JP3249233B2 - 犠牲金属層を有する多重レベル深ｘ線リトグラフィによる微小構造体の形成 - Google Patents
犠牲金属層を有する多重レベル深ｘ線リトグラフィによる微小構造体の形成Info
- Publication number
- JP3249233B2 JP3249233B2 JP8857893A JP8857893A JP3249233B2 JP 3249233 B2 JP3249233 B2 JP 3249233B2 JP 8857893 A JP8857893 A JP 8857893A JP 8857893 A JP8857893 A JP 8857893A JP 3249233 B2 JP3249233 B2 JP 3249233B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal
- layer
- photoresist
- electroplating
- exposing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 187
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims abstract description 187
- 238000001015 X-ray lithography Methods 0.000 title description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 97
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 74
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims abstract description 42
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 claims abstract description 28
- 150000002739 metals Chemical group 0.000 claims abstract description 16
- 238000003754 machining Methods 0.000 claims abstract description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 36
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 claims description 26
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 claims description 26
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 25
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 14
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 9
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims description 7
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims description 7
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 7
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 6
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 6
- 239000003518 caustics Substances 0.000 claims description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 2
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000004874 x-ray synchrotron radiation Methods 0.000 claims 1
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 3
- 239000011800 void material Substances 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 87
- 238000011161 development Methods 0.000 description 11
- 239000010408 film Substances 0.000 description 9
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 8
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 3
- 231100001010 corrosive Toxicity 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 230000000877 morphologic effect Effects 0.000 description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCCOCCOCCO OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N Hydrazine Chemical compound NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YNAVUWVOSKDBBP-UHFFFAOYSA-N Morpholine Chemical compound C1COCCN1 YNAVUWVOSKDBBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002318 adhesion promoter Substances 0.000 description 2
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 2
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 2
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 2
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- LFAGQMCIGQNPJG-UHFFFAOYSA-N silver cyanide Chemical compound [Ag+].N#[C-] LFAGQMCIGQNPJG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229940098221 silver cyanide Drugs 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 230000005469 synchrotron radiation Effects 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- RNAMYOYQYRYFQY-UHFFFAOYSA-N 2-(4,4-difluoropiperidin-1-yl)-6-methoxy-n-(1-propan-2-ylpiperidin-4-yl)-7-(3-pyrrolidin-1-ylpropoxy)quinazolin-4-amine Chemical compound N1=C(N2CCC(F)(F)CC2)N=C2C=C(OCCCN3CCCC3)C(OC)=CC2=C1NC1CCN(C(C)C)CC1 RNAMYOYQYRYFQY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JTXMVXSTHSMVQF-UHFFFAOYSA-N 2-acetyloxyethyl acetate Chemical compound CC(=O)OCCOC(C)=O JTXMVXSTHSMVQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JMWGZSWSTCGVLX-UHFFFAOYSA-N 2-ethyl-2-(hydroxymethyl)propane-1,3-diol;2-methylprop-2-enoic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O.CC(=C)C(O)=O.CC(=C)C(O)=O.CCC(CO)(CO)CO JMWGZSWSTCGVLX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XDLMVUHYZWKMMD-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOC(=O)C(C)=C XDLMVUHYZWKMMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 1
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N ethylene glycol Substances OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 238000010002 mechanical finishing Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 239000002905 metal composite material Substances 0.000 description 1
- 238000005459 micromachining Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- KERTUBUCQCSNJU-UHFFFAOYSA-L nickel(2+);disulfamate Chemical compound [Ni+2].NS([O-])(=O)=O.NS([O-])(=O)=O KERTUBUCQCSNJU-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 230000005658 nuclear physics Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- IIACRCGMVDHOTQ-UHFFFAOYSA-M sulfamate Chemical compound NS([O-])(=O)=O IIACRCGMVDHOTQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000006188 syrup Substances 0.000 description 1
- 235000020357 syrup Nutrition 0.000 description 1
- 238000005382 thermal cycling Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000007704 wet chemistry method Methods 0.000 description 1
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D71/00—Semi-permeable membranes for separation processes or apparatus characterised by the material; Manufacturing processes specially adapted therefor
- B01D71/02—Inorganic material
- B01D71/0215—Silicon carbide; Silicon nitride; Silicon oxycarbide
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D71/00—Semi-permeable membranes for separation processes or apparatus characterised by the material; Manufacturing processes specially adapted therefor
- B01D71/02—Inorganic material
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/094—Multilayer resist systems, e.g. planarising layers
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Architecture (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Micromachines (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、一般に半導体および微
小機械装置ならびにその加工技術の分野、特に金属で形
成される超小型構造体の形成に関する。
小機械装置ならびにその加工技術の分野、特に金属で形
成される超小型構造体の形成に関する。
【０００２】
【従来の技術】深Ｘ線リトグラフィ(deep X-ray lithog
raphy)は、一般に厚さ数百ミクロンの厚いフォトレジス
トにより被覆されマスクを介してＸ線暴露される支持体
を含む。Ｘ線光子は光光子より非常にエネルギーが高
く、これにより厚いフォトレジストフィルムの完全な暴
露を可能にしそして実際的にする。さらに、Ｘ線光子は
短かい波長粒子であるので、一般には暴露する放射線の
２〜３波長に装置寸法を制限する回折作用が、0.１μ以
上のマスク寸法では存在しない。Ｘ線光子が原子力処理
により吸収されるという事実をこれに加えるならば、一
般に光学的手段による厚いフォトレジストの暴露を制限
する定常波問題がＸ線暴露については問題ではなくな
る。Ｘ線発生源にシンクロトロンを使用すると、優れた
コリメーションと合わせて高い磁束密度−１平方センチ
メーター当り数ワット−を得る結果となり、いかなる水
平方向の流失もなく厚いフォトレジスト暴露が得られ
る。それゆえ、局所的に暴露された図形は暴露および非
暴露フォトレジスト間の非常に高い選択性を有する現像
システムが利用可能な場合、縦方向のフォトレジスト壁
を作る。この要求はＸ線フォトレジストとしてポリメチ
ルメタクリレート（ＰＭＭＡ）および水性現像システム
に対して満足のいくものになる。エッチ．グッケル（H.
Guckel)ら、" Deep X-Ray and UV Lithographies For
Micromechanics" 、技術要約書、ソリッド ステート
センサー アンド アクチュエーター ワークショッ
プ、ヒルトンヘッド、エス．シィ．、１９９０年６月４
−７、ｐ１１８〜１２２参照。
raphy)は、一般に厚さ数百ミクロンの厚いフォトレジス
トにより被覆されマスクを介してＸ線暴露される支持体
を含む。Ｘ線光子は光光子より非常にエネルギーが高
く、これにより厚いフォトレジストフィルムの完全な暴
露を可能にしそして実際的にする。さらに、Ｘ線光子は
短かい波長粒子であるので、一般には暴露する放射線の
２〜３波長に装置寸法を制限する回折作用が、0.１μ以
上のマスク寸法では存在しない。Ｘ線光子が原子力処理
により吸収されるという事実をこれに加えるならば、一
般に光学的手段による厚いフォトレジストの暴露を制限
する定常波問題がＸ線暴露については問題ではなくな
る。Ｘ線発生源にシンクロトロンを使用すると、優れた
コリメーションと合わせて高い磁束密度−１平方センチ
メーター当り数ワット−を得る結果となり、いかなる水
平方向の流失もなく厚いフォトレジスト暴露が得られ
る。それゆえ、局所的に暴露された図形は暴露および非
暴露フォトレジスト間の非常に高い選択性を有する現像
システムが利用可能な場合、縦方向のフォトレジスト壁
を作る。この要求はＸ線フォトレジストとしてポリメチ
ルメタクリレート（ＰＭＭＡ）および水性現像システム
に対して満足のいくものになる。エッチ．グッケル（H.
Guckel)ら、" Deep X-Ray and UV Lithographies For
Micromechanics" 、技術要約書、ソリッド ステート
センサー アンド アクチュエーター ワークショッ
プ、ヒルトンヘッド、エス．シィ．、１９９０年６月４
−７、ｐ１１８〜１２２参照。
【０００３】深Ｘ線リトグラフィを電気めっきと組合わ
せて高いアスペクト比の構造体を形成することができ
る。これには支持体に適当なめっき基材を付けてからフ
ォトレジストを施こすことが必要である。一般にこれは
接着性金属たとえばクロムまたはチタンのスパッターフ
ィルムとこれに続くめっきされるべき金属の薄層フィル
ムを含む。適当なマスクを介した暴露および現像を電気
めっきに続いて行なう。掃除後、非常に高アスペクト比
の完全に結合した金属構造体が得られる。このような構
造体は、ダブリュ．エルフェルド（W. Ehrfeld) および
協力者達（西ドイツ国、カールシュルーエ大学の核物理
学研究所（the Institute for Nuclear Physics at the
University of Karlsruhe in West Germany) により報
告されている。エルフェルドはリトグラフィおよび電気
めっきについてのドイツ語による最初の論文に基づいて
この方法を“ＬＩＧＡ”と命名した。ＬＩＧＡ法の一般
的文献は、ダブリュ．エルフェルドらによる記事“ＬＩ
ＧＡ法：センサー コンストラクション テクニックス
ビア Ｘ−レイ リトグラフィ（Sensor Constructio
n Techniques Via X-Ray Lithography)"、技術要約書、
IEEE Solid-State Sensor and Actuator Workshop,１９
８８、ｐ１〜４）に示されている。
せて高いアスペクト比の構造体を形成することができ
る。これには支持体に適当なめっき基材を付けてからフ
ォトレジストを施こすことが必要である。一般にこれは
接着性金属たとえばクロムまたはチタンのスパッターフ
ィルムとこれに続くめっきされるべき金属の薄層フィル
ムを含む。適当なマスクを介した暴露および現像を電気
めっきに続いて行なう。掃除後、非常に高アスペクト比
の完全に結合した金属構造体が得られる。このような構
造体は、ダブリュ．エルフェルド（W. Ehrfeld) および
協力者達（西ドイツ国、カールシュルーエ大学の核物理
学研究所（the Institute for Nuclear Physics at the
University of Karlsruhe in West Germany) により報
告されている。エルフェルドはリトグラフィおよび電気
めっきについてのドイツ語による最初の論文に基づいて
この方法を“ＬＩＧＡ”と命名した。ＬＩＧＡ法の一般
的文献は、ダブリュ．エルフェルドらによる記事“ＬＩ
ＧＡ法：センサー コンストラクション テクニックス
ビア Ｘ−レイ リトグラフィ（Sensor Constructio
n Techniques Via X-Ray Lithography)"、技術要約書、
IEEE Solid-State Sensor and Actuator Workshop,１９
８８、ｐ１〜４）に示されている。
【０００４】もともとのＬＩＧＡ法が有する困難は、完
全に結合した金属構造体を作れるにすぎないということ
である。このために使用可能な範囲は厳しくそして不必
要に制限される。ＬＩＧＡ法への犠牲層(sacrificial l
ayer) を追加することにより、完全に結合した、部分的
に結合した、または全く自由な金属構造体の組立てが容
易になる。装置の厚さは一般に１０ミクロンより大きく
３００ミクロンより小さいので、自立している構造体
は、めっきされたフィルムに対する適正な応力変形コン
トロールが達成される場合には、幾何学的変形をしない
であろう。この事実はミクロ機械加工における組立てを
可能にし、それによりほとんど任意の三次元構造体を与
える。エイチ．グッケル（H. Guckel)ら、“Fabricatio
n of Assembled Micromechanical Components via Deep
X-Ray Lithography" 、Proceadings of IEEEMicro Ele
ctro Mechanical Systems、１月３０日〜２月２日、１
９９１、ｐ７４〜７９参照。原理的には、各暴露後に金
属の追加の層を電気めっきをしながらフォトレジストの
何回かのＸ線暴露を実施することにより、犠牲層を有す
るかまたは有しないＬＩＧＡ法の拡大をすることが可能
である。しかしながら、通常のＬＩＧＡ法の拡大には形
態学的ならびに実際的な困難性がある。形態学的問題は
電気めっきの間に電気的接触がめっき基材に対して確立
されなければならないという事実に由来するものであ
る。Ｘ線フォトレジストが絶縁体であるので、フォトレ
ジストのＸ線暴露および現像後の電気的接触は、下層に
あるめっき基材とそれ自体接触している予め付着した金
属構造体を介してのみ生ずることができる。これは、許
容される第二のＸ線マスクの形態が第一のマスクの形態
中に常に完全に含まれる形態を含まなければならないこ
とを意味する。従って、絶えず直径が減少するステップ
を有するシャフトを構成することはできよう。しかしな
がら、最初に小さな径でより大きな直径またはギアへ拡
がる第二の層を有するシャフトは不可能である。第二の
問題は、方法の実際性に関係するものである。Ｘ線フォ
トレジストの暴露および現像ならびに引き続く電気めっ
きは、フォトレジストの亀裂およびヒビ割れを起こす。
フォトレジストに対する損傷は第二のフォトレジスト層
を施こすことにより部分的に修復されるとはいえ、フォ
トレジストの追加層はフォトレジストの応力変形を増加
しそしてフォトレジストの幾何的変形が起きやすくな
る。
全に結合した金属構造体を作れるにすぎないということ
である。このために使用可能な範囲は厳しくそして不必
要に制限される。ＬＩＧＡ法への犠牲層(sacrificial l
ayer) を追加することにより、完全に結合した、部分的
に結合した、または全く自由な金属構造体の組立てが容
易になる。装置の厚さは一般に１０ミクロンより大きく
３００ミクロンより小さいので、自立している構造体
は、めっきされたフィルムに対する適正な応力変形コン
トロールが達成される場合には、幾何学的変形をしない
であろう。この事実はミクロ機械加工における組立てを
