JPH0527415A - リソグラフイ−用ペリクル - Google Patents

リソグラフイ−用ペリクル

Info

Publication number
JPH0527415A
JPH0527415A JP3206588A JP20658891A JPH0527415A JP H0527415 A JPH0527415 A JP H0527415A JP 3206588 A JP3206588 A JP 3206588A JP 20658891 A JP20658891 A JP 20658891A JP H0527415 A JPH0527415 A JP H0527415A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
film
pellicle
lithography
amorphous polymer
fluorine
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP3206588A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3020320B2 (ja
Inventor
Yoshihiro Kubota
芳宏 久保田
Shu Kashida
周 樫田
Akihiko Nagata
愛彦 永田
Hitoshi Noguchi
仁 野口
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shin Etsu Chemical Co Ltd
Original Assignee
Shin Etsu Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shin Etsu Chemical Co Ltd filed Critical Shin Etsu Chemical Co Ltd
Priority to JP20658891A priority Critical patent/JP3020320B2/ja
Priority to US07/912,792 priority patent/US5286567A/en
Publication of JPH0527415A publication Critical patent/JPH0527415A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3020320B2 publication Critical patent/JP3020320B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/62—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C59/00—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor
    • B29C59/16—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor by wave energy or particle radiation, e.g. infrared heating
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C35/00—Heating, cooling or curing, e.g. crosslinking or vulcanising; Apparatus therefor
    • B29C35/02—Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould
    • B29C35/08—Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould by wave energy or particle radiation
    • B29C35/0805—Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould by wave energy or particle radiation using electromagnetic radiation
    • B29C2035/0827—Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould by wave energy or particle radiation using electromagnetic radiation using UV radiation
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C35/00—Heating, cooling or curing, e.g. crosslinking or vulcanising; Apparatus therefor
    • B29C35/02—Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould
    • B29C35/08—Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould by wave energy or particle radiation
    • B29C35/0805—Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould by wave energy or particle radiation using electromagnetic radiation
    • B29C2035/0838—Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould by wave energy or particle radiation using electromagnetic radiation using laser
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/3154—Of fluorinated addition polymer from unsaturated monomers
    • Y10T428/31544—Addition polymer is perhalogenated

