JPH02145292A - プラスチック薄膜の切断方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野］ 本発明は、均一でかつ塵埃等の異物を含まないプラスチ
ック薄膜の製造方法に関する。特に、半導体集積回路の
製造におけるリソグラフィー工程で用いるフォトマスク
およびレチクル（以下、単に「マスク」と略する。）の
保護防１ｍ体であるペリクルの製造方法に関する。

［従来の技術］ 半導体集積回路の製造において、レジスト材を塗（Ｉｉ
シた半導体ウェハーを露光によりパターン形成グする工
程は、集積回路の歩留りを左右する重要な工程である。

この際、パターン原板であるマスク上にキズあるいは塵
埃が存在すると、パターンととしにキズあるいは異物が
ウェハー上に印刷され、生産される回路の短絡、断線等
の原因となる。このため、マスクの保護及び防塵は生産
性向上のうえで極めて重要な課題である。特に同一のレ
チクルを用いて一枚のウェハー上に繰返しパターン形成
を行うステッパ一方式では、レチクル上にキズあるいは
塵埃が存在すると発生する欠陥がウェハー上の全ての回
路に及ぶため、レチクル上のキズあるいは塵埃の付着は
極力避けなくてはならない。

そこで最近マスクの保護、防叩を目的として、マスクの
片面あるいは両面を透明なプラスチック薄膜でカバーす
ることが提案され、実施されつつある。この際、マスク
とプラスチック薄膜の間隔を十分大きくとっておくこと
により、たとえプラスチック薄膜上に塵埃が付着しても
露光装置の光学系の焦点からずれているため、塵埃はウ
ェハー上には結像されない。さらに、従来のようにマス
クに付着した塵埃の洗浄除去工程が不要になるため、生
産工程の簡略化にもつながり、その有用性が明らかにな
ってきている。

このようにマスクの保護防塵体として使用される透明な
プラスチック薄膜は通常リング状支持枠に緊張した状態
で支持されており、ペリクルと呼ばれている。

現６二までにペリクルとして使用可能な薄膜素材として
は、ニトロセルロース、酢酸セルロース。

ポリエチレンテレフタレート、ポリプロピレン。

パリレン、ポリビニルアセタール、ポリメチルメタクリ
レート等が知られている。

これらのプラスチック素材からペリクルとして用いる均
一な薄膜を得る一般的な手段は、揮発性溶媒に溶解させ
たプラスチックをシリコンウェハガラス板、金属板等の
平滑な基材上に流延し、溶媒蒸発後、基祠上に形成され
たプラスチック薄膜を基材から剥離する方法である。こ
の際、最も簡便で望ましい方法は、基材上のプラスチッ
ク薄膜に、端面に接着剤を塗布したリング上支持枠を押
しつけ固若し、支持枠の外周に沿って基材上のプラスチ
ク薄膜を刃物あるいは熱５　レーザー光等のエネルギー
を用いて切断し、その後剥離する方法である。しかしな
がら、この方法では基材の傷つき、焼け、変質等の損傷
は避けられず、また基祠およびプラスチック薄膜から発
生する塵埃が剥離後のプラスチック薄膜に付着しやすい
という問題があった。このため、現在までに基材上のプ
ラスチック薄膜に一旦、必要な寸法より大きな仮枠を固
着し剥離した後、実際に使用する支持枠を張り付け、枠
の周囲の薄膜を刃物、熱、レーザー光等のエネルギーあ
るいは溶媒を用いて切断する方法が提案され、一般的に
使用されてきている。しかし、この方法は工程が煩雑な
ばかりでなく、薄膜を剥離後、切断を行うために、切断
中に発生した様埃がそのまま薄膜を汚染する危険が極め
て高い。

［発明が解決しようとする課題］ 本発明は上に述べた基材上に製膜されたプラスチック薄
膜を切断する際の基材の損傷の発生、塵埃の発生あるい
は工程の煩雑さの間）ｊを解決し、基月上のプラスチッ
ク薄膜を容易にかつ基材の損傷および塵埃の発生なしに
切断し、汚染のない均一なプラスチック薄膜を得ること
を目的とするものである。

［課題を解決するための手段］ 本発明者らは、以上の問題点に鑑み、基材上のプラスチ
ック薄ＩＡを切断するに際し、基材を損（ｖＪすること
なく、かつ塵埃を発生しない方法を求めて鋭念研究を行
った。その結果、切断に先立って見祠上のプラスチック
薄膜を溶媒によって膨潤状部にし、その後鋭利な刃によ
り切断することにより、基材の損傷がないばかりでなく
、塵埃の発生が極端に抑えられるために汚染のないプラ
スチック薄膜が容易に得られることを見出だし本発明に
到達した。

即ち、本発明は平滑な基材上に製膜されたプラスチック
薄膜を切断し、基材から剥離することにより得られるプ
ラスチック薄膜体の製造工程において、該プラスチック
薄膜に溶媒を含浸させた後に切断することを特徴とする
プラスチック薄膜の切断方法に関するものである。

以下、本発明の詳細な説明する。

本発明の方法の適用範囲は薄膜素材の種類あるいは基材
の材質によらない。また薄膜の厚みは１００μｍ以下、
より好ましくは１０μｍ以下である。薄膜の厚みがこれ
より厚い場合は溶媒を均一に含浸させることが難しくな
る。

