JPS5821244B2 - 液晶表示素子 - Google Patents
液晶表示素子Info
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- JPS5821244B2 JPS5821244B2 JP53026550A JP2655078A JPS5821244B2 JP S5821244 B2 JPS5821244 B2 JP S5821244B2 JP 53026550 A JP53026550 A JP 53026550A JP 2655078 A JP2655078 A JP 2655078A JP S5821244 B2 JPS5821244 B2 JP S5821244B2
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- Polymers With Sulfur, Phosphorus Or Metals In The Main Chain (AREA)
- Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は液晶表示素子に関する。
従来、液晶セル特に電界の作用により動作する電気光学
的効果を利用したネマチック液晶表示素子においては、
配向膜としてＳｉＯの蒸着膜など無機質材料が主に用い
られていた。
的効果を利用したネマチック液晶表示素子においては、
配向膜としてＳｉＯの蒸着膜など無機質材料が主に用い
られていた。
その理由は、これら無機膜は液晶と接しても液晶に溶解
しないので悪影響を与える要因を持たず、またガラスフ
リットシールを行なっても、シッフ型液晶並びにビフェ
ニル型液晶を均一に配向できる利点があるためである。
しないので悪影響を与える要因を持たず、またガラスフ
リットシールを行なっても、シッフ型液晶並びにビフェ
ニル型液晶を均一に配向できる利点があるためである。
一方、配向膜に各種有機高分子材料を用いて布等で一方
向にこすって配向処理した後、こすり方向が互いに直交
するようにした液晶表示素子が既に提案されている。
向にこすって配向処理した後、こすり方向が互いに直交
するようにした液晶表示素子が既に提案されている。
例えば、フッ素樹脂、ポリビニルアルコール、ポリエス
テル、ケイ素樹脂、尿素樹脂、メラミン脂脂、フェノー
ル樹脂、エポキシ樹脂、アルキド樹脂、ウレタン樹脂、
レゾルシン樹脂、フラン樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリ酢
酸ビニル、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、
ポリビニルブチラード、ポリスルホン、ポリアミド、ポ
リカーボネート、ポリアセタール、ポリエチレン、セル
ロース系樹脂、天然ゴム、スチレン−ブタジェンゴム、
アクリロニトリルーフタジエンゴム、ポリブタジェン、
ポリイソプレン、メルカプト系シランカップリング剤、
エポキシ系シランカップリング剤、アミン系シランカッ
プリング剤、ビスコースレーヨン、ポリ−メチル−α−
シアノアクリレート等がある。
テル、ケイ素樹脂、尿素樹脂、メラミン脂脂、フェノー
ル樹脂、エポキシ樹脂、アルキド樹脂、ウレタン樹脂、
レゾルシン樹脂、フラン樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリ酢
酸ビニル、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、
ポリビニルブチラード、ポリスルホン、ポリアミド、ポ
リカーボネート、ポリアセタール、ポリエチレン、セル
ロース系樹脂、天然ゴム、スチレン−ブタジェンゴム、
アクリロニトリルーフタジエンゴム、ポリブタジェン、
ポリイソプレン、メルカプト系シランカップリング剤、
エポキシ系シランカップリング剤、アミン系シランカッ
プリング剤、ビスコースレーヨン、ポリ−メチル−α−
シアノアクリレート等がある。
しかし、このような高分子膜は、液晶配向の均一性が十
分とは言えず、また長期に亘る通電試験及び劣化試験に
よって、無機絶縁膜に比較して配向の不均一性が増加し
やすく、個々の液晶表示素子にかなりのばらつきが発生
する欠点がある。
分とは言えず、また長期に亘る通電試験及び劣化試験に
よって、無機絶縁膜に比較して配向の不均一性が増加し
やすく、個々の液晶表示素子にかなりのばらつきが発生
する欠点がある。
また、ガラスフリットシールは４００℃〜４５０℃に加
熱されるが、耐熱性が不十分なため、配向膜が破壊され
て液晶が配向しないという欠点がある。
