JP2855048B2 - ペリクルの製造方法 - Google Patents
ペリクルの製造方法Info
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- Japan
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- pellicle
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- peeled
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Manufacture Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はペリクルの製造方法、特
にはＬＳＩ、超ＬＳＩなどの半導体装置あるいは液晶表
示板を製造する際のゴミよけとして使用される、実質的
に 500nm以下の光を用いる露光方式におけるペリクルの
製造方法に関するものである。
にはＬＳＩ、超ＬＳＩなどの半導体装置あるいは液晶表
示板を製造する際のゴミよけとして使用される、実質的
に 500nm以下の光を用いる露光方式におけるペリクルの
製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＬＳＩ、超ＬＳＩなどの半導体装置ある
いは液晶表示板などの製造においては、半導体ウェハー
あるいは液晶用原版に光を照射してパターニングを作成
するのであるが、この場合に用いる露光原版にゴミが付
着していると、このゴミが光を吸収したり、光を曲げて
しまうため、転写したパターニングが変形したり、エッ
ジががさついたものとなるほか、下地が黒く汚れたりし
て、寸法、品質、外観などが損なわれるという問題があ
った。このため、これらの作業は通常クリーンルームで
行われているが、このクリーンルーム内でも露光原版を
常に清浄に保つことが難しいので、これには露光原版の
表面にゴミよけのための露光用の光をよく通過させるペ
リクルを貼着する方式が取られている。
いは液晶表示板などの製造においては、半導体ウェハー
あるいは液晶用原版に光を照射してパターニングを作成
するのであるが、この場合に用いる露光原版にゴミが付
着していると、このゴミが光を吸収したり、光を曲げて
しまうため、転写したパターニングが変形したり、エッ
ジががさついたものとなるほか、下地が黒く汚れたりし
て、寸法、品質、外観などが損なわれるという問題があ
った。このため、これらの作業は通常クリーンルームで
行われているが、このクリーンルーム内でも露光原版を
常に清浄に保つことが難しいので、これには露光原版の
表面にゴミよけのための露光用の光をよく通過させるペ
リクルを貼着する方式が取られている。
【０００３】ところで、このペリクル膜としては、近頃
ｉ線（365 nm）やエキシマレーザー（248 nm）といった
短波長、高エネルギーの光線に耐え得るフッ素系ポリマ
ーが多く用いられるようになってきており、また液晶デ
ィスプレイの製造に用いられるペリクルについても大型
化が求められ、フッ素系ポリマーのような高い引っ張り
強度のものが膜材料として要求されるようになってきて
いる。
ｉ線（365 nm）やエキシマレーザー（248 nm）といった
短波長、高エネルギーの光線に耐え得るフッ素系ポリマ
ーが多く用いられるようになってきており、また液晶デ
ィスプレイの製造に用いられるペリクルについても大型
化が求められ、フッ素系ポリマーのような高い引っ張り
強度のものが膜材料として要求されるようになってきて
いる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、このフッ素系
ポリマーは従来からペリクル膜材質として用いられてき
ているニトロセルロースなどに比べて体積抵抗率が大き
いために、通常のクリーンルームの環境で基板から膜を
剥離すると、膜と基板との間に強い静電気が発生するた
めに、膜への異物の付着や膜にしわの発生、膜の破れが
発生するという不利が発生し、この対策が問題とされて
いる。
ポリマーは従来からペリクル膜材質として用いられてき
ているニトロセルロースなどに比べて体積抵抗率が大き
いために、通常のクリーンルームの環境で基板から膜を
剥離すると、膜と基板との間に強い静電気が発生するた
めに、膜への異物の付着や膜にしわの発生、膜の破れが