可能にし、それによりほとんど任意の三次元構造体を与
える。エイチ．グッケル（H. Guckel)ら、“Fabricatio
n of Assembled Micromechanical Components via Deep
X-Ray Lithography" 、Proceadings of IEEEMicro Ele
ctro Mechanical Systems、１月３０日〜２月２日、１
９９１、ｐ７４〜７９参照。原理的には、各暴露後に金
属の追加の層を電気めっきをしながらフォトレジストの
何回かのＸ線暴露を実施することにより、犠牲層を有す
るかまたは有しないＬＩＧＡ法の拡大をすることが可能
である。しかしながら、通常のＬＩＧＡ法の拡大には形
態学的ならびに実際的な困難性がある。形態学的問題は
電気めっきの間に電気的接触がめっき基材に対して確立
されなければならないという事実に由来するものであ
る。Ｘ線フォトレジストが絶縁体であるので、フォトレ
ジストのＸ線暴露および現像後の電気的接触は、下層に
あるめっき基材とそれ自体接触している予め付着した金
属構造体を介してのみ生ずることができる。これは、許
容される第二のＸ線マスクの形態が第一のマスクの形態
中に常に完全に含まれる形態を含まなければならないこ
とを意味する。従って、絶えず直径が減少するステップ
を有するシャフトを構成することはできよう。しかしな
がら、最初に小さな径でより大きな直径またはギアへ拡
がる第二の層を有するシャフトは不可能である。第二の
問題は、方法の実際性に関係するものである。Ｘ線フォ
トレジストの暴露および現像ならびに引き続く電気めっ
きは、フォトレジストの亀裂およびヒビ割れを起こす。
フォトレジストに対する損傷は第二のフォトレジスト層
を施こすことにより部分的に修復されるとはいえ、フォ
トレジストの追加層はフォトレジストの応力変形を増加
しそしてフォトレジストの幾何的変形が起きやすくな
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題および課題を解決するた
めの手段】本発明によれば、ほとんど任意の三次元形状
を形成することができる多重マスク暴露を用いて、複雑
な金属構造体を超小型寸法で形成することができる。こ
れらの形状は、支持体上に形成され突出部を有する構造
体および水圧ならびに空圧用に利用されうる管状構造体
を含み、そして犠牲層上に形成される部品は次の組立て
のために支持体からの部品の完全な除去を可能にする。
この方法は特に深Ｘ線リトグラフィに非常に適してお
り、金属構造体を比較的厚いフォトレジストのＸ線暴露
により形成し暴露されたフォトレジストを除去した区域
へ金属を電気めっきして、その結果たとえば厚さ１００
〜３００ミクロメーターのようなかなりの高さまで形成
される非常に良好に画成された垂直壁を有する構造体が
得られる。
めの手段】本発明によれば、ほとんど任意の三次元形状
を形成することができる多重マスク暴露を用いて、複雑
な金属構造体を超小型寸法で形成することができる。こ
れらの形状は、支持体上に形成され突出部を有する構造
体および水圧ならびに空圧用に利用されうる管状構造体
を含み、そして犠牲層上に形成される部品は次の組立て
のために支持体からの部品の完全な除去を可能にする。
この方法は特に深Ｘ線リトグラフィに非常に適してお
り、金属構造体を比較的厚いフォトレジストのＸ線暴露
により形成し暴露されたフォトレジストを除去した区域
へ金属を電気めっきして、その結果たとえば厚さ１００
〜３００ミクロメーターのようなかなりの高さまで形成
される非常に良好に画成された垂直壁を有する構造体が
得られる。
【０００６】本発明の方法を行うにあたり、めっき基材
を最初に支持体へ施こすが、または適当な場合には、金
属支持体自体がめっき基材として機能することもある。
形成される部品が後で支持体から部分的にまたは完全に
除去されるべき場合には、めっき基材を支持体上の最初
の犠牲層上に施こす。次いでフォトレジストをめっき基
材上にキャストし、フォトレジストを、たとえばシンク
ロトロン放射に対するＸ線マスクを介して図形状に暴露
し、そして暴露されたフォトレジストを除去する。つい
で、第一の金属の第一の層を露出しためっき基材へ電気
めっきしてフォトレジストの欠失により画成された区域
を充てんする。その後、残りのフォトレジストを除き、
犠牲金属を構成しうる第二の金属を、予め付着した第一
の金属の第一の層およびめっき基材上に電気めっきす
る。第二の金属を犠牲金属として利用すべき場合、これ
は第一の金属を実質的に攻撃しない選択された腐蝕剤に
より区別して腐蝕されるように選択される。次いで付着
した第二の金属の露出表面を次いで機械仕上げして第一
の金属を露出する高さまで下げる。たとえば機械的研削
または研磨のような機械仕上げにより、第一および第二
の金属の両方にわたって広がるほとんど平らで均質な表
面が得られ、そして第一の金属の第一の層の厚みを正確
に調節することができ、特に、第一の金属の露出表面を
ほとんど平滑に形成することができる。対照的に、機械
仕上げ前の電気めっきされた金属それ自体は平らな表面
でなく厚さが十分に調節されない。さらに、第一の金属
の第一の層に対する平滑な表面は、同様にめっきされる
金属の荒い表面よりその上に電気めっきされる第二の層
を受けるのにより一層適している。
を最初に支持体へ施こすが、または適当な場合には、金
属支持体自体がめっき基材として機能することもある。
形成される部品が後で支持体から部分的にまたは完全に
除去されるべき場合には、めっき基材を支持体上の最初
の犠牲層上に施こす。次いでフォトレジストをめっき基
材上にキャストし、フォトレジストを、たとえばシンク
ロトロン放射に対するＸ線マスクを介して図形状に暴露
し、そして暴露されたフォトレジストを除去する。つい
で、第一の金属の第一の層を露出しためっき基材へ電気
めっきしてフォトレジストの欠失により画成された区域
を充てんする。その後、残りのフォトレジストを除き、
犠牲金属を構成しうる第二の金属を、予め付着した第一
の金属の第一の層およびめっき基材上に電気めっきす
る。第二の金属を犠牲金属として利用すべき場合、これ
は第一の金属を実質的に攻撃しない選択された腐蝕剤に
より区別して腐蝕されるように選択される。次いで付着
した第二の金属の露出表面を次いで機械仕上げして第一
の金属を露出する高さまで下げる。たとえば機械的研削
または研磨のような機械仕上げにより、第一および第二
の金属の両方にわたって広がるほとんど平らで均質な表
面が得られ、そして第一の金属の第一の層の厚みを正確
に調節することができ、特に、第一の金属の露出表面を
ほとんど平滑に形成することができる。対照的に、機械
仕上げ前の電気めっきされた金属それ自体は平らな表面
でなく厚さが十分に調節されない。さらに、第一の金属
の第一の層に対する平滑な表面は、同様にめっきされる
金属の荒い表面よりその上に電気めっきされる第二の層
を受けるのにより一層適している。
【０００７】第二のまたは犠牲金属を第一の金属の第一
の層を完全に覆うために用いると、第二の金属が取り囲
んで支持する第一の金属に対して第二の金属がもたらす
機械的安定性のために、第一および第二の金属の両方の
表面を機械仕上げして第一の金属の表面を所望の高さま
で減らすことが容易になる。対照的に、このような機械
仕上げはポリマーフォトレジストが第一の金属に隣接し
て残っている場合には困難であるかまたは不可能であ
る；フォトレジストは機械的には比較的弱くそしてこれ
を研磨するとぼろぼろになりそして引裂かれるであろう
し、そして比較的小さく脆いことがある第一の金属の構
造体を水平方向に支持するには十分な強度ではないの
で、フォトレジストと第一の金属の両方を通して機械仕
上げをすることは一般にはできない。同様に、フォトレ
ジストを除きそしてここで分離された第一の金属の構造
体の機械仕上げを試みた場合、このような機械仕上げは
非常に困難でありそしてたとえば支持体から第一の金属
の構造体の一部を引き裂くようなかなりの損傷を冒す危
険がある。
の層を完全に覆うために用いると、第二の金属が取り囲
んで支持する第一の金属に対して第二の金属がもたらす
機械的安定性のために、第一および第二の金属の両方の
表面を機械仕上げして第一の金属の表面を所望の高さま
で減らすことが容易になる。対照的に、このような機械
仕上げはポリマーフォトレジストが第一の金属に隣接し
て残っている場合には困難であるかまたは不可能であ
る；フォトレジストは機械的には比較的弱くそしてこれ
を研磨するとぼろぼろになりそして引裂かれるであろう
し、そして比較的小さく脆いことがある第一の金属の構
造体を水平方向に支持するには十分な強度ではないの
で、フォトレジストと第一の金属の両方を通して機械仕
上げをすることは一般にはできない。同様に、フォトレ
ジストを除きそしてここで分離された第一の金属の構造
体の機械仕上げを試みた場合、このような機械仕上げは
非常に困難でありそしてたとえば支持体から第一の金属
の構造体の一部を引き裂くようなかなりの損傷を冒す危
険がある。
【０００８】第一および第二の金属の第一の層を機械仕
上げにより所望のレベルまで下げた後、第二のフォトレ
ジスト層を第一および第二の金属の両者の上へ施こし、
次いでフォトレジストを所望の図形状にＸ線暴露しても
よく、第一の金属の少なくとも一部を被覆しそして第二
の金属の上に広がるフォトレジストが得られる。次いで
暴露されたフォトレジストを除去し、一般には必ずしも
第一の金属の第一の層と同じ金属ではない第一の金属の
第二の層をフォトレジストの区域に電気めっきし、第一
の金属の第一の層の少なくとも一部ならびに第二の金属
の第一の層の一部をも被覆する。第一および第二の金属
の両方ともが電気の導体であるので、電気めっきはこれ
らの材料の両者の上に形成することがてきる。次いでフ
ォトレジストを除去する。この時点で、二層のみが所望
される場合、第二の金属を区別して腐蝕するが第一の金
属を腐蝕しない腐蝕剤を用いて第二の金属を除去し支持
体上に分離した第一の金属の二層構造体を残すことがで
きる。この構造体を支持体から取りはずさなければなら
ない場合、めっき基材にその後図形を形成して構造体の
周囲を除去し、めっき基材下の犠牲層を溶かして構造体
を取り外す。
上げにより所望のレベルまで下げた後、第二のフォトレ
ジスト層を第一および第二の金属の両者の上へ施こし、
次いでフォトレジストを所望の図形状にＸ線暴露しても
よく、第一の金属の少なくとも一部を被覆しそして第二
の金属の上に広がるフォトレジストが得られる。次いで
暴露されたフォトレジストを除去し、一般には必ずしも
第一の金属の第一の層と同じ金属ではない第一の金属の
第二の層をフォトレジストの区域に電気めっきし、第一
の金属の第一の層の少なくとも一部ならびに第二の金属
の第一の層の一部をも被覆する。第一および第二の金属
の両方ともが電気の導体であるので、電気めっきはこれ
らの材料の両者の上に形成することがてきる。次いでフ
ォトレジストを除去する。この時点で、二層のみが所望
される場合、第二の金属を区別して腐蝕するが第一の金
属を腐蝕しない腐蝕剤を用いて第二の金属を除去し支持
体上に分離した第一の金属の二層構造体を残すことがで
きる。この構造体を支持体から取りはずさなければなら
ない場合、めっき基材にその後図形を形成して構造体の
周囲を除去し、めっき基材下の犠牲層を溶かして構造体
を取り外す。
【０００９】あるいは、第二の金属の第一の層を適所に
残しそして第二の金属の第二の層を第一の金属の第二の
層および第二の金属の第一の層の両者のうえに付着させ
てもよい。電気めっき後、露出された表面を機械仕上げ
して多層構造体の全体的高さを所望のレベルまで下げそ
して第一の金属の第二の層を露出する。この時点で、上
記した方法すなわちフォトレジストのキャスト、フォト
レジストの暴露、暴露されたフォトレジストの除去およ
び第一の金属の第三の層の付着を繰り返すことができ
る。この方法は適宜多くの層に対し繰り返すことができ
る。
残しそして第二の金属の第二の層を第一の金属の第二の
層および第二の金属の第一の層の両者のうえに付着させ
てもよい。電気めっき後、露出された表面を機械仕上げ
して多層構造体の全体的高さを所望のレベルまで下げそ
して第一の金属の第二の層を露出する。この時点で、上
記した方法すなわちフォトレジストのキャスト、フォト
レジストの暴露、暴露されたフォトレジストの除去およ
び第一の金属の第三の層の付着を繰り返すことができ
る。この方法は適宜多くの層に対し繰り返すことができ
る。
【００１０】複雑な構造体、たとえば中空管および橋か
け構造体は、第一の金属の第一の層で形成される２個以
上の構造体の間に第一の金属の第二の層を橋渡しさせる
ことにより容易に形成されうる。本発明の別の目的、特
徴および利点は、添付の図面と組合わせた場合以下の詳
細な記載から明らかであろう。
け構造体は、第一の金属の第一の層で形成される２個以
上の構造体の間に第一の金属の第二の層を橋渡しさせる
ことにより容易に形成されうる。本発明の別の目的、特
徴および利点は、添付の図面と組合わせた場合以下の詳
細な記載から明らかであろう。
【００１１】本発明において、微小構造体は様々な支持
体たとえばシリコン、ゲルマニウム、金属、セラミッ
ク、ガラス等において形成されうる。このような支持体
には、通常の平坦法を利用して形成された電気的装置上
の半導体支持体が含まれる。本発明は、たとえばシンク
ロトロン放射線を用いたＸ線暴露により、フォトレジス
トの放射線深暴露を利用するとはいえ、何らの構造体も
形成されるべきでない支持体の一部をこれらが実質的に
放射線暴露されないようにマスクすることもできる。さ
らに、軽度な放射線損傷は暴露後にアニール除去するこ
ともできる。すなわち、本発明方法はマイクロ電子工学
工業に合致するものであり、マイクロ電子工学半導体支
持体上の機械的構造体の集成を可能にする。
体たとえばシリコン、ゲルマニウム、金属、セラミッ
ク、ガラス等において形成されうる。このような支持体
には、通常の平坦法を利用して形成された電気的装置上
の半導体支持体が含まれる。本発明は、たとえばシンク
ロトロン放射線を用いたＸ線暴露により、フォトレジス
トの放射線深暴露を利用するとはいえ、何らの構造体も
形成されるべきでない支持体の一部をこれらが実質的に
放射線暴露されないようにマスクすることもできる。さ
らに、軽度な放射線損傷は暴露後にアニール除去するこ
ともできる。すなわち、本発明方法はマイクロ電子工学
工業に合致するものであり、マイクロ電子工学半導体支
持体上の機械的構造体の集成を可能にする。
【００１２】本発明の基本的方法を図１〜図９の図面を
参照しつつ説明する。図１において、最初の支持体３０
は上記したように半導体、絶縁体等を含む様々な物質を
含むものである。支持体３０は導電性金属からなること
もある。このような場合、めっき基材を必要としないこ
ともある。しかしなから、一般には、めっき基材３１
を、例えばスパッター法により支持体３０の最上面へ蒸
着し、次いでフォトレジスト３３、例えばポリメチルメ
タクリレート（ＰＭＭＡ）を所望の厚さまでキャストす
る。図２に示すように、次の工程はフォトレジストを所
望の形状にＸ線暴露して溶解する工程、および第一の金
属たとえばニッケルの第一の層の電気めっき工程を含
む。使用する放射線の種類、暴露の深さおよび利用可能
なフォトレジストの性質により、陽性または陰性フォト
レジストを使用してもよいことが明らかである。次に、
図３に示すように、フォトレジスト３３を除き、第二の
金属３６を第一の金属の第一の層上および露出しためっ
き基材３１上に電気めっきする。例えば、第一の金属が
ニッケルである場合、第二の金属として銀を利用しても
よい。次に、図４に示すように、第一の金属３４が露出
し、そしてほとんど均質な平坦表面３７が第一の金属３
４および第二の金属３６の両方ともにわたって広がり形
成されるまで微小研磨する。この時点で、第二の金属３
６を腐蝕により選択的に除去し、これにより表面全体が
良好に画成された単層構造体を作ってもよい。この除去
は、第二の金属を腐蝕するが第一の金属を腐蝕しない腐
蝕剤を用いて行うことができる。第二の金属は第一の金
属と類似の機械的特性を有するので、第二の金属は十分
完全に密着した構造体を提供し、たとえば研磨のような
迅速な機械処理を可能にする。
参照しつつ説明する。図１において、最初の支持体３０
は上記したように半導体、絶縁体等を含む様々な物質を
含むものである。支持体３０は導電性金属からなること
もある。このような場合、めっき基材を必要としないこ
ともある。しかしなから、一般には、めっき基材３１
を、例えばスパッター法により支持体３０の最上面へ蒸
着し、次いでフォトレジスト３３、例えばポリメチルメ
タクリレート（ＰＭＭＡ）を所望の厚さまでキャストす
る。図２に示すように、次の工程はフォトレジストを所
望の形状にＸ線暴露して溶解する工程、および第一の金
属たとえばニッケルの第一の層の電気めっき工程を含
む。使用する放射線の種類、暴露の深さおよび利用可能
なフォトレジストの性質により、陽性または陰性フォト
レジストを使用してもよいことが明らかである。次に、
図３に示すように、フォトレジスト３３を除き、第二の
金属３６を第一の金属の第一の層上および露出しためっ
き基材３１上に電気めっきする。例えば、第一の金属が
ニッケルである場合、第二の金属として銀を利用しても
よい。次に、図４に示すように、第一の金属３４が露出
し、そしてほとんど均質な平坦表面３７が第一の金属３
４および第二の金属３６の両方ともにわたって広がり形
成されるまで微小研磨する。この時点で、第二の金属３
６を腐蝕により選択的に除去し、これにより表面全体が
良好に画成された単層構造体を作ってもよい。この除去
は、第二の金属を腐蝕するが第一の金属を腐蝕しない腐
蝕剤を用いて行うことができる。第二の金属は第一の金
属と類似の機械的特性を有するので、第二の金属は十分
完全に密着した構造体を提供し、たとえば研磨のような
迅速な機械処理を可能にする。
【００１３】この方法をたとえば図５に示すように、さ
らに別の層でも続け、ここでフォトレジスト３９の第二
の層を、第一の金属３４および第二の金属３６の第一の
層上に広がる表面３７へキャストする。次に、図６に示
すように、第二の層Ｘ線マスクを構造体へ整然と合わ
せ、たとえばシンクロトロン中でＸ線暴露を行ない、次
いでフォトレジストを現像して、第一の金属３４の第一
の層の表面全てでなければ少なくとも一部ならびに第二
の金属３６の第一の層の表面の一部を露出する。図７に
示すように、次いで第一の金属４１の第二の層を区域４
０へ電気めっきし、第一の金属３４の第一の層の表面の
少なくとも一部分ならびに第二の金属３６の第一の層の
表面の少なくとも一部分を被覆する。第一の金属４１の
第二の層は第一の層３４と同じ金属であってもなくても
よい。
らに別の層でも続け、ここでフォトレジスト３９の第二
の層を、第一の金属３４および第二の金属３６の第一の
層上に広がる表面３７へキャストする。次に、図６に示
すように、第二の層Ｘ線マスクを構造体へ整然と合わ
せ、たとえばシンクロトロン中でＸ線暴露を行ない、次
いでフォトレジストを現像して、第一の金属３４の第一
の層の表面全てでなければ少なくとも一部ならびに第二
の金属３６の第一の層の表面の一部を露出する。図７に
示すように、次いで第一の金属４１の第二の層を区域４
０へ電気めっきし、第一の金属３４の第一の層の表面の
少なくとも一部分ならびに第二の金属３６の第一の層の
表面の少なくとも一部分を被覆する。第一の金属４１の
第二の層は第一の層３４と同じ金属であってもなくても
よい。
【００１４】シンクロトロンＸ線からなる放射線にフォ
トレジストを暴露させることが最大深さと最少損失の構
造体を得るのに好ましいとはいえ、薄い構造体が許容さ
れる場合には、この工程は他の放射線たとえば紫外線
（ＵＶ）または非−シンクロトロン源Ｘ線を用いて行っ
てもよいことが明らかである。図８に示すように、次い
でフォトレジスト３０を除去し、第二のまたは犠牲金属
の別の層４３を電気めっきして第二の金属の第一の層３
６および第一の金属の第二の層４１の両者を被覆する。
次いで、図９に示すように、露出された表面を微小研磨
して第一の金属の第二の層４１を露出しそして第二の金
属の第二の層４３および第一の金属の第二の層４１の両
方ともにわたるほとんど平坦で均質な表面４４を作る。
この時点で、平坦な表面が再度作り出されこの上に次層
を形成してもよい。次いで第二の金属をこの時点で除去
し、所望により、たとえば張出しや突出のような特徴を
有する三次元構造体が得られるが、これは単層法では得
ることができないものである。
トレジストを暴露させることが最大深さと最少損失の構
造体を得るのに好ましいとはいえ、薄い構造体が許容さ
れる場合には、この工程は他の放射線たとえば紫外線
（ＵＶ）または非−シンクロトロン源Ｘ線を用いて行っ
てもよいことが明らかである。図８に示すように、次い
でフォトレジスト３０を除去し、第二のまたは犠牲金属
の別の層４３を電気めっきして第二の金属の第一の層３
６および第一の金属の第二の層４１の両者を被覆する。
次いで、図９に示すように、露出された表面を微小研磨
して第一の金属の第二の層４１を露出しそして第二の金
属の第二の層４３および第一の金属の第二の層４１の両
方ともにわたるほとんど平坦で均質な表面４４を作る。
この時点で、平坦な表面が再度作り出されこの上に次層
を形成してもよい。次いで第二の金属をこの時点で除去
し、所望により、たとえば張出しや突出のような特徴を
有する三次元構造体が得られるが、これは単層法では得
ることができないものである。
【００１５】以下に述べることは、一般に上記した本発
明の基本的多層法を実施するための詳細な方法の例示で
ある。 （1) シリコン、ガラス、金属または保護された加工半
導体装置を有するシリコンの支持体材料を用いて出発： （a) めっき基材をスパッター：〜１５０ÅTiおよび−
３００ÅNi、両方とも１６０℃にてスパッターした； （b) キャストＰＭＭＡに対する接着促進剤の施用：こ
の溶液は施用４時間前に新しく混合する： ９５±１ml MeOH ５±0.１ml ＤＩ水 0.１０±0.０１ml ＴＭＰＭＡ （３−（トリメトキシシリル）プロピルメタクリレー
ト） 支持体の浸水表面；２krpmにて４０秒間スピン；続いて
５krpmにて６０秒間 ４９６ｋ、９％ＰＭＭＡのスピン
コート；窒素下にプログラム可能な炉中でアニールす
る：６０℃／時で１８０℃まで上げ、１８０℃で１時間
維持する、−６０℃／時で室温まで下げる； （c) ＰＭＭＡをキャスト ２つの予め混合した溶液を用いてキャストを行なう： 溶液Ｉ： ３５重量％ ＰＭＭＡ−中間分子量−アルドリッチ＃１
８、２２４−９、 ６１重量％ ＭＭＡ−メチルメタクリレート−アルドリ
ッチ＃Ｍ５、５９０−９ ２重量％ ＥＧＤＡ−エチレングリコールジメタクリレ
ート−アルドリッチ＃３３、５６８−１ ２重量％ ＤＭＡ−Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン−アルド
リッチ＃Ｄ１４、５７５−０ 溶液II： ３５重量％ ＰＭＭＡ ６２重量％ ＭＭＡ ２重量％ ＥＧＤＡ １重量％ ＢＰＯ−ベンゾイルペルオキシド−アルドリ
ッチ＃１７、９９８−１ ＭＭＡにおける阻害剤を、使い捨て阻害剤除去カラム
（アルドリッチ＃３０、６３１−２）を用いて除去す
る。３５重量％ＰＭＭＡを最初にＭＭＡに溶解しなけれ
ばならない（〜１週間）。
明の基本的多層法を実施するための詳細な方法の例示で
ある。 （1) シリコン、ガラス、金属または保護された加工半