熱されるが、耐熱性が不十分なため、配向膜が破壊され
て液晶が配向しないという欠点がある。
次に、配向に使用される他の耐熱性の高分子材料として
、ポリエステルイミド、ポリアミドイミド、ポリイミド
等がある。
、ポリエステルイミド、ポリアミドイミド、ポリイミド
等がある。
このような高分子は、前記の耐熱性の低い高分子に比較
して、有機シールを用いた場合には配向の均−性並びに
長期に亘る通電試験及び劣化試験での耐久性はかなり良
好である。
して、有機シールを用いた場合には配向の均−性並びに
長期に亘る通電試験及び劣化試験での耐久性はかなり良
好である。
しかし、これらの耐熱性を有する高分子においても、布
等で一方向にこすって配向処理した後、４００℃〜４５
０℃でガラスフリットシールを行なうと、液晶を封入し
た際に配向不良が生じ易くなる。
等で一方向にこすって配向処理した後、４００℃〜４５
０℃でガラスフリットシールを行なうと、液晶を封入し
た際に配向不良が生じ易くなる。
特に、誘起ドメイン（課電時に視角の異なる領域が現わ
れる）が発生し表示特性の安定な液晶表示素子を得るこ
とは困難である。
れる）が発生し表示特性の安定な液晶表示素子を得るこ
とは困難である。
この理由としては、第１図に示したように熱重量分析曲
線を測定すると従来のポリイミド１は４００℃付近で減
量開始が初まり、本発明のもの２に比べ減量率も太き（
なっている。
線を測定すると従来のポリイミド１は４００℃付近で減
量開始が初まり、本発明のもの２に比べ減量率も太き（
なっている。
液晶表示素子に用いる配向膜は、通常、絶縁膜に使用す
る膜厚（数μｍ以上）を形成して用いることは、電気的
にレスポンスが劣るので好ましくないため、４００人〜
２ｏｏｏＡ程度で用いることが不可欠である。
る膜厚（数μｍ以上）を形成して用いることは、電気的
にレスポンスが劣るので好ましくないため、４００人〜
２ｏｏｏＡ程度で用いることが不可欠である。
このような、配向膜は表面を布等で一方向に摩擦するた
め、微細な溝が形成されてこれにより液晶を配向させて
いるものと考えられる。
め、微細な溝が形成されてこれにより液晶を配向させて
いるものと考えられる。
そのために加熱によって表面の性状が変化し、液晶の配
向状態を変えてしまうものと考えられる。
向状態を変えてしまうものと考えられる。
従って、４００℃以上の熱処理で安定な配向を保持する
ためには、加熱減量が４００℃以上まで発生しないか、
極力小さい材料である必要がある。
ためには、加熱減量が４００℃以上まで発生しないか、
極力小さい材料である必要がある。
また、第２図に示したようにポリイミド１は高温放置に
よる膜厚減少が太きいため、均一な配向を維持すること
が困難であり、かつ誘起ドメインも発生し易い。
よる膜厚減少が太きいため、均一な配向を維持すること
が困難であり、かつ誘起ドメインも発生し易い。
一方ガラスフリットシールは４００℃より低い温度では
液晶素子で必要な素子間隙の精度が達成されないだけで
なく、素子の機械的強度も十分でない。
液晶素子で必要な素子間隙の精度が達成されないだけで
なく、素子の機械的強度も十分でない。
少なくとも４００℃以上、望ましくは４３０℃〜４５０
℃でフリットシールすべきである。
℃でフリットシールすべきである。
従って配向膜の耐熱性向上は必要不可欠である。
従来のポリイミドでは良好な配向の素子が得られなかっ
た。
た。
本発明の目的は、配向性に優れかつ誘起バメインの非常
に小さい液晶表示素子を提供することにある。
に小さい液晶表示素子を提供することにある。
本発明者は上記に鑑み、これまでのポリエステルイミド
、ポリアミドイミド、ポリイミド等の配向膜よりも減量
開始温度を向上させ、かつ加熱減量を低減させるためジ
アミン化合物、ジアミノモノアミド化合物、テトラカル
ボン酸二無水物を原料とするキナゾリン環構造を有する
ポリイミド−イソインドロキナゾリンジオン共重合樹脂
状物、すなわち、次の４つの単位構造Ａ、Ｂ、Ｃ及びＤ
から成る共重合体の配向膜を形成し、周辺をシールした
。
、ポリアミドイミド、ポリイミド等の配向膜よりも減量
開始温度を向上させ、かつ加熱減量を低減させるためジ
アミン化合物、ジアミノモノアミド化合物、テトラカル
ボン酸二無水物を原料とするキナゾリン環構造を有する
ポリイミド−イソインドロキナゾリンジオン共重合樹脂
状物、すなわち、次の４つの単位構造Ａ、Ｂ、Ｃ及びＤ
から成る共重合体の配向膜を形成し、周辺をシールした
。
単位構造Ａ；
単位構造Ｃ；
単位構造Ｄ；
（上記単位構造式中、Ａｒ１およびＡｒ２はベンゼン環
であり、Ａｒ３はベンゼン環もしくはジフェニルエーテ