発生するという不利が発生し、この対策が問題とされて
いる。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明はこのような不
利、問題点を解決したペリクルの製造方法に関するもの
であり、これはペリクル膜の成膜用基板からの剥離をイ
オン化された雰囲気中で行なうことを特徴とするもので
ある。
利、問題点を解決したペリクルの製造方法に関するもの
であり、これはペリクル膜の成膜用基板からの剥離をイ
オン化された雰囲気中で行なうことを特徴とするもので
ある。
【０００６】すなわち、本発明者らはペリクル膜、特に
はフッ素系ポリマーからなるペリクル膜の成膜用基板か
らの剥離方法について種々検討した結果、これについて
はペリクル膜を成膜用基板から剥離するときの雰囲気を
イオン化されたものとしたところ、ペリクル膜を容易に
剥離することができることを見出し、したがってこれに
よればペリクル膜に異物が付着したり、膜にしわが発生
し、さらには膜が破れるということもなくなるというこ
とを確認し、このイオン化方法、イオン化された雰囲気
の帯電圧についての研究を進めて本発明を完成させた。
以下にこれをさらに詳述する。
はフッ素系ポリマーからなるペリクル膜の成膜用基板か
らの剥離方法について種々検討した結果、これについて
はペリクル膜を成膜用基板から剥離するときの雰囲気を
イオン化されたものとしたところ、ペリクル膜を容易に
剥離することができることを見出し、したがってこれに
よればペリクル膜に異物が付着したり、膜にしわが発生
し、さらには膜が破れるということもなくなるというこ
とを確認し、このイオン化方法、イオン化された雰囲気
の帯電圧についての研究を進めて本発明を完成させた。
以下にこれをさらに詳述する。
【０００７】
【作用】本発明はペリクルの製造方法に関するものであ
り、これは前記したようにペリクル膜の成膜用基板から
の剥離をイオン化された雰囲気中で行なうことを特徴と
するものであるが、これによればペリクル膜を成膜用基
板から容易に剥離することができるので、剥離されたペ
リクル膜に異物が付着したり、しわが発生することがな
く、膜が破れることもないという有利性が与えられる。
り、これは前記したようにペリクル膜の成膜用基板から
の剥離をイオン化された雰囲気中で行なうことを特徴と
するものであるが、これによればペリクル膜を成膜用基
板から容易に剥離することができるので、剥離されたペ
リクル膜に異物が付着したり、しわが発生することがな
く、膜が破れることもないという有利性が与えられる。
【０００８】本発明によるペリクルの製造方法は、上記
したようにペリクル膜の成膜用基板からの剥離をイオン
化された雰囲気中で行なうことを特徴とするものである
が、基板から剥離した膜は負の電荷を帯電するため、こ
のイオン化した雰囲気は正の電荷をもつものとすること
が好ましい。このイオン化された雰囲気のもつ電荷の大
きさは、 100〜 106Ｖであればよく、これは好ましくは
103〜 106Ｖであれば効率よく膜に帯電した電荷を除去
することができる。
したようにペリクル膜の成膜用基板からの剥離をイオン
化された雰囲気中で行なうことを特徴とするものである
が、基板から剥離した膜は負の電荷を帯電するため、こ
のイオン化した雰囲気は正の電荷をもつものとすること
が好ましい。このイオン化された雰囲気のもつ電荷の大
きさは、 100〜 106Ｖであればよく、これは好ましくは
103〜 106Ｖであれば効率よく膜に帯電した電荷を除去
することができる。
【０００９】このイオン化された雰囲気を生成するため
の方法としては、イオナイザー、放射線による電離作
用、紫外線による光電効果でのイオン発生法などがあ
り、本発明ではこのいずれの方法を使用してもよいが、
イオナイザーによる方法がこの装置からの発塵もないの
で好ましいものとされる。
の方法としては、イオナイザー、放射線による電離作
用、紫外線による光電効果でのイオン発生法などがあ
り、本発明ではこのいずれの方法を使用してもよいが、
イオナイザーによる方法がこの装置からの発塵もないの
で好ましいものとされる。
【００１０】このイオン化された雰囲気下でのペリクル
膜の成膜用基板からの剥離の剥離速度は、剥離によって
発生する静電気を使用するイオナイザーによって除去可
能な速度すればよい。すなわち、同質の膜を剥離する場
合においても、膜の剥離時に膜と基板との間に発生する
静電気の強さは膜が基板から剥離する速度によって大き
