JP3235764B2 - ペリクル膜の製造方法 - Google Patents
ペリクル膜の製造方法Info
- Publication number
- JP3235764B2 JP3235764B2 JP9575295A JP9575295A JP3235764B2 JP 3235764 B2 JP3235764 B2 JP 3235764B2 JP 9575295 A JP9575295 A JP 9575295A JP 9575295 A JP9575295 A JP 9575295A JP 3235764 B2 JP3235764 B2 JP 3235764B2
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- Japan
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- film
- peeling
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はペリクル膜の製造方法、
特にはＬＳＩ、超ＬＳＩなどの半導体デバイスあるいは
液晶表示板を製造する際のゴミよけとして使用されるペ
リクル膜の製造方法に関するものである。
特にはＬＳＩ、超ＬＳＩなどの半導体デバイスあるいは
液晶表示板を製造する際のゴミよけとして使用されるペ
リクル膜の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＬＳＩ、超ＬＳＩなどの半導体デバイス
あるいは液晶表示板などの製造においては、半導体ウエ
ハーあるいは液晶用原板に光を照射してパターニングを
するわけであるが、この場合に用いる露光原版にゴミが
付着していると、このゴミが光を吸収したり、光を反射
してしまうため、転写したパターニングが変形したり、
エッジががさついたりしてしまい、寸法、品質、外観な
どがそこなわれ、半導体装置や液晶表示板などの性能や
製造歩留まりの低下を来すという問題があった。このた
め、これらの作業は通常クリーンルームで行われるが、
このクリーンルーム内でも露光原版を常に正常に保つこ
とが難しいので、露光原版の表面にゴミよけの為の露光
用の光を良く通過させるペリクルを貼着する方法が行わ
れている。
あるいは液晶表示板などの製造においては、半導体ウエ
ハーあるいは液晶用原板に光を照射してパターニングを
するわけであるが、この場合に用いる露光原版にゴミが
付着していると、このゴミが光を吸収したり、光を反射
してしまうため、転写したパターニングが変形したり、
エッジががさついたりしてしまい、寸法、品質、外観な
どがそこなわれ、半導体装置や液晶表示板などの性能や
製造歩留まりの低下を来すという問題があった。このた
め、これらの作業は通常クリーンルームで行われるが、
このクリーンルーム内でも露光原版を常に正常に保つこ
とが難しいので、露光原版の表面にゴミよけの為の露光
用の光を良く通過させるペリクルを貼着する方法が行わ
れている。
【０００３】この場合、ゴミは露光原版の表面には直接
付着せず、ペリクル膜上に付着するため、リソグラフィ
ー時に焦点を露光原版のパターン上に合わせておけば、
ペリクル上のゴミは転写に無関係となるのであるが、こ
のペリクルの貼着は光を良く通過させるニトロセルロー
ス、酢酸セルロースなどからなる透明なペリクル膜をア
ルミニウム、ステンレスなどからなるペリクル枠の上部
にペリクル膜の良溶媒を塗布し、風乾して接着する（特
開昭 58-219023号）か、アクリル樹脂やエポキシ樹脂な
どの接着剤で接着する（米国特許第 4.861.402号、特公
昭 63-27,707号）という方法が採られている。
付着せず、ペリクル膜上に付着するため、リソグラフィ
ー時に焦点を露光原版のパターン上に合わせておけば、
ペリクル上のゴミは転写に無関係となるのであるが、こ
のペリクルの貼着は光を良く通過させるニトロセルロー
ス、酢酸セルロースなどからなる透明なペリクル膜をア
ルミニウム、ステンレスなどからなるペリクル枠の上部
にペリクル膜の良溶媒を塗布し、風乾して接着する（特
開昭 58-219023号）か、アクリル樹脂やエポキシ樹脂な
どの接着剤で接着する（米国特許第 4.861.402号、特公
昭 63-27,707号）という方法が採られている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかして、このペリク
ル膜の製造は、これらの膜材料を溶媒を用いて３〜10％
の濃度の溶液にした後、スピンコーターやナイフコータ