ル環であり、Ａｒ４はベンゾフェノン環である。
であり、Ａｒ３はベンゼン環もしくはジフェニルエーテ
ル環であり、Ａｒ４はベンゾフェノン環である。
）その結果、４５０℃でフリットシールを行なっても、
配向性並びに誘起ドメインが非常に小さい良好な液晶表
示素子が得られた。
配向性並びに誘起ドメインが非常に小さい良好な液晶表
示素子が得られた。
このように良好な素子作製が可能な理由は、第１図に示
した熱重量分析曲線並びに第２図に示した高温放置にお
ける膜厚減少の結果から本発明の配向膜１１゜１ｖは減
量開始温度並びに加熱減量特性が優れているためである
と考えた。
した熱重量分析曲線並びに第２図に示した高温放置にお
ける膜厚減少の結果から本発明の配向膜１１゜１ｖは減
量開始温度並びに加熱減量特性が優れているためである
と考えた。
本発明で用いるポリイミド−イソインドロキナゾリンジ
オン共重合体は、ジアミン化合物としてＰ−フェニレン
ジアミン、ジアミノモノアミド化合物としてｌ・４−ジ
アミノベンゼン−２−カルボンアミド、４・４７−ジア
ミツジフエニルエーテルー３−カルボンアミド、テトラ
カルボン酸二無水物化合物としてピロメリット酸二無水
物、３・３′・４・４′−ベンゾフェノンテトラカルボ
ン酸二無水物を用いる。
オン共重合体は、ジアミン化合物としてＰ−フェニレン
ジアミン、ジアミノモノアミド化合物としてｌ・４−ジ
アミノベンゼン−２−カルボンアミド、４・４７−ジア
ミツジフエニルエーテルー３−カルボンアミド、テトラ
カルボン酸二無水物化合物としてピロメリット酸二無水
物、３・３′・４・４′−ベンゾフェノンテトラカルボ
ン酸二無水物を用いる。
また有機溶媒としては、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、
Ｎ−Ｎ−ジメチルアセトアミドなどが使用できる。
Ｎ−Ｎ−ジメチルアセトアミドなどが使用できる。
前記ジアミン化合物とジアミノモノアミド化合物との最
適比率は前者９５〜５モル％に対し、後者５〜９５モル
％の範囲から選択すればよい。
適比率は前者９５〜５モル％に対し、後者５〜９５モル
％の範囲から選択すればよい。
またテトラカルボン酸二無水物の無水ピロメリット酸と
３・３′・４・４′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸
二無水物との最適比率は前者７０〜３０モル％に対し、
後者３０〜７０モル％の範囲から選択すればよい。
３・３′・４・４′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸
二無水物との最適比率は前者７０〜３０モル％に対し、
後者３０〜７０モル％の範囲から選択すればよい。
なお、ジアミン化合物、ジアミノモノアミド化合物の混
合物とテトラカルボン酸二無水物の混合物は等モルが最
適である。
合物とテトラカルボン酸二無水物の混合物は等モルが最
適である。
ジアミン化合物、ジアミノモノアミド化合物とテトラカ
ルボン酸二無水物とは常温以下の低温でも速やかに反応
する。
ルボン酸二無水物とは常温以下の低温でも速やかに反応
する。
本発明を実施する場合、電極層の下層または上層に無機
絶縁膜を設けた基板で実施すれば更にすぐれた素子が得
られる。
絶縁膜を設けた基板で実施すれば更にすぐれた素子が得
られる。
これはガラス基板上の該共重合体樹脂膜よりも５ｉ０２
などの膜上の共重合体樹脂膜の方が比較的加熱減量が少
なくなるという実験結果に基ずくものである。
などの膜上の共重合体樹脂膜の方が比較的加熱減量が少
なくなるという実験結果に基ずくものである。
このような効果を示す絶縁膜としては５ｉ０２．５ｉ０
２−Ａｌ２Ｏ２混合膜などが挙げられる。
２−Ａｌ２Ｏ２混合膜などが挙げられる。
本発明で用いる配向膜形成に当り、重合体溶液の取り扱
いに特別の配慮を要せず、刷毛塗り、浸漬、回転塗布、
印刷、その他慣用の手段を用いて行ない、皮膜硬化後は
布、ガーゼ等でこすり操作を加える。
いに特別の配慮を要せず、刷毛塗り、浸漬、回転塗布、
印刷、その他慣用の手段を用いて行ない、皮膜硬化後は
布、ガーゼ等でこすり操作を加える。
これによって４５０℃でフリットシールを行ない液晶表
示素子を形成することができる。
示素子を形成することができる。
本発明においては一層強固な密着性を有する配向膜を得
るために、エポキシ系およびアミノ系シランカッグリン
グ剤の１種以上を併用することができる。
るために、エポキシ系およびアミノ系シランカッグリン
グ剤の１種以上を併用することができる。
このようなシランカップリング剤としては、例えば、γ
