JPS59157652A - 電子写真用感光体 - Google Patents
電子写真用感光体Info
- Publication number
- JPS59157652A JPS59157652A JP3022283A JP3022283A JPS59157652A JP S59157652 A JPS59157652 A JP S59157652A JP 3022283 A JP3022283 A JP 3022283A JP 3022283 A JP3022283 A JP 3022283A JP S59157652 A JPS59157652 A JP S59157652A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- boehmite
- support
- amorphous silicon
- photosensitive layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/14—Inert intermediate or cover layers for charge-receiving layers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、電子写真用感光体に関し、特には、ＡＩ導電
性支持体上にアモルファスシリコンを主成分とする感岑
層を設けた電子写真用感光体の改良に関する。
性支持体上にアモルファスシリコンを主成分とする感岑
層を設けた電子写真用感光体の改良に関する。
従来より電子写真法において各種の感光体が知られてい
るが、特に近年、無公害で高硬度、光感度を有する感光
体としてアモルファスシリコンを感光層の主成分として
用いた感光体が注目され、これに関連した開発・研究も
数多くされている。しかしながら、いまだに満足のでき
るものはなく、例えば下記の如き欠点を有する。
るが、特に近年、無公害で高硬度、光感度を有する感光
体としてアモルファスシリコンを感光層の主成分として
用いた感光体が注目され、これに関連した開発・研究も
数多くされている。しかしながら、いまだに満足のでき
るものはなく、例えば下記の如き欠点を有する。
即ち、
（１） 暗抵抗が小。さく帯電保持能が充分でないこ
とから十分な電位に帯電できない。
とから十分な電位に帯電できない。
（２１アモルファスシリコン感光層の膜厚としては、せ
いぜい１０μが限度でそれ以上になると支持体層との間
の付着性が充分でなく、剥離を起し易い。
いぜい１０μが限度でそれ以上になると支持体層との間
の付着性が充分でなく、剥離を起し易い。
（３） 感光層を形成する、際、支持休め濡れ性が充
分でないか、濡れ性が不均一なため、得られた感光層は
ピンホールが多く、その結果として斑点の多い不良画像
となる。
分でないか、濡れ性が不均一なため、得られた感光層は
ピンホールが多く、その結果として斑点の多い不良画像
となる。
従って本発明は、前記従来の欠点を解決した電子写真用
感光体を提供することを目的としたものであり、Ａ１導
電性支持体と、アモルファスシリコンを主成分とする感
光層との間にベーマイト（ＡＩ ・０・０ｆ−１）層
を設けることによって前記従来の欠点を一挙に解決した
ものである。
感光体を提供することを目的としたものであり、Ａ１導
電性支持体と、アモルファスシリコンを主成分とする感
光層との間にベーマイト（ＡＩ ・０・０ｆ−１）層
を設けることによって前記従来の欠点を一挙に解決した
ものである。
即ち、本発明によれば、前述のベーマイト層を設けるこ
とによって、暗抵抗が大きく、帯電保持能が大のアモル
ファスシリコン感光体が得られる。また、感光層の膜強
度、特に界面における付着強度が大きいことからその耐
久性に優れ、且つ得られた感光層もピンホールが少なく
高品質の画像を形成し得る。また、ベーマイト膜の形成
は簡単且つ製造コストがかからないことから極めて有用
性が高い。
とによって、暗抵抗が大きく、帯電保持能が大のアモル
ファスシリコン感光体が得られる。また、感光層の膜強
度、特に界面における付着強度が大きいことからその耐
久性に優れ、且つ得られた感光層もピンホールが少なく
高品質の画像を形成し得る。また、ベーマイト膜の形成
は簡単且つ製造コストがかからないことから極めて有用
性が高い。
以上の如き本発明ベーマイト層の効果は、以下の如き理
由によるものと考えられる。即ち、感光層と、支持体と
の間にベーマイト中間層を設けることによって、該ベー
