JPH06317894A - 半導体リソグラフィー用ペリクルの製造方法 - Google Patents
半導体リソグラフィー用ペリクルの製造方法Info
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- JPH06317894A JPH06317894A JP9280493A JP9280493A JPH06317894A JP H06317894 A JPH06317894 A JP H06317894A JP 9280493 A JP9280493 A JP 9280493A JP 9280493 A JP9280493 A JP 9280493A JP H06317894 A JPH06317894 A JP H06317894A
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- JP
- Japan
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- film
- substrate
- pellicle
- volume resistivity
- peeled
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 本発明は成膜用基板に成膜したペリクル膜
を基板から剥離するときに、ペリクル膜と基板との間に
発生する静電気によってペリクル膜が基板にひきつけら
れ、剥離時にペリクル膜にしわや傷が与えられるのを防
止するようにした半導体リソグラフィー用ペリクル膜の
製造方法の提供を目的とするものである。 【構成】 本発明による半導体リソグラフィー用ペリ
クルの製造方法は、フッ素系ポリマーのように体積抵抗
率が 105Ω・cm以上であるペリクル膜を成膜するときの
成膜用基板を、体積抵抗率が 103Ω・cm以下であるシリ
コン、ＳｉＣ−Ｓｉ焼結体などとしてなることを特徴と
するものである。
を基板から剥離するときに、ペリクル膜と基板との間に
発生する静電気によってペリクル膜が基板にひきつけら
れ、剥離時にペリクル膜にしわや傷が与えられるのを防
止するようにした半導体リソグラフィー用ペリクル膜の
製造方法の提供を目的とするものである。 【構成】 本発明による半導体リソグラフィー用ペリ
クルの製造方法は、フッ素系ポリマーのように体積抵抗
率が 105Ω・cm以上であるペリクル膜を成膜するときの
成膜用基板を、体積抵抗率が 103Ω・cm以下であるシリ
コン、ＳｉＣ−Ｓｉ焼結体などとしてなることを特徴と
するものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体リソグラフィー用
ペリクル、特にはＬＳＩ、超ＬＳＩなどの半導体装置あ
るいは液晶表示板を製造する際のゴミよけとして使用さ
れる、実質的に 500nm以下の光を用いる露光方式におけ
る帯電防止されたリソグラフィー用ペリクル膜に関する
ものである。
ペリクル、特にはＬＳＩ、超ＬＳＩなどの半導体装置あ
るいは液晶表示板を製造する際のゴミよけとして使用さ
れる、実質的に 500nm以下の光を用いる露光方式におけ
る帯電防止されたリソグラフィー用ペリクル膜に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】ＬＳＩ、超ＬＳＩなどの半導体装置ある
いは液晶表示板などの製造においては、半導体ウェハー
あるいは液晶用原版に光を照射してパターニングを作成
するのであるが、この場合に用いる露光原版にゴミが付
着していると、このゴミが光を吸収したり、光を曲げて
しまうため、転写したパターニングが変形したり、エッ
ジががさついたものとなるほか、下地が黒く汚れたりし
て、寸法、品質、外観などが損なわれるという問題があ
った。このため、これらの作業は通常クリーンルームで
行われているが、このクリーンルーム内でも露光原版を
常に清浄に保つことが難しいので、これには露光原版の
表面にゴミよけのための露光用の光をよく通過させるペ
リクルを貼着する方式が取られている。
いは液晶表示板などの製造においては、半導体ウェハー
あるいは液晶用原版に光を照射してパターニングを作成
するのであるが、この場合に用いる露光原版にゴミが付
着していると、このゴミが光を吸収したり、光を曲げて
しまうため、転写したパターニングが変形したり、エッ
