JPS58103045U - ドライ現像装置 - Google Patents

ドライ現像装置

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JPS58103045U
JPS58103045U JP19857581U JP19857581U JPS58103045U JP S58103045 U JPS58103045 U JP S58103045U JP 19857581 U JP19857581 U JP 19857581U JP 19857581 U JP19857581 U JP 19857581U JP S58103045 U JPS58103045 U JP S58103045U
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JP
Japan
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parallel plate
substrate surface
plasma
resist
substrate
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JP19857581U
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JPH0114025Y2 (ja
Inventor
白川 明
Original Assignee
三洋電機株式会社
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第1図はレジストが塗布された基板の断面図、第2図及
び第3図は本考案ドライ現像装置のブロック図である。 1・・・基板、2・・・レジスト、4.4・・・平行平
板電極、5・・・高周波電源、6・・・スイッチ、7・
・・イオン検出器。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 基板上に形成されたレジストをプラズマMに依って現像
    するドライ限像装置において、成像槽−に設けられた平
    行平板電極と、この平行平板電極に高周波電圧を供給す
    る電源と、基板表面から放出されるイオンを検出するイ
    オン検出器と、から成り、上記平行平板電極間にレジス
    トを塗布した基板を配置し、この現像槽内ヘプラズマガ
    スを供給するとともに前記平行平板電極間に高周波電圧
    を印加して両電極間でプラズマ放電を行わしめ、そのプ
    ラズマに依って基板表面のレジスト現像を行い、現像が
    進行して基板面が露出されたときに、該基板表面から放
    出されるイオンを、前記イオン検出器で検出せしめて現
    像処理の完了を識別することを特徴としたドライ現像装
    置。
JP19857581U 1981-12-29 1981-12-29 ドライ現像装置 Granted JPS58103045U (ja)

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JP19857581U JPS58103045U (ja) 1981-12-29 1981-12-29 ドライ現像装置

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Publication Number Publication Date
JPS58103045U true JPS58103045U (ja) 1983-07-13
JPH0114025Y2 JPH0114025Y2 (ja) 1989-04-25

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ID=30111755

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JP (1) JPS58103045U (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0395559A (ja) * 1989-09-08 1991-04-19 Tokyo Electron Ltd 現像方法
JPH1055073A (ja) * 1997-04-24 1998-02-24 Tokyo Electron Ltd ドライ現像装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0395559A (ja) * 1989-09-08 1991-04-19 Tokyo Electron Ltd 現像方法
JPH1055073A (ja) * 1997-04-24 1998-02-24 Tokyo Electron Ltd ドライ現像装置

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JPH0114025Y2 (ja) 1989-04-25

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