導体装置を有するシリコンの支持体材料を用いて出発： （a) めっき基材をスパッター：〜１５０ÅTiおよび−
３００ÅNi、両方とも１６０℃にてスパッターした； （b) キャストＰＭＭＡに対する接着促進剤の施用：こ
の溶液は施用４時間前に新しく混合する： ９５±１ml MeOH ５±0.１ml ＤＩ水 0.１０±0.０１ml ＴＭＰＭＡ （３−（トリメトキシシリル）プロピルメタクリレー
ト） 支持体の浸水表面；２krpmにて４０秒間スピン；続いて
５krpmにて６０秒間 ４９６ｋ、９％ＰＭＭＡのスピン
コート；窒素下にプログラム可能な炉中でアニールす
る：６０℃／時で１８０℃まで上げ、１８０℃で１時間
維持する、−６０℃／時で室温まで下げる； （c) ＰＭＭＡをキャスト ２つの予め混合した溶液を用いてキャストを行なう： 溶液Ｉ： ３５重量％ ＰＭＭＡ−中間分子量−アルドリッチ＃１
８、２２４−９、 ６１重量％ ＭＭＡ−メチルメタクリレート−アルドリ
ッチ＃Ｍ５、５９０−９ ２重量％ ＥＧＤＡ−エチレングリコールジメタクリレ
ート−アルドリッチ＃３３、５６８−１ ２重量％ ＤＭＡ−Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン−アルド
リッチ＃Ｄ１４、５７５−０ 溶液II： ３５重量％ ＰＭＭＡ ６２重量％ ＭＭＡ ２重量％ ＥＧＤＡ １重量％ ＢＰＯ−ベンゾイルペルオキシド−アルドリ
ッチ＃１７、９９８−１ ＭＭＡにおける阻害剤を、使い捨て阻害剤除去カラム
（アルドリッチ＃３０、６３１−２）を用いて除去す
る。３５重量％ＰＭＭＡを最初にＭＭＡに溶解しなけれ
ばならない（〜１週間）。
【００１６】溶液ＩとIIを減圧ミキサーを用いてキャス
トする直前に混合する。ＰＭＭＡシロップの選択した量
を支持体ウェーファーへ施こし次いでこれをキャスト取
付具に入れＰＭＭＡを所望の厚さに圧縮する。サンプル
を４８時間クランプ締めのままにし、次いで以下のよう
にして２lmp Ｎ2 下にプログラム可能な炉中でアニール
する： ２０℃／時で１１０℃まで上げ、１１０℃で１時間保持
する −５℃／時で室温まで下げる。 （2)(a) 支持体および第一の層の図形を含むＸ線マスク
を適当なＸ線暴露治具へ組立てる； (b) シンクロトロンへ輸送しそして以下の条件下にＸ線
暴露する（例はウィスコンシン大学でのアラジンシンク
ロトロンである） − ２０トールＨe が充満した暴露室 − 〜２５０μm のＢe フィルター − １００μm フィルムに対する代表的暴露＞ ２５００mJ／sq.cm 束定数0.００９５mW／sq.cm.を用
いて − 代表的スキャンは0.０５cm／ses で2.０cmである。
トする直前に混合する。ＰＭＭＡシロップの選択した量
を支持体ウェーファーへ施こし次いでこれをキャスト取
付具に入れＰＭＭＡを所望の厚さに圧縮する。サンプル
を４８時間クランプ締めのままにし、次いで以下のよう
にして２lmp Ｎ2 下にプログラム可能な炉中でアニール
する： ２０℃／時で１１０℃まで上げ、１１０℃で１時間保持
する −５℃／時で室温まで下げる。 （2)(a) 支持体および第一の層の図形を含むＸ線マスク
を適当なＸ線暴露治具へ組立てる； (b) シンクロトロンへ輸送しそして以下の条件下にＸ線
暴露する（例はウィスコンシン大学でのアラジンシンク
ロトロンである） − ２０トールＨe が充満した暴露室 − 〜２５０μm のＢe フィルター − １００μm フィルムに対する代表的暴露＞ ２５００mJ／sq.cm 束定数0.００９５mW／sq.cm.を用
いて − 代表的スキャンは0.０５cm／ses で2.０cmである。
【００１７】(c) めっき基材に対し接触開始するための
直線状紡糸ＰＭＭＡを有するサンプルの端に深部ＵＶ暴
露する（〜５分、3.２５mW／sq.cm ） (d) ＥＯ現像液を用いて現像：現像順序は現像液浴と２
つのリンス浴を含みそして次のものからなる： 現像液： ６０容量％ ２−（２−ブトキシエトキシ）エタノール ２０容量％ テトラヒドロ−１−４オキサジン（モルホ
リン） ５％ ２−アミノエタノール（エタノールアミ
ン） １５％ ＤＩ水 第一リンス： ８０％ ２−（２−ブトキシエトキシ）エタノール ２０％ 水 第二リンス： １００％ 水 １００μm ＰＭＭＡに対する現像順序は次のものであ
る： a) 攪拌しながら２５分間３5.０±0.５℃にて現像浴中
で現像 b) 攪拌しながら２０分間３5.０±0.５℃にて第一リン
ス浴中でリンス c) 攪拌しながら５分間３5.０±0.５℃にて第二リンス
浴中でリンス (e) 電気めっきのための支持体を調製： − 酸素プラズマデスカム（たとえばプラズマサーム14
41に対するパラメーター：２５sccm酸素、基準線以上ｐ
＝２０mT、力＝５０Ｗ、時間＝２分間） − ５％ ＨCl処理：１５分間浸漬 − ３０秒間ＤＩ水リンス。
直線状紡糸ＰＭＭＡを有するサンプルの端に深部ＵＶ暴
露する（〜５分、3.２５mW／sq.cm ） (d) ＥＯ現像液を用いて現像：現像順序は現像液浴と２
つのリンス浴を含みそして次のものからなる： 現像液： ６０容量％ ２−（２−ブトキシエトキシ）エタノール ２０容量％ テトラヒドロ−１−４オキサジン（モルホ
リン） ５％ ２−アミノエタノール（エタノールアミ
ン） １５％ ＤＩ水 第一リンス： ８０％ ２−（２−ブトキシエトキシ）エタノール ２０％ 水 第二リンス： １００％ 水 １００μm ＰＭＭＡに対する現像順序は次のものであ
る： a) 攪拌しながら２５分間３5.０±0.５℃にて現像浴中
で現像 b) 攪拌しながら２０分間３5.０±0.５℃にて第一リン
ス浴中でリンス c) 攪拌しながら５分間３5.０±0.５℃にて第二リンス
浴中でリンス (e) 電気めっきのための支持体を調製： − 酸素プラズマデスカム（たとえばプラズマサーム14
41に対するパラメーター：２５sccm酸素、基準線以上ｐ
＝２０mT、力＝５０Ｗ、時間＝２分間） − ５％ ＨCl処理：１５分間浸漬 − ３０秒間ＤＩ水リンス。
【００１８】(f) 第一の金属（たとえばＮi)の第一の層
の電気めっき： − Niめっき浴の例はバレット（Barrett)ニッケルスル
ファメート浴でありこれは次のものから得ることができ
る： ウィトコ コーポレーション（Witco Corporation)、ア
ライド−ケライト ディビジョン（Allied-Kelite Divi
sion) 、メルローズ パーク（MelrosePark) 、IL 6016
0 以下の条件： Ｔ＝５２℃ pH＝4.０ ４０ｇ／ｌ ホウ酸 ８０ｇ／ｌ ニッケル金属 0.８容量％ 湿潤剤 − ５０mA／sq.cm でNiめっきを行ない、これは１００
％電流効率に対し1.０μm ／分のめっき速度である （3) 一面に広がったＰＭＭＡの除去： (a) 工程（２ｂ）と同じ条件下でプランケットシンクロ
トロンをＰＭＭＡ原へ暴露 (b) 工程（２ｄ）と同じ手法を用いてＰＭＭＡを現像 （4) 第二の金属の電気めっき用支持体調製および第二
の金属の電気めっき： (a) 工程（２ｅ）のように支持体を調製 (b) 第二の金属（たとえば、銀）を電気めっき − 適当なAg浴の例としてはシアン化銀浴であり、これ
は以下のものから得られる： テクニック社（Technic, Inc.) プロビデンス（Providence) 、RI 02940 （シアン化銀 浴Ｅ−２） 以下の条件： Ｔ＝３５℃ ３７ｇ／ｌ 銀金属 ８2.２ｇ／ｌ 遊離シアン化カリウム − ５０mA／sq.cm でAgめっきし、これは１００％電流
効率に対し蒸着速度3.０μm ／分である。 （5) 支持体の表面を微小研磨して第一および第二の金
属の両方ともを所望の高さにする。
の電気めっき： − Niめっき浴の例はバレット（Barrett)ニッケルスル
ファメート浴でありこれは次のものから得ることができ
る： ウィトコ コーポレーション（Witco Corporation)、ア
ライド−ケライト ディビジョン（Allied-Kelite Divi
sion) 、メルローズ パーク（MelrosePark) 、IL 6016
0 以下の条件： Ｔ＝５２℃ pH＝4.０ ４０ｇ／ｌ ホウ酸 ８０ｇ／ｌ ニッケル金属 0.８容量％ 湿潤剤 − ５０mA／sq.cm でNiめっきを行ない、これは１００
％電流効率に対し1.０μm ／分のめっき速度である （3) 一面に広がったＰＭＭＡの除去： (a) 工程（２ｂ）と同じ条件下でプランケットシンクロ
トロンをＰＭＭＡ原へ暴露 (b) 工程（２ｄ）と同じ手法を用いてＰＭＭＡを現像 （4) 第二の金属の電気めっき用支持体調製および第二
の金属の電気めっき： (a) 工程（２ｅ）のように支持体を調製 (b) 第二の金属（たとえば、銀）を電気めっき − 適当なAg浴の例としてはシアン化銀浴であり、これ
は以下のものから得られる： テクニック社（Technic, Inc.) プロビデンス（Providence) 、RI 02940 （シアン化銀 浴Ｅ−２） 以下の条件： Ｔ＝３５℃ ３７ｇ／ｌ 銀金属 ８2.２ｇ／ｌ 遊離シアン化カリウム − ５０mA／sq.cm でAgめっきし、これは１００％電流
効率に対し蒸着速度3.０μm ／分である。 （5) 支持体の表面を微小研磨して第一および第二の金
属の両方ともを所望の高さにする。
【００１９】− これを実施する研磨機の例としてはユ
ング／ライヘルト ポリカットＥウルトラミラー（Jung
/Reichert polycut Eultamiller)である。 （6) 金属の第二の層の画成： (a) ＤＩ水リンスを用いて支持体の表面をきれいにし研
磨からの金属残留物を除去する； (b) 工程（１ｂ）におけるように接着促進層を施こし； (c) ＰＭＭＡをキャストしそして工程（１ｃ）のように
アニールし； (d) 適当な整合板および整合器を用いて二番目のレベル
のＸ線マスクを支持体に合わせる。
ング／ライヘルト ポリカットＥウルトラミラー（Jung
/Reichert polycut Eultamiller)である。 （6) 金属の第二の層の画成： (a) ＤＩ水リンスを用いて支持体の表面をきれいにし研
磨からの金属残留物を除去する； (b) 工程（１ｂ）におけるように接着促進層を施こし； (c) ＰＭＭＡをキャストしそして工程（１ｃ）のように
アニールし； (d) 適当な整合板および整合器を用いて二番目のレベル
のＸ線マスクを支持体に合わせる。
【００２０】１つの方法の例としては、２つの減圧整合
板を用いて二面を有するマスク整合器（カール サス
（Karl Suss)２１）を用いることである： − １つの整合板はと低い方の段にＸ線マスクを保持し
これを介して目的画像が支持体整合器に記しされる（光
透過性Ｘ線マスク膜材料はたとえばシリコン窒化物が使
用される）； − 他の整合板は高い方の段で支持体を保持する； − 整合を達成すると、２枚の板を一緒に機械的にクラ
ンプ締めし、減圧を除き、そして板を外し、Ｘ線暴露の
ためにシンクロトロンへ輸送する。 （7) 第一の金属の第二の層の電気めっき (a) ＰＭＭＡを工程（２ｄ）のようにＸ線暴露する： (b) 工程（２ｅ）における手法を用いて第二の層の金属
電気めっきのために支持体を調製するが、５％ HCl浸漬
を５分間だけにする点が異なる； (c) 第一の金属、たとえばNiを用いる場合の第二の層の
電気めっきは工程（２ｆ）の手法を続ける。 （8) ＰＭＭＡの除去および犠牲金属（この場合Ag）の
除去： (a) 工程（３）のようにＰＭＭＡを除去する (b) 水酸化アンモニウム：過酸化水素；ＤＩ水＝１：
１：１２の溶液を用いて選択的にAgを除去する 管、たとえば空気圧、水圧等に利用するようなものを作
る方法の変法を図１０〜図１７で説明する。図１０の最
初の図面において、出発支持体材料５０を、シリコン、
ガラス、様々な金属またはＸ線暴露から保護されている
半導体装置で加工されたシリコンを含む非常に様々な物
質から選択されうる。第一工程において、めっき基材５
１を施こし（一般に、厚さ１５０ÅでTiをスパッター
し、続いて１５０ÅでNiをスパッターする）、そしてフ
ォトレジスト５２（たとえば、ＰＭＭＡ）の層を施こし
これは管内側の所望の高さより厚くなるまでキャストさ
れる。次いで、上述したように、フォトレジストをシン
クロトロン中にてＸ線に暴露し、暴露したフォトレジス
トを現像し、現像液により開放された図形区域へ第一の
金属の第一の層を電気めっきし、これは図１１に示すよ
うに、管の側壁を画成するであろう二本の平行した縦形
壁５３を含む。壁５３の電気めっきを管の所望の高さよ
り厚い高さまで実施する。次に、図１２に示すように、
フォトレジストを除去して技術体上に絶縁された壁５３
を残す。
板を用いて二面を有するマスク整合器（カール サス
（Karl Suss)２１）を用いることである： − １つの整合板はと低い方の段にＸ線マスクを保持し
これを介して目的画像が支持体整合器に記しされる（光
透過性Ｘ線マスク膜材料はたとえばシリコン窒化物が使
用される）； − 他の整合板は高い方の段で支持体を保持する； − 整合を達成すると、２枚の板を一緒に機械的にクラ
ンプ締めし、減圧を除き、そして板を外し、Ｘ線暴露の
ためにシンクロトロンへ輸送する。 （7) 第一の金属の第二の層の電気めっき (a) ＰＭＭＡを工程（２ｄ）のようにＸ線暴露する： (b) 工程（２ｅ）における手法を用いて第二の層の金属
電気めっきのために支持体を調製するが、５％ HCl浸漬
を５分間だけにする点が異なる； (c) 第一の金属、たとえばNiを用いる場合の第二の層の
電気めっきは工程（２ｆ）の手法を続ける。 （8) ＰＭＭＡの除去および犠牲金属（この場合Ag）の
除去： (a) 工程（３）のようにＰＭＭＡを除去する (b) 水酸化アンモニウム：過酸化水素；ＤＩ水＝１：
１：１２の溶液を用いて選択的にAgを除去する 管、たとえば空気圧、水圧等に利用するようなものを作
る方法の変法を図１０〜図１７で説明する。図１０の最
初の図面において、出発支持体材料５０を、シリコン、
ガラス、様々な金属またはＸ線暴露から保護されている
半導体装置で加工されたシリコンを含む非常に様々な物
質から選択されうる。第一工程において、めっき基材５
１を施こし（一般に、厚さ１５０ÅでTiをスパッター
し、続いて１５０ÅでNiをスパッターする）、そしてフ
ォトレジスト５２（たとえば、ＰＭＭＡ）の層を施こし
これは管内側の所望の高さより厚くなるまでキャストさ
れる。次いで、上述したように、フォトレジストをシン
クロトロン中にてＸ線に暴露し、暴露したフォトレジス
トを現像し、現像液により開放された図形区域へ第一の
金属の第一の層を電気めっきし、これは図１１に示すよ
うに、管の側壁を画成するであろう二本の平行した縦形
壁５３を含む。壁５３の電気めっきを管の所望の高さよ
り厚い高さまで実施する。次に、図１２に示すように、
フォトレジストを除去して技術体上に絶縁された壁５３
を残す。
【００２１】図１３に示すように、第二の金属５５（た
とえば、銀）を所望の管厚より厚くなるまで電気めっき
し、そして図１４に示すように、接触していない表面を
研磨して下げ第一および第二の金属の両方を研磨して滑
らかで何も接触していない面を残す。次に、図１５に示
すように、フォトレジスト５８の第二の層を何もない表
面５７上へキャストし、Ｘ線を通す図形６０を有するＸ
線マスク５９を構造体上に合わせそしてＸ線暴露を行な
う。暴露後、図１５に示すように、暴露されたフォトレ
ジスト５８を現像しそして除去し、第一の金属の第二の
層６２を露出された区域に電気めっきし、この場合２つ
の側壁５３の上面ならびに第二の金属の第一の層の中央
部分６１を橋かけする。
とえば、銀）を所望の管厚より厚くなるまで電気めっき
し、そして図１４に示すように、接触していない表面を
研磨して下げ第一および第二の金属の両方を研磨して滑
らかで何も接触していない面を残す。次に、図１５に示
すように、フォトレジスト５８の第二の層を何もない表
面５７上へキャストし、Ｘ線を通す図形６０を有するＸ
線マスク５９を構造体上に合わせそしてＸ線暴露を行な
う。暴露後、図１５に示すように、暴露されたフォトレ
ジスト５８を現像しそして除去し、第一の金属の第二の
層６２を露出された区域に電気めっきし、この場合２つ
の側壁５３の上面ならびに第二の金属の第一の層の中央
部分６１を橋かけする。
【００２２】最後に、図１７に示すように、フォトレジ
スト５８を除去し、犠牲性の第二の金属層５５および６
１を腐蝕除去する。たとえば、ニッケルを腐蝕すること
なく銀を過酸化水素中で腐蝕してもよい。図１７に示す
ように、その結果として、めっき基材５１、縦形壁５３
および第一の金属の橋渡し第二の層６２の間で画成され
る中空孔を有する支持体上に固定された管状構造体が得
られる。
スト５８を除去し、犠牲性の第二の金属層５５および６
１を腐蝕除去する。たとえば、ニッケルを腐蝕すること
なく銀を過酸化水素中で腐蝕してもよい。図１７に示す
ように、その結果として、めっき基材５１、縦形壁５３
および第一の金属の橋渡し第二の層６２の間で画成され
る中空孔を有する支持体上に固定された管状構造体が得
られる。
【００２３】複雑な三次元構造体、管、支持体から離れ
るものを作る方法を利用する例を図１８〜図２３に示
す。最初の支持体７０は単結晶シリコンウェーファーた
とえば（１００）シリコンである。この支持体７０を、
常法により各面においてシリコン窒化物フィルム７１お
よび７３で被覆する。フィルム７１および７３は、図１
９に示す二枚の光学マスクを用いて図形が形成され、こ
れは前面マスク７５および７７と後面マスク７６および
７８を示す。図形形成の結果を図１８に示すが、シリコ
ン窒化物フィルムの上面に開口部７２および底面に開口
部７４を備える。代表的窒化物処理は、応力除去処理し
た酸化物１５０Åを増やしこれを約８３０℃で蒸着する
低圧化学蒸着（ＬＰＣＶＤ）窒化物１０００Åで被覆す
る短かい酸化に関連する。２つの光学マスクを二面性整
合器中に施こし、図形をたとえばＣＦ4 ＋Ｏ2 中でのプ
ラズマ腐蝕に抵抗しうる陽性フォトレジストへ移し窒化
物を除去することができる。次の洗浄サイクルにより図
形中のいかなる酸化物残渣も除去されるであろう。この
方法を犠牲層の施用と第三の光学マスクを介した図形形
成とともに続ける。層は様々な物質から作ることができ
る。ブリュウェル サイエンス（Brewer Science) から
入手可能な軟質ポリイミドはその加工容易性のために特
に都合の良い材料である。犠牲層は（１）正確に厚さ調
節することができ、（２）正確に図形形成することがで
き、（３）ふくれがなくそして良好な接着性でめっき基
材を支持することができ、（４）所望の金属構造体に攻
撃を加えることなく除くことができることが好ましい。
ブリュウェル サイエンスＰＩＲＬポリイミド材料を３
０秒間2,０００ＲＰＭのスピンサイクルを用いて施こす
と１ミクロン厚の層が作られる。他のＰＩＲＬ配合物を
所望の層厚に変えることもできる。材料をホットプレー
ト上で２分間１００℃にて次いでさらに何分間か２１０
℃にて焼結する。１４００−２７シプレイ（Shipley)フ
ォトレジストで５０００ＲＰＭにて３０秒間フィルムを
重ね塗りする。フォトレジストを暴露し、ＭＦ３２１
（シプレイ）図形にフォトレジストとポリイミドを現像
する。アセトンリンスにより１４００−２７を除き、そ
して酸素プラズマサイクルで調製表面をきれいにする。
窒素中２４０℃／時で傾斜させながらの最終焼結と３１
０℃での６分間の浸漬により犠牲層が完成し、これは図
２０において支持体の表面８１上の８０にて示す。
るものを作る方法を利用する例を図１８〜図２３に示
す。最初の支持体７０は単結晶シリコンウェーファーた
とえば（１００）シリコンである。この支持体７０を、
常法により各面においてシリコン窒化物フィルム７１お
よび７３で被覆する。フィルム７１および７３は、図１
９に示す二枚の光学マスクを用いて図形が形成され、こ
れは前面マスク７５および７７と後面マスク７６および
７８を示す。図形形成の結果を図１８に示すが、シリコ
ン窒化物フィルムの上面に開口部７２および底面に開口
部７４を備える。代表的窒化物処理は、応力除去処理し
た酸化物１５０Åを増やしこれを約８３０℃で蒸着する
低圧化学蒸着（ＬＰＣＶＤ）窒化物１０００Åで被覆す
る短かい酸化に関連する。２つの光学マスクを二面性整
合器中に施こし、図形をたとえばＣＦ4 ＋Ｏ2 中でのプ
ラズマ腐蝕に抵抗しうる陽性フォトレジストへ移し窒化
物を除去することができる。次の洗浄サイクルにより図
形中のいかなる酸化物残渣も除去されるであろう。この
方法を犠牲層の施用と第三の光学マスクを介した図形形
成とともに続ける。層は様々な物質から作ることができ
る。ブリュウェル サイエンス（Brewer Science) から
入手可能な軟質ポリイミドはその加工容易性のために特
に都合の良い材料である。犠牲層は（１）正確に厚さ調
節することができ、（２）正確に図形形成することがで
き、（３）ふくれがなくそして良好な接着性でめっき基
材を支持することができ、（４）所望の金属構造体に攻
撃を加えることなく除くことができることが好ましい。
ブリュウェル サイエンスＰＩＲＬポリイミド材料を３
０秒間2,０００ＲＰＭのスピンサイクルを用いて施こす
と１ミクロン厚の層が作られる。他のＰＩＲＬ配合物を
所望の層厚に変えることもできる。材料をホットプレー
ト上で２分間１００℃にて次いでさらに何分間か２１０
℃にて焼結する。１４００−２７シプレイ（Shipley)フ
ォトレジストで５０００ＲＰＭにて３０秒間フィルムを
重ね塗りする。フォトレジストを暴露し、ＭＦ３２１
（シプレイ）図形にフォトレジストとポリイミドを現像
する。アセトンリンスにより１４００−２７を除き、そ
して酸素プラズマサイクルで調製表面をきれいにする。
窒素中２４０℃／時で傾斜させながらの最終焼結と３１
０℃での６分間の浸漬により犠牲層が完成し、これは図
２０において支持体の表面８１上の８０にて示す。
【００２４】方法をめっき基材の施用とともに続ける。
めっき基材は幾つかの必要な特性を有し、その中には
（１）支持体および犠牲層に対する良好な接着性、
（２）電気めっきされた金属間の良好な接着性、および
（３）第一の金属構造体の完成後の簡単な除去である。
ニッケルに対する一般的に満足すべきめっき基材は、１
５０Åのスパッター法によるチタンとそれに続く１５０
Åのスパッター法によるニッケルからなる。
めっき基材は幾つかの必要な特性を有し、その中には
（１）支持体および犠牲層に対する良好な接着性、
（２）電気めっきされた金属間の良好な接着性、および
（３）第一の金属構造体の完成後の簡単な除去である。
ニッケルに対する一般的に満足すべきめっき基材は、１
５０Åのスパッター法によるチタンとそれに続く１５０
Åのスパッター法によるニッケルからなる。
【００２５】図形形成されていないかめっき基材に次い
で接着促進剤を塗布し、これはスピンコーティングによ
り施こされてめっき基材とＸ線フォトレジスト、一般に
ＰＭＭＡの間の接着性を向上する。この材料をキャスト
し緩やかに架橋する。これを硬化し、非常に注意深く１
８０℃までのゆっくりした熱勾配と浸漬によりアニール
する。付着したフォトレジスト（たとえば、ＰＭＭＡ）
の厚さの調節が困難なので、所望によりフォトレジスト
のダイヤモンド研磨を利用してもよい。
で接着促進剤を塗布し、これはスピンコーティングによ
り施こされてめっき基材とＸ線フォトレジスト、一般に
ＰＭＭＡの間の接着性を向上する。この材料をキャスト
し緩やかに架橋する。これを硬化し、非常に注意深く１
８０℃までのゆっくりした熱勾配と浸漬によりアニール
