JPS6142864U - 光起電力素子の製造装置 - Google Patents

光起電力素子の製造装置

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JPS6142864U
JPS6142864U JP11897484U JP11897484U JPS6142864U JP S6142864 U JPS6142864 U JP S6142864U JP 11897484 U JP11897484 U JP 11897484U JP 11897484 U JP11897484 U JP 11897484U JP S6142864 U JPS6142864 U JP S6142864U
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JP
Japan
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photovoltaic device
device manufacturing
curved
manufacturing equipment
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Pending
Application number
JP11897484U
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English (en)
Inventor
大 山野
幸徳 桑野
昭一 中野
継文 松岡
総一 酒井
啓吏 八木
信宏 奥田
Original Assignee
三洋電機株式会社
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Filing date
Publication date
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    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
鯖１図は本案装置の模式図、第２図は同じく電極と基板
との配置態様を示す斜視図、第３図は比較試験用の非品
質半導体層の膜厚測定位置を示す斜視図、第４図は本考
案の他の実施例の電極と基板との配置態様を示す斜視図
、第５図は従来装置の模式図である。 １・・・反応室、２ｕ，２ｄ・・・電極、３・・・基板
、４・・・電源、１２ｕ，１２ｄ・・・電極、１３・・
・基板、１４・・・電源。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 １ 電極間に曲面を有する基板を介在させて、その表面
    にグロー放電分解法により非晶質半導体′− を形成し
    てなる光起電力素子を製造する装置において、前記非晶
    質半導体を形成すべき基板の曲面と対向する部分をこれ
    と等しい曲率に湾曲せしめたグロー放電用電極を具備す
    ることを特徴とする光起電力素子の製造装置。 ２ 前記非品質半導体を形成すべき基板の曲面と対向す
    る部分の電極間の距離は全面にわたって等しくした実用
    新案登録請求の範囲第１項記載の光起電力素子の製造装
    置。
JP11897484U 1984-07-31 1984-07-31 光起電力素子の製造装置 Pending JPS6142864U (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007505450A (ja) * 2003-09-10 2007-03-08 ユナキス・バルツェルス・アクチェンゲゼルシャフト 長方形状大面積基板処理用の高周波プラズマ反応器のための電圧不均一性補償方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007505450A (ja) * 2003-09-10 2007-03-08 ユナキス・バルツェルス・アクチェンゲゼルシャフト 長方形状大面積基板処理用の高周波プラズマ反応器のための電圧不均一性補償方法
JP4710020B2 (ja) * 2003-09-10 2011-06-29 エリコン・ソーラー・アクチェンゲゼルシャフト，トリュープバッハ 真空処理装置およびそれを用いた処理方法

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