本発明において用いる溶媒は、薄膜素材を溶解させうる
溶媒でも良く、また薄膜素材を溶解させないが膨潤を生
じさせる溶媒でもよい。より具体的には、薄膜索祠中へ
の平衡吸着量が１％以上である溶媒が望ましい。これよ
り吸芒量の低い溶媒では薄膜の膨潤が十分でないために
本発明の効果が得られにくい。また用いる溶媒の沸点は
５０℃以上であることが好ましい。これより沸点の低い
溶媒では、薄膜に溶媒を含浸させてから切断までの間の
溶媒の蒸発量が大きいために、特に薄膜表面における膜
の膨潤が不足し、切断の抵抗が大きくなり、さらに塵埃
を発生しやすくなる。

具体的には、水あるいはブチルアルコール、２−工トキ
シエタノール等のアルコール類、酢酸エチル、酢酸ブチ
ル等のエステル類、テトラヒドロフラン、ジオキサン等
のエーテル類、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサ
ノン等のケトン類、トルエン、キシレン等の芳容族化合
物、ヘキサン。

オクタン等の炭化水素化合物、ピリジン等の後素化合物
等を例示することができるが、これら具体例に限定され
るものではない。

これらの溶媒を薄膜に含浸させるには基材ごと薄膜を溶
媒中に浸漬する、薄１漠を溶媒雰囲気中に放置するある
いはハケ、ペン等の適当な器具を用いて溶媒を塗布する
または溶媒をスプレ一方式で吹き付ける等の方法を用い
ることができる。薄膜への溶媒の含浸は支持枠の固着前
に行ってもよいが、使用する薄膜部分に溶媒が含浸する
と薄膜表面の均一性が損なわれるので、使用する薄膜部
分への溶媒の含浸を防ぐ目的からは、支持枠の固岩後に
行うことが望ましい。

本発明の方法においては基材上の薄膜に溶媒を含浸させ
た後、鋭利な刃で基材上の薄膜を切断する。刃の材質は
プラスチック、金属、セラミック等、特に限定するもの
ではないが、切断の際に基材に損傷を与えないためには
刃の硬度が基材の硬度より小さいことが重要である。こ
の点からプラスチックの刃が最も好ましい。また、刃の
形状は針状、メス状、ナイフ状等の刃先の鋭利なものが
望ましい。

［発明の効果］ 本発明の方法においては、基材上に製膜されたプラスチ
ック薄膜を溶媒を含浸させた膨潤状態で鋭利な刃によっ
て切断するために、基材の損傷がなく、また塵埃の発生
を極端に低下させることが可能になる。このため、基材
をそのまま繰り返し使用できるばかりでなく、基材から
プラスチック薄膜を塵埃を付着させることなく容易に剥
離することができる。

［実施例］ 以下、実施例により本発明を更に詳細に説明するが、本
発明はこれらの実施例に限定されるものではない。

実施例に Ｉ・ロセルロースを酢酸ｎ−ブチルに１８ｍｍ％のｌ農
度て溶解し、直径８インチの平滑なガラス仮を基材とし
て、スピンコーターを用いて回転塗（１１シ、ガラス板
上に膜厚２，８５μｍの均一な薄膜を形成した。次いで
、外周の一辺が９２ｍｍ、厚みが２．５ｍｍ、高さが５
．５■の正方形リング状アルミニウム支持枠とガラス板
上の薄膜をエポキシ系接着剤を用いて接着した。次に、
２−エトキシエタノールを含んだスポンジを枠の外周に
沿ってすべらせることによりｌｓ’ｊ　膜に２−エトキ
シエタノールを含浸させた後、ポリプロピレン製の刃を
用いて枠の外周の薄膜を切１折した。薄膜の切断は完全
に行うことができ、剥離後のニトロセルロース薄膜を観
察した結果、１μｍ以上の塵埃の付着は見られなかった
。更に剥離後のガラス基材の損傷も全く観測されなかっ
た。

実施例２ ポリビニルボロビオナールを２−エトキシエタノールに
９．２重量％の濃度で溶解し、直径８インチのシリコン
ウェハーを基材として実施例１と同様にしてシリコンウ
ェハー上に膜厚１．３８μ「ｎの薄膜を形成し、支持枠
を薄膜に接着した。

次にシクロヘキサノンを含んだスポンジを枠の外周に沿
ってすべらせることにより薄１ｆｉにシクロヘキサノン
を含浸させた後、ポリアセクール製の刃を用いて枠の外
周の薄膜を切断した。薄膜の切断は完全に行うことがで
き、剥離後のポリビニルプロピオナール薄膜を観察した
結果、１μｍ以上の塵埃の付着は見られなかった。更に
剥離後のシリコンウェハー基材の損傷も全く観−ド１さ
れなかった。

比較例１ 薄膜に２−エトキシエタノールを含浸させない以外は実
施例１と全く同様にして薄膜の切断を行ったが、 薄膜は全く 切断できず、 基材からの薄膜 の剥離もできなかった。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 平滑な基材上に製膜されたプラスチック薄膜を切断し、
   基材から剥離することにより得られるプラスチック薄膜
   体の製造工程において、該プラスチック薄膜に溶媒を含
   浸させた後に切断することを特徴とするプラスチック薄
   膜の切断方法。