JPS5915921A - 液晶挾持用基板の製造法 - Google Patents
液晶挾持用基板の製造法Info
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- JPS5915921A JPS5915921A JP12660182A JP12660182A JPS5915921A JP S5915921 A JPS5915921 A JP S5915921A JP 12660182 A JP12660182 A JP 12660182A JP 12660182 A JP12660182 A JP 12660182A JP S5915921 A JPS5915921 A JP S5915921A
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- Japan
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- liquid crystal
- polyamic acid
- liq
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- crystal
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-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1337—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
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- Polymers With Sulfur, Phosphorus Or Metals In The Main Chain (AREA)
- Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、液晶挾持用基板の製造法に１男する。
特に初期状態あるいは未励起状轢における液晶化合物を
ホモジニアス配向状態（基板に対して平行な状態）とす
るのに有効な配向制御膜を有する液晶挾持用基板の製造
法に関する。
ホモジニアス配向状態（基板に対して平行な状態）とす
るのに有効な配向制御膜を有する液晶挾持用基板の製造
法に関する。
液晶表示素子１％に、正の誘電異方性を有するネマチッ
ク型液晶化合物をホモジニアス配向させて旋光性を付与
し、電界の作用によね重力作する電界効果型（ＦＢ型）
液晶表示素子においては、電界を印加しない未励起状帳
において、ネマチック型液晶化合物をホモジニ°γス配
向状暢にすることが特に重要である。
ク型液晶化合物をホモジニアス配向させて旋光性を付与
し、電界の作用によね重力作する電界効果型（ＦＢ型）
液晶表示素子においては、電界を印加しない未励起状帳
において、ネマチック型液晶化合物をホモジニ°γス配
向状暢にすることが特に重要である。
従来、このようなホモジニアス配向状慎を得る手段とし
て、 （１） ＳｉＯの斜方蒸着法、（２）有機高分子
膜や界面活性剤の薄膜を形）戊したのち、ラビング処理
を施す方法などが行なわｆ”している。
て、 （１） ＳｉＯの斜方蒸着法、（２）有機高分子
膜や界面活性剤の薄膜を形）戊したのち、ラビング処理
を施す方法などが行なわｆ”している。
しかし、（１）の方法は、真空蒸着装置を用いるため操
作が繁雑であり、バッチ方式となるため剛″産性に乏し
く、オだ、液晶の種類により全くホモジニアス配向状態
を得られない場合もある。
作が繁雑であり、バッチ方式となるため剛″産性に乏し
く、オだ、液晶の種類により全くホモジニアス配向状態
を得られない場合もある。
これに対して（２）の方法は、有機高分子あるいは界面
活性剤の溶液を基板／塗布し、加熱硬化することにより
簡単に被膜を形成することができるため、針量性にすぐ
れている。しかし、一般の有機高分子あるいは界面活性
剤を用いた場合には、液晶表示素子の組立時に行なわれ
るシール剤の硬化のだめの加熱によりホモジニアス配向
制御能力が失われる欠点があった。このため実際には、
ポリイミドなどの耐熱性高分子の被膜が使用されている
。しかしながら０通常のポリイミド被膜は、５を色が見
