JPH04104155A - リソグラフィー用ペリクル - Google Patents
リソグラフィー用ペリクルInfo
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- JPH04104155A JPH04104155A JP2222167A JP22216790A JPH04104155A JP H04104155 A JPH04104155 A JP H04104155A JP 2222167 A JP2222167 A JP 2222167A JP 22216790 A JP22216790 A JP 22216790A JP H04104155 A JPH04104155 A JP H04104155A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/62—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof
- G03F1/64—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof characterised by the frames, e.g. structure or material, including bonding means therefor
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野コ
本発明はリソグラフィー用ペリクル、とくにはLSI、
超LSIなどの半導体装置あるいは液晶表示板を製造す
る際のゴミよけとして使用される実質的に500nm以
下の光を用いる露光方式におけるリソグラフィー用ペリ
クルに関するものである。
超LSIなどの半導体装置あるいは液晶表示板を製造す
る際のゴミよけとして使用される実質的に500nm以
下の光を用いる露光方式におけるリソグラフィー用ペリ
クルに関するものである。
[従来の技術]
LSI、超LSIなどの半導体装置あるいは液晶表示板
などの製造においては、半導体ウエハーあるいは液晶用
原版に光を照射してパターニングを作成するのであるが
、この場合に用いる露光原版にゴミが付着していると、
このゴミが光を吸収したり、光を曲げてしまうため、転
写したパターニングが変形したり、エツジががさついた
ものとなるほか、白地が黒く汚れたりして、寸法、品質
、外観などが損なわれるという問題があった。
などの製造においては、半導体ウエハーあるいは液晶用
原版に光を照射してパターニングを作成するのであるが
、この場合に用いる露光原版にゴミが付着していると、
このゴミが光を吸収したり、光を曲げてしまうため、転
写したパターニングが変形したり、エツジががさついた
ものとなるほか、白地が黒く汚れたりして、寸法、品質
、外観などが損なわれるという問題があった。
このため、これらの作業は通常クリーンルームで行われ
ているが、このクリーンルーム内でも露光原版を常に清
浄に保つことが難しいので、これには露光原版の表面に
ゴミよけのための露光用の光をよく通過させるペリクル
を貼着する方式が取られており、このペリクルとしては
ニトロセルロース、酢酸セルロースなどの薄膜が使用さ
れている。
ているが、このクリーンルーム内でも露光原版を常に清
浄に保つことが難しいので、これには露光原版の表面に
ゴミよけのための露光用の光をよく通過させるペリクル
を貼着する方式が取られており、このペリクルとしては
ニトロセルロース、酢酸セルロースなどの薄膜が使用さ
れている。
[発明が解決しようとする課題]
しかし、これらのニトロセルロース、酢酸セルロースな
どで作られたペリクルでは、210〜400nmのよう
な短波長域で大きな吸収端ができるほか、安定性に乏し
く使用中に黄変したり、亀裂が発生するため、デバイス
の製造の際にエキシマレーザ−やi線の紫外線のように
波長域が210〜400r+mの露光を行う超LSI用
や高密度の微細結晶表示板などのリソグラフィー用には
使用できないという制約がある。
どで作られたペリクルでは、210〜400nmのよう
な短波長域で大きな吸収端ができるほか、安定性に乏し
く使用中に黄変したり、亀裂が発生するため、デバイス
