアルミニウム基体は高価な月利
であるので、従来例えばセレン系感光体では、使用済に
なったもの、あるいは製j告後何らかの欠点をもつもの
は感光層を剥離除去して基体を再使用している。レレン
は低融点であり、かつ、機械的強度も小さいから、真空
中で加熱溶融蒸発さけて除去したり、急冷にJ、る収縮
を利用して基体から剥離している。
しかし、非晶質シリ−1ン系感光体は畠融点、高硬度で
あるため、セレンのにうに上記方法で感光層を除去1′
ることは回動である。
現在知られている非晶質シリコン系感光層の除去方法は
、ブラ゛ズマエッチングにJ、っ−(感光層を気化ざし
て、基体表面から除去する方法であるが、この方法では
装置が高価で1ツチングに要する時間(8)長いのが欠
点である。
1三l    的 本発明は、非晶質シリコン系化合物の感光層を効率よく
基体から剥離し、基体を損傷しないで回収できる基体再
生法を提供するものである。
構   成 本発明は、基体上の非晶質シリコン化合物層を除去する
ために、微細な研1話材を空気あるいは水の如き媒体に
混合して上記化合物層に吹きイ・1【プることを’Mj
徴どりる非晶質シリコン化合物層を基体から除去する方
法を要旨とする。
本発明に用いる(1j]磨4Aとしては、アルミナ、シ
リカ、カラスビーズ等があり、感光層の硬度に応じたl
l11!度、粒度等の材質を選択して用−いる。
また、ノ′ラスデックも研磨材とじて使用できる。
本発明を実施するには、例えば第1図に示づJ、うに、
スプレー万ン1からドラム状感光体2に向()て、rJ
l磨月を懸濁した流体のスプレー3を囁(AJ 号る。
この時ドラム状感光体2は毎分10回り9、位の速さで
回転さけ、同時にスプレーガン1をドラム状感光体の軸
方向の全長にわたって上下動さけ、表面の感光層を除去
する。
以下実施例と比較例によって本発明を具体的に説明1」
る。
実施例 厚さ20μの非晶質シリコン感光層を気体ホーニングに
より除去した。その条件は下記のとおりである3゜ 吹イζ1空気圧         3k(1噴出空気量
         0.5m 3 、/分カラスヒース
′径      #800メツシュ吹付(プ吊    
      5μg 7分ノズル径         
 8.33m口1その結果は、第2図にd3いて実線で
示したJ:うに約7分で感光層を完全に除去することが
でき、感光層を除去した後の基体の面i1’lJさく谷
と頂との高低差)は0,5μであった。
比較例 実施例と同じく、厚さ20μの非晶質シリコン層をCF
、lプラズマエツヂレグ法によっ°て除去した。その条
件は下記のとおりである。
圧力          5tO1’rIRFパワー 
    13.56 M Hz 、20Wその結果は第
2図において点線で示したとおり、完全に感光層を除く
のに約20分を必要としlこ 。
効    果 本発明は以上のとおり極めて効率よく非晶質シリコン系
合物の層を剥離除去することができる。しかも本発明に
よって化合物1※が除去された後のツノルミニウム等の
基体表面は無光沢の状態(あり、そのままでは感光体の
基体どし使用りることはでき・ないが、アルカリ液によ
る表面I゛ツチングより低コストで再使用ぐきる状態に
なる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の方法でドラム状感光体の表面の感光層
を除去する一例を示したもので、第2図(よ本発明の実
施例および比較例にJ3ける各処理時間と残留する感光
層の厚みとの関係を示ずグーツノである。 1・・・・・・スプレーカン 2・・・・・・ドラム状感光体 3・・・・・・スプレー 特6′F出願人 株式会社 リ コ −代理人 井理士
  小 松 禿 岳 22図 ■台間(ブナ) 手続ネ111正占(自発) 昭和58年6月28日 特許庁長官 若杉和夫 グQ ′1.事件の表示     昭和58年特6′1願第0
7307 /1号2、発明の名称 非晶質シリ]ン化合物層を基体から除去する方法3、補
正をり′る者 事件どの関係    特許出願人 名  称    (674)  株 式 会 社 リ 
コ −5)、補正命令の日付  (自 発) 6、補正の対象 ゛ 明細湯中発明の詳細な説明の欄、及び図面(第2図
)。 7、補正の内容 (1)明細書第3頁第17行及び第4頁第10行の「2
oμ」を12μ」に訂正する。 (2)図面第2図を別紙の通り訂正する。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. M体、1−の非晶質シ゛リコン化合物層を除去覆るため
    に、微細な研磨材を空気あるいは水の如き媒体に混合し
    て上記化合物層に吹ぎイ」(プることを袖徴どする非晶
    質シリコン化合物層を基体から除去J−る方法。
JP7307483A 1983-04-27 1983-04-27 非晶質シリコン化合物層を基体から除去する方法 Pending JPS59199518A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6177760A (ja) * 1984-09-26 1986-04-21 Daicel Chem Ind Ltd 分離剤
KR101179181B1 (ko) 2010-12-06 2012-09-03 한국타이어 주식회사 타이어 정련공정에서의 실리카 고무조성물 생산시 발생하는 롤 부착 원인물질의 제거방법

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS53132432A (en) * 1977-04-26 1978-11-18 Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd Method and apparatus for descaling control
JPS5479892A (en) * 1977-12-07 1979-06-26 Toshiba Tungaloy Co Ltd Method of removing plating layer of zinc plated steel plate* etc*

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS53132432A (en) * 1977-04-26 1978-11-18 Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd Method and apparatus for descaling control
JPS5479892A (en) * 1977-12-07 1979-06-26 Toshiba Tungaloy Co Ltd Method of removing plating layer of zinc plated steel plate* etc*

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6177760A (ja) * 1984-09-26 1986-04-21 Daicel Chem Ind Ltd 分離剤
JPH0475892B2 (ja) * 1984-09-26 1992-12-02 Daicel Chem
KR101179181B1 (ko) 2010-12-06 2012-09-03 한국타이어 주식회사 타이어 정련공정에서의 실리카 고무조성물 생산시 발생하는 롤 부착 원인물질의 제거방법

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