られ、また、ホモジニアス配向制御能力が不充分であり
９表示品質の高い液晶表示素子を得ることは困難であっ
た。
活性剤の溶液を基板／塗布し、加熱硬化することにより
簡単に被膜を形成することができるため、針量性にすぐ
れている。しかし、一般の有機高分子あるいは界面活性
剤を用いた場合には、液晶表示素子の組立時に行なわれ
るシール剤の硬化のだめの加熱によりホモジニアス配向
制御能力が失われる欠点があった。このため実際には、
ポリイミドなどの耐熱性高分子の被膜が使用されている
。しかしながら０通常のポリイミド被膜は、５を色が見
られ、また、ホモジニアス配向制御能力が不充分であり
９表示品質の高い液晶表示素子を得ることは困難であっ
た。
さらに、基板との密着性に劣るため水分等が基板とポリ
イミド被膜との間に浸入してドメインなどの原因となり
、液晶表示素子の信頼性に劣るという欠点があった。
イミド被膜との間に浸入してドメインなどの原因となり
、液晶表示素子の信頼性に劣るという欠点があった。
本発明の目的は、上記欠改をなくシ１１表示挟持用基板
の製造法を提供することにある８ハ すなわち９本発明は、透明電極被膜を設けた基板の液晶
に接する側の一部又は全部にビフェニルテトラカルボン
酸二無水物と、ジアミンとを反応させて得られるポリア
ミック酸を含有する組成物を塗布し、脱水閉環させてポ
リイミド被膜を形成する液晶挾持用基板の製造法に関す
る。
の製造法を提供することにある８ハ すなわち９本発明は、透明電極被膜を設けた基板の液晶
に接する側の一部又は全部にビフェニルテトラカルボン
酸二無水物と、ジアミンとを反応させて得られるポリア
ミック酸を含有する組成物を塗布し、脱水閉環させてポ
リイミド被膜を形成する液晶挾持用基板の製造法に関す
る。
本発明はポリアミック酸の材料として、ビフェニルテト
ラカルボン酸二無水物を用いることにより、得られる配
向膜の着色が少なく、基板との接着性、液晶をホモジニ
アス配向状態とする配向制御能力にすぐれ、特に、チル
ト角（液晶がポモジニアス配向状態をとったときの基板
と、液晶分子軸とのなす角）が１０〜１．６度と小さく
、熱処理に対してもこの配向制御能力が失われないこと
を艶出してなされたものである。
ラカルボン酸二無水物を用いることにより、得られる配
向膜の着色が少なく、基板との接着性、液晶をホモジニ
アス配向状態とする配向制御能力にすぐれ、特に、チル
ト角（液晶がポモジニアス配向状態をとったときの基板
と、液晶分子軸とのなす角）が１０〜１．６度と小さく
、熱処理に対してもこの配向制御能力が失われないこと
を艶出してなされたものである。
これは、（１）ビフェニル基のφ−φ結合で電子の共役
系が切れるため、可視部の分光透過率が高＜、＋２）ｔ
たこのφ−φ結合は、自由に回転することができるため
、基板上で脱水閉環させたときの基板に対するポリイミ
ド分子の配列が容易に起こり、（３）熱に対してこのポ
リイミド分子の配列がかなりの自由度を有し、（４）さ
らに、液晶をホモジニアス配内状態とするため、このポ
リイミド被膜をラビング処理したとき、ポリイミド被膜
の表面の分子の、このラビング方向への再配列が通常の
ポリイミド被膜（たとえばピロメリット酸無水物などを
用いた被膜）よりも。
系が切れるため、可視部の分光透過率が高＜、＋２）ｔ
たこのφ−φ結合は、自由に回転することができるため
、基板上で脱水閉環させたときの基板に対するポリイミ
ド分子の配列が容易に起こり、（３）熱に対してこのポ
リイミド分子の配列がかなりの自由度を有し、（４）さ
らに、液晶をホモジニアス配内状態とするため、このポ
リイミド被膜をラビング処理したとき、ポリイミド被膜
の表面の分子の、このラビング方向への再配列が通常の
ポリイミド被膜（たとえばピロメリット酸無水物などを
用いた被膜）よりも。
自由に回転できる結合を有する分だけ容易である等の理
由によると考えられる。
由によると考えられる。
本発明で用いるポリアミックｌｌｔは、ビフェニルテト
ラカルボン酸無水物とジアミ／との反応により合成され
、これらの反応は無水条件下、好ましくは９０℃または
それしＪ下の烏度で行なわれる。
ラカルボン酸無水物とジアミ／との反応により合成され
、これらの反応は無水条件下、好ましくは９０℃または
それしＪ下の烏度で行なわれる。
ビフェニルテトラカルボン酸二無水物とジアミンとの反