ーを用いる溶液キャスト法でシリコンウエハーやガラス
基板の上で成膜させる方法で行われており、このように
して作られたペリクル膜はこの基板上に成膜された後、
基板から剥離されるのであるが、その方法としては水中
で剥離する方法、水蒸気中で剥離する方法などが提案さ
れている。しかし、水中での剥離では水の汚れはもちろ
んのこと、基板の背面などの水と接触する部分から発生
する異物が水を媒体として膜を汚染してしまう。また水
蒸気中での剥離は水中での剥離のような異物の発生は抑
制することができるが、剥離が行われる空間を完全に水
蒸気雰囲気にすることが必要であり、ペリクルの製造は
一般にクリーンルーム内で行われており、その中で一部
分だけ水蒸気雰囲気等の環境を変えるというのは困難を
伴う。特に液晶用の大きな膜を剥離する場合には、大き
な水蒸気雰囲気を作る装置が必要となることも考える
と、工業化を考えた場合に困難な点が多い。
ル膜の製造は、これらの膜材料を溶媒を用いて３〜10％
の濃度の溶液にした後、スピンコーターやナイフコータ
ーを用いる溶液キャスト法でシリコンウエハーやガラス
基板の上で成膜させる方法で行われており、このように
して作られたペリクル膜はこの基板上に成膜された後、
基板から剥離されるのであるが、その方法としては水中
で剥離する方法、水蒸気中で剥離する方法などが提案さ
れている。しかし、水中での剥離では水の汚れはもちろ
んのこと、基板の背面などの水と接触する部分から発生
する異物が水を媒体として膜を汚染してしまう。また水
蒸気中での剥離は水中での剥離のような異物の発生は抑
制することができるが、剥離が行われる空間を完全に水
蒸気雰囲気にすることが必要であり、ペリクルの製造は
一般にクリーンルーム内で行われており、その中で一部
分だけ水蒸気雰囲気等の環境を変えるというのは困難を
伴う。特に液晶用の大きな膜を剥離する場合には、大き
な水蒸気雰囲気を作る装置が必要となることも考える
と、工業化を考えた場合に困難な点が多い。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、このような不
利を解決したペリクル膜の製造方法に関するもので、基
板表面に形成したペリクル膜を基板表面から剥離する方
法において、クリーンルーム内にクリーンルーム雰囲気
に曝されて設置された冷却板へ接触させることにより、
クリーンルーム内雰囲気の露点温度より僅かに高い温度
まで基板の温度を下げてペリクル膜を基板から剥離する
ことを特徴とするものである。
利を解決したペリクル膜の製造方法に関するもので、基
板表面に形成したペリクル膜を基板表面から剥離する方
法において、クリーンルーム内にクリーンルーム雰囲気
に曝されて設置された冷却板へ接触させることにより、
クリーンルーム内雰囲気の露点温度より僅かに高い温度
まで基板の温度を下げてペリクル膜を基板から剥離する
ことを特徴とするものである。
【０００６】すなわち、本発明者らは基板上に成膜した
ペリクル膜の基板からの剥離方法について種々検討した
結果、このペリクル膜の基板からの剥離工程を、従来の
ような水中または水蒸気とすることなく、基板の温度を
露点温度より僅かに高い温度に下げて大気中で剥離した
ところ、この場合には水中剥離のような汚染拡散がなく
なり、また水蒸気剥離のように特別の環境装置も必要と
しないので、目的とするペリクル膜を容易に、且つ効率
よく得ることができるということを見出して本発明を完
成させた。以下にこれをさらに詳述する。
ペリクル膜の基板からの剥離方法について種々検討した
結果、このペリクル膜の基板からの剥離工程を、従来の
ような水中または水蒸気とすることなく、基板の温度を
露点温度より僅かに高い温度に下げて大気中で剥離した
ところ、この場合には水中剥離のような汚染拡散がなく
なり、また水蒸気剥離のように特別の環境装置も必要と
しないので、目的とするペリクル膜を容易に、且つ効率
よく得ることができるということを見出して本発明を完
成させた。以下にこれをさらに詳述する。
【０００７】
【作用】本発明はペリクル膜の製造方法に関するもので
あり、これはペリクル膜の基板からの剥離工程を、基板
の温度を露点温度より僅かに高い温度に下げて行なうこ
とを特徴とするものであり、これによればペリクル膜の
基板からの剥離工程を水中で行なう方法に比べて汚染拡
散が少なくなるという有利性が与えられ、この剥離工程
を水蒸気中で行なう方法に比べて水蒸気雰囲気を作る必
要がないという有利性が与えられる。
あり、これはペリクル膜の基板からの剥離工程を、基板
の温度を露点温度より僅かに高い温度に下げて行なうこ
