JP2938709B2 - 半導体リソグラフィー用ペリクルの製造方法 - Google Patents
半導体リソグラフィー用ペリクルの製造方法Info
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- JP2938709B2 JP2938709B2 JP9280493A JP9280493A JP2938709B2 JP 2938709 B2 JP2938709 B2 JP 2938709B2 JP 9280493 A JP9280493 A JP 9280493A JP 9280493 A JP9280493 A JP 9280493A JP 2938709 B2 JP2938709 B2 JP 2938709B2
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体リソグラフィー用
ペリクル、特にはＬＳＩ、超ＬＳＩなどの半導体装置あ
るいは液晶表示板を製造する際のゴミよけとして使用さ
れる、実質的に 500nm以下の光を用いる露光方式におけ
る帯電防止されたリソグラフィー用ペリクル膜に関する
ものである。
ペリクル、特にはＬＳＩ、超ＬＳＩなどの半導体装置あ
るいは液晶表示板を製造する際のゴミよけとして使用さ
れる、実質的に 500nm以下の光を用いる露光方式におけ
る帯電防止されたリソグラフィー用ペリクル膜に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】ＬＳＩ、超ＬＳＩなどの半導体装置ある
いは液晶表示板などの製造においては、半導体ウェハー
あるいは液晶用原版に光を照射してパターニングを作成
するのであるが、この場合に用いる露光原版にゴミが付
着していると、このゴミが光を吸収したり、光を曲げて
しまうため、転写したパターニングが変形したり、エッ
ジががさついたものとなるほか、下地が黒く汚れたりし
て、寸法、品質、外観などが損なわれるという問題があ
った。このため、これらの作業は通常クリーンルームで
行われているが、このクリーンルーム内でも露光原版を
常に清浄に保つことが難しいので、これには露光原版の
表面にゴミよけのための露光用の光をよく通過させるペ
リクルを貼着する方式が取られている。
いは液晶表示板などの製造においては、半導体ウェハー
あるいは液晶用原版に光を照射してパターニングを作成
するのであるが、この場合に用いる露光原版にゴミが付
着していると、このゴミが光を吸収したり、光を曲げて
しまうため、転写したパターニングが変形したり、エッ
ジががさついたものとなるほか、下地が黒く汚れたりし
て、寸法、品質、外観などが損なわれるという問題があ
った。このため、これらの作業は通常クリーンルームで
行われているが、このクリーンルーム内でも露光原版を
常に清浄に保つことが難しいので、これには露光原版の
表面にゴミよけのための露光用の光をよく通過させるペ
リクルを貼着する方式が取られている。
【０００３】しかして、このような半導体リソグラフィ
ー用ペリクルの製造工程においては、ペリクル膜を成膜
するための基板として表面を研磨した石英基板やＳｉ基
板が使用されており、これらの基板については表面が十
分に平滑であれば基板の特性、すなわち基板内部の欠陥
や不純物、包有物（インクルージョン）、密度などは特
に問題とされなかった。
ー用ペリクルの製造工程においては、ペリクル膜を成膜
するための基板として表面を研磨した石英基板やＳｉ基
板が使用されており、これらの基板については表面が十
分に平滑であれば基板の特性、すなわち基板内部の欠陥
や不純物、包有物（インクルージョン）、密度などは特
に問題とされなかった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】他方、近年ペリクル膜
としてはｉ線(365nm) やエキシマレーザー(248nm) とい
う短波長、高エネルギーの光線にも耐え得る材質として
フッ素系ポリマーが多く用いられるようになってきてお
り、また一方では液晶ディスプレイの製造に用いられる
ペリクルについても大型化が求められ、フッ素系ポリマ
ーのような高強度のものが膜材料として要求されるよう
になってきている。しかし、このフッ素系ポリマーは体
積抵抗率が従来から用いられているニトリロセルロース
などに比べて大きいために、このものは基板から膜を剥