応割合は等モルとすることが好今しく、この反応は、ジ
メチルホルムアミド、ジメチルｒセトアミド、ジメチル
スルホキ・／ド、Ｎ−メチルピロリドン等の客側の序午
Ｆで行なわｆｌ、る。
応割合は等モルとすることが好今しく、この反応は、ジ
メチルホルムアミド、ジメチルｒセトアミド、ジメチル
スルホキ・／ド、Ｎ−メチルピロリドン等の客側の序午
Ｆで行なわｆｌ、る。
本発明においてビフェニルテトラカルボン酸二無水物と
しては、 ３．３．’ ４．４’−ビフェニルテトラカ
ルボン酸二無水物、λ３．３．’ ４’−ビフェニルテ
トラカルボン酸二無水物、 ｇ ２．’３．３’ −ビ
フェニルテトラカルボン酸二無水物などを使用できる。
しては、 ３．３．’ ４．４’−ビフェニルテトラカ
ルボン酸二無水物、λ３．３．’ ４’−ビフェニルテ
トラカルボン酸二無水物、 ｇ ２．’３．３’ −ビ
フェニルテトラカルボン酸二無水物などを使用できる。
本発明で用いるジアミンとしてはたとえばｍ−フェニレ
ンジアミン、ｐ−フェニレンジアミン、ｍ−キシレンジ
アミン、ｐ−キシレンジアミン、４．４’−ジアミノジ
フェニルエーテル、４゜４′−ジアミノジフェニルメタ
ン、３．３’−ジメチル−４，４′−ジアミノジフェニ
ルメタン、 ３．３．’ ５．５’−テトラメチル−
４，４′−ジアミノジフェニルメタン、２．２’−ビス
（４−アミノフェニル）フロパン−４，４′−メチレン
ジアニリン、ベンジジン。
ンジアミン、ｐ−フェニレンジアミン、ｍ−キシレンジ
アミン、ｐ−キシレンジアミン、４．４’−ジアミノジ
フェニルエーテル、４゜４′−ジアミノジフェニルメタ
ン、３．３’−ジメチル−４，４′−ジアミノジフェニ
ルメタン、 ３．３．’ ５．５’−テトラメチル−
４，４′−ジアミノジフェニルメタン、２．２’−ビス
（４−アミノフェニル）フロパン−４，４′−メチレン
ジアニリン、ベンジジン。
４．４′−ジアミノジフェニルスルフィド、４．４’−
ジアミノジフェニルスルホン、１，５−ジアミノナフタ
レン、３．３’−ジメチルベンジジン、３．３′−ジメ
トキシベンジジン、２．４−ビス（β−アミノ−１ｅｒ
ｔ−ブチル）トルエン、ビス（４−β−７ミ／−ｔｅｒ
ｔ−フチルフェニル）エーテル、１゜４−ビス（２−メ
チル−４−アミノペンチル）ベンゼンなどおよびこれら
の混合物が用いられる。
ジアミノジフェニルスルホン、１，５−ジアミノナフタ
レン、３．３’−ジメチルベンジジン、３．３′−ジメ
トキシベンジジン、２．４−ビス（β−アミノ−１ｅｒ
ｔ−ブチル）トルエン、ビス（４−β−７ミ／−ｔｅｒ
ｔ−フチルフェニル）エーテル、１゜４−ビス（２−メ
チル−４−アミノペンチル）ベンゼンなどおよびこれら
の混合物が用いられる。
特に、耐熱性の点から芳香族系のジアミンを用いること
が好ましい。
が好ましい。
また、ポリイミド被膜と基板との接着性、ぬれ性をさら
によくするため１本発明におけるボリアミック酸を含有
する組成物に種々の界面活性剤、カップリング剤を添加
することも可能である。特に液晶表示素子には、ガラス
基板が。
によくするため１本発明におけるボリアミック酸を含有
する組成物に種々の界面活性剤、カップリング剤を添加
することも可能である。特に液晶表示素子には、ガラス
基板が。
一般に用いられることからシランカップリング剤の添加
が有効である。
が有効である。
上記のポリアミック酸を含有する組成物の透明電極被膜
を設けた基板への塗布は、該ポリアミック酸をジメチル
フォルムアミド、ジメチルアセトアミド、ジメチルスル
フオキシド、Ｎ−メチルピロリドン等の０．０１〜４０
重−１係溶液として、これをディップ法、スピンナ法、
スプレー法、印刷法、刷毛塗ゆ法などにより塗布して行
なわれる。塗布後１００℃〜４００℃、好ましくけ２５
０℃〜３５０℃で加熱処理してポリアミック酸を脱水閉
環してポリイミド被膜が得られる。本発明が適用される
透明電極被膜を設けた基板については特に制限はない。
を設けた基板への塗布は、該ポリアミック酸をジメチル
フォルムアミド、ジメチルアセトアミド、ジメチルスル
フオキシド、Ｎ−メチルピロリドン等の０．０１〜４０
重−１係溶液として、これをディップ法、スピンナ法、
スプレー法、印刷法、刷毛塗ゆ法などにより塗布して行
なわれる。塗布後１００℃〜４００℃、好ましくけ２５