−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−グリシドキ
シグロピルトリメトキシシランなどを挙げることができ
る。
−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−グリシドキ
シグロピルトリメトキシシランなどを挙げることができ
る。
液晶表示素子は、周知のように２枚の基板の周辺部分に
ある端子部を露出させ、外部導体に接続する必要がある
が、配向膜の端子部エツチングには本発明においても常
用の手段を用いることができ、例えば、端子部にマスク
レジストを印刷し該重合体樹脂膜形成後これを除去する
方法あるいは酸素プラズマの使用により行なわれる。
ある端子部を露出させ、外部導体に接続する必要がある
が、配向膜の端子部エツチングには本発明においても常
用の手段を用いることができ、例えば、端子部にマスク
レジストを印刷し該重合体樹脂膜形成後これを除去する
方法あるいは酸素プラズマの使用により行なわれる。
本発明の表示素子に封入する液晶化合物としては、け）
シッフ型液晶（例えば 合物）、（２）ビフェニル型液晶（例えば（３）アゾキ
シ型液晶（例えば （４）エステル型液晶（例えば （５）シクロヘキサン型液晶（例えば 等を用いることができる。
シッフ型液晶（例えば 合物）、（２）ビフェニル型液晶（例えば（３）アゾキ
シ型液晶（例えば （４）エステル型液晶（例えば （５）シクロヘキサン型液晶（例えば 等を用いることができる。
いずれも２成分以上の混合物である。
本発明の液晶表示素子は、フリットシールを行なっても
誘起ドメインが発生せず、長時間の通電に対しても耐久
性が優れている。
誘起ドメインが発生せず、長時間の通電に対しても耐久
性が優れている。
実施例 １
４・４′−ジアミノジフェニルエーテル−３−カルボン
アミド（５モル％）とパラフェニレンジアミン（９５モ
ル％）とピロメリット酸二無水物（５０モル％）と３・
３′・４・４′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無
水物（５０モル％）及びＮ−メチル−２−ピロリドンを
フラスコ容器に入れ、１５〜２０℃で７〜８時間攪拌し
た。
アミド（５モル％）とパラフェニレンジアミン（９５モ
ル％）とピロメリット酸二無水物（５０モル％）と３・
３′・４・４′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無
水物（５０モル％）及びＮ−メチル−２−ピロリドンを
フラスコ容器に入れ、１５〜２０℃で７〜８時間攪拌し
た。
２５℃での粘度１５０００ｃｐの１５％共重合体溶液を
得た。
得た。
この溶液を３％に希釈し、予めＳｉＯ□の無機膜を１２
００人の厚さに形成し、さらにＩｎ２Ｏ３を主成分とす
る透明電極を形成し、端子部にマスク材を印刷した基板
に回転塗布で重合体溶液を塗布した。
００人の厚さに形成し、さらにＩｎ２Ｏ３を主成分とす
る透明電極を形成し、端子部にマスク材を印刷した基板
に回転塗布で重合体溶液を塗布した。
マスク材を除去後、２５０℃で１時間加熱閉環させ、ポ
リイミド−イソインドロキナゾリンジオン共重合樹脂の
配向膜を８００人の厚さに形成した。
リイミド−イソインドロキナゾリンジオン共重合樹脂の
配向膜を８００人の厚さに形成した。
その後一定方向に綿布でこすり操作を行ない、基板周辺
にガラスフリットを印刷し、２枚の基板を組み合せて、
４５０℃で３０分間焼成し素子を形成した。
にガラスフリットを印刷し、２枚の基板を組み合せて、
４５０℃で３０分間焼成し素子を形成した。
これらの素子にシック型液晶（１）、ビフェニル型液晶
（２）、アゾキシ型液晶（３）、エステル型液晶（４）
、シクロヘキサン型液晶（５）をそれぞれ別個に注入し
、しかる後にそれぞれの注入口をエポキシ樹脂で封止し
て、液晶素子を作製した。
（２）、アゾキシ型液晶（３）、エステル型液晶（４）
、シクロヘキサン型液晶（５）をそれぞれ別個に注入し
、しかる後にそれぞれの注入口をエポキシ樹脂で封止し
て、液晶素子を作製した。
これらの素子の配向性能を誘起ドメイン幅を調べた。
その結果を表に示したが、配向不良がな（、非常に誘起
ドメイン幅が小さい良好な素子を得た。
ドメイン幅が小さい良好な素子を得た。
また、７０℃ＲＨ９５％下に１０００時間放置しても、
配向の変化がなく、配向性の優れた表示素子を作製得た
。
配向の変化がなく、配向性の優れた表示素子を作製得た
。
実施例 ２
４・４′−ジアミノジフェニルエーテル−３−カルボン
アミド（５０モル％）とパラフェニレンジアミン（５０