離するときに膜と基板の間に強い静電気が発生し、膜へ
の異物の付着、膜のしわより、破れなどが発生するとい
う問題があった。
としてはｉ線(365nm) やエキシマレーザー(248nm) とい
う短波長、高エネルギーの光線にも耐え得る材質として
フッ素系ポリマーが多く用いられるようになってきてお
り、また一方では液晶ディスプレイの製造に用いられる
ペリクルについても大型化が求められ、フッ素系ポリマ
ーのような高強度のものが膜材料として要求されるよう
になってきている。しかし、このフッ素系ポリマーは体
積抵抗率が従来から用いられているニトリロセルロース
などに比べて大きいために、このものは基板から膜を剥
離するときに膜と基板の間に強い静電気が発生し、膜へ
の異物の付着、膜のしわより、破れなどが発生するとい
う問題があった。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明はこのような不
利、問題点を解決した半導体リソグラフィー用ペリクル
の製造方法に関するものであり、これは体積抵抗率が 1
05Ω・cm以上の膜材料を成膜する際に、成膜用基板を体
積抵抗率が 103Ω・cm以下のものとしてなることを特徴
とするものである。
利、問題点を解決した半導体リソグラフィー用ペリクル
の製造方法に関するものであり、これは体積抵抗率が 1
05Ω・cm以上の膜材料を成膜する際に、成膜用基板を体
積抵抗率が 103Ω・cm以下のものとしてなることを特徴
とするものである。
【０００６】製膜用基板としては、シリコンまたはＳｉ
Ｃ−Ｓｉであることが好ましい。また、製膜用基板が、
基板表面に導電性の１層以上の表面抵抗が102 Ω／□以
下である薄膜を形成したものであってもよい。
Ｃ−Ｓｉであることが好ましい。また、製膜用基板が、
基板表面に導電性の１層以上の表面抵抗が102 Ω／□以
下である薄膜を形成したものであってもよい。
【０００７】
【作用】すなわち、本発明者らはフッ素系ポリマーのよ
うに体積抵抗率の高い材料の成膜時における不利を解決
する方法について種々検討した結果、体積抵抗率が 105
Ω・cm以上のような体積抵抗率の高いペリクル膜を成
膜する際に用いる成膜用基板を体積抵抗率が 103Ω・cm
以下のものとすれば、基板上に成膜された膜を剥離する
際に基板と膜との間で発生する静電気を低く抑えること
ができるので、膜が基板に引きつけられる力が弱くな
り、したがって膜を剥離するときの膜のしわ、破れが発
生することが防止されるということを見出し、ここに使
用される基板の種類、成膜法などについての研究を進め
て本発明を完成させた。以下にこれをさらに詳述する。
うに体積抵抗率の高い材料の成膜時における不利を解決
する方法について種々検討した結果、体積抵抗率が 105
Ω・cm以上のような体積抵抗率の高いペリクル膜を成
膜する際に用いる成膜用基板を体積抵抗率が 103Ω・cm
以下のものとすれば、基板上に成膜された膜を剥離する
際に基板と膜との間で発生する静電気を低く抑えること
ができるので、膜が基板に引きつけられる力が弱くな
り、したがって膜を剥離するときの膜のしわ、破れが発
生することが防止されるということを見出し、ここに使
用される基板の種類、成膜法などについての研究を進め
て本発明を完成させた。以下にこれをさらに詳述する。
【０００８】本発明の体積抵抗率が 105Ω・cm以上の膜
材料としては、ｉ線やエキシマレーザーなどの短波長、
高エネルギーの光線照射にも耐え得るフッ素ポリマーが
あげられ、これには含フッ素モノマーの共重合体として
のテフロンＡＦ（米国デュポン社商品名）、サイトップ
［旭ガラス（株）製商品名］などが例示される。
材料としては、ｉ線やエキシマレーザーなどの短波長、
高エネルギーの光線照射にも耐え得るフッ素ポリマーが
あげられ、これには含フッ素モノマーの共重合体として
のテフロンＡＦ（米国デュポン社商品名）、サイトップ
［旭ガラス（株）製商品名］などが例示される。
【０００９】本発明に使用される成膜用基板は、その体
積抵抗率が 103Ω・cm以上のものであると基板とペリク
ル膜との間で発生する静電気を基板を通して十分アース
ができなくなるので使用することができず、したがって
体積抵抗率が 103Ω・cm以下のものとすることが必要と
されるが、 103Ω・cm以下であれば小さいほど好まし
い。ここに使用される成膜用基板は、体積抵抗率が 103