の製造の際にエキシマレーザ−やi線の紫外線のように
波長域が210〜400r+mの露光を行う超LSI用
や高密度の微細結晶表示板などのリソグラフィー用には
使用できないという制約がある。
また、このリソグラフィー用ペリクルについてはテトラ
フルオロエチレンとフッ化ビニリデンとの共重合体もし
くはテトラフルオロエチレンとへキサフルオロプロピレ
ンおよびフッ化ビニリデンとの三元共重合体からなる樹
脂透明膜を使用することが提案さねており(特開昭60
−83032号公報参照)、これはフッ化ビニリデンを
含有させることによって透明性の向上を計ったものであ
るが、この共重合体は基本的には線状構造を主体とする
ものであるために、i線やエキシマレーザ−を長時間照
射すると樹脂の結晶化が進行して結晶粒が生成し、その
結果入射光の散乱が起るために経時的に透明性が低下し
、実用性に耐えなくなるという欠点がある。
フルオロエチレンとフッ化ビニリデンとの共重合体もし
くはテトラフルオロエチレンとへキサフルオロプロピレ
ンおよびフッ化ビニリデンとの三元共重合体からなる樹
脂透明膜を使用することが提案さねており(特開昭60
−83032号公報参照)、これはフッ化ビニリデンを
含有させることによって透明性の向上を計ったものであ
るが、この共重合体は基本的には線状構造を主体とする
ものであるために、i線やエキシマレーザ−を長時間照
射すると樹脂の結晶化が進行して結晶粒が生成し、その
結果入射光の散乱が起るために経時的に透明性が低下し
、実用性に耐えなくなるという欠点がある。
[課題を解決するための手段]
本発明はこのような不利を解決したリソグラフィー用ペ
リクルに関するもので、これはテトラフルオロエチレン
と環状パーフルオロエーテル基を有する含フツ素モノマ
ーを共重合して得られる非晶性重合体の透明膜からなる
ことを特徴とするものである。
リクルに関するもので、これはテトラフルオロエチレン
と環状パーフルオロエーテル基を有する含フツ素モノマ
ーを共重合して得られる非晶性重合体の透明膜からなる
ことを特徴とするものである。
すなわち、本発明者らは、上記目的の達成のため、短波
長域での使用に適したリソグラフィー用ペリクルを開発
すべく種々検討の結果、従来公知のニトロセルロース、
酢酸セルロースなどのセルロース誘導体や、テトラフル
オロエチレンとフッ化ビニリデンとの共重合体、テトラ
フルオロエチレンとへキサフルオロプロピレンおよびフ
ッ化ビニリデンとの三成分共重合体などのフッ素系重合
体に代えて、テトラフルオロエチレンと環状パーフルオ
ロエーテル基を有する含フツ素モノマーとを共重合して
得られる非晶性重合体から作られる透明膜を用いたとこ
ろ、このものはg線(波長436nm ) 、i線(波
長365nm ) 、エキシマレーザ−(KrFレーザ
ー;波長248nm )の使用範囲である波長210〜
500nmにおいてすぐれた透過性を示し、しかも長時
間使用しても透過性の低下が認められないということを
見出し、さらに、このペリクルの形状、構造、その製造
方法等についての研究を進めて本発明を完成させた。
長域での使用に適したリソグラフィー用ペリクルを開発
すべく種々検討の結果、従来公知のニトロセルロース、
酢酸セルロースなどのセルロース誘導体や、テトラフル
オロエチレンとフッ化ビニリデンとの共重合体、テトラ
フルオロエチレンとへキサフルオロプロピレンおよびフ
ッ化ビニリデンとの三成分共重合体などのフッ素系重合
体に代えて、テトラフルオロエチレンと環状パーフルオ
ロエーテル基を有する含フツ素モノマーとを共重合して
得られる非晶性重合体から作られる透明膜を用いたとこ
ろ、このものはg線(波長436nm ) 、i線(波
長365nm ) 、エキシマレーザ−(KrFレーザ
ー;波長248nm )の使用範囲である波長210〜
500nmにおいてすぐれた透過性を示し、しかも長時
間使用しても透過性の低下が認められないということを
見出し、さらに、このペリクルの形状、構造、その製造
方法等についての研究を進めて本発明を完成させた。
以下にこれを詳述する。
[作用コ
本発明は新規なリソグラフィー用ペリクルに関するもの
である。
である。
本発明のリソグラフィー用ペリクルはテトラフルオロエ
チレンと環状パーフルオロエーテル基を有する含フツ素
