JPS6016756U - イオンビ−ムスパツタリング装置 - Google Patents

イオンビ−ムスパツタリング装置

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Publication number
JPS6016756U
JPS6016756U JP10739983U JP10739983U JPS6016756U JP S6016756 U JPS6016756 U JP S6016756U JP 10739983 U JP10739983 U JP 10739983U JP 10739983 U JP10739983 U JP 10739983U JP S6016756 U JPS6016756 U JP S6016756U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
ion beam
beam sputtering
sputtering equipment
ion
power source
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Pending
Application number
JP10739983U
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English (en)
Inventor
八幡　需
幸一 藤井
Original Assignee
日本電子株式会社
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Publication date
Application filed by 日本電子株式会社 filed Critical 日本電子株式会社
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Pending legal-status Critical Current

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  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は本考案の一実施例を示すための図、第２図は被
加工材料を示すための図、第３図は他の実施例を示すた
めの図、第４図は更に他の実施例を示すための図、第５
図は第４図に示した一実施例装置の動作を説明するため
の図である。 １：イオン銃、２：電源、３：集束レンズ、４：被加工
材料、５：積分回路、６．　９．　１２：電流電圧変換
器、？、１３：比較回路、８．１４：基準信号源、１０
：電圧周波数変換器、１１：カウンタ。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. イオン銃と、該イオン銃を稼働させるための電源と、該
    イオン銃よりのイオンビームの照射によって被加工材料
    に吸収された電流を検出する検出手段と、該検出手段よ
    りの信号を基準値と比較し、該検出信号値が基準値に到
    達したら前記電源よりのイオンビームの発生を停止又は
    弱めるための手段とを具備することを特徴とするイオン
    ビームスパッタリング装置。
JP10739983U 1983-07-11 1983-07-11 イオンビ−ムスパツタリング装置 Pending JPS6016756U (ja)

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JPS6016756U true JPS6016756U (ja) 1985-02-04

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61243174A (ja) * 1985-04-19 1986-10-29 Hitachi Koki Co Ltd イオンビーム装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61243174A (ja) * 1985-04-19 1986-10-29 Hitachi Koki Co Ltd イオンビーム装置

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