ジががさついたものとなるほか、下地が黒く汚れたりし
て、寸法、品質、外観などが損なわれるという問題があ
った。このため、これらの作業は通常クリーンルームで
行われているが、このクリーンルーム内でも露光原版を
常に清浄に保つことが難しいので、これには露光原版の
表面にゴミよけのための露光用の光をよく通過させるペ
リクルを貼着する方式が取られている。
【０００３】しかして、このような半導体リソグラフィ
ー用ペリクルの製造工程においては、ペリクル膜を成膜
するためにの基板として表面を研磨した石英基板やＳｉ
基板が使用されており、これらの基板については表面が
十分に平滑であれば基板の特性、すなわち基板内部の欠
陥や不純物、包有物（インクルージョン）、密度などは
特に問題とされなかった。
ー用ペリクルの製造工程においては、ペリクル膜を成膜
するためにの基板として表面を研磨した石英基板やＳｉ
基板が使用されており、これらの基板については表面が
十分に平滑であれば基板の特性、すなわち基板内部の欠
陥や不純物、包有物（インクルージョン）、密度などは
特に問題とされなかった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】他方、近年ペリクル膜
としてはｉ線(365nm) やエキシマレーザー(248nm) とい
う短波長、高エネルギーの光線にも耐え得る材質として
フッ素系ポリマーが多く用いられるようになってきてお
り、また一方では液晶ディスプレイの製造に用いられる
ペリクルについても大型化が求められ、フッ素系ポリマ
ーのような高強度のものが膜材料として要求されるよう
になってきている。しかし、このフッ素系ポリマーは体
積抵抗率が従来から用いられているニトリロセルロース
などに比べて大きいために、このものは基板から膜を剥
離するときに膜と基板の間に強い静電気が発生し、膜へ
の異物の付着、膜のしわより、破れなどが発生するとい
う問題があった。
としてはｉ線(365nm) やエキシマレーザー(248nm) とい
う短波長、高エネルギーの光線にも耐え得る材質として
フッ素系ポリマーが多く用いられるようになってきてお
り、また一方では液晶ディスプレイの製造に用いられる
ペリクルについても大型化が求められ、フッ素系ポリマ
ーのような高強度のものが膜材料として要求されるよう
になってきている。しかし、このフッ素系ポリマーは体
積抵抗率が従来から用いられているニトリロセルロース
などに比べて大きいために、このものは基板から膜を剥
離するときに膜と基板の間に強い静電気が発生し、膜へ
の異物の付着、膜のしわより、破れなどが発生するとい
う問題があった。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明はこのような不
利、問題点を解決した半導体リソグラフィー用ペリクル
の製造方法に関するものであり、これは体積抵抗率が 1
05Ω・cm以上の膜材料を成膜する際に、成膜用基板を体
積抵抗率が 103Ω・cm以下のものとしてなることを特徴
とするものである。
利、問題点を解決した半導体リソグラフィー用ペリクル
の製造方法に関するものであり、これは体積抵抗率が 1
05Ω・cm以上の膜材料を成膜する際に、成膜用基板を体
積抵抗率が 103Ω・cm以下のものとしてなることを特徴
とするものである。
【０００６】すなわち、本発明者らはフッ素系ポリマー
のように体積抵抗率の高い材料の成膜時における不利を
解決する方法について種々検討した結果、体積抵抗率が
105Ω・cm以上のような体積抵抗率の高い膜を成膜する
際に用いる成膜用基板を体積抵抗率が 103Ω・cm以下の
ものとすれば、基板上に成膜された膜を剥離する際に基
板と膜との間で発生する静電気を弱くすることができる
ので、膜が基板にひきつけられて膜にしわや破れが発生
するということが防止されるということを見出し、ここ
に使用される基板の種類、成膜法などについての研究を
進めて本発明を完成させた。以下にこれをさらに詳述す
る。
のように体積抵抗率の高い材料の成膜時における不利を
解決する方法について種々検討した結果、体積抵抗率が
105Ω・cm以上のような体積抵抗率の高い膜を成膜する
際に用いる成膜用基板を体積抵抗率が 103Ω・cm以下の
ものとすれば、基板上に成膜された膜を剥離する際に基
板と膜との間で発生する静電気を弱くすることができる
ので、膜が基板にひきつけられて膜にしわや破れが発生