する。付着したフォトレジスト（たとえば、ＰＭＭＡ）
の厚さの調節が困難なので、所望によりフォトレジスト
のダイヤモンド研磨を利用してもよい。
【００２６】次にフォトレジストを被覆した支持体に第
一のＸ線マスクを合わせる。この整合は、整合および締
付け器具を用いてカールサス二面性整合器を用いて行な
われる。整合後、支持体およびマスクを一緒に締付け、
シンクロトロンへ移しそして暴露する。ＰＭＭＡ現像液
中の現像を続ける。緩やかな酸素プラズマ腐蝕を残渣除
去のために使用し、希塩酸中で暴露されためっき基材の
臨界的コンディショニングを続ける。スルファメート浴
におけるニッケルめっきは次の工程である。第二の暴露
とそれに続く現像およびクリーニングを用いてフォトレ
ジストを除去する。図２１はこの段階での構造体の上面
図である。
一のＸ線マスクを合わせる。この整合は、整合および締
付け器具を用いてカールサス二面性整合器を用いて行な
われる。整合後、支持体およびマスクを一緒に締付け、
シンクロトロンへ移しそして暴露する。ＰＭＭＡ現像液
中の現像を続ける。緩やかな酸素プラズマ腐蝕を残渣除
去のために使用し、希塩酸中で暴露されためっき基材の
臨界的コンディショニングを続ける。スルファメート浴
におけるニッケルめっきは次の工程である。第二の暴露
とそれに続く現像およびクリーニングを用いてフォトレ
ジストを除去する。図２１はこの段階での構造体の上面
図である。
【００２７】以下の考察が方法の別の工程について記載
されうる。第一に、架橋ＰＭＭＡは湿式化学作用により
除去するのが非常に困難である。これは架橋したＰＭＭ
Ａが低い犠牲層であることを意味する。第二に、めっき
後のＸ線フォトレジストが機械的に損傷される。一般に
は、これは割れたりひびが入り、そして応力緩和および
熱サイクルのための接着力損失が代表的である。材料は
通常さらに加工することはできない。第三に、１分間に
数ミクロンの電気めっきは構造体の高さを調節できると
いう環境を作らない。高さの調節のこの困難性は、蒸着
速度および粗い表面仕上げにしたがって図形によりさら
に複雑化する。第四に、もし支持体を新規な平らなめっ
き基材として作用するように作ることができれば形態学
的制限が除かれる。
されうる。第一に、架橋ＰＭＭＡは湿式化学作用により
除去するのが非常に困難である。これは架橋したＰＭＭ
Ａが低い犠牲層であることを意味する。第二に、めっき
後のＸ線フォトレジストが機械的に損傷される。一般に
は、これは割れたりひびが入り、そして応力緩和および
熱サイクルのための接着力損失が代表的である。材料は
通常さらに加工することはできない。第三に、１分間に
数ミクロンの電気めっきは構造体の高さを調節できると
いう環境を作らない。高さの調節のこの困難性は、蒸着
速度および粗い表面仕上げにしたがって図形によりさら
に複雑化する。第四に、もし支持体を新規な平らなめっ
き基材として作用するように作ることができれば形態学
的制限が除かれる。
【００２８】上記の問題を処理するために、支持体全部
を犠牲金属で電気めっきすることができる。犠牲性また
は第二の金属の厚みは構造上のまたは第一の金属の厚み
を越えるべきである。このめっきは第一の金属の厚みと
ほぼ等しい波形の表面を作るであろう。この表面波形
は、たとえばダイヤモンドフライカッターたとえばユン
グ−ライヒヤルト（Jung-Reichart)ウルトラミラーのよ
うな微小研磨で電気めっきされた表面を研磨することに
より除かれる。図２２は図２１の構造体を通る横断面図
を示す。
を犠牲金属で電気めっきすることができる。犠牲性また
は第二の金属の厚みは構造上のまたは第一の金属の厚み
を越えるべきである。このめっきは第一の金属の厚みと
ほぼ等しい波形の表面を作るであろう。この表面波形
は、たとえばダイヤモンドフライカッターたとえばユン
グ−ライヒヤルト（Jung-Reichart)ウルトラミラーのよ
うな微小研磨で電気めっきされた表面を研磨することに
より除かれる。図２２は図２１の構造体を通る横断面図
を示す。
【００２９】この時点で、構造体は磁性読取り用および
筆記用ヘッドを含む幾つかの用途を有することのできる
平らな表面の磁性および非磁性金属複合材料である。方
法はフォトレジストの次の層の施用と第二のＸ線マスク
に対する整合とともに続ける。次いで第二の構造上また
は第一の金属層を暴露したフォトレジストの現像後に電
気めっきする。第一の金属の第二の層はニッケルでもよ
いが、勿論他の幾つかの導体でもよい。フォトレジスト
の除去に続いて第二の金属のめっきおよび研磨を行な
う。
筆記用ヘッドを含む幾つかの用途を有することのできる
平らな表面の磁性および非磁性金属複合材料である。方
法はフォトレジストの次の層の施用と第二のＸ線マスク
に対する整合とともに続ける。次いで第二の構造上また
は第一の金属層を暴露したフォトレジストの現像後に電
気めっきする。第一の金属の第二の層はニッケルでもよ
いが、勿論他の幾つかの導体でもよい。フォトレジスト
の除去に続いて第二の金属のめっきおよび研磨を行な
う。
【００３０】上述したように第三のＸ線マスクおよび続
く加工を用いて、図２３の横断面図に示す完全な管を作
る。次に、シリコン腐蝕孔を形成してもよい。ウェーフ
ァーをヒドラジンまたはＥＤＰに浸漬し、管孔を通常
（１１１）平面を用いることにより腐蝕して腐蝕を停止
する。シリコン腐蝕はこれらの面およびめっき基材にお
いて制限する。管孔におけるめっき基材は塩酸腐蝕によ
り除去され、これに続いて希フッ化水素酸リンスでチタ
ンを除く。
く加工を用いて、図２３の横断面図に示す完全な管を作
る。次に、シリコン腐蝕孔を形成してもよい。ウェーフ
ァーをヒドラジンまたはＥＤＰに浸漬し、管孔を通常
（１１１）平面を用いることにより腐蝕して腐蝕を停止
する。シリコン腐蝕はこれらの面およびめっき基材にお
いて制限する。管孔におけるめっき基材は塩酸腐蝕によ
り除去され、これに続いて希フッ化水素酸リンスでチタ
ンを除く。
【００３１】銀は H2O：H2O2：NH4OH 混液中で腐蝕す
る。このような腐蝕剤を使用してすべての外側および内
側の第二の金属を除去する。次の工程はすべての露出さ
れためっき基材を除く。この工程で、犠牲層を露出し、
この層は次いで水酸化アンモニウムで除去される。得ら
れる装置は開口した、部分的に支持されたニッケル管で
ある。これは空圧および水圧センサおよびアクチュエー
ターシステムの製造における基本的構成部品として利用
することができる。
る。このような腐蝕剤を使用してすべての外側および内
側の第二の金属を除去する。次の工程はすべての露出さ
れためっき基材を除く。この工程で、犠牲層を露出し、
この層は次いで水酸化アンモニウムで除去される。得ら
れる装置は開口した、部分的に支持されたニッケル管で
ある。これは空圧および水圧センサおよびアクチュエー
ターシステムの製造における基本的構成部品として利用
することができる。
【００３２】本発明は例示したようなここに記載した実
施態様に限定されるものでなく以下の請求項内であるそ
の変法を含むものであることが理解される。
施態様に限定されるものでなく以下の請求項内であるそ
の変法を含むものであることが理解される。
【図１】支持体に固定された多層構造体を形成するため
の本発明方法における工程を示す模式図である。
の本発明方法における工程を示す模式図である。
【図２】支持体に固定された多層構造体を形成するため
の本発明方法における工程を示す模式図である。
の本発明方法における工程を示す模式図である。
【図３】支持体に固定された多層構造体を形成するため
の本発明方法における工程を示す模式図である。
の本発明方法における工程を示す模式図である。
【図４】支持体に固定された多層構造体を形成するため
の本発明方法における工程を示す模式図である。
の本発明方法における工程を示す模式図である。
【図５】支持体に固定された多層構造体を形成するため
の本発明方法における工程を示す模式図である。
の本発明方法における工程を示す模式図である。
【図６】支持体に固定された多層構造体を形成するため
の本発明方法における工程を示す模式図である。
の本発明方法における工程を示す模式図である。
【図７】支持体に固定された多層構造体を形成するため
の本発明方法における工程を示す模式図である。
の本発明方法における工程を示す模式図である。
【図８】支持体に固定された多層構造体を形成するため
の本発明方法における工程を示す模式図である。
の本発明方法における工程を示す模式図である。
【図９】支持体に固定された管状構造体を形成するため
の本発明方法における工程を示す模式図である。
の本発明方法における工程を示す模式図である。
【図１０】支持体に固定された管状構造体を形成するた
めの本発明方法における工程を示す模式図である。
めの本発明方法における工程を示す模式図である。
【図１１】支持体に固定された管状構造体を形成するた
めの本発明方法における工程を示す模式図である。
めの本発明方法における工程を示す模式図である。
【図１２】支持体に固定された管状構造体を形成するた
めの本発明方法における工程を示す模式図である。
めの本発明方法における工程を示す模式図である。
【図１３】支持体に固定された管状構造体を形成するた
めの本発明方法における工程を示す模式図である。
めの本発明方法における工程を示す模式図である。
【図１４】支持体に固定された管状構造体を形成するた
めの本発明方法における工程を示す模式図である。
めの本発明方法における工程を示す模式図である。
【図１５】支持体に固定された管状構造体を形成するた
めの本発明方法における工程を示す模式図である。
めの本発明方法における工程を示す模式図である。
【図１６】支持体に固定された管状構造体を形成するた
めの本発明方法における工程を示す模式図である。
めの本発明方法における工程を示す模式図である。
【図１７】支持体に固定された管状構造体を形成するた
めの本発明方法における工程を示す模式図である。
めの本発明方法における工程を示す模式図である。
【図１８】犠牲層の除去により支持体から取り外すこと
ができる構造体を形成するための本発明方法における工
程を示す模式図である。
ができる構造体を形成するための本発明方法における工
程を示す模式図である。
【図１９】犠牲層の除去により支持体から取り外すこと
ができる構造体を形成するための本発明方法における工
程を示す模式図である。
ができる構造体を形成するための本発明方法における工
程を示す模式図である。
【図２０】犠牲層の除去により支持体から取り外すこと
ができる構造体を形成するための本発明方法における工
程を示す模式図である。
ができる構造体を形成するための本発明方法における工
程を示す模式図である。
【図２１】犠牲層の除去により支持体から取り外すこと
ができる構造体を形成するための本発明方法における工
程を示す模式図である。
ができる構造体を形成するための本発明方法における工
程を示す模式図である。
【図２２】犠牲層の除去により支持体から取り外すこと
ができる構造体を形成するための本発明方法における工
程を示す模式図である。
ができる構造体を形成するための本発明方法における工
程を示す模式図である。
【図２３】犠牲層の除去により支持体から取り外すこと
ができる構造体を形成するための本発明方法における工
程を示す模式図である。
ができる構造体を形成するための本発明方法における工
程を示す模式図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 21/30 ５７２ 21/88 Ｃ (56)参考文献 特開 昭59−190387（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−103967（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−173716（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−64464（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−94937（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−217865（ＪＰ，Ａ) 特表 平５−500475（ＪＰ，Ａ) 特表 平３−504543（ＪＰ，Ａ) 特表 平６−501343（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/027 G03F 1/16 H01L 21/288 C25D 5/02
Claims (14)
- 【請求項１】 以下の工程： （a) 支持体表面上にめっき基材を設け； （b) めっき基材上の層にフォトレジストを施こし； （c) フォトレジストに図形状に放射線暴露してフォト
レジストを図形状に溶解可能にし； （d) 溶解可能なフォトレジストを除去し； （e) フォトレジストが除去された区域においてめっき
基材上に第一の金属からなる第一の層を電気めっきし； （f) 残りのフォトレジストを除去し； （g) めっき基材上に第二の金属からなる第一の層を電
気めっきして第一の金属からなる第一の層を被覆して取
り囲み、第二の金属はこれが第一の金属をほとんど腐蝕
することなく区別して腐蝕されるように選択され； （h) 第二の金属の露出表面を機械処理して第一の金属
からなる第一の層を露出する選択された高さまでの平ら
な表面まで下げることを含む微小機械構造体の形成方
法。 - 【請求項２】 第二の金属を腐蝕するが第一の金属をほ
とんど腐蝕しない腐蝕剤を第一および第二の金属へ施こ
して第二の金属を除去する追加の工程を含む請求項１記
載の方法。 - 【請求項３】 第一の金属からなる第一の層の高さより
大きい高さまで第二の金属を電気めっきする請求項１に
記載の方法。 - 【請求項４】 以下の工程： （a) 第一の金属および第二の金属からなる露出した第
一の層上の層においてフォトレジストを施こし； （b) フォトレジストに図形状に放射線暴露してフォト
レジストを図形状に溶解可能にし； （c) 可溶性フォトレジストを除去し； （d) フォトレジストが除去された区域において第一の
金属からなる第二の層を電気めっきして第一の金属から
なる第一の層の露出した表面の少なくとも一部を被覆し
そしてまた第二の金属の第一の層の露出した表面の一部
をも被覆し； （e) 残りのフォトレジストを除去し； （f) 第一の金属の第二の層および第一および第二の金
属の第一の層の表面上に第二の金属の第二の層を電気め
っきし； （g) 第二の金属の第二の層の露出表面を機械処理して
第一の金属の第二の層を露出する高さまでの平らな表面
まで下げることをさらに含む請求項１記載の方法。 - 【請求項５】 第一および第二の金属の第二の層の表面
へ腐蝕剤を施こし第二の金属の第一および第二の層を区
別して腐蝕除去するが第一の金属の第一および第二の層
をほとんど腐蝕しない追加の工程を含む請求項４に記載
の方法。 - 【請求項６】 第二の金属の第二の層を第一の金属の第
二の層の高さより大きな高さまで付着する請求項４記載
の方法。 - 【請求項７】 フォトレジストを図形状に暴露する工程
が、フォトレジストを、Ｘ線マスクを介したＸ線シンク
ロトロン放射線に暴露して、フォトレジストに図形を画
成することによって行われ、該フォトレジストがＸ線に
対し高感度でありＸ線暴露後に溶解可能である請求項１
又は４に記載の方法。 - 【請求項８】 フォトレジストがポリメチルメタクリレ
ートである請求項７記載の方法。 - 【請求項９】 第一の金属がニッケルであり第二の金属
が銀である請求項１又は４に記載の方法。 - 【請求項１０】 機械処理の工程を微小研磨を利用して
実施する請求項１又は４に記載の方法。 - 【請求項１１】 フォトレジストを図形状に暴露する工
程においてフォトレジストを暴露してフォトレジストが
溶解されうる２本の平行な区域を提供し、フォトレジス
トが溶解した区域において形成される電気めっきされた
第一の金属がめっき基材から延びる２本の平行な縦形壁
を画成する請求項１記載の方法。 - 【請求項１２】 さらに以下の工程： （a) 第一の金属の露出された第一の層および第二の金
属の第一の層上の層にフォトレジストを施こし； （b) フォトレジストに図形状に放射線暴露してフォト
レジストを図形状に溶解可能にし、その際前記図形が第
一の金属の第一の層により画成された二本の縦形壁を横
断して延び； （c) 溶解可能なフォトレジストを除去し； （d) フォトレジストが除去された区域に第一の金属の
第二の層を電気めっきし金属の第一の層の露出表面を被
覆しそして第一の金属の第一の層により形成される二本
の縦形壁の間の第二の金属の露出した表面を架橋し； （e) 残りのフォトレジストを除き； （f) 第一および第二の金属に対し腐蝕剤を施こし第二
の金属の第一の層を区別して腐蝕除去するが第一の金属
の第一および第二の層をほとんど腐蝕しないことをさら
に含む請求項１１記載の方法。 - 【請求項１３】 支持体がその上にめっき基材を施こす
犠牲性材料の層を含み、そしてすべての他の工程が完了
した後で選択された区域におけるめっき基材を除去して
犠牲層材料に接近しそして実質的に第一の金属を腐蝕す
ることなく犠牲層を腐蝕する腐蝕剤を施こすことからな
る追加の工程を含む請求項１又は４に記載の方法。 - 【請求項１４】 第二の金属の第一および第二の層を電
気めっきする工程において、第二の金属を第一の金属の
層の高さより大きい高さまで電気めっきする請求項６記
載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07/874,116 US5190637A (en) | 1992-04-24 | 1992-04-24 | Formation of microstructures by multiple level deep X-ray lithography with sacrificial metal layers |
| US07/874116 | 1992-04-24 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0645232A JPH0645232A (ja) | 1994-02-18 |
| JP3249233B2 true JP3249233B2 (ja) | 2002-01-21 |
Family
ID=25363007
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8857893A Expired - Lifetime JP3249233B2 (ja) | 1992-04-24 | 1993-04-15 | 犠牲金属層を有する多重レベル深ｘ線リトグラフィによる微小構造体の形成 |
Country Status (9)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5190637A (ja) |
| EP (1) | EP0567332B1 (ja) |
| JP (1) | JP3249233B2 (ja) |
| KR (1) | KR100272829B1 (ja) |
| AT (1) | ATE139810T1 (ja) |
| CA (1) | CA2088605C (ja) |
| DE (1) | DE69303320T2 (ja) |
| IL (1) | IL104835A0 (ja) |
| MX (1) | MX9302149A (ja) |
Families Citing this family (229)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5512162A (en) * | 1992-08-13 | 1996-04-30 | Massachusetts Institute Of Technology | Method for photo-forming small shaped metal containing articles from porous precursors |
| US5378583A (en) * | 1992-12-22 | 1995-01-03 | Wisconsin Alumni Research Foundation | Formation of microstructures using a preformed photoresist sheet |
| US6674562B1 (en) * | 1994-05-05 | 2004-01-06 | Iridigm Display Corporation | Interferometric modulation of radiation |
| US5529681A (en) * | 1993-03-30 | 1996-06-25 | Microparts Gesellschaft Fur Mikrostrukturtechnik Mbh | Stepped mould inserts, high-precision stepped microstructure bodies, and methods of producing the same |
| US5435902A (en) * | 1993-10-01 | 1995-07-25 | Andre, Sr.; Larry E. | Method of incremental object fabrication |
| US7550794B2 (en) * | 2002-09-20 | 2009-06-23 | Idc, Llc | Micromechanical systems device comprising a displaceable electrode and a charge-trapping layer |
| US5705318A (en) * | 1994-06-06 | 1998-01-06 | Case Western Reserve University | Micromotors and methods of fabrication |
| US6360424B1 (en) | 1994-06-06 | 2002-03-26 | Case Western Reserve University | Method of making micromotors with utilitarian features |
| US6029337A (en) * | 1994-06-06 | 2000-02-29 | Case Western Reserve University | Methods of fabricating micromotors with utilitarian features |
| DE4432725C1 (de) * | 1994-09-14 | 1996-01-11 | Fraunhofer Ges Forschung | Verfahren zur Herstellung eines dreidimensionalen Bauteils oder einer Bauteilgruppe |
| US5788468A (en) * | 1994-11-03 | 1998-08-04 | Memstek Products, Llc | Microfabricated fluidic devices |
| US5644177A (en) * | 1995-02-23 | 1997-07-01 | Wisconsin Alumni Research Foundation | Micromechanical magnetically actuated devices |