マイト中間層が電気的なバリヤ一層となり界面からのキ
ャリアの注入を防止しく正帯電時には、支持体側から感
光層側へのエレクトロン注入を防止し、逆に負帯電時に
は、支持体側から感光層側へのホールの注入を防止〉、
結果として帯電保持能が増大する。また、ベーマイト層
の形成により、Ａ１支持体表面の濡れ性が改善され、ア
モルファスシリコン感光層の支持体に対する付着力が増
大すると共に濡れ性が均一となることからピンホールの
等に起因する塗膜欠陥も減少する。
由によるものと考えられる。即ち、感光層と、支持体と
の間にベーマイト中間層を設けることによって、該ベー
マイト中間層が電気的なバリヤ一層となり界面からのキ
ャリアの注入を防止しく正帯電時には、支持体側から感
光層側へのエレクトロン注入を防止し、逆に負帯電時に
は、支持体側から感光層側へのホールの注入を防止〉、
結果として帯電保持能が増大する。また、ベーマイト層
の形成により、Ａ１支持体表面の濡れ性が改善され、ア
モルファスシリコン感光層の支持体に対する付着力が増
大すると共に濡れ性が均一となることからピンホールの
等に起因する塗膜欠陥も減少する。
本発明において、Ａｌｌ！電性支持体上にベーマイト層
を形成するには、Ａ１支持体を比抵抗が０．１ＭΩ・Ｃ
１１１以上で、水温が６０℃以上の純水中に浸漬すれば
よい。
を形成するには、Ａ１支持体を比抵抗が０．１ＭΩ・Ｃ
１１１以上で、水温が６０℃以上の純水中に浸漬すれば
よい。
ベーマイトの生成反応は次式によって示される。
２Ａ＋ ＋ ４Ｈ２０＝ ２ＡＩ ・０−ＯＨ＋３Ｈ
２この反応は、例えば前記純水中にアルミン酸ナトリウ
ムやトリエタノールアミン等を添加してＩ）Ｈを８＝９
程度とすることによって促進することもできる。前記ベ
ーマイト膜厚としては、０．０１μ〜１．０μが好まし
い。
２この反応は、例えば前記純水中にアルミン酸ナトリウ
ムやトリエタノールアミン等を添加してＩ）Ｈを８＝９
程度とすることによって促進することもできる。前記ベ
ーマイト膜厚としては、０．０１μ〜１．０μが好まし
い。
本発明で使用される導電性支持体としては、ＡＩそのも
のでも、又は、Ａ１以外の他の金属、樹脂フィルム等の
支持体ベース上にＡ１層を蒸着したものでもよい。
のでも、又は、Ａ１以外の他の金属、樹脂フィルム等の
支持体ベース上にＡ１層を蒸着したものでもよい。
感光層としては、主成分としてアモルファスシリ′コン
を含有する従来より公知のものいずれも使用可−であり
、シリコン以外に、他の成分が混入したり、或いは、シ
リコンが他の成分と合金化されていてもよい。
を含有する従来より公知のものいずれも使用可−であり
、シリコン以外に、他の成分が混入したり、或いは、シ
リコンが他の成分と合金化されていてもよい。
以下本発明を実施例を挙げてより詳細に説明する。
実施例
１００φＸ４００１１１１１１ 、肉厚５．０１１１１
１１のアルミニウム支持体ドラム上に、以下の手順に従
って電子写真用感光体を被着させる。
１１のアルミニウム支持体ドラム上に、以下の手順に従
って電子写真用感光体を被着させる。
１）アルミニウム支持体表面を研磨した。
２）前記支持体表面を、１００〜１２０℃に加熱したパ
ークレンで２分間洗浄した。
ークレンで２分間洗浄した。
３）前記支持体表面を、夫々１分間２度に亙って水洗し
た。
た。
４）前記支持体表面を、アルカリエツチングしてアルマ
イト系自然酸化物被膜を除去した。
イト系自然酸化物被膜を除去した。
５）アルマイト系自然酸化物被膜を除去後、直ちに、比
抵抗が３．ＯＸ １０６Ω・ｃｍであり、且つ８０℃±
３℃に加熱加温したイオン交換水中に前記支持体を５分
間浸漬し、ベーマイト膜を形成した。
抵抗が３．ＯＸ １０６Ω・ｃｍであり、且つ８０℃±
３℃に加熱加温したイオン交換水中に前記支持体を５分
間浸漬し、ベーマイト膜を形成した。
６）乾燥後、支持体をプラズマＣＶＤ装置内にセットし
、以下の条件でＨｌ及びＢ含有のアモルファスシリコン
感光層を形成した。
、以下の条件でＨｌ及びＢ含有のアモルファスシリコン
感光層を形成した。
反応ガス：１０％５ｉＨａ／Ａｒベース４００８ ＣＧ
Ｍ ０１１％８２ Ｈ６／△ｒベース １０８０ ＣＭ 圧カニ １．０ｔｏｒｒ 放電パワー： ５００Ｗ （１３，５６ＭＨｚ ）支
持体温度：２５０℃ 以上の様にして得られたアモルファスシリコン感光体と
、上記手順５）を除く他は全く同様の条件で作成した比
較例のアモルファスシリコン感光体との間の電子写真特
性を試験し、その結果を下表に示した。