く変化するので、これは市販されている実用的なイオナ
イザーによって除去が可能な強度の静電気が発生する程
度の速度で膜を剥離する必要がある。
膜の成膜用基板からの剥離の剥離速度は、剥離によって
発生する静電気を使用するイオナイザーによって除去可
能な速度すればよい。すなわち、同質の膜を剥離する場
合においても、膜の剥離時に膜と基板との間に発生する
静電気の強さは膜が基板から剥離する速度によって大き
く変化するので、これは市販されている実用的なイオナ
イザーによって除去が可能な強度の静電気が発生する程
度の速度で膜を剥離する必要がある。
【００１１】この剥離速度とペリクル膜の帯電圧との関
係については、フッ素系ポリマーとしてのテフロンＡＦ
（米国デュポン社製商品名）で製作したペリクル膜を用
いたときの関係について図１に示したような関係にある
ことが本発明者らの実験によって確認されているので、
このペリクル膜の単位面積あたりの剥離速度は５cm2/秒
以下程度のものとすることが好ましい。
係については、フッ素系ポリマーとしてのテフロンＡＦ
（米国デュポン社製商品名）で製作したペリクル膜を用
いたときの関係について図１に示したような関係にある
ことが本発明者らの実験によって確認されているので、
このペリクル膜の単位面積あたりの剥離速度は５cm2/秒
以下程度のものとすることが好ましい。
【００１２】
【実施例】つぎに本発明の実施例、比較例をあげる。 実施例１、比較例１ テフロンＡＦ1,600 （米国デュポン社製商品名）をフッ
素系溶剤・フロリナートＦＣ−75（米国スリーエム社製
商品名）に溶解させて濃度８％の溶液を調製し、この溶
液により直径 200mm、厚さ 600μｍの鏡面研磨したシリ
コン基板面上に、スピンコーターを用いて膜の厚みが１
μｍの透明膜を形成させた。
素系溶剤・フロリナートＦＣ−75（米国スリーエム社製
商品名）に溶解させて濃度８％の溶液を調製し、この溶
液により直径 200mm、厚さ 600μｍの鏡面研磨したシリ
コン基板面上に、スピンコーターを用いて膜の厚みが１
μｍの透明膜を形成させた。
【００１３】ついで、外径 100mm× 100mm×５mm、厚さ
４mmのアルミニウム合金製フレームを、エポキシ系接着
剤・アラルダイトラピッド［昭和高分子（株）製商品
名］を用いて上記の成膜したテフロンＡＦ1,600 の膜表
面に接着したのち、フレームの周りの膜をカッターで切
断した。つぎに、このものをイオナイザー（シコム社
製）をセットし、作動させたクリーンベンチ内に設置
し、イオナイザーを作動させた状態で雰囲気の電荷を静
電気測定器（シコム社製）で測定したところ、＋ 4,000
Ｖであってので、このものを基盤を下にしてＳＵＳの板
上に載せ、フレームを持ちあげて２cm2/秒の剥離速度で
ペリクル膜とフレームを基板より剥離した。
４mmのアルミニウム合金製フレームを、エポキシ系接着
剤・アラルダイトラピッド［昭和高分子（株）製商品
名］を用いて上記の成膜したテフロンＡＦ1,600 の膜表
面に接着したのち、フレームの周りの膜をカッターで切
断した。つぎに、このものをイオナイザー（シコム社
製）をセットし、作動させたクリーンベンチ内に設置
し、イオナイザーを作動させた状態で雰囲気の電荷を静
電気測定器（シコム社製）で測定したところ、＋ 4,000
Ｖであってので、このものを基盤を下にしてＳＵＳの板
上に載せ、フレームを持ちあげて２cm2/秒の剥離速度で
ペリクル膜とフレームを基板より剥離した。
【００１４】このようにして得た剥離後のペリクル膜の
表面を観察したところ、これはその膜表面に歪みや傷は
観測されず、これには１μｍ以上の付着物も見いだされ
なかったし、剥離直後の膜表面の帯電圧を測定したとこ
ろ、これは０Ｖであった。
表面を観察したところ、これはその膜表面に歪みや傷は
観測されず、これには１μｍ以上の付着物も見いだされ
なかったし、剥離直後の膜表面の帯電圧を測定したとこ
ろ、これは０Ｖであった。
【００１５】しかし、比較のために上記と同じ方法でイ
オナイザーを使用せずに剥離を行なって剥離後のペリク
ル膜表面を観察したところ、膜表面には細線状の傷が観
察されたし、ここには１μｍ以上の付着物が約 100個存
在しており、この剥離直後の表面の帯電圧を観測したと
ころ、これは− 5,000Ｖであった。
オナイザーを使用せずに剥離を行なって剥離後のペリク
ル膜表面を観察したところ、膜表面には細線状の傷が観
察されたし、ここには１μｍ以上の付着物が約 100個存
在しており、この剥離直後の表面の帯電圧を観測したと
ころ、これは− 5,000Ｖであった。
【００１６】実施例２、比較例２ 実施例１で調製したテフロンＡＦ1,600 （前出）の濃度
８％溶液を、一辺 150mmの角状で厚さが 2.3mmの鏡面研
磨した石英基板面に、スピンコーターを用いて膜の厚み
が１μｍの透明膜を形成させ、この膜面に実施例１と同
じ方法でアルミニウム合金製フレームを接着させ、フレ
ームの周りをカッターで切断したのち、実施例１と同様
にイオナイザーを作動させて雰囲気の電荷を測定したと
ころ、＋4,000Ｖであったので、これを基板を下にして
ＳＵＳ製板上に載せフレームを持ち上げて２cm2/秒の剥
離速度でペリクル膜とフレームを基板より剥離し、剥離
後のペリクル表面を観察したところ、膜表面に歪みや傷
は観察されず、これには１μｍ以上の付着物も見いださ
れなかったし、剥離直後の表面の帯電圧も０Ｖであっ
た。
８％溶液を、一辺 150mmの角状で厚さが 2.3mmの鏡面研
磨した石英基板面に、スピンコーターを用いて膜の厚み
が１μｍの透明膜を形成させ、この膜面に実施例１と同
じ方法でアルミニウム合金製フレームを接着させ、フレ
ームの周りをカッターで切断したのち、実施例１と同様
にイオナイザーを作動させて雰囲気の電荷を測定したと
ころ、＋4,000Ｖであったので、これを基板を下にして
ＳＵＳ製板上に載せフレームを持ち上げて２cm2/秒の剥
離速度でペリクル膜とフレームを基板より剥離し、剥離
後のペリクル表面を観察したところ、膜表面に歪みや傷
は観察されず、これには１μｍ以上の付着物も見いださ
れなかったし、剥離直後の表面の帯電圧も０Ｖであっ
た。
【００１７】しかし、比較のために上記と同じ方法でイ
オナイザーを使用せずに剥離をし、剥離後のペリクル膜
の表面を観察したところ、膜表面には細線状の傷が観察
されたし、これには１μｍ以上の付着物が約 150個存在
しており、剥離直後の表面の帯電圧を観察したところ、
これは− 6,000Ｖであった。
オナイザーを使用せずに剥離をし、剥離後のペリクル膜
の表面を観察したところ、膜表面には細線状の傷が観察
されたし、これには１μｍ以上の付着物が約 150個存在
しており、剥離直後の表面の帯電圧を観察したところ、
これは− 6,000Ｖであった。
【００１８】実施例３、比較例３ 実施例１で調製したテフロンＡＦ1,600 （前出）の濃度
８％溶液を、実施例１と同様のシリコン基板上にスピン
コーターを用いて膜の厚みが１μｍの透明膜を形成さ
せ、これを実施例１と同様の方法でアルミニウム合金製
フレームに接着させ、イオナイザーを作動させて雰囲気
の電荷を測定したところ、＋ 4,000Ｖであったので、こ
のものを基板を下にしてＳＵＳ板上に乗せ、フレームを
持ち上げて３cm2/秒の剥離速度でペリクル膜とフレーム
を基板より剥離し、剥離後のペリクル膜の表面を観察し
たところ、膜表面に歪みや傷は観察されず、これには１
μｍ以上の付着物も見いだされなかったし、剥離直後の
表面の帯電圧も０Ｖであった。
８％溶液を、実施例１と同様のシリコン基板上にスピン
コーターを用いて膜の厚みが１μｍの透明膜を形成さ
せ、これを実施例１と同様の方法でアルミニウム合金製
フレームに接着させ、イオナイザーを作動させて雰囲気
の電荷を測定したところ、＋ 4,000Ｖであったので、こ
のものを基板を下にしてＳＵＳ板上に乗せ、フレームを
持ち上げて３cm2/秒の剥離速度でペリクル膜とフレーム
を基板より剥離し、剥離後のペリクル膜の表面を観察し
たところ、膜表面に歪みや傷は観察されず、これには１
μｍ以上の付着物も見いだされなかったし、剥離直後の
表面の帯電圧も０Ｖであった。
【００１９】しかし、比較のために上記と同じ方法であ
るが、イオナイザーによる雰囲気の電荷を＋ 0.5Ｖに調
製して剥離して、剥離後のペリクル膜の表面を観察した
ところ、膜表面には細線状の傷が観察されたし、これに
は１μｍ以上の付着物が約 100個存在しており、剥離直
後の膜表面の帯電圧を観察したところ、これは−20,000
Ｖであった。
るが、イオナイザーによる雰囲気の電荷を＋ 0.5Ｖに調
製して剥離して、剥離後のペリクル膜の表面を観察した
ところ、膜表面には細線状の傷が観察されたし、これに
は１μｍ以上の付着物が約 100個存在しており、剥離直
後の膜表面の帯電圧を観察したところ、これは−20,000
Ｖであった。