０℃〜３５０℃で加熱処理してポリアミック酸を脱水閉
環してポリイミド被膜が得られる。本発明が適用される
透明電極被膜を設けた基板については特に制限はない。
以下、実施例及び比較例により本発明を具体的に説明す
る。
る。
実施例１
Ｎ−メチルピロリドン中で、 ３．３．’ ４．４’−
ビフェニルテトラカルボン酸二無水物０．５モルと４．
４’−ジアミノジフェニルエーテル０．５モルを室温で
混合し、さらに９０℃で反応させて得たボリアミツ♂ り酸〆４重量係含む組成物を、酸化インジウム系透明電
極が形成されたガラス基板（２０ｍｍｘ４０問）にスピ
ンナを用いて塗布し、ついで２５０℃。
ビフェニルテトラカルボン酸二無水物０．５モルと４．
４’−ジアミノジフェニルエーテル０．５モルを室温で
混合し、さらに９０℃で反応させて得たボリアミツ♂ り酸〆４重量係含む組成物を、酸化インジウム系透明電
極が形成されたガラス基板（２０ｍｍｘ４０問）にスピ
ンナを用いて塗布し、ついで２５０℃。
３０分加熱して脱水閉環させてポリイミド被膜を約７０
ＯＡの厚さに形成した。ついで、核被膜を一定方向にガ
ーゼでラビング処理を行ない、この一対を用いて、ラビ
ング方向が〃いに直交するようにセル組みし、エポキシ
系／−ル剤（／エル化学社ｉ！ｌ！！Ｅｐ−８２８，１
００重着部と硬化剤、旭電化製アデカハードナーＥＨ−
５３１（ポリアミン）３０重号部との混合物）を用いて
１５０℃で７−ルし、液晶としてメルクジャパン社製Ｚ
ＬＩ−１８００（フェニルシクロヘキサン系混合液晶＞
ｔＪｔ入して液晶表示素子を作製した。
ＯＡの厚さに形成した。ついで、核被膜を一定方向にガ
ーゼでラビング処理を行ない、この一対を用いて、ラビ
ング方向が〃いに直交するようにセル組みし、エポキシ
系／−ル剤（／エル化学社ｉ！ｌ！！Ｅｐ−８２８，１
００重着部と硬化剤、旭電化製アデカハードナーＥＨ−
５３１（ポリアミン）３０重号部との混合物）を用いて
１５０℃で７−ルし、液晶としてメルクジャパン社製Ｚ
ＬＩ−１８００（フェニルシクロヘキサン系混合液晶＞
ｔＪｔ入して液晶表示素子を作製した。
この液晶表示素子は、チルト角１．２度を示し液晶表示
部が明るくて着色が見られず、高い表示品質を示した。
部が明るくて着色が見られず、高い表示品質を示した。
また、耐久性圧すぐれ、７０℃。
９５９６ ＲＨの恒温恒湿槽に１０００時間放置しても
、もれ電流の増加９表示部のにじみなどは見られなかっ
た。
、もれ電流の増加９表示部のにじみなどは見られなかっ
た。
比較例Ｉ
Ｎ−メチルピロリドン中で、 ３．３．’ ４．４’−
ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物０５モルと４
゜４′−ジアミノジフェニルエーテル０．５モルとを室
温で混合し、さらに７０℃で反応させて１ｚリアミえ ツク酸４４重量係含む組成物を１製１７．これを用いて
実ｌ布例１と同様にして液晶表示素子を作製した。
ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物０５モルと４
゜４′−ジアミノジフェニルエーテル０．５モルとを室
温で混合し、さらに７０℃で反応させて１ｚリアミえ ツク酸４４重量係含む組成物を１製１７．これを用いて
実ｌ布例１と同様にして液晶表示素子を作製した。
この液晶表示素子のチルト角は２．２度で表示部かわず
かに黄色に着色し、７００Ｃ，９５’ｌＲＨの恒温恒湿
槽に５００時間放置したところ、もれ電流の増加が見ら
れ、また、７００時間で表示部ににじみが観察された。
かに黄色に着色し、７００Ｃ，９５’ｌＲＨの恒温恒湿
槽に５００時間放置したところ、もれ電流の増加が見ら
れ、また、７００時間で表示部ににじみが観察された。
本発明の製造法によって表示品質が高く、高信頼性の液
晶表示素子を与える液晶挟持用基板を得ることができる
。
晶表示素子を与える液晶挟持用基板を得ることができる
。
手続補正書（自発）
特許庁長官殿
１、事件の表示
昭和５７年特許願第１ｘ ｌ （ａ ７号２、発明の名
称 液晶挟持用基板の製造法 ３補正をする者 事ｆ１との関ｑ 特許出願人 名 称 （４４５１日立化成工業株式会（１４、代 理
人 ■５本願明細書第６頁下から６行目に千−アミノペンチ
ル」とあるのを１−アミノベンジル」ト’ＪＬＩＣ