| US5679502A (en) * | 1995-03-15 | 1997-10-21 | Wisconsin Alumni Research Foundation | Method and apparatus for micromachining using hard X-rays |
| US5718618A (en) * | 1996-02-09 | 1998-02-17 | Wisconsin Alumni Research Foundation | Lapping and polishing method and apparatus for planarizing photoresist and metal microstructure layers |
| US5858622A (en) * | 1996-07-23 | 1999-01-12 | Wisconsin Alumni Research Foundation | Thick metal integrated transmission line fabrication |
| US6136212A (en) * | 1996-08-12 | 2000-10-24 | The Regents Of The University Of Michigan | Polymer-based micromachining for microfluidic devices |
| US5866281A (en) * | 1996-11-27 | 1999-02-02 | Wisconsin Alumni Research Foundation | Alignment method for multi-level deep x-ray lithography utilizing alignment holes and posts |
| DE19703080A1 (de) | 1997-01-29 | 1998-07-30 | Bosch Gmbh Robert | Mikrogalvanisch hergestelltes Bauteil |
| US5929542A (en) * | 1997-02-03 | 1999-07-27 | Honeywell Inc. | Micromechanical stepper motor |
| AU743394B2 (en) * | 1997-04-04 | 2002-01-24 | University Of Southern California | Article, method, and apparatus for electrochemical fabrication |
| US6115634A (en) * | 1997-04-30 | 2000-09-05 | Medtronic, Inc. | Implantable medical device and method of manufacture |
| US5808384A (en) * | 1997-06-05 | 1998-09-15 | Wisconsin Alumni Research Foundation | Single coil bistable, bidirectional micromechanical actuator |
| US6252938B1 (en) * | 1997-06-19 | 2001-06-26 | Creatv Microtech, Inc. | Two-dimensional, anti-scatter grid and collimator designs, and its motion, fabrication and assembly |
| US5959375A (en) * | 1997-09-30 | 1999-09-28 | Garcia; Ernest J. | Device and method for redirecting electromagnetic signals |
| WO1999052006A2 (en) | 1998-04-08 | 1999-10-14 | Etalon, Inc. | Interferometric modulation of radiation |
| US8928967B2 (en) | 1998-04-08 | 2015-01-06 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method and device for modulating light |
| SE522114C2 (sv) * | 1998-08-18 | 2004-01-13 | Ericsson Telefon Ab L M | Metalliska byggelement för optoelektronik |
| JP4511739B2 (ja) * | 1999-01-15 | 2010-07-28 | ザ リージェンツ オブ ザ ユニヴァーシティ オブ カリフォルニア | マイクロ電子機械システムを形成するための多結晶シリコンゲルマニウム膜 |
| US6272207B1 (en) | 1999-02-18 | 2001-08-07 | Creatv Microtech, Inc. | Method and apparatus for obtaining high-resolution digital X-ray and gamma ray images |
| US6236139B1 (en) * | 1999-02-26 | 2001-05-22 | Jds Uniphase Inc. | Temperature compensated microelectromechanical structures and related methods |
| US6245849B1 (en) | 1999-06-02 | 2001-06-12 | Sandia Corporation | Fabrication of ceramic microstructures from polymer compositions containing ceramic nanoparticles |
| US6335151B1 (en) | 1999-06-18 | 2002-01-01 | International Business Machines Corporation | Micro-surface fabrication process |
| DE19955975A1 (de) * | 1999-11-19 | 2001-05-23 | Inst Mikrotechnik Mainz Gmbh | Lithographisches Verfahren zur Herstellung von Mikrobauteilen |
| US6458263B1 (en) * | 2000-09-29 | 2002-10-01 | Sandia National Laboratories | Cantilevered multilevel LIGA devices and methods |
| US6804552B2 (en) | 2000-11-03 | 2004-10-12 | Medtronic, Inc. | MEMs switching circuit and method for an implantable medical device |
| US6531332B1 (en) * | 2001-01-10 | 2003-03-11 | Parvenu, Inc. | Surface micromachining using a thick release process |
| US6422528B1 (en) | 2001-01-17 | 2002-07-23 | Sandia National Laboratories | Sacrificial plastic mold with electroplatable base |
| US7090189B2 (en) * | 2001-01-17 | 2006-08-15 | Sandia National Laboratories | Compliant cantilevered micromold |
| US7922923B2 (en) | 2001-02-01 | 2011-04-12 | Creatv Microtech, Inc. | Anti-scatter grid and collimator designs, and their motion, fabrication and assembly |
| EP1364374A4 (en) * | 2001-02-01 | 2006-11-22 | Creatv Microtech Inc | MODELS OF COLLIMATORS AND ANTI-DISPENSING GRIDS, AND THEIR MOVEMENT, MANUFACTURE AND ASSEMBLY |
| US6607305B2 (en) | 2001-06-04 | 2003-08-19 | Wisconsin Alumni Research Foundation | Bi-directional micromechanical latching linear actuator |
| CA2448736C (en) * | 2001-06-05 | 2010-08-10 | Mikro Systems, Inc. | Methods for manufacturing three-dimensional devices and devices created thereby |
| US7141812B2 (en) * | 2002-06-05 | 2006-11-28 | Mikro Systems, Inc. | Devices, methods, and systems involving castings |
| US7785098B1 (en) | 2001-06-05 | 2010-08-31 | Mikro Systems, Inc. | Systems for large area micro mechanical systems |
| US20020197492A1 (en) * | 2001-06-25 | 2002-12-26 | Ling Hao | Selective plating on plastic components |
| KR100451433B1 (ko) * | 2001-10-12 | 2004-10-06 | 학교법인 포항공과대학교 | 리가 공정을 이용한 삼각 산맥 구조물과 그 성형틀 제조방법 |
| TWI227285B (en) * | 2001-10-15 | 2005-02-01 | Univ Southern California | Methods of and apparatus for producing a three-dimensional structure |
| US20050194348A1 (en) * | 2001-12-03 | 2005-09-08 | University Of Southern California | Electrochemical fabrication methods incorporating dielectric materials and/or using dielectric substrates |
| US20060282065A1 (en) * | 2002-10-29 | 2006-12-14 | Microfabrica, Inc. | Microtools and methods for fabricating such tools |
| US20070198038A1 (en) * | 2001-12-03 | 2007-08-23 | Cohen Adam L | Microdevices for Tissue Approximation and Retention, Methods for Using, and Methods for Making |
| US20080105646A1 (en) * | 2002-05-07 | 2008-05-08 | Microfabrica Inc. | Multi-step Release Method for Electrochemically Fabricated Structures |
| US7109118B2 (en) * | 2003-05-07 | 2006-09-19 | Microfabrica Inc. | Electrochemical fabrication methods including use of surface treatments to reduce overplating and/or planarization during formation of multi-layer three-dimensional structures |
| US7239219B2 (en) * | 2001-12-03 | 2007-07-03 | Microfabrica Inc. | Miniature RF and microwave components and methods for fabricating such components |
| US20070158200A1 (en) * | 2002-10-29 | 2007-07-12 | Microfabrica Inc. | Electrochemical fabrication processes incorporating non-platable metals and/or metals that are difficult to plate on |
| US7686770B2 (en) | 2005-10-14 | 2010-03-30 | Microfabrica Inc. | Discrete or continuous tissue capture device and method for making |
| US20070112338A1 (en) * | 2005-11-01 | 2007-05-17 | Microfabrica Inc. | Microdevices for tissue approximation and retention, methods for using, and methods for making |
| US7252861B2 (en) * | 2002-05-07 | 2007-08-07 | Microfabrica Inc. | Methods of and apparatus for electrochemically fabricating structures via interlaced layers or via selective etching and filling of voids |
| US20080121343A1 (en) * | 2003-12-31 | 2008-05-29 | Microfabrica Inc. | Electrochemical Fabrication Methods Incorporating Dielectric Materials and/or Using Dielectric Substrates |
| US9614266B2 (en) | 2001-12-03 | 2017-04-04 | Microfabrica Inc. | Miniature RF and microwave components and methods for fabricating such components |
| US20050072681A1 (en) * | 2001-12-03 | 2005-04-07 | Microfabrica Inc. | Multi-step release method for electrochemically fabricated structures |
| US20040146650A1 (en) * | 2002-10-29 | 2004-07-29 | Microfabrica Inc. | EFAB methods and apparatus including spray metal or powder coating processes |
| US7498714B2 (en) * | 2003-09-24 | 2009-03-03 | Microfabrica Inc. | Multi-layer three-dimensional structures having features smaller than a minimum feature size associated with the formation of individual layers |
| US7674361B2 (en) | 2003-09-24 | 2010-03-09 | Microfabrica Inc. | Micro-turbines, roller bearings, bushings, and design of hollow closed structures and fabrication methods for creating such structures |
| US8382423B1 (en) | 2001-12-03 | 2013-02-26 | Microfabrica Inc. | Micro-scale and meso-scale hydraulically or pneumatically powered devices capable of rotational motion |
| US7259640B2 (en) | 2001-12-03 | 2007-08-21 | Microfabrica | Miniature RF and microwave components and methods for fabricating such components |
| US20050202667A1 (en) * | 2001-12-03 | 2005-09-15 | University Of Southern California | Electrochemical fabrication methods incorporating dielectric materials and/or using dielectric substrates |
| US20050230261A1 (en) * | 2003-06-27 | 2005-10-20 | Cohen Adam L | Electrochemical fabrication methods incorporating dielectric materials and/or using dielectric substrates |
| US20040004001A1 (en) * | 2002-05-07 | 2004-01-08 | Memgen Corporation | Method of and apparatus for forming three-dimensional structures integral with semiconductor based circuitry |
| US20050121411A1 (en) * | 2002-10-29 | 2005-06-09 | Microfabrica Inc. | Medical devices and EFAB methods and apparatus for producing them |
| US7372616B2 (en) * | 2001-12-06 | 2008-05-13 | Microfabrica, Inc. | Complex microdevices and apparatus and methods for fabricating such devices |
| US20030221968A1 (en) * | 2002-03-13 | 2003-12-04 | Memgen Corporation | Electrochemical fabrication method and apparatus for producing three-dimensional structures having improved surface finish |
| US20050202660A1 (en) * | 2002-05-07 | 2005-09-15 | Microfabrica Inc. | Electrochemical fabrication process including process monitoring, making corrective action decisions, and taking appropriate actions |
| AU2003228977A1 (en) * | 2002-05-07 | 2003-11-11 | University Of Southern California | Method of and apparatus for forming three-dimensional structures integral with semiconductor based circuitry |
| US7265565B2 (en) | 2003-02-04 | 2007-09-04 | Microfabrica Inc. | Cantilever microprobes for contacting electronic components and methods for making such probes |
| AU2003228973A1 (en) * | 2002-05-07 | 2003-11-11 | Memgen Corporation | Electrochemically fabricated hermetically sealed microstructures |
| US7363705B2 (en) * | 2003-02-04 | 2008-04-29 | Microfabrica, Inc. | Method of making a contact |
| WO2003095713A1 (en) * | 2002-05-07 | 2003-11-20 | University Of Southern California | Conformable contact masking methods and apparatus utilizing in situ cathodic activation of a substrate |
| US7273812B2 (en) * | 2002-05-07 | 2007-09-25 | Microfabrica Inc. | Microprobe tips and methods for making |
| US20070045121A1 (en) * | 2002-05-07 | 2007-03-01 | Microfabrica Inc. | Electrochemically fabricated hermetically sealed microstructures and methods of and apparatus for producing such structures |
