JPS59141570U - プラズマエツチング装置 - Google Patents

プラズマエツチング装置

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Publication number
JPS59141570U
JPS59141570U JP3773183U JP3773183U JPS59141570U JP S59141570 U JPS59141570 U JP S59141570U JP 3773183 U JP3773183 U JP 3773183U JP 3773183 U JP3773183 U JP 3773183U JP S59141570 U JPS59141570 U JP S59141570U
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JP
Japan
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reaction tube
plasma etching
high frequency
electric field
frequency electric
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Pending
Application number
JP3773183U
Other languages
English (en)
Inventor
晃 西口
Original Assignee
三洋電機株式会社
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Publication date
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Priority to JP3773183U priority Critical patent/JPS59141570U/ja
Publication of JPS59141570U publication Critical patent/JPS59141570U/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
図は本考案エツチング装置の一実施例を示すブロック図
である。 1・・・・・・反応管、2・・・・・・反応ガス供給機
構、5゜6・・・・・・電極、8・・・・・・シリコン
被膜、9・・・・・・高周波発生手段、12・・・・・
・シリコン基板。

Claims (2)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. (1)反応管内にCF、ガスを供給するとともにこの反
    応管内に供給されたCF、ガスに高周波電界を印加して
    反応管内に配置された被エツチング物をエツチングする
    プラズマエツチング装置において上記反応管にCF、ガ
    スを供給する反応ガス供給機構と、上記反応管内に高周
    波電界を印加するように配された電極と、上記反応管内
    の高周波電界印加部に設けられ、活性化されたFに反応
    する固形物質と、から成ることを特徴としたプラズマエ
    ツング装置。
  2. (2)上記電極は反応管内に配設された平行平板型電極
    であり、上記固形物質として電極表面にシリコン被膜を
    設けた事を特徴とした実用新案登録請求の範囲第1項記
    載のプラズマエツチング装置。
JP3773183U 1983-03-15 1983-03-15 プラズマエツチング装置 Pending JPS59141570U (ja)

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JP3773183U JPS59141570U (ja) 1983-03-15 1983-03-15 プラズマエツチング装置

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JP3773183U JPS59141570U (ja) 1983-03-15 1983-03-15 プラズマエツチング装置

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JPS59141570U true JPS59141570U (ja) 1984-09-21

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ID=30168419

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JP3773183U Pending JPS59141570U (ja) 1983-03-15 1983-03-15 プラズマエツチング装置

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