とを特徴とするものであり、これによればペリクル膜の
基板からの剥離工程を水中で行なう方法に比べて汚染拡
散が少なくなるという有利性が与えられ、この剥離工程
を水蒸気中で行なう方法に比べて水蒸気雰囲気を作る必
要がないという有利性が与えられる。
【０００８】したがって、本発明によるペリクル膜の製
造は、常法にしたがってペリクル膜形成材料を溶剤に溶
解して濃度が３〜10％の溶液を作り、この溶液をスピン
コーターやナイフコーターなどを用いて溶液キャスター
法でシリコン基板やガラス基板の上にペリクル膜を成膜
したのち、これを基板から剥離してペリクル膜を作成す
るときに、このペリクル膜の基板からの剥離を基板の温
度を露点温度より僅かに高い温度に下げて行なえばよ
い。
造は、常法にしたがってペリクル膜形成材料を溶剤に溶
解して濃度が３〜10％の溶液を作り、この溶液をスピン
コーターやナイフコーターなどを用いて溶液キャスター
法でシリコン基板やガラス基板の上にペリクル膜を成膜
したのち、これを基板から剥離してペリクル膜を作成す
るときに、このペリクル膜の基板からの剥離を基板の温
度を露点温度より僅かに高い温度に下げて行なえばよ
い。
【０００９】この場合におけるペリクル膜の基板からの
剥離は、基板の温度を露点温度より僅かに高い温度まで
下げるのであるが、実際の方法は冷却板を露点温度に近
づけて一定温度とし、その上に基板をおいて基板の温度
を下げればよいが、ペリクルは一般にクリーンルームで
製造され、クリーンルームは恒温恒湿であるため、普通
露点も一定になっている。例えばクリーンルームが温度
23℃、相対湿度50％であるときの露点温度は10.8℃であ
るので、この冷却板を11℃にし、この冷却板に基板を載
せて冷却すれば基板を露点温度10.8℃より僅かに高い11
℃に保つことができる。
剥離は、基板の温度を露点温度より僅かに高い温度まで
下げるのであるが、実際の方法は冷却板を露点温度に近
づけて一定温度とし、その上に基板をおいて基板の温度
を下げればよいが、ペリクルは一般にクリーンルームで
製造され、クリーンルームは恒温恒湿であるため、普通
露点も一定になっている。例えばクリーンルームが温度
23℃、相対湿度50％であるときの露点温度は10.8℃であ
るので、この冷却板を11℃にし、この冷却板に基板を載
せて冷却すれば基板を露点温度10.8℃より僅かに高い11
℃に保つことができる。
【００１０】このようにして基板温度を露点温度より僅
かに高い温度にまで冷却してから、この基板からペリク
ル膜を剥離すると、基板を剥離するときの環境全体を水
蒸気雰囲気にすることなく、剥離に必要な基板表面だけ
を選択的に水蒸気雰囲気にすることができるので、ペリ
クル膜を容易に、かつ効率よく剥離することができる
が、基板の温度を露点温度以下にすると基板表面に水滴
がつき、膜を汚染してしまうので、この基板温度は露点
以下にしないことが必要とされる。
かに高い温度にまで冷却してから、この基板からペリク
ル膜を剥離すると、基板を剥離するときの環境全体を水
蒸気雰囲気にすることなく、剥離に必要な基板表面だけ
を選択的に水蒸気雰囲気にすることができるので、ペリ
クル膜を容易に、かつ効率よく剥離することができる
が、基板の温度を露点温度以下にすると基板表面に水滴
がつき、膜を汚染してしまうので、この基板温度は露点
以下にしないことが必要とされる。
【００１１】
【実施例】つぎに本発明の実施例、比較例をあげる。 実施例、比較例１〜２ 膜材料としてのサイトップCTX-S ［旭硝子（株）製商品
名］をその溶媒・ CTsolv 180［旭硝子（株）製商品
名］に溶解して５重量％溶液とした。ついで、この溶液
を直径 200mm、厚さ３mmの表面研磨した石英基板に、ス
ピンコーターを用いて膜厚0.82μｍの透明膜として形成
させ、 180℃で15分間乾燥してペリクル膜を成膜した。
名］をその溶媒・ CTsolv 180［旭硝子（株）製商品
名］に溶解して５重量％溶液とした。ついで、この溶液
を直径 200mm、厚さ３mmの表面研磨した石英基板に、ス
ピンコーターを用いて膜厚0.82μｍの透明膜として形成
させ、 180℃で15分間乾燥してペリクル膜を成膜した。
【００１２】つぎに温度23℃、相対湿度50％のクリーン
ルーム内で、11℃に冷却した冷却板にこのペリクル膜を
成膜した基板を載せて、この基板を11℃まで冷却したの
ち、膜を剥離したところ、表１に示したように容易に良
好なペリクル膜が得られた。しかし、比較のためにこの
冷却板の温度をこの23℃、相対湿度50％という条件下に
おける露点温度10.8℃より高い16℃、23℃とし、この冷
却板により基板の温度を16℃、23℃としてペリクル膜の
剥離をしたところ、表１に示したように16℃では剥離は
できたが膜にシワが発生し、23℃では膜が破れるという
不利が発生した。
ルーム内で、11℃に冷却した冷却板にこのペリクル膜を
成膜した基板を載せて、この基板を11℃まで冷却したの
ち、膜を剥離したところ、表１に示したように容易に良
好なペリクル膜が得られた。しかし、比較のためにこの
冷却板の温度をこの23℃、相対湿度50％という条件下に
おける露点温度10.8℃より高い16℃、23℃とし、この冷
却板により基板の温度を16℃、23℃としてペリクル膜の
剥離をしたところ、表１に示したように16℃では剥離は
できたが膜にシワが発生し、23℃では膜が破れるという
不利が発生した。
【００１３】
【表１】
【００１４】
【発明の効果】本発明はペリクル膜の製造方法に関する
ものであり、これによれば水中剥離のときのような汚染
拡散がなくなり、また水蒸気剥離のように特別の環境装
置も必要としない剥離が可能となるし、目的とするペリ
クル膜を容易に、且つ効率よく得ることができるという
有利性が与えられる。
ものであり、これによれば水中剥離のときのような汚染
拡散がなくなり、また水蒸気剥離のように特別の環境装
置も必要としない剥離が可能となるし、目的とするペリ
クル膜を容易に、且つ効率よく得ることができるという
有利性が与えられる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平６−148873（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−34323（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−50001（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−170844（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】 基板表面に形成したペリクル膜を基板表
面から剥離する方法において、クリーンルーム内にクリ
ーンルーム雰囲気に曝されて設置された冷却板へ接触さ
せることにより、クリーンルーム内雰囲気の露点温度よ
り僅かに高い温度まで基板の温度を下げてペリクル膜を
基板から剥離することを特徴とするペリクル膜の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9575295A JP3235764B2 (ja) | 1995-04-21 | 1995-04-21 | ペリクル膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9575295A JP3235764B2 (ja) | 1995-04-21 | 1995-04-21 | ペリクル膜の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08292552A JPH08292552A (ja) | 1996-11-05 |
| JP3235764B2 true JP3235764B2 (ja) | 2001-12-04 |
Family
ID=14146242
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9575295A Expired - Lifetime JP3235764B2 (ja) | 1995-04-21 | 1995-04-21 | ペリクル膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3235764B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105807823A (zh) * | 2016-04-15 | 2016-07-27 | 玖誉科技有限公司 | 一种电子制冷片控制系统及其电路 |
-
1995
- 1995-04-21 JP JP9575295A patent/JP3235764B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08292552A (ja) | 1996-11-05 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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