称 液晶挟持用基板の製造法 ３補正をする者 事ｆ１との関ｑ 特許出願人 名 称 （４４５１日立化成工業株式会（１４、代 理
人 ■５本願明細書第６頁下から６行目に千−アミノペンチ
ル」とあるのを１−アミノベンジル」ト’ＪＬＩＣ
Claims (1)
- １、透明電極被膜を設けた基板の液晶に接する側の一部
又は全部に、ビフェニルテトラカルボン酸二無水物とジ
アミンとを反応させて得られるポ１１アミック酸を含有
する組成物を塗布し、脱水閉環させて、ボ１１イミド被
膜を形成することを特徴とする液晶挾持用基板の製造法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12660182A JPS5915921A (ja) | 1982-07-19 | 1982-07-19 | 液晶挾持用基板の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12660182A JPS5915921A (ja) | 1982-07-19 | 1982-07-19 | 液晶挾持用基板の製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5915921A true JPS5915921A (ja) | 1984-01-27 |
Family
ID=14939224
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12660182A Pending JPS5915921A (ja) | 1982-07-19 | 1982-07-19 | 液晶挾持用基板の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5915921A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60230635A (ja) * | 1984-05-01 | 1985-11-16 | Hitachi Ltd | 強誘電性液晶素子 |
| JPS6160725A (ja) * | 1984-08-31 | 1986-03-28 | Hitachi Ltd | 電子装置用多層配線基板の製法 |
| JPS61141732A (ja) * | 1984-12-14 | 1986-06-28 | Ube Ind Ltd | 透明な芳香族ポリイミドおよび組成物 |
| JPS63248868A (ja) * | 1988-01-20 | 1988-10-17 | Toshiba Corp | 耐熱性絶縁被覆材 |
| JPH0711132A (ja) * | 1993-07-16 | 1995-01-13 | Toray Ind Inc | カラーフィルタ用の耐熱着色ペースト |
| JPH0713012A (ja) * | 1993-08-11 | 1995-01-17 | Toray Ind Inc | カラーフィルタ用の耐熱着色ペースト |
| CN112430323A (zh) * | 2020-11-26 | 2021-03-02 | 深圳瑞华泰薄膜科技股份有限公司 | 一种性能优异的透明聚酰亚胺薄膜及其制备方法 |
-
1982
- 1982-07-19 JP JP12660182A patent/JPS5915921A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60230635A (ja) * | 1984-05-01 | 1985-11-16 | Hitachi Ltd | 強誘電性液晶素子 |
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| CN112430323A (zh) * | 2020-11-26 | 2021-03-02 | 深圳瑞华泰薄膜科技股份有限公司 | 一种性能优异的透明聚酰亚胺薄膜及其制备方法 |
| CN112430323B (zh) * | 2020-11-26 | 2021-05-11 | 深圳瑞华泰薄膜科技股份有限公司 | 一种性能优异的透明聚酰亚胺薄膜及其制备方法 |
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