Landscapes

  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【目的】 本発明は帯電防止することによってゴミの
付着を減少するようにしたリソグラフィ−用ペリクルの
提供を目的とするものである。 【構成】 本発明のリソグラフィ−用ペリクルはペリ
クル膜の表面を化学的および／または物理的手段により
親水層として静電気の発生、蓄積を防止してなることを
特徴とするものである。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はリソグラフィ−用ペリク
ル、特にはLSI、超LSI などの半導体装置あるいは液晶表
示板を製造する際のゴミよけとして使用される、実質的
に500nm 以下の光を用いる露光方式における帯電防止さ
れたリソグラフィ−用ペリクルに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】LSI、 超LSI などの半導体装置あるいは
液晶表示板などの製造においては、半導体ウェハ−ある
いは液晶用原版に光を照射してパタ−ニングを作成する
のであるが、この場合に用いる露光原版にゴミが付着し
ていると、このゴミが光を吸収したり、光を曲げてしま
うため、転写したパタ−ニングが変形したり、エッジが
がさついたものとなるほか、白地が黒く汚れたりして、
寸法、品質、外観などが損なわれるという問題があっ
た。
【０００３】このため、これらの作業は通常クリ−ンル
−ムで行われているが、このクリ−ンル−ム内でも露光
原版を常に清浄に保つことが難しいので、これには露光
原版の表面にゴミよけのための露光用の光をよく通過さ
せるペリクルを貼着する方式が取られており、このペリ
クルとしてはニトロセルロ−ス、酢酸セルロ−スなどの
薄膜が使用されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、これらのニト
ロセルロ−ス、酢酸セルロ−スなどで作られたペリクル
では、210 〜400nm のような短波長域で大きな吸収端が
できるほか、安定性に乏しく使用中に黄変したり、亀裂
が発生するため、このものはデバイスの製造の際にエキ
シマレ−ザ−やｉ線の紫外線のように波長域が210 〜 4
00nmの露光を行う超LSI 用や高密度の微細晶表示板など
のリソグラフィ−用には使用できないという制約があ
る。
【０００５】また、このリソグラフィ−用ペリクルにつ
いてはテトラフルオロエチレンとフッ化ビニリデンとの
共重合体もしくはテトラフルオロエチレンとヘキサフル
オロプロピレンおよびフッ化ビニリデンとの三元共重合
体からなる樹脂透明膜を使用することが提案されており
（特開昭60-83032号公報参照）、これはフッ化ビニリデ
ンを含有させることによって透明性の向上を計ったもの
であるが、この共重合体は基本的には線状構造を主体と
するものであるために、ｉ線やエキシマレ−ザ−を長時
間照射すると樹脂の結晶化が進行して結晶粒が生成し、
その結果入射光の散乱が起るために経時的に透明性が低
下し、実用性に耐えなくなるという欠点がある。
【０００６】なお、この欠点を解決するものとしてはテ
トラフルオロエチレンと環状パ−フルオロエ−テル基を
有する含フッ素モノマ−を共重合して得られる非晶性重
合体の透明膜からなるペリクルもすでに提案されている
（特開平3-39963 号公報参照）が、このペリクルには有
機高分子で電気絶縁性の膜に特有な静電気を帯電し易い
という不利があり、ペリクルが帯電すると、レクチル上
のゴミよけ用として使用するペリクルが逆にゴミを吸着
し、これがむしろゴミの発生源となってしまうので、こ
のペリクルについては帯電を防止することが大きな課題
となっている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明はこのような不利
を解決した帯電防止されたりソグラフィ−用ペリクルに
関するものであり、これはペリクル膜の表面のみを化学
的および／または物理的に親水層にして静電気の発生や
蓄積を防止するようにしてなることを特徴とするもので
ある。
【０００８】すなわち、本発明者らは短波長域での使用
に適した帯電防止されたリソグラフィ−用ペリクルを開
発すべく種々検討した結果、従来公知のリソグラフィ−
用ペリクルの表面をプラズマ処理、コロナ処理、エキシ
マレ−ザ−処理あるいはシンクロトロン放射光処理し
て、親水性とすると、この面が電気抵抗の小さいものと
なるので静電気が発生し難くなるし、仮に静電気が付与
されても直ちに電荷が中和され、放電が行なわれて帯電
が防止されることを見出した。
【０００９】また、このリソグラフィ−用ペリクルにつ
いては500nm 以下の光を用いる露光方式において帯電防
止されるリソグラフィ−用ペリクの膜材料としては特に
テトラフルオロエチレンと環状パ−フルオロエ−テル基
を有する含フッ素モノマ−を共重合体して得られる非晶
性重合体の透明膜を使用すると、このものがｇ線（波長
436nm)、ｉ線（波長365nm)、 エキシマレ−ザ−（波長24