【００２０】実施例４、比較例４ 実施例１で調製したテフロンＡＦ1,600 （前出）の濃度
８％溶液を、実施例２と同様の石英基板上にスピンコー
ターを用いて膜の厚みが１μｍの透明膜を形成させ、以
下実施例２と同様に処理し、剥離速度を３cm2/秒とした
ほかは同様の方法で石英基板から剥離し、剥離後のペリ
クル膜表面を観察したところ、膜表面に歪みや傷は観察
されず、この表面には１μｍ以上の付着物も見いだされ
なかったし、剥離直後の表面の帯電圧を測定したとこ
ろ、これは０Ｖであった。
８％溶液を、実施例２と同様の石英基板上にスピンコー
ターを用いて膜の厚みが１μｍの透明膜を形成させ、以
下実施例２と同様に処理し、剥離速度を３cm2/秒とした
ほかは同様の方法で石英基板から剥離し、剥離後のペリ
クル膜表面を観察したところ、膜表面に歪みや傷は観察
されず、この表面には１μｍ以上の付着物も見いだされ
なかったし、剥離直後の表面の帯電圧を測定したとこ
ろ、これは０Ｖであった。
【００２１】しかし、比較のために上記と同じ方法でイ
オナイザーによる雰囲気の電荷を＋0.5Ｖに調製してペ
リクル膜を剥離し、剥離後のペリクル表面を観察したと
ころ、膜表面には細線状の傷が観察されたし、この表面
には１μｍ以上の付着物が約150個存在していたし、剥
離直後の表面の帯電圧を測定たところ、これは−25,000
Ｖであった。
オナイザーによる雰囲気の電荷を＋0.5Ｖに調製してペ
リクル膜を剥離し、剥離後のペリクル表面を観察したと
ころ、膜表面には細線状の傷が観察されたし、この表面
には１μｍ以上の付着物が約150個存在していたし、剥
離直後の表面の帯電圧を測定たところ、これは−25,000
Ｖであった。
【００２２】実施例５、比較例５ 実施例１で調製したテフロンＡＦ 1,600（前出）の濃度
８％溶液を、実施例１と同様のシリコン基板面にスピン
コーターを用いて厚みが１μｍの透明膜を形成させ、以
下実施例１と同様に処理したが、剥離速度を３cm2/秒と
したほかは同様の方法でペリクル膜をシリコン基板から
剥離し、剥離後のペリクル膜表面を観察したところ、膜
表面に歪みや傷は観察されず、これには１μｍ以上の付
着物も見いだされなかったし、剥離直後の表面の帯電圧
を測定したところ、これは０Ｖであった。
８％溶液を、実施例１と同様のシリコン基板面にスピン
コーターを用いて厚みが１μｍの透明膜を形成させ、以
下実施例１と同様に処理したが、剥離速度を３cm2/秒と
したほかは同様の方法でペリクル膜をシリコン基板から
剥離し、剥離後のペリクル膜表面を観察したところ、膜
表面に歪みや傷は観察されず、これには１μｍ以上の付
着物も見いだされなかったし、剥離直後の表面の帯電圧
を測定したところ、これは０Ｖであった。
【００２３】しかし、比較のために上記における剥離速
度を10cm2/秒としたほかは上記と同じ方法でペルクル膜
を基板から剥離し、剥離後のペリクル膜表面を観察した
ところ、膜表面には細線状の傷が観察されたし、これに
は１μｍ以上の付着物が約 100個存在しており、剥離直
後の表面の帯電圧を測定したところ、これは−20,000Ｖ
であった。
度を10cm2/秒としたほかは上記と同じ方法でペルクル膜
を基板から剥離し、剥離後のペリクル膜表面を観察した
ところ、膜表面には細線状の傷が観察されたし、これに
は１μｍ以上の付着物が約 100個存在しており、剥離直
後の表面の帯電圧を測定したところ、これは−20,000Ｖ
であった。
【００２４】比較例６ 前記した実施例４同じ方法でペリクル膜を作成したが、
ペリクル膜の石英基板からの剥離を10cm2/秒で行ない、
剥離後のペリクル膜表面を観察したところ、膜表面には
細線状の傷が観察されたし、これには１μｍ以上の付着
物が約 150個存在しており、剥離直後の表面の帯電圧を
測定したところ、これは−25,000Ｖであった。
ペリクル膜の石英基板からの剥離を10cm2/秒で行ない、
剥離後のペリクル膜表面を観察したところ、膜表面には
細線状の傷が観察されたし、これには１μｍ以上の付着
物が約 150個存在しており、剥離直後の表面の帯電圧を
測定したところ、これは−25,000Ｖであった。
【００２５】
【発明の効果】本発明はペリクルの製造方法に関するも
のであり、これは前記したようにペリクル膜の成膜用基
板からの剥離をイオン化された雰囲気中で行なうことを
特徴とするものであるが、これによればペリクル膜を成
膜用基板から剥離するときに発生する静電気がこのイオ
