JPS59148064U - イオンビ−ムスパツタリング装置 - Google Patents

イオンビ−ムスパツタリング装置

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Publication number
JPS59148064U
JPS59148064U JP4142783U JP4142783U JPS59148064U JP S59148064 U JPS59148064 U JP S59148064U JP 4142783 U JP4142783 U JP 4142783U JP 4142783 U JP4142783 U JP 4142783U JP S59148064 U JPS59148064 U JP S59148064U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
ion beam
beam sputtering
sputtering equipment
ion gun
analyzer
Prior art date
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Pending
Application number
JP4142783U
Other languages
English (en)
Inventor
澄夫 佐々木
Original Assignee
日本電子株式会社
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Filing date
Publication date
Application filed by 日本電子株式会社 filed Critical 日本電子株式会社
Priority to JP4142783U priority Critical patent/JPS59148064U/ja
Publication of JPS59148064U publication Critical patent/JPS59148064U/ja
Pending legal-status Critical Current

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Landscapes

  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
  • Electron Tubes For Measurement (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第1図は本考案の一実施例を示すための図、第2図は被
加工材料を説明するための図、第3図は、二次イオンの
検出信号の経時変化を例示するための図である。 1:イオン銃、2:1!源、3:集束レンズ、4:被加
工材料、5:アナライザー、6:検出端、7:増幅器、
8:比較回路、9:基準電源、SE二二次イオン、IB
、イオンビーム。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. イオン銃と、該イオン銃を稼動させるための電源と、該
    イオン銃よりのイオンビームの照射によって被加工材料
    より発生する荷電粒子を質量又はエネルギーに応じて選
    別するためのアナライザーと、該アナライザーによって
    選別された荷電粒子−を検出するためめ検出器と、該検
    出器の検出信号値を基準値と比較し、該検出信号値が基
    準値に到達したら前記電源に停止信号を供給するための
    手段とを備えることを特徴とするイオンビームスパッタ
    リング装置。
JP4142783U 1983-03-23 1983-03-23 イオンビ−ムスパツタリング装置 Pending JPS59148064U (ja)

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JPS59148064U true JPS59148064U (ja) 1984-10-03

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63263455A (ja) * 1987-04-21 1988-10-31 Shimadzu Corp 分析制御装置
JP2012252941A (ja) * 2011-06-06 2012-12-20 Hitachi High-Technologies Corp 荷電粒子線装置及び試料作製方法

Cited By (3)

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JPS63263455A (ja) * 1987-04-21 1988-10-31 Shimadzu Corp 分析制御装置
JP2012252941A (ja) * 2011-06-06 2012-12-20 Hitachi High-Technologies Corp 荷電粒子線装置及び試料作製方法
US8933423B2 (en) 2011-06-06 2015-01-13 Hitachi High-Technologies Corporation Charged particle beam device and sample production method

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