モル％）とピロメリット酸二無水物（７０モル％）、３
・３′・４・４′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二
無水物（３０モル％）をＮ−メチル−２−ピロリドン中
で１５℃、７時間反応させて、２５℃、粘度２００００
ｃｐの１５％共重合体溶液を得た。
アミド（５０モル％）とパラフェニレンジアミン（５０
モル％）とピロメリット酸二無水物（７０モル％）、３
・３′・４・４′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二
無水物（３０モル％）をＮ−メチル−２−ピロリドン中
で１５℃、７時間反応させて、２５℃、粘度２００００
ｃｐの１５％共重合体溶液を得た。
この溶液を４％に希釈し、Ｉｎ２Ｏ３の透明電極の端子
部にマスク材を印刷し回転塗布で重合体溶液を塗布し、
マスク材を除去後、２５０℃で加熱閉環させ、ポリイミ
ド−イソインドロキナゾリンジオン共重合樹脂を有する
配向膜を１２００人の厚さに形成した。
部にマスク材を印刷し回転塗布で重合体溶液を塗布し、
マスク材を除去後、２５０℃で加熱閉環させ、ポリイミ
ド−イソインドロキナゾリンジオン共重合樹脂を有する
配向膜を１２００人の厚さに形成した。
以下、実施例１と同様に素子を作成し配向性を誘起ドメ
イン幅を測定して調べた。
イン幅を測定して調べた。
結果を前記衣に示す。
実施例 ３
実施例１の共重合体溶液に、さらに、−ア３７プロピル
トリエトキシシランを０，０５％添加し素子を形成し、
それぞれの液晶を注入した。
トリエトキシシランを０，０５％添加し素子を形成し、
それぞれの液晶を注入した。
結果を表に示す。
実施例 ４
実施例２の共重合体溶液に、さらにγ−グリシドキシプ
ロピルトリメトキシシランを０．１％添加し素子を形成
し、それぞれの液晶を注入した。
ロピルトリメトキシシランを０．１％添加し素子を形成
し、それぞれの液晶を注入した。
結果を表に示す。
実施例 ５
４・４１−ジアミノジフェニルエーテル−３−カルボン
アミド（９５モル％）とパラフェニレンジアミン（５モ
ル％）とピロメリット酸二無水物（５０モル％）、３・
３′・４・４′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無
水物（５０モル％）をＮ・Ｎ−ジメチルアセトアミド中
で１５℃、７時間反応させて、２５℃の粘度２５０００
ｃｐの１５％共重合体溶液を得た。
アミド（９５モル％）とパラフェニレンジアミン（５モ
ル％）とピロメリット酸二無水物（５０モル％）、３・
３′・４・４′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無
水物（５０モル％）をＮ・Ｎ−ジメチルアセトアミド中
で１５℃、７時間反応させて、２５℃の粘度２５０００
ｃｐの１５％共重合体溶液を得た。
この溶液を３％に希釈し、実施例１同様の工程を得て配
向膜を１０００人の厚さに形成した。
向膜を１０００人の厚さに形成した。
結果を表に示す。実施例 ６
１・４−ジアミノベンゼン−２−カルボンアミド（５０
モル％）とパラフェニレンジアミン（５０モル％）とピ
ロメリット酸二無水物（３０モル％）、３・３′・４・
４′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物（７０
モル％）をＮ−メチル−２−ピロリドン中で１５℃、７
時間反応させて、２５℃の粘度２２０００ｃｐの１５％
共重合体溶液を得た。
モル％）とパラフェニレンジアミン（５０モル％）とピ
ロメリット酸二無水物（３０モル％）、３・３′・４・
４′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物（７０
モル％）をＮ−メチル−２−ピロリドン中で１５℃、７
時間反応させて、２５℃の粘度２２０００ｃｐの１５％
共重合体溶液を得た。
この溶液を３％に希釈し、ＳｉＯ２の無機膜を１０００
人の厚さに形成し、さらにＩｎ２Ｏ３を主成分とする透
明電極を形成した基板に、端子部にマスク材を印刷して
、回転塗布で重合体溶液を塗布し、マスク材を除去後、
２５０℃で１時間加熱閉環させ、ポリイミド−イソイン
ドロキナゾリンジオン共重合樹脂を有する配向膜を１０
００人の厚さに形成した。
人の厚さに形成し、さらにＩｎ２Ｏ３を主成分とする透
明電極を形成した基板に、端子部にマスク材を印刷して
、回転塗布で重合体溶液を塗布し、マスク材を除去後、
２５０℃で１時間加熱閉環させ、ポリイミド−イソイン
ドロキナゾリンジオン共重合樹脂を有する配向膜を１０