Ω・cm以下であれば表面が平滑で鏡面にできる限り何で
もよく、これには金属、プラスチック、セラミックスな
どが例示され、具体的にはシリコン、ＳｉＣ−Ｓｉ焼結
体などが挙げられる。体積抵抗率が 103Ω・cm以上の基
板の表面であっても、抵抗率の小さい材料としてのＡ
ｕ、Ｃｕ、Ｍｏ、Ｗなどの金属膜やＩＴＯ膜のような酸
化膜を成膜させて、その表面抵抗を 102Ω／□、好まし
くは10Ω／□以下としたものとしてもよい。
積抵抗率が 103Ω・cm以上のものであると基板とペリク
ル膜との間で発生する静電気を基板を通して十分アース
ができなくなるので使用することができず、したがって
体積抵抗率が 103Ω・cm以下のものとすることが必要と
されるが、 103Ω・cm以下であれば小さいほど好まし
い。ここに使用される成膜用基板は、体積抵抗率が 103
Ω・cm以下であれば表面が平滑で鏡面にできる限り何で
もよく、これには金属、プラスチック、セラミックスな
どが例示され、具体的にはシリコン、ＳｉＣ−Ｓｉ焼結
体などが挙げられる。体積抵抗率が 103Ω・cm以上の基
板の表面であっても、抵抗率の小さい材料としてのＡ
ｕ、Ｃｕ、Ｍｏ、Ｗなどの金属膜やＩＴＯ膜のような酸
化膜を成膜させて、その表面抵抗を 102Ω／□、好まし
くは10Ω／□以下としたものとしてもよい。
【００１０】本発明による半導体リソグラフィー用ペリ
クルの製造は、上記した体積抵抗率が 103Ω・cm以下の
成膜用基板の上に体積抵抗率が 105Ω・cm以上のペリク
ル膜を成膜することによって行なわれるが、この成膜は
従来公知のスピンコーター、ロールコーター、バーコー
ターなどで行えばよく、成膜後のペリクル膜の剥離はこ
の膜と成膜用基板との間における静電気の発生が小さい
ので容易に剥離することができ、したがって得られるペ
リクル膜にはしわ、破れなどが発生しない。
クルの製造は、上記した体積抵抗率が 103Ω・cm以下の
成膜用基板の上に体積抵抗率が 105Ω・cm以上のペリク
ル膜を成膜することによって行なわれるが、この成膜は
従来公知のスピンコーター、ロールコーター、バーコー
ターなどで行えばよく、成膜後のペリクル膜の剥離はこ
の膜と成膜用基板との間における静電気の発生が小さい
ので容易に剥離することができ、したがって得られるペ
リクル膜にはしわ、破れなどが発生しない。
【００１１】
【実施例】つぎに本発明の実施例、比較例をあげる。 実施例１、比較例１ テフロンＡＦ1,600 （米国デュポン社製商品名）をフッ
素溶剤・フロリナートＦＣ−75（米国スリーエム社製商
品名）に溶解させて濃度８％の溶液を調整し、この溶液
を体積抵抗率が 0.1Ω・cmで直径 200mm、厚さ 600μｍ
の鏡面研磨したシリコン基板面にスピンコーターを用い
て塗布して、膜厚１μｍの膜を成膜させた。
素溶剤・フロリナートＦＣ−75（米国スリーエム社製商
品名）に溶解させて濃度８％の溶液を調整し、この溶液
を体積抵抗率が 0.1Ω・cmで直径 200mm、厚さ 600μｍ
の鏡面研磨したシリコン基板面にスピンコーターを用い
て塗布して、膜厚１μｍの膜を成膜させた。
【００１２】ついで、外径が 100mm× 100mm×５mmで厚
さが４mmのアルミニウム合金製フレームを、エポキシ系
接着剤・アラルダイトラピッド［昭和高分子（株）製商
品名］を用いてこの成膜したテフロンＡＦ1,600 の膜表
面に接着させ、このフレームの周りの膜をカッターによ
り切断し、この物を基板を下にして接地したＳＵＳ製の
板上に固定し、フレームを持ち上げてペリクル膜とフレ
ームを基板より剥離したところ、この剥離は容易に行な
うことができ、剥離後のペリクル膜表面を観察したとこ
ろ、膜表面には歪や傷は観察されず、これには１μｍ以
上の付着物も見られず、剥離直後の表面の帯電圧を測定
したところ、これは０ｖであった。
さが４mmのアルミニウム合金製フレームを、エポキシ系
接着剤・アラルダイトラピッド［昭和高分子（株）製商
品名］を用いてこの成膜したテフロンＡＦ1,600 の膜表
面に接着させ、このフレームの周りの膜をカッターによ
り切断し、この物を基板を下にして接地したＳＵＳ製の
板上に固定し、フレームを持ち上げてペリクル膜とフレ
ームを基板より剥離したところ、この剥離は容易に行な
うことができ、剥離後のペリクル膜表面を観察したとこ
ろ、膜表面には歪や傷は観察されず、これには１μｍ以