ン化された雰囲気で正の電荷をもつようになるので、こ
の剥離が容易に行なわれ、剥離された膜にしわが発生し
たり、膜が破れるということがなくなり、傷のない膜を
異物の付着のないものとすることができるという有利性
が与えられる。
のであり、これは前記したようにペリクル膜の成膜用基
板からの剥離をイオン化された雰囲気中で行なうことを
特徴とするものであるが、これによればペリクル膜を成
膜用基板から剥離するときに発生する静電気がこのイオ
ン化された雰囲気で正の電荷をもつようになるので、こ
の剥離が容易に行なわれ、剥離された膜にしわが発生し
たり、膜が破れるということがなくなり、傷のない膜を
異物の付着のないものとすることができるという有利性
が与えられる。
【図１】ペリクル膜を成膜用基板から剥離するときの剥
離速度とペリクル膜の帯電圧との関係グラフを示したも
のである。
離速度とペリクル膜の帯電圧との関係グラフを示したも
のである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 白崎享 群馬県安中市磯部２丁目13番１号 信越 化学工業株式会社 精密機能材料研究所 内 (72)発明者 樫田周 群馬県安中市磯部２丁目13番１号 信越 化学工業株式会社 精密機能材料研究所 内 (72)発明者 久保田 芳宏 群馬県安中市磯部２丁目13番１号 信越 化学工業株式会社 精密機能材料研究所 内 (56)参考文献 特開 平４−50944（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−369650（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G03F 1/14
Claims (3)
- 【請求項１】ペリクル膜の成膜用基板からの剥離をイオ
ン化された雰囲気中で行うことを特徴とするペリクルの
製造方法。 - 【請求項２】イオン化された雰囲気の耐電圧が＋100 〜
＋106 Ｖである請求項１に記載したペリクルの製造方
法。 - 【請求項３】イオン化された雰囲気下でのペリクル膜の
成膜用基板からの剥離を５平方センチメートル毎秒以下
の速さで行なう請求項１に記載したペリクルの製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10662793A JP2855048B2 (ja) | 1993-05-07 | 1993-05-07 | ペリクルの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10662793A JP2855048B2 (ja) | 1993-05-07 | 1993-05-07 | ペリクルの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06317895A JPH06317895A (ja) | 1994-11-15 |
| JP2855048B2 true JP2855048B2 (ja) | 1999-02-10 |
Family
ID=14438353
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10662793A Expired - Lifetime JP2855048B2 (ja) | 1993-05-07 | 1993-05-07 | ペリクルの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2855048B2 (ja) |
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| KR20030095405A (ko) * | 2001-05-14 | 2003-12-18 | 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니 | 자외선 및 진공 자외선 용도에서 유용한 중합체-액체 조성물 |
-
1993
- 1993-05-07 JP JP10662793A patent/JP2855048B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06317895A (ja) | 1994-11-15 |
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