００人の厚さに形成した。
結果を表に示した。実施例 ７
■・４−ジアミノベンゼン−２−カルボンアミド（１０
モル％）とパラフェニレンジアミン（９０モル％）とピ
ロメリット酸二無水物（５０モル％）、３・３′・４・
４′−ヘンシフエノンテトラカルボン酸二無水物（５０
モル％）をＮ−メチル−２−ピロリドンとＮ−Ｎ−ジメ
チルアセトアミド中で１５℃、７時間反応させて、２５
℃の粘度２４０００ｃｐの１５％共重合体溶液を得た。
モル％）とパラフェニレンジアミン（９０モル％）とピ
ロメリット酸二無水物（５０モル％）、３・３′・４・
４′−ヘンシフエノンテトラカルボン酸二無水物（５０
モル％）をＮ−メチル−２−ピロリドンとＮ−Ｎ−ジメ
チルアセトアミド中で１５℃、７時間反応させて、２５
℃の粘度２４０００ｃｐの１５％共重合体溶液を得た。
この溶液を４％に希釈し、実施例６同様の工程を得て配
向膜を１５００人の厚さに形成した。
向膜を１５００人の厚さに形成した。
その後一定方向にこすり操作を行ない、ガラスフリット
を印刷し、２枚の基板を組み合せて、４５０℃３０分間
焼成し素子化した。
を印刷し、２枚の基板を組み合せて、４５０℃３０分間
焼成し素子化した。
以上の結果から本発明のポリイミド−イソインドロキナ
ゾリンジオン共重合樹脂を用いた液晶表示素子は、誘起
ドメインが発生せず、表示性に極めて優れている。
ゾリンジオン共重合樹脂を用いた液晶表示素子は、誘起
ドメインが発生せず、表示性に極めて優れている。
比較例
４・４′−ジアミノジフェニルエーテル（１００モル％
）、ピロメリット酸二無水物（１００モル％）をＮ−メ
チル−２−ピロリドンとＮ−Ｎ−ジメチルアセトアミド
中で１５℃、７時間攪拌し、２５℃での粘度２００００
ｃｐの１５％の重合体溶液を得た。
）、ピロメリット酸二無水物（１００モル％）をＮ−メ
チル−２−ピロリドンとＮ−Ｎ−ジメチルアセトアミド
中で１５℃、７時間攪拌し、２５℃での粘度２００００
ｃｐの１５％の重合体溶液を得た。
この溶液を３％に希釈し、５ｉ０２の無機膜を１０００
人の厚さに形成し、さらに■ｎ２０３を主成分とする透
明電極を形成した基板に（端子部にマスク材を印刷）回
転塗布で重合体溶液を塗布した。
人の厚さに形成し、さらに■ｎ２０３を主成分とする透
明電極を形成した基板に（端子部にマスク材を印刷）回
転塗布で重合体溶液を塗布した。
マスク材を除去後、２５０℃で１時間加熱閉環させポリ
イミド樹脂を有する配向膜を８００人の厚さに形成した
。
イミド樹脂を有する配向膜を８００人の厚さに形成した
。
その後一定方向にこすり操作を行ない、基板周辺にガラ
スフリットを印刷し、４５０℃で３０分間焼成し素子を
形成した。
スフリットを印刷し、４５０℃で３０分間焼成し素子を
形成した。
結果を表に示すが、配向不良並びに誘起ドメインが生じ
た。
た。
第１図は、配向膜に用いたポリマの熱重量分析曲線図、
第２図は、配向膜の高温放置による膜厚減少曲線図であ
る。 ｉ 、 ｉｉｉ・・・・・・従来例、ｉｉ 、 ｉｖ・
・・・・・本発明。
第２図は、配向膜の高温放置による膜厚減少曲線図であ
る。 ｉ 、 ｉｉｉ・・・・・・従来例、ｉｉ 、 ｉｖ・
・・・・・本発明。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 平行に配置され、少なくともその一方は透明な導電
性膜を有する２枚のガラス基板間に液晶層を介在して成
る液晶表示素子において、上記導電性膜と液晶層の間に （ａ） ｐ−フェニレンジアミン、 （ｂ） ピロメリット酸二無水物、 （ｃ）１・４−ジアミノベンゼン−２−カルボンアミド
または４・４′−ジアミノジフェニルエーテル−３−カ
ルボンアミド、並びに、 （ｄ） ３・３′、４・４′−ベンゾフェノンテトラ
カルボン酸二無水物、 の反応物であるポリイミド−イソインドロキナゾリンジ
オン共重合体樹脂膜層な有し、周辺がシールされている
ことを特徴とする液晶表示素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP53026550A JPS5821244B2 (ja) | 1978-03-10 | 1978-03-10 | 液晶表示素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP53026550A JPS5821244B2 (ja) | 1978-03-10 | 1978-03-10 | 液晶表示素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS54119941A JPS54119941A (en) | 1979-09-18 |