Ｍ ０１１％８２ Ｈ６／△ｒベース １０８０ ＣＭ 圧カニ １．０ｔｏｒｒ 放電パワー： ５００Ｗ （１３，５６ＭＨｚ ）支
持体温度：２５０℃ 以上の様にして得られたアモルファスシリコン感光体と
、上記手順５）を除く他は全く同様の条件で作成した比
較例のアモルファスシリコン感光体との間の電子写真特
性を試験し、その結果を下表に示した。
飽和電位 暗減衰率 ピンホール数以上の結果から
も明らかなように本発明の感光体は暗抵抗が大きく帯電
保持能に優れ、且つピンホールも少ないことから良品質
の画像を形成し得る。又本発明感光体は比較例の感光体
に比べ支持体と感光層との結合強度並びに機械強度に優
れ容易に破壊しないことが判った。
も明らかなように本発明の感光体は暗抵抗が大きく帯電
保持能に優れ、且つピンホールも少ないことから良品質
の画像を形成し得る。又本発明感光体は比較例の感光体
に比べ支持体と感光層との結合強度並びに機械強度に優
れ容易に破壊しないことが判った。
特許出願人 株式会社リコー
代理人 弁理士 小松秀岳
Claims (1)
- Ａ１導電性支持体上にアモルファスシリコンを主成分と
する感光層を設けた電子写真用感光体において、該支持
体と感光層との間に中間層としてベーマイト（ＡＩ
・０−０Ｈ）層を設けてなることを特徴とする電子写真
用感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3022283A JPS59157652A (ja) | 1983-02-26 | 1983-02-26 | 電子写真用感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3022283A JPS59157652A (ja) | 1983-02-26 | 1983-02-26 | 電子写真用感光体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59157652A true JPS59157652A (ja) | 1984-09-07 |
Family
ID=12297687
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3022283A Pending JPS59157652A (ja) | 1983-02-26 | 1983-02-26 | 電子写真用感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59157652A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4933255A (en) * | 1986-06-10 | 1990-06-12 | Kabushiki Kaisha Komatsu Siesakusho | Method of fabricating an electrophotographic photosensor |
| US5075187A (en) * | 1986-09-04 | 1991-12-24 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Electrophotographic photoreceptor with oxide of Al, Zr or Ta as charge transport layer |
-
1983
- 1983-02-26 JP JP3022283A patent/JPS59157652A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4933255A (en) * | 1986-06-10 | 1990-06-12 | Kabushiki Kaisha Komatsu Siesakusho | Method of fabricating an electrophotographic photosensor |
| US5075187A (en) * | 1986-09-04 | 1991-12-24 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Electrophotographic photoreceptor with oxide of Al, Zr or Ta as charge transport layer |
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