8nm)の使用範囲である210 〜500nm においてすぐれた透
過性を示し、しかも長時間使用しても透過性の低下が認
められず、これは顕著な帯電防止性を示すということを
確認して本発明を完成させた。以下にこれをさらに詳述
する。
【００１０】
【作用】本発明は帯電防止されたリソグラフィ−用ペリ
クルに関するものであり、これはリソグラフィ−用ペリ
クル膜、特にはテトラフルオロエチレンと環状パ−フル
オロエ−テル基を有する含フッ素モノマ−を共重合して
得られる非晶性重合体から作られた透明膜の表面を化学
的および／または物理的手段で親水性に改質し、静電気
の帯電を防止してなることを要旨とするものである。
【００１１】本発明におけるリソグラフィ−用ペリクル
はどのような膜で作られたものであってもよい。したが
って、これは従来公知のニトルセルロ−ス、酢酸セルロ
−スなどで作られたもの、テトラフルオロエチレンとフ
ッ化ビニリデンとの共重合体、テトラフルオロエチレ
ン、ヘキサフルオロプロピレおよびフッ化ビニリデンの
三元共重合体から作られたものであってもよいが、これ
らには前記したような不利があることから、これにはテ
トラフルオロエチレンと環状パ−フルオロエ−テル基を
有する含フッ素モノマ−とを共重合して得られる非晶性
重合体の透明膜からなるものとすることがよい。
【００１２】このテトラフルオロエチレンと環状パ−フ
ルオロエ−テル基含有含フッ素モノマ−を共重合で得ら
れる非晶性重合体は、公知のテトラフルオロエチレンに
式
【化３】
【化４】 などで例示される環状パ−フルオロエ−テル基を有する
含フッ素モノマ−を共重合させることによって得ること
ができるが、この共重合体は例えばステンレス鋼の振盪
管に上記した
【化５】 で示される環状パ−フルオロエ−テル基含有含フッ素モ
ノマ−とパ−フルオロプロピオニルパ−オキサイドおよ
び１，１，２−トリクロロ−１，２，２−トルフルオロ
エタンを入れて−50℃に冷却し、これにテトラフルオロ
エチレンを加えて振盪し、自然発生力下に５〜50℃に加
熱することによって行なうことができる（特公昭63-189
64号公報参照）。
【００１３】なお、この共重合は上記した
【化６】 で示される環状パ−フルオロエ−テル基含有含フッ素モ
ノマ−とトリクロロトリフルオロエタンおよび式
【化７】 で示される重合開始剤とを耐圧ガラス製のアンプルに入
れ凍結脱気後、ここにテトラフルオロエチレンを仕込
み、インキュベ−タ−で振盪させながら30℃で重合させ
ればよい（特開昭63-238115 号公報参照）が、この前者
のものについては米国デュポン社から「テフロンＡＦ」
という商品名で市販されているものがあり、後者のもの
については旭硝子（株）から「サイトップ」という商品
名で市販されているものを使用してもよい。
【００１４】このようにして得られたテトラフルオロエ
チレンと環状パ−フルオロエ−テル基含有モノマ−との
共重合体はついで成膜してリソグラフィ−用ペリクルと
されるのであるが、この成膜はこの共重合体をフッ素の
溶剤、例えばパ−フルオロ（２−ブチルテトラヒドロフ
ラン）やパ−フルオロ（２−プロピルテトラヒドロピラ
ン）などの溶剤を用いて３〜10％の濃度に溶解したの
ち、この溶液をスピンコ−タ−やナイフコ−タ−などを
用いる溶液キャスタ−法で成膜すればよいが、この膜の
厚みは機械的強度と透過率とのかね合いから0.5 〜10μ
m 、好ましくは0.8 〜５μm とすることがよい。
【００１５】この透明膜は実用的な面から光の透過率が
95％以上、より好ましくは98％以上のものとすることが
よいが、この透過率が膜の厚みと透過光の波長に依存す
るので、目安としては厚みが５μm 以上のものについて
波長が210 〜500nm の光の透過率が90％以上のものとす
ることが必要とされる。なお、このようにして得られた
膜はアルミニウムなどの枠体にしわのないように接着固
定することによってリソグラフィ−用ペリクルとされ
る。
【００１６】本発明のリソグラフィ−用ペリクルはこの
ようにして得たリソグラフィ−用ペリクルの表面を化学
的および／または物理的手段によって親水性とすること
によって得ることができるが、この親水性基の導入は酸
素、酸素と水素との混合ガスあるいはアンモニアガスな
どの存在下に、これをコロナ放電処理あるいはプラズマ
放電処理するか、これにエキシマレ−ザ−かシンクロト
ロン放射光を照射すればよく、これによればこの膜表面
に親水性基が導入されるので、この部位における静電気
の発生が防止されるし、静電気が発生してもこれは荷電
が中和されたり、放電が行なわれ、これにはすぐれた帯
電防止性が付与される。
【００１７】すなわち、本発明のリソグラフィ−用ペリ
クルには上記のようにして帯電防止性が付与されてお
り、したがってこのペリクル膜がゴミを吸着し、それが
ゴミの発生源となるということがなくなるので、これは
長期間にわたり使用できるという有利性が与えられるの
であるが、これにはその透明膜の片面または両面にMgF2
やCaF2などのような反射防止膜を設けてその透過性を向
上させるようにしてもよい。