| JPS5821244B2 true JPS5821244B2 (ja) | 1983-04-28 |
Family
ID=12196617
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP53026550A Expired JPS5821244B2 (ja) | 1978-03-10 | 1978-03-10 | 液晶表示素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5821244B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63192145U (ja) * | 1987-05-29 | 1988-12-12 | ||
| JPH0325555Y2 (ja) * | 1984-12-28 | 1991-06-03 |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5911884B2 (ja) * | 1980-02-15 | 1984-03-19 | 株式会社日立製作所 | 液晶表示素子 |
| DE3390220C2 (de) * | 1982-09-17 | 1995-04-20 | Dow Chemical Co | Flüssigkristalline Polymerzusammensetzungen, Verwendungen und Produkte |
| US5374706A (en) * | 1982-09-17 | 1994-12-20 | The Dow Chemical Company | Liquid crystalline polymer compositions process, and products |
| US4533692A (en) * | 1982-09-17 | 1985-08-06 | Sri International | Liquid crystalline polymer compositions, process, and products |
| WO1984001161A1 (en) * | 1982-09-17 | 1984-03-29 | Stanford Res Inst Int | Liquid crystalline poly(2,6-benzothiazole) compositions, process and products |
| US4533693A (en) * | 1982-09-17 | 1985-08-06 | Sri International | Liquid crystalline polymer compositions, process, and products |
| WO1984001162A1 (en) * | 1982-09-17 | 1984-03-29 | Stanford Res Inst Int | Liquid crystalline polymer compositions, process, and products |
| US5260365A (en) * | 1982-09-17 | 1993-11-09 | Dow Chemical Co | Liquid crystalline polymer compositions, process, and products |
| US4703103A (en) * | 1984-03-16 | 1987-10-27 | Commtech International | Liquid crystalline polymer compositions, process and products |
-
1978
- 1978-03-10 JP JP53026550A patent/JPS5821244B2/ja not_active Expired
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0325555Y2 (ja) * | 1984-12-28 | 1991-06-03 | ||
| JPS63192145U (ja) * | 1987-05-29 | 1988-12-12 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS54119941A (en) | 1979-09-18 |
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