するということが防止されるということを見出し、ここ
に使用される基板の種類、成膜法などについての研究を
進めて本発明を完成させた。以下にこれをさらに詳述す
る。
【０００７】
【作用】本発明は半導体リソグラフィー用ペリクルの製
造方法に関するもので、これは前記したように体積抵抗
率が 105Ω・cm以上の膜材料を成膜する際に、成膜用基
板として体積抵抗率が 103Ω・cm以下のものを使用する
ことを特徴とするものであるが、これによれば成膜用基
板と成膜との間に発生する静電気を低く抑えることがで
きるので、基板から膜を剥離するときに膜が基板に引き
つけられる力が弱くなり、したがって膜を剥離するとき
の膜のしわ、破れが防止されるという有利性が与えられ
る。
造方法に関するもので、これは前記したように体積抵抗
率が 105Ω・cm以上の膜材料を成膜する際に、成膜用基
板として体積抵抗率が 103Ω・cm以下のものを使用する
ことを特徴とするものであるが、これによれば成膜用基
板と成膜との間に発生する静電気を低く抑えることがで
きるので、基板から膜を剥離するときに膜が基板に引き
つけられる力が弱くなり、したがって膜を剥離するとき
の膜のしわ、破れが防止されるという有利性が与えられ
る。
【０００８】本発明による半導体リソグラフィー用ペリ
クルの製造は体積抵抗率が 105Ω・cm以上の膜材料を、
体積抵抗率が 103Ω・cm以下の成膜用基板に成膜させる
ものであるが、この体積抵抗率が 105Ω・cm以上の膜材
料としては、ｉ線やエキシマレーザーなどの短波長、高
エネルギーの光線照射にも耐え得るフッ素ポリマーがあ
げられ、これにはテトラフルオロエチレンと環状パーフ
ルオロエーテル基を有する含フッ素モノマーとの共重合
体としてのテフロンＡＦ（米国デュポン社商品名）、サ
イトップ［旭ガラス（株）製商品名］などが例示され
る。
クルの製造は体積抵抗率が 105Ω・cm以上の膜材料を、
体積抵抗率が 103Ω・cm以下の成膜用基板に成膜させる
ものであるが、この体積抵抗率が 105Ω・cm以上の膜材
料としては、ｉ線やエキシマレーザーなどの短波長、高
エネルギーの光線照射にも耐え得るフッ素ポリマーがあ
げられ、これにはテトラフルオロエチレンと環状パーフ
ルオロエーテル基を有する含フッ素モノマーとの共重合
体としてのテフロンＡＦ（米国デュポン社商品名）、サ
イトップ［旭ガラス（株）製商品名］などが例示され
る。
【０００９】また、ここに使用される成膜用基板はその
体積抵抗率が 103Ω・cm以上のものであると基板とペリ
クル膜との間で発生する静電気を基板を通して十分アー
スができなくなるので使用することができず、したがっ
て体積抵抗率が 103Ω・cm以下のものとすることが必要
とされるが、これは 103Ω・cm以下であれば小さいほど
好ましいものとされる。ここに使用される成膜用基板は
体積抵抗率が 103Ω・cm以下であれば表面が平滑で鏡面
であれば何でもよく、これには金属、プラスチック、セ
ラミックスなどが例示され、具体的にはシリコン、Ｓｉ
Ｃ−Ｓｉ焼結体などが挙げられるが、これは体積抵抗率
が 103Ω・cm以上の基板の表面であっても抵抗率の小さ
い材料としてのＡｕ、Ｃｕ、Ｍｏ、Ｗなどの金属膜やＩ
ＴＯ膜のような酸化膜を成膜させて、その表面抵抗を 1
02Ω／□、好ましくは10Ω／□以下としたものとしても
よい。
体積抵抗率が 103Ω・cm以上のものであると基板とペリ
クル膜との間で発生する静電気を基板を通して十分アー
スができなくなるので使用することができず、したがっ
て体積抵抗率が 103Ω・cm以下のものとすることが必要
とされるが、これは 103Ω・cm以下であれば小さいほど
好ましいものとされる。ここに使用される成膜用基板は
体積抵抗率が 103Ω・cm以下であれば表面が平滑で鏡面
であれば何でもよく、これには金属、プラスチック、セ
ラミックスなどが例示され、具体的にはシリコン、Ｓｉ
Ｃ−Ｓｉ焼結体などが挙げられるが、これは体積抵抗率
が 103Ω・cm以上の基板の表面であっても抵抗率の小さ
い材料としてのＡｕ、Ｃｕ、Ｍｏ、Ｗなどの金属膜やＩ
ＴＯ膜のような酸化膜を成膜させて、その表面抵抗を 1
02Ω／□、好ましくは10Ω／□以下としたものとしても
よい。
【００１０】本発明による半導体リソグラフィー用ペリ
クルの製造は上記した体積抵抗率が103Ω・cm以下の成
膜用基板の上に体積抵抗率が 105Ω・cm以上の膜を成膜