【００１８】
【実施例】つぎに本発明の実施例、比較例をあげる。 実施例１、比較例１ 一般式
【化８】 で示され、m/n+m=0.66である、テトラフルオロエチレン
と環状パ−フルオロエ−テル基を有する含フッ素モノマ
−との共重合体、テフロンAF1600（米国デュポン社製商
品名）を、主成分がパ−フルオロ（２−ブチルテトラヒ
ドロフラン）であるフッ素系溶剤、フロリナ−トFC-75
（米国スリ−エム社製商品名）に溶解させて濃度8.0 ％
の溶液を調製した。
【００１９】ついで、この溶液を直径200mm、厚さ３mmの
表面研磨した石英基板面に流し、スピンコ−タ−を用い
て膜の厚みが1.21μm の透明膜を形成させ、水中でこの
膜を石英基板から剥離して直径150mm のテフロン製枠に
移し、これを80℃で５時間真空乾燥した後、１辺が100m
m の四角形アルミニウムフレ−ムにエポキシ系接着剤・
アラルダイトラビット［昭和高分子（株）社製商品名］
を用いて、しわのないように接着固定してリソグラフィ
−用ペリクルを作った。
【００２０】つぎにこのペリクル膜を13.56MHzのプラズ
マ装置中に装入し、装置内を1.56ト−ルに減圧し、酸素
を１容量％含有するアルゴンガス雰囲気中において５分
間プラスマ処理し、このものをクラス1,000のクリ−ン
ル−ム中に１日放置した後の0.3 μm 以上のゴミの付着
量をペリクル全面について測定したところ、これは１個
だけであったが、比較のために上記したプラズマ処理を
しなかったものについてのゴミの付着量をしらべたとこ
ろ、このものには80個のゴミの付着していることが確認
された。
【００２１】また、このようにして得られたペリクル膜
の親水性を確認するために、このペリクル膜表面にスプ
レ−で水を噴霧したところ、このものは水で全面が濡れ
たが、プラズマ処理しなかったものは水を撥じいてい
た。なお、このプラズマ処理をしたペリクル膜について
はそのもの光線透過率を測定したところ、後記する第１
表に示したとおりの結果が得られ、またこのペリクルに
90W/cm2 の照射エネルギ−のｉ線を1,500 時間連続照射
したのちの光線透過率の変化を測定したところ、後記す
る第２表に示したとおりの結果が得られたが、このもの
は黄変したり、亀裂を発生することもなかった。
【００２２】実施例２ 一般式
【化９】 で示され、m/n+m=0.7 である、テトラフルオロエチレン
と環状パ−フルオロエ−テル基を有する含フッ素モノマ
−との共重合体・サイトップ［旭硝子（株）製商品名）
を、フッ素系溶剤、フロリナ−トFC-75 （前出）に溶解
し、濃度5.0 ％の溶液を調製した。
【００２３】ついで、この溶液を実施例１と同様に処理
して膜の厚みが3.35μm の膜をつくり、これから実施例
１と同様に処理してペリクルを製作し、このペリクル膜
の表面に酸素／水素を1/2 の割合で混合したガス雰囲気
でエキシマレ−ザ−(KrFレ−ザ−）を１時間照射したと
ころ、このものは水を撥じく疎水性のものであったがこ
の処理後はよく水に濡れる親水性のものとなった。
【００２４】つぎにこのように処理したペリクル膜への
ゴミ付着試験を実施例１と同じ方法で行なったところ、
この付着量は３個であったが、比較のためにこのような
処理をしなかったペリクル膜について同様の試験を行な
ったところ、これは124 個と多かった。また、このエキ
シマレ−ザ−で処理したペリクルの光線透過率を測定し
たところ、下記の表１に示したとおりの結果が得られ、
またこのペリクルに90W/cm2 の−照射エネルギ−をもつ
ｉ線を1,500 時間連続照射したのちの光線透過率の変化
を測定したところ、下記の表２に示したとおりの結果が
得られ、このものは黄変したり、亀裂を発生することが
なかった。
【００２５】
【表１】
【表２】
【００２６】
【発明の効果】本発明は帯電防止性の付与されたリソグ
ラフィ−用ペリクルに関するものであり、これは前記し
たようにペリクル膜の表面を化学的および／または物理
的手段により親水性として静電気の発生、蓄積を防止し
てなることを特徴とするものであるが、これによればリ
ソグラフィ−用ペリクル膜が親水性をもつものとなり、
その結果静電気の発生を防止し、蓄積を防止するように
なって帯電防止性の付与されたものとなるので、このも
のは使用中に静電気によってゴミを吸着することがなく
なるし、これはまたこのペリクル膜をテトラフルオロエ
チレンと環状パ−フルオロエ−テル基を有する含フッ素
モノマ−との共重合により得られるひ非晶性重合体の透
明膜からなるものとすると、210 〜500nm の短波長域の
紫外線の光透過率が高く、使用中に黄色変したり、亀裂
の発生することもないので、LSI、超越LSI などの大規模
集積回路あるいは超微細な液晶表示板の露光用ペリクル
として有用であり、さらには光透過率が優れていること
から、露光時間の短縮、厚膜化によるペリクル膜強度の
向上が期待できという有利性が付与される。
フロントページの続き (72)発明者 野口 仁 群馬県安中市磯部２丁目13番１号 信越化 学工業株式会社精密機能材料研究所内

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】膜の表面を化学的および／または物理的手
    段により親水層として静電気の発生と蓄積を防止してな
    ることを特徴とするリソグラフィ−用ペリクル。
  2. 【請求項２】膜がテトラフルオロエチレンと環状パ−フ
    ルオロエ−テル基を有する含フッ素モノマ−を共重合し
    て得られた非晶性重合体の透明膜からなるものである請
    求項１に記載したリソグラフィ−用ペリクル。
  3. 【請求項３】膜材の非晶性重合体がフッ素系溶剤に可能
    であり、５μm 以上の膜の厚みのものの210 〜500nm の
    波長の光の平均透過率が90％以上である請求項１に記載
    したリソグラフィ−用ペリクル。
  4. 【請求項４】膜材の非晶性重合体が一般式 【化１】 （ここにm/n+m=0.1 〜0.9)で示されるものである請求項
    １に記載したリソグラフィ−用ペリクル。
  5. 【請求項５】膜材の非晶質重合体が一般式 【化２】 （ここにm/n+m=0.1 〜0.9)で示されるものである請求項
    １に記載したリソグラフィ−用ペリクル。
  6. 【請求項６】膜の表面をプラズマ、コロナ、エキシマレ
    −ザ−またはシンクロトロン放射光で処理する請求項１
    に記載したリソグラフィ−用ペリクル。
JP20658891A 1991-07-23 1991-07-23 リソグラフィ−用ペリクル Expired - Lifetime JP3020320B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP20658891A JP3020320B2 (ja) 1991-07-23 1991-07-23 リソグラフィ−用ペリクル
US07/912,792 US5286567A (en) 1991-07-23 1992-07-13 Pellicle for photolithographic mask