上の付着物も見られず、剥離直後の表面の帯電圧を測定
したところ、これは０ｖであった。
【００１３】しかし、比較のためにこの実施例１におけ
る成膜用基板を体積抵抗率が１×1018Ω・cmである石英
基板としたほかは実施例１と同様に処理してテフロンＡ
Ｆ1,600 を成膜してこれを石英基板から剥離したとこ
ろ、この場合には基板と成膜との間の静電気により剥離
が困難となり、剥離後のペリクル膜の表面を観察したと
ころ、膜表面には細線状の傷が観察されたし、これには
１μｍ以上の付着物が多数存在しており、このものの帯
電圧を観察したところ、これは20kvであった。
る成膜用基板を体積抵抗率が１×1018Ω・cmである石英
基板としたほかは実施例１と同様に処理してテフロンＡ
Ｆ1,600 を成膜してこれを石英基板から剥離したとこ
ろ、この場合には基板と成膜との間の静電気により剥離
が困難となり、剥離後のペリクル膜の表面を観察したと
ころ、膜表面には細線状の傷が観察されたし、これには
１μｍ以上の付着物が多数存在しており、このものの帯
電圧を観察したところ、これは20kvであった。
【００１４】実施例２、比較例２ 実施例１で作成した濃度８％のテフロンＡＦ1,600 の溶
液を、表面抵抗が 0.1Ω／□であるＩＴＯ膜を成膜し
た、直径 200mm、厚さ 600μｍの鏡面研磨した石英基板
上に、スピンコーターを用いて厚さ１μｍの透明膜とし
て成膜させたのち、この膜表面に実施例１で用いたアル
ミニウム合金製フレームを同じ接着剤で接着させた。つ
いで、このフレームの周りの膜をカッターで切断し、こ
れを基板を下にして接地したＳＵＳ板上にのせ、フレー
ムを持ち上げてペリクル膜と基板とを剥離したところ、
これは容易に剥離することができ、剥離後のペリクル膜
表面を観察したところ、膜表面に歪や傷は観察されず、
１μｍ以上の付着物も見いだされず、剥離直後の帯電圧
も０ｖであった。
液を、表面抵抗が 0.1Ω／□であるＩＴＯ膜を成膜し
た、直径 200mm、厚さ 600μｍの鏡面研磨した石英基板
上に、スピンコーターを用いて厚さ１μｍの透明膜とし
て成膜させたのち、この膜表面に実施例１で用いたアル
ミニウム合金製フレームを同じ接着剤で接着させた。つ
いで、このフレームの周りの膜をカッターで切断し、こ
れを基板を下にして接地したＳＵＳ板上にのせ、フレー
ムを持ち上げてペリクル膜と基板とを剥離したところ、
これは容易に剥離することができ、剥離後のペリクル膜
表面を観察したところ、膜表面に歪や傷は観察されず、
１μｍ以上の付着物も見いだされず、剥離直後の帯電圧
も０ｖであった。
【００１５】しかし、比較のために、実施例２における
成膜用基板をＩＴＯ膜を成膜しない体積抵抗率が１×10
18Ω・cmである石英基板としたほかは実施例２と同様に
処理してテフロンＡＦ1,600 を成膜し、これを石英基板
から剥離したところ、これは剥離が困難であり、剥離後
のペリクル膜の表面を観察したところ、膜表面には細線
状の傷が観察されたし、これには１μｍ以上の付着物が
多数存在しており、このものの帯電圧は20kvであった。
成膜用基板をＩＴＯ膜を成膜しない体積抵抗率が１×10
18Ω・cmである石英基板としたほかは実施例２と同様に
処理してテフロンＡＦ1,600 を成膜し、これを石英基板
から剥離したところ、これは剥離が困難であり、剥離後
のペリクル膜の表面を観察したところ、膜表面には細線
状の傷が観察されたし、これには１μｍ以上の付着物が
多数存在しており、このものの帯電圧は20kvであった。
【００１６】
【発明の効果】本発明によればフッ素系ポリマーなどの
ように体積抵抗率が 105Ω・cm以上であるペリクル膜を
成膜するときに、この成膜用基板を体積抵抗率が 103Ω
・cm以下であるシリコン、ＳｉＣ−Ｓｉ焼結体とするか
ら、この基板とペリクル膜とを剥離するときに両者の間
に発生する静電気が小さいものとなり、基板にペリクル
膜が引きつけられることがなくなり、したがって得られ
るペリクル膜がしわや傷のないものになるという効果が
得られる。
ように体積抵抗率が 105Ω・cm以上であるペリクル膜を
成膜するときに、この成膜用基板を体積抵抗率が 103Ω
・cm以下であるシリコン、ＳｉＣ−Ｓｉ焼結体とするか
ら、この基板とペリクル膜とを剥離するときに両者の間
に発生する静電気が小さいものとなり、基板にペリクル
膜が引きつけられることがなくなり、したがって得られ