することによって行なわれるが、この成膜は従来公知の
スピンコーター、ロールコーター、バーコーターなどで
行えばよく、成膜後のペリクル膜の剥離はこの成膜と成
膜用基板との間における静電気の発生が小さいので容易
に剥離することができ、したがって得られるペリクル膜
にはしわ、破れなどが発生しないという有利性が与えら
れる。
クルの製造は上記した体積抵抗率が103Ω・cm以下の成
膜用基板の上に体積抵抗率が 105Ω・cm以上の膜を成膜
することによって行なわれるが、この成膜は従来公知の
スピンコーター、ロールコーター、バーコーターなどで
行えばよく、成膜後のペリクル膜の剥離はこの成膜と成
膜用基板との間における静電気の発生が小さいので容易
に剥離することができ、したがって得られるペリクル膜
にはしわ、破れなどが発生しないという有利性が与えら
れる。
【００１１】
【実施例】つぎに本発明の実施例、比較例をあげる。 実施例１、比較例１ テフロンＡＦ1,600 （米国デュポン社製商品名）をフッ
素溶剤・フロリナートＦＣ−75（米国スリーエム社製商
品名）に溶解させて濃度８％の溶液を調整し、この溶液
を体積抵抗率が 0.1Ω・cmで直径 200mm、厚さ 600μｍ
の鏡面研磨したシリコン基板面にスピンコーターを用い
て塗布して、膜厚１μｍの膜を成膜させた。
素溶剤・フロリナートＦＣ−75（米国スリーエム社製商
品名）に溶解させて濃度８％の溶液を調整し、この溶液
を体積抵抗率が 0.1Ω・cmで直径 200mm、厚さ 600μｍ
の鏡面研磨したシリコン基板面にスピンコーターを用い
て塗布して、膜厚１μｍの膜を成膜させた。
【００１２】ついで、外径が 100mm× 100mm×５mmで厚
さが４mmのアルミニウム合金製フレームを、エポキシ系
接着剤・アラルダイトラピッド［昭和高分子（株）製商
品名］を用いてこの成膜したテフロンＡＦ1,600 の膜表
面に接着させ、このフレームの周りの膜をカッターによ
り切断し、この物を基板を下にして接地したＳＵＳ製の
板上に固定し、フレームを持ち上げてペリクル膜とフレ
ームを基板より剥離したところ、この剥離は容易に行な
うことができ、剥離後のペリクル膜表面を観察したとこ
ろ、膜表面には歪や傷は観察されず、これには１μｍ以
上の付着物も見られず、剥離直後の表面の帯電圧を測定
したところ、これは０ｖであった。
さが４mmのアルミニウム合金製フレームを、エポキシ系
接着剤・アラルダイトラピッド［昭和高分子（株）製商
品名］を用いてこの成膜したテフロンＡＦ1,600 の膜表
面に接着させ、このフレームの周りの膜をカッターによ
り切断し、この物を基板を下にして接地したＳＵＳ製の
板上に固定し、フレームを持ち上げてペリクル膜とフレ
ームを基板より剥離したところ、この剥離は容易に行な
うことができ、剥離後のペリクル膜表面を観察したとこ
ろ、膜表面には歪や傷は観察されず、これには１μｍ以
上の付着物も見られず、剥離直後の表面の帯電圧を測定
したところ、これは０ｖであった。
【００１３】しかし、比較のためにこの実施例１におけ
る成膜用基板を体積抵抗率が１×1018Ω・cmである石英
基板としたほかは実施例１と同様に処理してテフロンＡ
Ｆ1,600 を成膜してこれを石英基板から剥離したとこ
ろ、この場合には基板と成膜との間の静電気により剥離
が困難となり、剥離後のペリクル膜の表面を観察したと
ころ、膜表面には細線状の傷が観察されたし、これには
１μｍ以上の付着物が多数存在しており、このものの帯
電圧を観察したところ、これは20kvであった。
る成膜用基板を体積抵抗率が１×1018Ω・cmである石英
基板としたほかは実施例１と同様に処理してテフロンＡ
Ｆ1,600 を成膜してこれを石英基板から剥離したとこ
ろ、この場合には基板と成膜との間の静電気により剥離
が困難となり、剥離後のペリクル膜の表面を観察したと
ころ、膜表面には細線状の傷が観察されたし、これには
１μｍ以上の付着物が多数存在しており、このものの帯
電圧を観察したところ、これは20kvであった。
【００１４】実施例２、比較例２ 実施例１で作成した濃度８％のテフロンＡＦ1,600 の溶
液を、表面抵抗が 0.1Ω／□であるＩＴＯ膜を成膜し
た、直径 200mm、厚さ 600μｍの鏡面研磨した石英基板
上に、スピンコーターを用いて厚さ１μｍの透明膜とし
て成膜させたのち、この膜表面に実施例１で用いたアル