モノマーとを共重合して得られる非晶性重合体から作ら
れた透明膜からなるものとされる。
チレンと環状パーフルオロエーテル基を有する含フツ素
モノマーとを共重合して得られる非晶性重合体から作ら
れた透明膜からなるものとされる。
ここに使用されるテトラフルオロエチレンは公知のもの
でよく、この環状パーフルオロエーテル基を有する含フ
ツ素モノマーとしては式CF3 CF3 などが例示されるが、このテトラフルオロエチレンと環
状パーフルオロエーテル基を有する含フッ素モノマーと
の共重合は例えばステンレス鋼の振\/ /\ CF3 CF3 オニルパーオキサイドおよび1,1.2− トリクロロ
−1,2,2−トリフルオロエタンを入れて一50℃に
冷却し、これにテトラフルオロエチレンを加えて振盪し
、自然発生力下に5〜50℃に加熱することによって行
なう(特公昭63−18964号公報参照)−CF2 リフルオロエタンおよび重合開始剤としての(C3Fs
CO)2とを耐圧ガラス製のアンプルに入れ凍結膜気後
、ここにテトラフルオロエチレンを仕込み、インキュベ
ーターで振盪させながら30℃で重合させればよい(特
開昭63−238115号公報参照)が、この前者のも
のについては米国デュポン社から「テフロンAFJとい
う商品名で市販されているものがあり、後者のものにつ
いては旭硝子■から「サイトツブ」という商品名で市販
されているものを使用してもよい。
でよく、この環状パーフルオロエーテル基を有する含フ
ツ素モノマーとしては式CF3 CF3 などが例示されるが、このテトラフルオロエチレンと環
状パーフルオロエーテル基を有する含フッ素モノマーと
の共重合は例えばステンレス鋼の振\/ /\ CF3 CF3 オニルパーオキサイドおよび1,1.2− トリクロロ
−1,2,2−トリフルオロエタンを入れて一50℃に
冷却し、これにテトラフルオロエチレンを加えて振盪し
、自然発生力下に5〜50℃に加熱することによって行
なう(特公昭63−18964号公報参照)−CF2 リフルオロエタンおよび重合開始剤としての(C3Fs
CO)2とを耐圧ガラス製のアンプルに入れ凍結膜気後
、ここにテトラフルオロエチレンを仕込み、インキュベ
ーターで振盪させながら30℃で重合させればよい(特
開昭63−238115号公報参照)が、この前者のも
のについては米国デュポン社から「テフロンAFJとい
う商品名で市販されているものがあり、後者のものにつ
いては旭硝子■から「サイトツブ」という商品名で市販
されているものを使用してもよい。
このようにして得られたテトラフルオロエチレンと環状
パーフルオロエーテル基含有モノマーとの共重合体はつ
いで成膜してリソグラフィー用ペリクルとされるのであ
るが、この成膜はこの共重合体をフッ素の溶剤、例えば
パーフルオロ(2−ブチルテトラヒドロフラン)やパー
フルオロ(2−プロピルテトラヒドロビラン)などの溶
剤を用いて3〜10%の濃度に溶解したのち、この溶液
をスピンコーターやナイフコーターなどを用いる溶液キ
ャスター法で成膜すればよいが、この膜の厚みは機械的
強度と透過率とのかね合いから0.5〜10μm1好ま
しくは0.8〜5μmとすることがよい。
パーフルオロエーテル基含有モノマーとの共重合体はつ
いで成膜してリソグラフィー用ペリクルとされるのであ
るが、この成膜はこの共重合体をフッ素の溶剤、例えば
パーフルオロ(2−ブチルテトラヒドロフラン)やパー
フルオロ(2−プロピルテトラヒドロビラン)などの溶
剤を用いて3〜10%の濃度に溶解したのち、この溶液
をスピンコーターやナイフコーターなどを用いる溶液キ
ャスター法で成膜すればよいが、この膜の厚みは機械的
強度と透過率とのかね合いから0.5〜10μm1好ま
しくは0.8〜5μmとすることがよい。
この透明膜は実用的な面から光の透過率が95%以上、
より好ましくは98%以上のものとすることがよいが、
この透過率が膜の厚みと透過光の波長に依存するので、
目安としては厚さが5μm以上のものについて波長が2
10〜500nmの光の透過率が90%以上のものとす
ることが必要とされる。
より好ましくは98%以上のものとすることがよいが、
この透過率が膜の厚みと透過光の波長に依存するので、
目安としては厚さが5μm以上のものについて波長が2