| US20050104609A1 (en) * | 2003-02-04 | 2005-05-19 | Microfabrica Inc. | Microprobe tips and methods for making |
| US7640651B2 (en) * | 2003-12-31 | 2010-01-05 | Microfabrica Inc. | Fabrication process for co-fabricating multilayer probe array and a space transformer |
| US20050029225A1 (en) * | 2002-05-07 | 2005-02-10 | University Of Southern California | Electrochemical fabrication methods with enhanced post deposition processing |
| EP1576207A2 (en) * | 2002-05-07 | 2005-09-21 | Microfabrica Inc. | Methods of and apparatus for molding structures |
| WO2003095711A2 (en) * | 2002-05-07 | 2003-11-20 | Memgen Corporation | Electrochemically fabricated structures having dielectric or active bases |
| US20060006888A1 (en) * | 2003-02-04 | 2006-01-12 | Microfabrica Inc. | Electrochemically fabricated microprobes |
| US20060051948A1 (en) * | 2003-02-04 | 2006-03-09 | Microfabrica Inc. | Microprobe tips and methods for making |
| US20050067292A1 (en) * | 2002-05-07 | 2005-03-31 | Microfabrica Inc. | Electrochemically fabricated structures having dielectric or active bases and methods of and apparatus for producing such structures |
| US7611616B2 (en) * | 2002-05-07 | 2009-11-03 | Microfabrica Inc. | Mesoscale and microscale device fabrication methods using split structures and alignment elements |
| US20060108678A1 (en) | 2002-05-07 | 2006-05-25 | Microfabrica Inc. | Probe arrays and method for making |
| US20060238209A1 (en) * | 2002-05-07 | 2006-10-26 | Microfabrica Inc. | Vertical microprobes for contacting electronic components and method for making such probes |
| US8070931B1 (en) | 2002-05-07 | 2011-12-06 | Microfabrica Inc. | Electrochemical fabrication method including elastic joining of structures |
| JP4434013B2 (ja) * | 2002-05-07 | 2010-03-17 | ユニバーシティ オブ サザン カリフォルニア | 適合接触マスクめっきを用いてめっき工程を行っている際に堆積の品質を測定する方法および装置 |
| US7531077B2 (en) | 2003-02-04 | 2009-05-12 | Microfabrica Inc. | Electrochemical fabrication process for forming multilayer multimaterial microprobe structures |
| US20040065550A1 (en) * | 2002-05-07 | 2004-04-08 | University Of Southern California | Electrochemical fabrication methods with enhanced post deposition processing |
| US20050045585A1 (en) * | 2002-05-07 | 2005-03-03 | Gang Zhang | Method of electrochemically fabricating multilayer structures having improved interlayer adhesion |
| US7384530B2 (en) * | 2002-05-07 | 2008-06-10 | Microfabrica Inc. | Methods for electrochemically fabricating multi-layer structures including regions incorporating maskless, patterned, multiple layer thickness depositions of selected materials |
| US9919472B1 (en) | 2002-05-07 | 2018-03-20 | Microfabrica Inc. | Stacking and bonding methods for forming multi-layer, three-dimensional, millimeter scale and microscale structures |
| US20060053625A1 (en) * | 2002-05-07 | 2006-03-16 | Microfabrica Inc. | Microprobe tips and methods for making |
| US7412767B2 (en) * | 2003-02-04 | 2008-08-19 | Microfabrica, Inc. | Microprobe tips and methods for making |
| US20050029109A1 (en) * | 2002-05-07 | 2005-02-10 | Gang Zhang | Method of electrochemically fabricating multilayer structures having improved interlayer adhesion |
| US20080050524A1 (en) * | 2006-04-07 | 2008-02-28 | Microfabrica Inc. | Methods of Forming Three-Dimensional Structures Having Reduced Stress and/or Curvature |
| WO2003095709A2 (en) * | 2002-05-07 | 2003-11-20 | Memgen Corporation | Multistep release method for electrochemically fabricated structures |
| US20050184748A1 (en) * | 2003-02-04 | 2005-08-25 | Microfabrica Inc. | Pin-type probes for contacting electronic circuits and methods for making such probes |
| US6902827B2 (en) * | 2002-08-15 | 2005-06-07 | Sandia National Laboratories | Process for the electrodeposition of low stress nickel-manganese alloys |
| US7781850B2 (en) | 2002-09-20 | 2010-08-24 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Controlling electromechanical behavior of structures within a microelectromechanical systems device |
| AU2003279763A1 (en) * | 2002-10-01 | 2004-04-23 | Microfabrica Inc. | Monolithic structures including alignment and/or retention fixtures for accepting components |
| US7229544B2 (en) * | 2002-10-01 | 2007-06-12 | University Of Southern California | Multi-cell masks and methods and apparatus for using such masks to form three-dimensional structures |
| US8454652B1 (en) | 2002-10-29 | 2013-06-04 | Adam L. Cohen | Releasable tissue anchoring device, methods for using, and methods for making |
| US20110092988A1 (en) * | 2002-10-29 | 2011-04-21 | Microfabrica Inc. | Microdevices for Tissue Approximation and Retention, Methods for Using, and Methods for Making |
| US20100094320A1 (en) * | 2002-10-29 | 2010-04-15 | Microfabrica Inc. | Atherectomy and Thrombectomy Devices, Methods for Making, and Procedures for Using |
| US7368044B2 (en) * | 2002-11-26 | 2008-05-06 | Microfabrica, Inc. | Non-conformable masks and methods and apparatus for forming three-dimensional structures |
| US20040239006A1 (en) * | 2003-01-22 | 2004-12-02 | Microfabrica Inc. | Silicone compositions, methods of making, and uses thereof |
| US20080211524A1 (en) * | 2003-02-04 | 2008-09-04 | Microfabrica Inc. | Electrochemically Fabricated Microprobes |
| US20080157793A1 (en) * | 2003-02-04 | 2008-07-03 | Microfabrica Inc. | Vertical Microprobes for Contacting Electronic Components and Method for Making Such Probes |
| US9244101B2 (en) * | 2003-02-04 | 2016-01-26 | University Of Southern California | Electrochemical fabrication process for forming multilayer multimaterial microprobe structures |
| US10416192B2 (en) | 2003-02-04 | 2019-09-17 | Microfabrica Inc. | Cantilever microprobes for contacting electronic components |
| US20060226015A1 (en) * | 2003-02-04 | 2006-10-12 | Microfabrica Inc. | Method of forming electrically isolated structures using thin dielectric coatings |
| US8613846B2 (en) * | 2003-02-04 | 2013-12-24 | Microfabrica Inc. | Multi-layer, multi-material fabrication methods for producing micro-scale and millimeter-scale devices with enhanced electrical and/or mechanical properties |
| US7567089B2 (en) * | 2003-02-04 | 2009-07-28 | Microfabrica Inc. | Two-part microprobes for contacting electronic components and methods for making such probes |
| US7198704B2 (en) * | 2003-04-21 | 2007-04-03 | Microfabrica Inc. | Methods of reducing interlayer discontinuities in electrochemically fabricated three-dimensional structures |
| US20050069645A1 (en) * | 2003-05-01 | 2005-03-31 | Johns Hopkins University | Method of electrolytically depositing materials in a pattern directed by surfactant distribution |
| US20080283405A1 (en) * | 2003-05-01 | 2008-11-20 | Johns Hopkins University | Method for Producing Patterned Structures by Printing a Surfactant Resist on a Substrate for Electrodeposition |
| US10297421B1 (en) | 2003-05-07 | 2019-05-21 | Microfabrica Inc. | Plasma etching of dielectric sacrificial material from reentrant multi-layer metal structures |
| US9671429B2 (en) | 2003-05-07 | 2017-06-06 | University Of Southern California | Multi-layer, multi-material micro-scale and millimeter-scale devices with enhanced electrical and/or mechanical properties |
| WO2004101857A2 (en) * | 2003-05-07 | 2004-11-25 | Microfabrica Inc. | Methods and apparatus for forming multi-layer structures using adhered masks |
| US7527721B2 (en) * | 2003-05-07 | 2009-05-05 | Microfabrica Inc. | Electrochemical fabrication method for producing multi-layer three-dimensional structures on a porous dielectric |
| WO2004101856A2 (en) * | 2003-05-07 | 2004-11-25 | Microfabrica Inc. | Methods for electrochemically fabricating structures using adhered masks, incorporating dielectric sheets, and/or seed layers that are partially removed via planarization |
| US7524427B2 (en) * | 2003-06-27 | 2009-04-28 | Microfabrica Inc. | Electrochemical fabrication methods incorporating dielectric materials and/or using dielectric substrates |
| US20050215046A1 (en) * | 2003-06-27 | 2005-09-29 | Cohen Adam L | Electrochemical fabrication methods incorporating dielectric materials and/or using dielectric substrates |
| US20050194258A1 (en) * | 2003-06-27 | 2005-09-08 | Microfabrica Inc. | Electrochemical fabrication methods incorporating dielectric materials and/or using dielectric substrates |
| US20050176238A1 (en) * | 2003-06-27 | 2005-08-11 | Microfabrica Inc. | Electrochemical fabrication methods incorporating dielectric materials and/or using dielectric substrates |
| US20050053849A1 (en) * | 2003-07-03 | 2005-03-10 | Microfabrica Inc. | Electrochemical fabrication method for producing compliant beam-like structures |
| US20050067286A1 (en) * | 2003-09-26 | 2005-03-31 | The University Of Cincinnati | Microfabricated structures and processes for manufacturing same |
| WO2005052220A1 (en) * | 2003-11-20 | 2005-06-09 | Microfabrica Inc. | Electrochemical fabrication process including process monitoring, making corrective action decisions, and taking appropriate actions |
| US20050205430A1 (en) * | 2003-11-26 | 2005-09-22 | Microfabrica Inc. | EFAB methods including controlled mask to substrate mating |
| US20060134831A1 (en) * | 2003-12-31 | 2006-06-22 | Microfabrica Inc. | Integrated circuit packaging using electrochemically fabricated structures |
| WO2005065433A2 (en) * | 2003-12-31 | 2005-07-21 | Microfabrica Inc. | Electrochemical fabrication methods incorporating dielectric materials and/or using dielectric substrates |
| US20080105355A1 (en) * | 2003-12-31 | 2008-05-08 | Microfabrica Inc. | Probe Arrays and Method for Making |
| US7623935B2 (en) * | 2003-12-31 | 2009-11-24 | University Of Southern California | Method for electrochemically fabricating three-dimensional structures including pseudo-rasterization of data |
| US20090020433A1 (en) * | 2003-12-31 | 2009-01-22 | Microfabrica Inc. | Electrochemical Fabrication Methods for Producing Multilayer Structures Including the use of Diamond Machining in the Planarization of Deposits of Material |
| JP2007516856A (ja) * | 2003-12-31 | 2007-06-28 | マイクロファブリカ インク | 構造物を電気化学的に成型する際、複数の層の平行度を保ち、および／または、複数の層を所望の厚さにするための、方法および装置 |
| US20080142369A1 (en) * | 2003-12-31 | 2008-06-19 | Microfabrica Inc. | Integrated Circuit Packaging Using Electrochemically Fabricated Structures |
| US20160194774A1 (en) * | 2003-12-31 | 2016-07-07 | University Of Southern California | Electrochemical Fabrication Process for Forming Multilayer Multimaterial Microprobe Structures Incorporating Dielectrics |