ミニウム合金製フレームを同じ接着剤で接着させた。つ
いで、このフレームの周りの膜をカッターで切断し、こ
れを基板を下にして接地したＳＵＳ板上にのせ、フレー
ムを持ち上げてペリクル膜と基板とを剥離したところ、
これは容易に剥離することができ、剥離後のペリクル膜
表面を観察したところ、膜表面に歪や傷は観察されず、
１μｍ以上の付着物も見いだされず、剥離直後の帯電圧
も０ｖであった。
液を、表面抵抗が 0.1Ω／□であるＩＴＯ膜を成膜し
た、直径 200mm、厚さ 600μｍの鏡面研磨した石英基板
上に、スピンコーターを用いて厚さ１μｍの透明膜とし
て成膜させたのち、この膜表面に実施例１で用いたアル
ミニウム合金製フレームを同じ接着剤で接着させた。つ
いで、このフレームの周りの膜をカッターで切断し、こ
れを基板を下にして接地したＳＵＳ板上にのせ、フレー
ムを持ち上げてペリクル膜と基板とを剥離したところ、
これは容易に剥離することができ、剥離後のペリクル膜
表面を観察したところ、膜表面に歪や傷は観察されず、
１μｍ以上の付着物も見いだされず、剥離直後の帯電圧
も０ｖであった。
【００１５】しかし、比較のために、実施例２における
成膜用基板をＩＴＯ膜を成膜しない体積抵抗率が１×10
18Ω・cmである石英基板としたほかは実施例２と同様に
処理してテフロンＡＦ1,600 成膜し、これを石英基板か
ら剥離したところ、これは剥離が困難であり、剥離後の
ペリクル膜の表面を観察したところ、膜表面には細線状
の傷が観察されたし、これには１μｍ以上の付着物が多
数存在しており、このものの帯電圧は20kvであった。
成膜用基板をＩＴＯ膜を成膜しない体積抵抗率が１×10
18Ω・cmである石英基板としたほかは実施例２と同様に
処理してテフロンＡＦ1,600 成膜し、これを石英基板か
ら剥離したところ、これは剥離が困難であり、剥離後の
ペリクル膜の表面を観察したところ、膜表面には細線状
の傷が観察されたし、これには１μｍ以上の付着物が多
数存在しており、このものの帯電圧は20kvであった。
【００１６】
【発明の効果】本発明は半導体リソグラフィー用ペリク
ルの製造方法に関するものであり、これは前記したよう
に体積抵抗率が 105Ω・cm以上の膜材料を成膜する際
に、成膜用基板を体積抵抗率が 103Ω・cm以下のものと
してなることを特徴とするものであるが、これによれば
フッ素系ポリマーなどのように体積抵抗率が 105Ω・cm
以上であるペリクル膜を成膜するときに、この成膜用基
板を体積抵抗率が 103Ω・cm以下であるシリコン、Ｓｉ
Ｃ−Ｓｉ焼結体とすると、この基板とペリクル膜とを剥
離するときに両者の間に発生する静電気が小さいものと
なるので、基板にペリクル膜がひきつけられることがな
くなり、したがって得られるペリクル膜がしわや傷のな
いものになるという有利性が与えられる。
ルの製造方法に関するものであり、これは前記したよう
に体積抵抗率が 105Ω・cm以上の膜材料を成膜する際
に、成膜用基板を体積抵抗率が 103Ω・cm以下のものと
してなることを特徴とするものであるが、これによれば
フッ素系ポリマーなどのように体積抵抗率が 105Ω・cm
以上であるペリクル膜を成膜するときに、この成膜用基
板を体積抵抗率が 103Ω・cm以下であるシリコン、Ｓｉ
Ｃ−Ｓｉ焼結体とすると、この基板とペリクル膜とを剥
離するときに両者の間に発生する静電気が小さいものと
なるので、基板にペリクル膜がひきつけられることがな
くなり、したがって得られるペリクル膜がしわや傷のな
いものになるという有利性が与えられる。
フロントページの続き (72)発明者 樫田周 群馬県安中市磯部２丁目13番１号 信越化 学工業株式会社精密機能材料研究所内 (72)発明者 久保田 芳宏 群馬県安中市磯部２丁目13番１号 信越化 学工業株式会社精密機能材料研究所内
Claims (4)
- 【請求項１】体積抵抗率が 105Ω・cm以上の膜材料を成
膜する際に、成膜用基板を体積抵抗率が 103Ω・cm以下
のものとしてなることを特徴とする半導体リソグラフィ
ー用ペリクルの製造方法。 - 【請求項２】成膜用基板がシリコンである請求項１に記
載した半導体リソグラフィー用ペリクルの製造方法。 - 【請求項３】成膜用基板がＳｉＣ−Ｓｉである請求項１
に記載した半導体リソグラフィー用ペリクルの製造方
法。 - 【請求項４】成膜用基板が基板表面に導電性の１層以上