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP20658891A JP3020320B2 (ja) 1991-07-23 1991-07-23 リソグラフィ−用ペリクル

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0527415A true JPH0527415A (ja) 1993-02-05
JP3020320B2 JP3020320B2 (ja) 2000-03-15

Family

ID=16525892

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP20658891A Expired - Lifetime JP3020320B2 (ja) 1991-07-23 1991-07-23 リソグラフィ−用ペリクル

Country Status (2)

Country Link
US (1) US5286567A (ja)
JP (1) JP3020320B2 (ja)

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2790946B2 (ja) * 1992-08-21 1998-08-27 信越化学工業株式会社 ペリクル膜の製造方法
JPH0772617A (ja) * 1993-09-02 1995-03-17 Shin Etsu Chem Co Ltd ペリクル
US5882773A (en) * 1993-10-13 1999-03-16 The Regents Of The University Of California Optical coatings of variable refractive index and high laser-resistance from physical-vapor-deposited perfluorinated amorphous polymer
JP3428123B2 (ja) * 1994-03-11 2003-07-22 住友電気工業株式会社 表面改質フッ素樹脂の製造方法
US6342292B1 (en) * 1997-12-16 2002-01-29 Asahi Kasei Kabushiki Kaisha Organic thin film and process for producing the same
US6300042B1 (en) * 1998-11-24 2001-10-09 Motorola, Inc. Lithographic printing method using a low surface energy layer
US6280885B1 (en) * 1999-08-11 2001-08-28 Dupont Photomasks, Inc. Dust cover comprising anti-reflective coating
US6770404B1 (en) * 1999-11-17 2004-08-03 E. I. Du Pont De Nemours And Company Ultraviolet and vacuum ultraviolet transparent polymer compositions and their uses
US6824930B1 (en) 1999-11-17 2004-11-30 E. I. Du Pont De Nemours And Company Ultraviolet and vacuum ultraviolet transparent polymer compositions and their uses
US20020089656A1 (en) * 2001-01-09 2002-07-11 Cheng Guo Containers for lithography mask and method of use
US6524754B2 (en) 2001-01-22 2003-02-25 Photronics, Inc. Fused silica pellicle
US7351503B2 (en) * 2001-01-22 2008-04-01 Photronics, Inc. Fused silica pellicle in intimate contact with the surface of a photomask
US7214452B2 (en) * 2002-11-07 2007-05-08 Intel Corporation Using perfluoropoly-ethers to form pellicles
US7189479B2 (en) * 2003-08-21 2007-03-13 3M Innovative Properties Company Phototool coating
US7316869B2 (en) * 2003-08-26 2008-01-08 Intel Corporation Mounting a pellicle to a frame
US20050202252A1 (en) * 2004-03-12 2005-09-15 Alexander Tregub Use of alternative polymer materials for "soft" polymer pellicles
JP5668276B2 (ja) * 2009-05-15 2015-02-12 ソニー株式会社 固体撮像装置、および電子機器
US8815476B2 (en) 2010-07-08 2014-08-26 Mitsui Chemicals, Inc. Pellicle membrane

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4212918A (en) * 1977-09-30 1980-07-15 E. I. Du Pont De Nemours And Company Nontacky shaped objects from polymer latices
US4759990A (en) * 1985-11-27 1988-07-26 Yen Yung Tsai Composite optical element including anti-reflective coating
US4970099A (en) * 1989-05-19 1990-11-13 E. I. Du Pont De Nemours And Company Perfluoropolymer coated pellicles

Also Published As

Publication number Publication date
JP3020320B2 (ja) 2000-03-15
US5286567A (en) 1994-02-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH0527415A (ja) リソグラフイ−用ペリクル
US6566021B2 (en) Fluoropolymer-coated photomasks for photolithography
JP2938636B2 (ja) リソグラフィ−用ペリクル
CN215449882U (zh) 防护薄膜框架及组件、曝光原版、装置与系统及制造系统
JP5304622B2 (ja) リソグラフィ用ペリクル
WO1998036324A1 (fr) Membrane pelliculaire pour rayons ultraviolets et pellicule
JP4185233B2 (ja) リソグラフィー用ペリクル
JP2000305255A (ja) フッ素エキシマレーザーリソグラフィー用ペリクル
JPH08123013A (ja) ペリクルおよびその接着方法
JP2001109131A (ja) 耐紫外線性ペリクル
CN215416267U (zh) 防护薄膜框架及其组件、曝光原版、曝光系统及制造系统
JP2000338650A (ja) リソグラフィー用ペリクル
CN215932363U (zh) 防护薄膜框架、防护薄膜及包括其的装置及系统
JP3433658B2 (ja) リソグラフィにおけるペリクル膜の劣化防止方法
JPH04104155A (ja) リソグラフィー用ペリクル
JP7125835B2 (ja) ペリクル
EP4321931A1 (en) Pellicle frame, pellicle, photomask with pellicle, exposure method, method for manufacturing semiconductor device, and method for manufacturing liquid crystal display
JP2855048B2 (ja) ペリクルの製造方法
JPH03265858A (ja) ペリクル膜
JPS6259950A (ja) 電離放射線感応ポジ型レジスト
JPH06317894A (ja) 半導体リソグラフィー用ペリクルの製造方法
JP3810226B2 (ja) 有機薄膜体及びその製造方法
JPH0412355A (ja) 高光線透過性防塵膜、その製造方法および防塵体
JPH06308719A (ja) ペリクル
WO2006061967A1 (ja) 半導体製造装置の洗浄用溶剤