るペリクル膜がしわや傷のないものになるという効果が
得られる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 白崎享 群馬県安中市磯部２丁目13番１号 信越 化学工業株式会社 精密機能材料研究所 内 (72)発明者 樫田周 群馬県安中市磯部２丁目13番１号 信越 化学工業株式会社 精密機能材料研究所 内 (72)発明者 久保田 芳宏 群馬県安中市磯部２丁目13番１号 信越 化学工業株式会社 精密機能材料研究所 内 (56)参考文献 特開 昭60−83032（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−163462（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−134634（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G03F 1/14
Claims (4)
- 【請求項１】体積抵抗率が 105Ω・cm以上のペリクル膜
材料を成膜する際に、成膜用基板を体積抵抗率が 103Ω
・cm以下のものとし、製膜後、基板を接地してペリクル
膜と基板とを剥離することを特徴とする半導体リソグラ
フィー用ペリクルの製造方法。 - 【請求項２】成膜用基板がシリコンである請求項１に記
載した半導体リソグラフィー用ペリクルの製造方法。 - 【請求項３】成膜用基板がＳｉＣ−Ｓｉである請求項１
に記載した半導体リソグラフィー用ペリクルの製造方
法。 - 【請求項４】成膜用基板が基板表面に導電性の１層以上
の表面抵抗が 102Ω／□以下である薄膜を形成したもの
である請求項１に記載した半導体リソグラフィー用ペリ
クルの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9280493A JP2938709B2 (ja) | 1993-04-20 | 1993-04-20 | 半導体リソグラフィー用ペリクルの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9280493A JP2938709B2 (ja) | 1993-04-20 | 1993-04-20 | 半導体リソグラフィー用ペリクルの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06317894A JPH06317894A (ja) | 1994-11-15 |
| JP2938709B2 true JP2938709B2 (ja) | 1999-08-25 |
Family
ID=14064605
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9280493A Expired - Lifetime JP2938709B2 (ja) | 1993-04-20 | 1993-04-20 | 半導体リソグラフィー用ペリクルの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2938709B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5904778A (en) * | 1996-07-26 | 1999-05-18 | Applied Materials, Inc. | Silicon carbide composite article particularly useful for plasma reactors |
| US6342292B1 (en) | 1997-12-16 | 2002-01-29 | Asahi Kasei Kabushiki Kaisha | Organic thin film and process for producing the same |
-
1993
- 1993-04-20 JP JP9280493A patent/JP2938709B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06317894A (ja) | 1994-11-15 |
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