10〜500nmの光の透過率が90%以上のものとす
ることが必要とされる。
なお、この透明膜についてはこの膜の片面または両面に
MgF2やCaF2のような反射防止膜を設けて透過率
を向上させることが望ましいが、このものはアルミニウ
ムなどの枠体にしわのないように接着固定してペリクル
とすることがよい。
MgF2やCaF2のような反射防止膜を設けて透過率
を向上させることが望ましいが、このものはアルミニウ
ムなどの枠体にしわのないように接着固定してペリクル
とすることがよい。
[実施例]
以下、本発明の具体的態様を実施例および比較例により
説明するが、本発明はこの実施例に限定されるものでは
ない。
説明するが、本発明はこの実施例に限定されるものでは
ない。
実施例1〜2
数式
で示され、m/n+m = 0.66であるテトラフル
オロエチレンと環状パーフルオロエーテル基を有する含
フッ素モノマーとの共重合体・テフロンA F 160
0(米国デュポン社製商品名)を、主成分がパーフルオ
ロ(2−ブチルテトラヒドロフラン)であるフッ素系溶
剤・フロリナートFC−75(米国スリーエム社製商品
名)に溶解させて濃度8.0%の溶液を調製した。
オロエチレンと環状パーフルオロエーテル基を有する含
フッ素モノマーとの共重合体・テフロンA F 160
0(米国デュポン社製商品名)を、主成分がパーフルオ
ロ(2−ブチルテトラヒドロフラン)であるフッ素系溶
剤・フロリナートFC−75(米国スリーエム社製商品
名)に溶解させて濃度8.0%の溶液を調製した。
ついで、この溶液を直径200mm 、厚さ3ml11
の表面研磨した石英基板面に、スピンコーターを用いて
膜の厚みが1.21μm (実施例1 ) 、 3.1
4μm (実施例2)の透明膜を形成させ、水中でこの
膜を石英基板から剥離して直径150mmのテフロン製
粋に移した。
の表面研磨した石英基板面に、スピンコーターを用いて
膜の厚みが1.21μm (実施例1 ) 、 3.1
4μm (実施例2)の透明膜を形成させ、水中でこの
膜を石英基板から剥離して直径150mmのテフロン製
粋に移した。
つぎに、これを80℃で5時間真空乾燥した後、1辺が
100mtnの四角形アルミニウムフレームにエポキシ
系接着剤・アラルダイトラビット[昭和高分子■製部品
名]を用いて、しわのないように接着固定してペリクル
を製作し、このペリクルの光線透過率を測定したところ
、後記する第1表に示したとおりの結果が得られ、また
このペリクルに90W/cm’の照射エネルギーのi線
を1,500時間連続照射したのちの光線透過率の変化
を測定したところ、後記する第2表に示したとおりの結
果が得られたが、このものは黄変したり、亀裂を発生さ
せることもなかった。
100mtnの四角形アルミニウムフレームにエポキシ
系接着剤・アラルダイトラビット[昭和高分子■製部品
名]を用いて、しわのないように接着固定してペリクル
を製作し、このペリクルの光線透過率を測定したところ
、後記する第1表に示したとおりの結果が得られ、また
このペリクルに90W/cm’の照射エネルギーのi線
を1,500時間連続照射したのちの光線透過率の変化
を測定したところ、後記する第2表に示したとおりの結
果が得られたが、このものは黄変したり、亀裂を発生さ
せることもなかった。
実施例3〜4
一般式
で示され、m/n+m = 0.7であるテトラフルオ
ロエチレンと環状パーフルオロエーテル基を有する含フ
ツ素モノマーとの共重合体・サイトツブ[旭硝子■製商
品名)を、フッ素系溶剤・フロリナートFC−75(前
出)に溶解し、濃度50%の溶液を調製した。
ロエチレンと環状パーフルオロエーテル基を有する含フ
ツ素モノマーとの共重合体・サイトツブ[旭硝子■製商
品名)を、フッ素系溶剤・フロリナートFC−75(前
出)に溶解し、濃度50%の溶液を調製した。
ついで、この溶液を実施例1〜2と同様に処理して膜の
厚みが1,32μm(実施例3 ) 、 3.35μm
(実施例4)の膜をつくり、これから実施例1〜2と同
様に処理してペリクルを製作し、このペリクルの光線透
過率を測定したところ、後記する第1表に示したとおり
の結果が得られ、またこのペリクルに90W/cm2の
照射エネルギーをもつi線を1.500時間連続照射し