| US20080108221A1 (en) * | 2003-12-31 | 2008-05-08 | Microfabrica Inc. | Microprobe Tips and Methods for Making |
| US7430731B2 (en) * | 2003-12-31 | 2008-09-30 | University Of Southern California | Method for electrochemically fabricating three-dimensional structures including pseudo-rasterization of data |
| US10641792B2 (en) | 2003-12-31 | 2020-05-05 | University Of Southern California | Multi-layer, multi-material micro-scale and millimeter-scale devices with enhanced electrical and/or mechanical properties |
| KR101255691B1 (ko) * | 2004-07-29 | 2013-04-17 | 퀄컴 엠이엠에스 테크놀로지스, 인크. | 간섭 변조기의 미소기전 동작을 위한 시스템 및 방법 |
| US7066004B1 (en) | 2004-09-02 | 2006-06-27 | Sandia Corporation | Inertial measurement unit using rotatable MEMS sensors |
| CN1300638C (zh) * | 2004-11-25 | 2007-02-14 | 上海交通大学 | 用x射线曝光制造不同深宽比的微机械构件的方法 |
| US7271022B2 (en) * | 2004-12-21 | 2007-09-18 | Touchdown Technologies, Inc. | Process for forming microstructures |
| US7264984B2 (en) * | 2004-12-21 | 2007-09-04 | Touchdown Technologies, Inc. | Process for forming MEMS |
| TW200628877A (en) * | 2005-02-04 | 2006-08-16 | Prime View Int Co Ltd | Method of manufacturing optical interference type color display |
| US7696102B2 (en) * | 2005-03-31 | 2010-04-13 | Gang Zhang | Methods for fabrication of three-dimensional structures |
| US8216931B2 (en) * | 2005-03-31 | 2012-07-10 | Gang Zhang | Methods for forming multi-layer three-dimensional structures |
| US7608367B1 (en) | 2005-04-22 | 2009-10-27 | Sandia Corporation | Vitreous carbon mask substrate for X-ray lithography |
| CN101228091A (zh) * | 2005-07-22 | 2008-07-23 | 高通股份有限公司 | 用于mems装置的支撑结构及其方法 |
| EP2495212A3 (en) * | 2005-07-22 | 2012-10-31 | QUALCOMM MEMS Technologies, Inc. | Mems devices having support structures and methods of fabricating the same |
| US7362119B2 (en) * | 2005-08-01 | 2008-04-22 | Touchdown Technologies, Inc | Torsion spring probe contactor design |
| US7245135B2 (en) * | 2005-08-01 | 2007-07-17 | Touchdown Technologies, Inc. | Post and tip design for a probe contact |
| EP2381015B1 (en) | 2005-08-12 | 2019-01-16 | Modumetal, Inc. | Compositionally modulated composite materials |
| US20070057685A1 (en) * | 2005-09-14 | 2007-03-15 | Touchdown Technologies, Inc. | Lateral interposer contact design and probe card assembly |
| US7365553B2 (en) | 2005-12-22 | 2008-04-29 | Touchdown Technologies, Inc. | Probe card assembly |
| US7795061B2 (en) * | 2005-12-29 | 2010-09-14 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method of creating MEMS device cavities by a non-etching process |
| US7916980B2 (en) | 2006-01-13 | 2011-03-29 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Interconnect structure for MEMS device |
| US7382515B2 (en) | 2006-01-18 | 2008-06-03 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Silicon-rich silicon nitrides as etch stops in MEMS manufacture |
| US7180316B1 (en) | 2006-02-03 | 2007-02-20 | Touchdown Technologies, Inc. | Probe head with machined mounting pads and method of forming same |
| US7450295B2 (en) * | 2006-03-02 | 2008-11-11 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Methods for producing MEMS with protective coatings using multi-component sacrificial layers |
| EP1835050A1 (fr) * | 2006-03-15 | 2007-09-19 | Doniar S.A. | Procédé de fabrication par LIGA-UV d'une structure métallique multicouche à couches adjacentes non entièrement superposées, et structure obtenue |
| US7733552B2 (en) * | 2007-03-21 | 2010-06-08 | Qualcomm Mems Technologies, Inc | MEMS cavity-coating layers and methods |
| US7719752B2 (en) | 2007-05-11 | 2010-05-18 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | MEMS structures, methods of fabricating MEMS components on separate substrates and assembly of same |
| EP2003939A1 (en) * | 2007-06-14 | 2008-12-17 | Nederlandse Organisatie voor toegepast- natuurwetenschappelijk onderzoek TNO | Method for preparing a pattern for a 3-dimensional electric circuit |
| US7761966B2 (en) * | 2007-07-16 | 2010-07-27 | Touchdown Technologies, Inc. | Method for repairing a microelectromechanical system |
| US20100121307A1 (en) * | 2007-08-24 | 2010-05-13 | Microfabrica Inc. | Microneedles, Microneedle Arrays, Methods for Making, and Transdermal and/or Intradermal Applications |
| CH704572B1 (fr) * | 2007-12-31 | 2012-09-14 | Nivarox Sa | Procédé de fabrication d'une microstructure métallique et microstructure obtenue selon ce procédé. |
| US8076057B2 (en) * | 2008-02-29 | 2011-12-13 | Corning Incorporated | Methods of making extrusion dies |
| US8078309B1 (en) | 2008-03-31 | 2011-12-13 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Method to create arbitrary sidewall geometries in 3-dimensions using liga with a stochastic optimization framework |
| US7851239B2 (en) * | 2008-06-05 | 2010-12-14 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Low temperature amorphous silicon sacrificial layer for controlled adhesion in MEMS devices |
| US8414607B1 (en) | 2008-06-23 | 2013-04-09 | Microfabrica Inc. | Miniature shredding tool for use in medical applications and methods for making |
| US9451977B2 (en) | 2008-06-23 | 2016-09-27 | Microfabrica Inc. | MEMS micro debrider devices and methods of tissue removal |
| US10939934B2 (en) | 2008-06-23 | 2021-03-09 | Microfabrica Inc. | Miniature shredding tools for use in medical applications, methods for making, and procedures for using |
| WO2010151251A1 (en) | 2008-06-23 | 2010-12-29 | Microfabrica Inc. | Miniature shredding tool for use in medical applications and methods for making |
| US9814484B2 (en) | 2012-11-29 | 2017-11-14 | Microfabrica Inc. | Micro debrider devices and methods of tissue removal |
| US8795278B2 (en) | 2008-06-23 | 2014-08-05 | Microfabrica Inc. | Selective tissue removal tool for use in medical applications and methods for making and using |
| EP2559533B1 (en) | 2008-09-26 | 2020-04-15 | United Technologies Corporation | Casting |
| EP2182096A1 (fr) * | 2008-10-28 | 2010-05-05 | Nivarox-FAR S.A. | Procédé LIGA hétérogène |
| US9441661B2 (en) | 2008-12-31 | 2016-09-13 | Microfabrica Inc. | Microscale and millimeter scale devices including threaded elements, methods for designing, and methods for making |
| US8511960B1 (en) | 2008-12-31 | 2013-08-20 | Microfabrica Inc. | Microscale and millimeter scale devices including threaded elements, methods for designing, and methods for making |
| EA029168B1 (ru) | 2009-06-08 | 2018-02-28 | Модьюметал, Инк. | Электроосажденное наноламинатное покрытие и оболочка для защиты от коррозии |
| US8262916B1 (en) | 2009-06-30 | 2012-09-11 | Microfabrica Inc. | Enhanced methods for at least partial in situ release of sacrificial material from cavities or channels and/or sealing of etching holes during fabrication of multi-layer microscale or millimeter-scale complex three-dimensional structures |
| EP3175803A1 (en) | 2009-08-18 | 2017-06-07 | Microfabrica Inc. | Concentric cutting devices for use in minimally invasive medical procedures |
| US8747642B2 (en) * | 2009-10-29 | 2014-06-10 | Advantest America, Inc. | Superfilling secondary metallization process in MEMS fabrication |
| US8309382B2 (en) * | 2009-10-29 | 2012-11-13 | Advantest America, Inc. | Multi material secondary metallization scheme in MEMS fabrication |
| CN101872119A (zh) * | 2010-06-08 | 2010-10-27 | 电子科技大学 | 一种具有缓和坡度的牺牲层结构的制备方法 |
| US20120080318A1 (en) * | 2010-10-04 | 2012-04-05 | Gillen James R | Forming Through-Substrate Vias by Electrofilling |
| WO2013070201A1 (en) | 2011-11-09 | 2013-05-16 | Advantest America, Inc. | Fine pitch microelectronic contact array and method of making same |
| US8813824B2 (en) | 2011-12-06 | 2014-08-26 | Mikro Systems, Inc. | Systems, devices, and/or methods for producing holes |
| US9878401B1 (en) | 2013-01-15 | 2018-01-30 | Microfabrica Inc. | Methods of forming parts using laser machining |
| WO2014113508A2 (en) | 2013-01-15 | 2014-07-24 | Microfabrica Inc. | Methods of forming parts using laser machining |
| EP2971266A4 (en) | 2013-03-15 | 2017-03-01 | Modumetal, Inc. | A method and apparatus for continuously applying nanolaminate metal coatings |
| WO2014145588A1 (en) | 2013-03-15 | 2014-09-18 | Modumetal, Inc. | Nickel chromium nanolaminate coating having high hardness |
| CA2905536C (en) | 2013-03-15 | 2023-03-07 | Modumetal, Inc. | Electrodeposited compositions and nanolaminated alloys for articles prepared by additive manufacturing processes |
| CA2905548C (en) | 2013-03-15 | 2022-04-26 | Modumetal, Inc. | Nanolaminate coatings |
| EP3022064A4 (en) | 2013-07-16 | 2017-06-07 | Microfabrica Inc. | Counterfeiting deterent and security devices systems and methods |
| JP6284144B2 (ja) * | 2014-02-14 | 2018-02-28 | マクセルホールディングス株式会社 | 電鋳品及びその製造方法 |
| AR102068A1 (es) | 2014-09-18 | 2017-02-01 | Modumetal Inc | Métodos de preparación de artículos por electrodeposición y procesos de fabricación aditiva |
| BR112017005464A2 (pt) | 2014-09-18 | 2017-12-05 | Modumetal Inc | método e aparelho para aplicar continuamente revestimentos de metal nanolaminado |
| CN104388994B (zh) * | 2014-10-09 | 2017-10-24 | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 | 减小电镀层图形失真的方法 |
| US9933578B1 (en) | 2015-06-11 | 2018-04-03 | Microfabrica Inc. | Multi-layer monolithic fiber optic alignment structures, methods for making, and methods for using |
| US9953899B2 (en) | 2015-09-30 | 2018-04-24 | Microfabrica Inc. | Micro heat transfer arrays, micro cold plates, and thermal management systems for cooling semiconductor devices, and methods for using and making such arrays, plates, and systems |
| US10096537B1 (en) | 2015-12-31 | 2018-10-09 | Microfabrica Inc. | Thermal management systems, methods for making, and methods for using |
| US10806557B1 (en) | 2016-07-11 | 2020-10-20 | Microfabrica Inc. | Tissue scaffolding devices, methods of using, and methods of making |
| US11365488B2 (en) | 2016-09-08 | 2022-06-21 | Modumetal, Inc. | Processes for providing laminated coatings on workpieces, and articles made therefrom |
| US20180143673A1 (en) * | 2016-11-22 | 2018-05-24 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Electroplated phase change device |
| WO2018175975A1 (en) | 2017-03-24 | 2018-09-27 | Modumetal, Inc. | Lift plungers with electrodeposited coatings, and systems and methods for producing the same |