の表面抵抗が 102Ω／□以下である薄膜を形成したもの
である請求項１に記載した半導体リソグラフィー用ペリ
クルの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9280493A JP2938709B2 (ja) | 1993-04-20 | 1993-04-20 | 半導体リソグラフィー用ペリクルの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9280493A JP2938709B2 (ja) | 1993-04-20 | 1993-04-20 | 半導体リソグラフィー用ペリクルの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06317894A true JPH06317894A (ja) | 1994-11-15 |
| JP2938709B2 JP2938709B2 (ja) | 1999-08-25 |
Family
ID=14064605
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9280493A Expired - Lifetime JP2938709B2 (ja) | 1993-04-20 | 1993-04-20 | 半導体リソグラフィー用ペリクルの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2938709B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0821397A2 (en) * | 1996-07-26 | 1998-01-28 | Applied Materials, Inc. | Silicon carbide composite article particularly useful for plasma reactors |
| US6342292B1 (en) | 1997-12-16 | 2002-01-29 | Asahi Kasei Kabushiki Kaisha | Organic thin film and process for producing the same |
-
1993
- 1993-04-20 JP JP9280493A patent/JP2938709B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0821397A2 (en) * | 1996-07-26 | 1998-01-28 | Applied Materials, Inc. | Silicon carbide composite article particularly useful for plasma reactors |
| EP0821397A3 (en) * | 1996-07-26 | 1998-07-29 | Applied Materials, Inc. | Silicon carbide composite article particularly useful for plasma reactors |
| US5904778A (en) * | 1996-07-26 | 1999-05-18 | Applied Materials, Inc. | Silicon carbide composite article particularly useful for plasma reactors |
| US6342292B1 (en) | 1997-12-16 | 2002-01-29 | Asahi Kasei Kabushiki Kaisha | Organic thin film and process for producing the same |
| US6797207B2 (en) | 1997-12-16 | 2004-09-28 | Asahi Kasei Emd Corporation | Process for producing organic thin film |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2938709B2 (ja) | 1999-08-25 |
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