たのちの光線透過率の変化を測定したところ、後記する
第2表に示したとおりの結果が得られ、このものは黄変
したり、亀裂を発生することがなかった。
厚みが1,32μm(実施例3 ) 、 3.35μm
(実施例4)の膜をつくり、これから実施例1〜2と同
様に処理してペリクルを製作し、このペリクルの光線透
過率を測定したところ、後記する第1表に示したとおり
の結果が得られ、またこのペリクルに90W/cm2の
照射エネルギーをもつi線を1.500時間連続照射し
たのちの光線透過率の変化を測定したところ、後記する
第2表に示したとおりの結果が得られ、このものは黄変
したり、亀裂を発生することがなかった。
比較例1〜3
ニトロセルロースを酢酸エチルに溶解して濃度10重量
%の溶液を調整(比較例1)すると共に、テトラフルオ
ロエチレンとフッ化ビニリデンとの共重合体(フッ化ビ
ニリデン含有量80%)をメチルエチルケトンに溶解し
て濃度15重量%の溶液を作り(比較例2)、これらの
溶液をスピンコーターを用いて膜厚が1.05μm、
1.10μmの膜を作り、これから実施例と同じ方法で
ペリクルを製作して比較例1.比較例2の試料とした。
%の溶液を調整(比較例1)すると共に、テトラフルオ
ロエチレンとフッ化ビニリデンとの共重合体(フッ化ビ
ニリデン含有量80%)をメチルエチルケトンに溶解し
て濃度15重量%の溶液を作り(比較例2)、これらの
溶液をスピンコーターを用いて膜厚が1.05μm、
1.10μmの膜を作り、これから実施例と同じ方法で
ペリクルを製作して比較例1.比較例2の試料とした。
また、テトラフルオロエチレンとへキサフルオロプロピ
レンおよびフッ化ビニリデンの含有量がそれぞれ42重
量%、32重量%、26重量%である、これら三成分の
共重合体をダイス温度が200℃のTダイを用いて厚さ
が6μmのフィルムを作り、このフィルムから実施例と
同じ方法でペリクルを製作し、これを比較例3の試料と
した。
レンおよびフッ化ビニリデンの含有量がそれぞれ42重
量%、32重量%、26重量%である、これら三成分の
共重合体をダイス温度が200℃のTダイを用いて厚さ
が6μmのフィルムを作り、このフィルムから実施例と
同じ方法でペリクルを製作し、これを比較例3の試料と
した。
ついで、この比較例1〜3の試料についてその光線透過
率を測定したところ、第1表に示したとおりの結果が得
られ、またこれに90W/cm”の照射エネルギーをも
つi線を1,500時間連続照射したのちの光線透過率
の変化を測定したところ、第2表に示したとおりの結果
が得られた。
率を測定したところ、第1表に示したとおりの結果が得
られ、またこれに90W/cm”の照射エネルギーをも
つi線を1,500時間連続照射したのちの光線透過率
の変化を測定したところ、第2表に示したとおりの結果
が得られた。
第1表 光線透過率(平均)[%]
第2表
光線透過′率の経時変化
(平均)
[%]
[発明の効果コ
本発明によるリソグラフィー用ペリクルは210〜50
0nmの短波長域の紫外線の光透過率が高く、使用中に
黄変したり、亀裂の発生することもないので、LSI、
超LSIなどの大規模集積回路あるいは超微細な液晶表
示板の露光用ペリクルとして有用であり、さらには光透
過率が優れていることから、露光時間の短縮、厚膜化に
よるペリクル膜強度の向上が期待できる。
0nmの短波長域の紫外線の光透過率が高く、使用中に
黄変したり、亀裂の発生することもないので、LSI、
超LSIなどの大規模集積回路あるいは超微細な液晶表
示板の露光用ペリクルとして有用であり、さらには光透
過率が優れていることから、露光時間の短縮、厚膜化に
よるペリクル膜強度の向上が期待できる。
特許出願人 信越化学工業株式会社
代 埋 大 弁理士 山 木 亮
〃 弁理士 荒井鐘司−
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、テトラフルオロエチレンと環状パーフルオロエーテ
ル基を有する含フッ素モノマーを共重合して得られる非
晶性重合体の透明膜からなることを特徴とするリソグラ
フィー用ペリクル。 2、非晶性重合体がフッ素系溶剤に可溶であり、5μm
以上の膜の厚みのものの210〜500nmの波長の光
の平均透過率が90%以上である請求項1に記載したリ
ソグラフィー用ペリクル。 3、非晶性重合体が一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (ここにm/n+m=0.1〜0.9)で示されるもの
である請求項1に記載したリソグラフィー用ペリクル。 4、非晶性重合体が一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (ここにm/n+m=0.1〜0.9)で示されるもの
である請求項1に記載したリソグラフィー用ペリクル。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2222167A JPH04104155A (ja) | 1990-08-23 | 1990-08-23 | リソグラフィー用ペリクル |
KR1019910014516A KR920005278A (ko) | 1990-08-23 | 1991-08-22 | 석판 인쇄용 페리클 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2222167A JPH04104155A (ja) | 1990-08-23 | 1990-08-23 | リソグラフィー用ペリクル |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04104155A true JPH04104155A (ja) | 1992-04-06 |
Family
ID=16778229
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2222167A Pending JPH04104155A (ja) | 1990-08-23 | 1990-08-23 | リソグラフィー用ペリクル |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04104155A (ja) |
KR (1) | KR920005278A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0667409A (ja) * | 1992-08-21 | 1994-03-11 | Shin Etsu Chem Co Ltd | リソグラフィー用ペリクル |
US6875819B2 (en) | 2001-04-27 | 2005-04-05 | Mitsui Chemicals, Inc. | Fluorinated cycloolefin polymers, processes for preparation of fluorinated cycloofefin monomers and polymers thereof, and use of the same |
-
1990
- 1990-08-23 JP JP2222167A patent/JPH04104155A/ja active Pending
-
1991
- 1991-08-22 KR KR1019910014516A patent/KR920005278A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0667409A (ja) * | 1992-08-21 | 1994-03-11 | Shin Etsu Chem Co Ltd | リソグラフィー用ペリクル |
US6875819B2 (en) | 2001-04-27 | 2005-04-05 | Mitsui Chemicals, Inc. | Fluorinated cycloolefin polymers, processes for preparation of fluorinated cycloofefin monomers and polymers thereof, and use of the same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR920005278A (ko) | 1992-03-28 |
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