| EP3612669A1 (en) | 2017-04-21 | 2020-02-26 | Modumetal, Inc. | Tubular articles with electrodeposited coatings, and systems and methods for producing the same |
| US10961967B1 (en) | 2017-12-12 | 2021-03-30 | Microfabrica Inc. | Fuel injector systems, fuel injectors, fuel injector nozzles, and methods for making fuel injector nozzles |
| CN112272717B (zh) | 2018-04-27 | 2024-01-05 | 莫杜美拓有限公司 | 用于使用旋转生产具有纳米层压物涂层的多个制品的设备、系统和方法 |
| US11262383B1 (en) | 2018-09-26 | 2022-03-01 | Microfabrica Inc. | Probes having improved mechanical and/or electrical properties for making contact between electronic circuit elements and methods for making |
| US11867721B1 (en) | 2019-12-31 | 2024-01-09 | Microfabrica Inc. | Probes with multiple springs, methods for making, and methods for using |
| CN113562686A (zh) * | 2021-06-07 | 2021-10-29 | 苏州韬盛电子科技有限公司 | 一种3d-mems探针的制造方法 |
| WO2023196425A1 (en) | 2022-04-06 | 2023-10-12 | Microfabrica Inc. | Probes with planar unbiased spring elements for electronic component contact, methods for making such probes, and methods for using such probes |
| WO2023196431A1 (en) | 2022-04-06 | 2023-10-12 | Microfabrica Inc. | Probes with planar unbiased spring elements for electronic component contact, methods for making such probes, and methods for using such probes |
| WO2023196427A1 (en) | 2022-04-06 | 2023-10-12 | Microfabrica Inc. | Probes with planar unbiased spring elements for electronic component contact, methods for making such probes, and methods for using such probes |
| WO2023196438A1 (en) | 2022-04-07 | 2023-10-12 | Microfabrica Inc. | Probes with planar unbiased spring elements for electronic component contact, methods for making such probes, and methods for using such probes |
| WO2023196428A1 (en) | 2022-04-07 | 2023-10-12 | Microfabrica Inc. | Probes with planar unbiased spring elements for electronic component contact, methods for making such probes, and methods for using such probes |
| WO2023196436A1 (en) | 2022-04-08 | 2023-10-12 | Microfabrica Inc. | Probes with planar unbiased spring elements for electronic component contact, methods for making such probes, and methods for using such probes |
| WO2023211659A1 (en) | 2022-04-28 | 2023-11-02 | Microfabrica Inc. | Probes with planar unbiased spring elements for electronic component contact, methods for making such probes, and methods for using such probes |
| WO2024006446A1 (en) | 2022-06-30 | 2024-01-04 | Microfabrica Inc. | Compliant pin probes with extension springs or spring segments and ratcheting elements |
| CN115360496B (zh) * | 2022-08-30 | 2023-09-29 | 合肥工业大学 | 基于金属辅助化学刻蚀的太赫兹高度差腔体器件的制备方法 |
Family Cites Families (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3449221A (en) * | 1966-12-08 | 1969-06-10 | Dynamics Res Corp | Method of making a monometallic mask |
| US3535137A (en) * | 1967-01-13 | 1970-10-20 | Ibm | Method of fabricating etch resistant masks |
| US3886584A (en) * | 1970-11-23 | 1975-05-27 | Harris Corp | Radiation hardened mis devices |
| US4035522A (en) * | 1974-07-19 | 1977-07-12 | International Business Machines Corporation | X-ray lithography mask |
| US4018938A (en) * | 1975-06-30 | 1977-04-19 | International Business Machines Corporation | Fabrication of high aspect ratio masks |
| US3984582A (en) * | 1975-06-30 | 1976-10-05 | Ibm | Method for preparing positive resist image |
| US4107351A (en) * | 1976-10-15 | 1978-08-15 | Rca Corporation | Method of depositing or repairing a patterned metal layer on a substrate |
| DE2922642C2 (de) * | 1979-06-02 | 1981-10-01 | Kernforschungszentrum Karlsruhe Gmbh, 7500 Karlsruhe | Verfahren zum Herstellen von Platten für den Aufbau von Trenndüsenelementen |
| DE2933570C3 (de) * | 1979-08-18 | 1982-02-25 | Kernforschungszentrum Karlsruhe Gmbh, 7500 Karlsruhe | Verfahren zum Herstellen von Trenndüsenelementen |
| DE3206820C2 (de) * | 1982-02-26 | 1984-02-09 | Kernforschungszentrum Karlsruhe Gmbh, 7500 Karlsruhe | Verfahren zum Herstellen von Trenndüsenelementen |
| DE3221981C2 (de) * | 1982-06-11 | 1985-08-29 | Kernforschungszentrum Karlsruhe Gmbh, 7500 Karlsruhe | Verfahren zum Herstellen von aus Trennkörpern mit Abschlußplatten bestehenden Trenndüsenelementen zur Trennung gas- oder dampfförmiger Gemische |
| US4526859A (en) * | 1983-12-12 | 1985-07-02 | International Business Machines Corporation | Metallization of a ceramic substrate |
| DE3408848A1 (de) * | 1984-03-10 | 1985-09-19 | Kernforschungszentrum Karlsruhe Gmbh, 7500 Karlsruhe | Verfahren zur herstellung von vielkanalplatten |
| DE3408849A1 (de) * | 1984-03-10 | 1985-09-19 | Kernforschungszentrum Karlsruhe Gmbh, 7500 Karlsruhe | Verfahren zur herstellung geschichteter vielkanalplatten aus metall fuer bildverstaerker |
| US4703559A (en) * | 1984-11-02 | 1987-11-03 | Kernforschungszentrum Karlsruhe Gmbh | Method for producing connecting elements for electrically joining microelectronic components |
| DE3517729A1 (de) * | 1985-05-17 | 1986-11-20 | Kernforschungszentrum Karlsruhe Gmbh, 7500 Karlsruhe | Verfahren zum herstellen von spinnduesenplatten |
| DE3517730A1 (de) * | 1985-05-17 | 1986-11-20 | Kernforschungszentrum Karlsruhe Gmbh, 7500 Karlsruhe | Verfahren zum herstellen von spinnduesenplatten |
| DE3524411A1 (de) * | 1985-07-09 | 1987-01-15 | Kernforschungsz Karlsruhe | Verfahren zum herstellen von spinnduesenplatten |
| DE3529966C1 (de) * | 1985-08-22 | 1987-01-15 | Kernforschungsz Karlsruhe | Verfahren zur Herstellung von Masken fuer die Roentgentiefenlithographie |
| DE3537483C1 (de) * | 1985-10-22 | 1986-12-04 | Kernforschungszentrum Karlsruhe Gmbh, 7500 Karlsruhe | Verfahren zum Herstellen einer Vielzahl plattenfoermiger Mikrostrukturkoerper aus Metall |
| ATA331285A (de) * | 1985-11-13 | 1988-11-15 | Ims Ionen Mikrofab Syst | Verfahren zur herstellung einer transmissionsmaske |
| DE3546091A1 (de) * | 1985-12-24 | 1987-07-02 | Kernforschungsz Karlsruhe | Querstrom-mikrofilter |
| EP0227857B1 (de) * | 1985-12-30 | 1990-03-28 | Ibm Deutschland Gmbh | Verfahren zum Herstellen von gedruckten Schaltungen |
| DE3605781A1 (de) * | 1986-02-22 | 1987-09-03 | Kernforschungsz Karlsruhe | Verwendung eines folien- oder plattenfoermigen gebildes als lagerwerkstoff fuer gleitlager |
| DE3611246A1 (de) * | 1986-04-04 | 1987-10-15 | Kernforschungsz Karlsruhe | Verfahren zum herstellen eines passiven optischen bauelements mit einem oder mehreren echelette-gittern und nach diesem verfahren hergestelltes bauelement |
| DE3704546A1 (de) * | 1987-02-13 | 1988-08-25 | Kernforschungsz Karlsruhe | Verfahren zur herstellung eines filters und danach hergestelltes filter |
| US5017271A (en) * | 1990-08-24 | 1991-05-21 | Gould Inc. | Method for printed circuit board pattern making using selectively etchable metal layers |
-
1992
- 1992-04-24 US US07/874,116 patent/US5190637A/en not_active Expired - Lifetime
-
1993
- 1993-02-02 CA CA002088605A patent/CA2088605C/en not_active Expired - Lifetime
- 1993-02-24 IL IL104835A patent/IL104835A0/xx not_active IP Right Cessation
- 1993-04-14 MX MX9302149A patent/MX9302149A/es not_active IP Right Cessation
- 1993-04-15 JP JP8857893A patent/JP3249233B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1993-04-22 DE DE69303320T patent/DE69303320T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1993-04-22 AT AT93303140T patent/ATE139810T1/de not_active IP Right Cessation
- 1993-04-22 EP EP93303140A patent/EP0567332B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1993-04-23 KR KR1019930006888A patent/KR100272829B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100272829B1 (ko) | 2000-12-01 |
| EP0567332A3 (ja) | 1994-01-12 |
| ATE139810T1 (de) | 1996-07-15 |
| CA2088605C (en) | 2001-01-02 |
| EP0567332B1 (en) | 1996-06-26 |
| DE69303320D1 (de) | 1996-08-01 |
| DE69303320T2 (de) | 1996-10-31 |
| US5190637A (en) | 1993-03-02 |
| CA2088605A1 (en) | 1993-10-25 |
| MX9302149A (es) | 1993-10-01 |
| KR930022470A (ko) | 1993-11-24 |
| EP0567332A2 (en) | 1993-10-27 |
| IL104835A0 (en) | 1993-06-10 |
| JPH0645232A (ja) | 1994-02-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3249233B2 (ja) | 犠牲金属層を有する多重レベル深ｘ線リトグラフィによる微小構造体の形成 | |
| US5718618A (en) | Lapping and polishing method and apparatus for planarizing photoresist and metal microstructure layers | |
| US7271022B2 (en) | Process for forming microstructures | |
| JP3366405B2 (ja) | 予備成形フォトレジストシートを使用した超小型構造の製造 | |
| US7264984B2 (en) | Process for forming MEMS | |
| JP6010580B2 (ja) | 隣接する層が完全には重なり合わない多層金属構造のｌｉｇａ−ｕｖによる製造方法及びそれにより得られる構造 | |
| JPH0618170B2 (ja) | モノリシック・シリコン膜集積体およびその製造方法 | |
| JPS62149132A (ja) | Ｘ線ホトリソグラフイに使用するマスクの製造方法及びその結果得られる構成体 | |
| CN108806819B (zh) | 一种x射线波带片的制备方法 | |
| Lawes et al. | The formation of moulds for 3D microstructures using excimer laser ablation | |
| JPS62115720A (ja) | モノリシツク支持体を使用してｘ線ホトリソグラフイに使用するマスクの製造方法及びその結果得られる構成体 | |
| US6773871B2 (en) | Method of machining glass | |
| Desta et al. | Fabrication of graphite masks for deep and ultradeep X-ray lithography | |
| Daniau et al. | Metallic microdevices fabricated by deep-etch UV lithography | |
| JP3271390B2 (ja) | 荷電ビーム露光用透過マスク及びその製造方法 | |
| US6921630B2 (en) | Photoresist substrate having robust adhesion | |
| JP2655543B2 (ja) | Ｘ線マスクブランクス及びｘ線マスク構造体 | |
| JPH06188175A (ja) | 微細構造体の形成方法 | |
| Mednikarov et al. | Photolithographic structuring with evaporated inorganic photoresist | |
| Schattenburg et al. | Maskless Single-Sided Wet Etching Process for the Fabrication of Ultra-Low Distortion Polyimide Membranes | |
| JPS635522A (ja) | Ｘ線露光用マスクの製造方法 | |
| KR0165523B1 (ko) | 미세형 관통 구조의 가공방법 | |
| JP2002256474A (ja) | 微細構造物の製造方法 | |
| Morales et al. | Sacrificial layer for the fabrication of electroformed cantilevered LIGA microparts | |
| JPH04269832A (ja) | Ｘ線リソグラフィ−用マスクの製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071109 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081109 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091109 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091109 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101109 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111109 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111109 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121109 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121109 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131109 Year of fee payment: 12 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |