JPS60151295U - 低温プラズマ発生用電極 - Google Patents

低温プラズマ発生用電極

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JPS60151295U
JPS60151295U JP3792684U JP3792684U JPS60151295U JP S60151295 U JPS60151295 U JP S60151295U JP 3792684 U JP3792684 U JP 3792684U JP 3792684 U JP3792684 U JP 3792684U JP S60151295 U JPS60151295 U JP S60151295U
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JP
Japan
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temperature plasma
electrode
plasma generation
low temperature
low
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JP3792684U
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後藤　徳樹
中田　勝信
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ユニチカ株式会社
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は本考案の低温プラズマ発生用電極を用いた低温
プラズマ処理装置の一例を示す簡略断面図であり、第２
図は同じく本考案の低温プラズマ発生用電極を用いた低
温プラズマ処理装置の他の一例を示す簡略断面図である
。 Ｆ・・・シート状物質、１・・・罐体、２ａ、２ｂ・・
・平行電極、３　ａ、　　３ａ’＊　　３　ｂ、　３ｂ
／、、、絶縁物質、４・・・高周波発生装置、５・・・
アース。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 平行に対向した一対の面状の電極からなり、該電極間を
    通過するシート状物質に低温プラズマ処理を施す低温プ
    ラズマ発生用電極において、前記一対の電極の少なくと
    も一方の両端部を絶縁物質で被覆したことを特徴とする
    低温プラズマ発生用電極。
JP3792684U 1984-03-15 1984-03-15 低温プラズマ発生用電極 Granted JPS60151295U (ja)

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JP3792684U JPS60151295U (ja) 1984-03-15 1984-03-15 低温プラズマ発生用電極

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JPS60151295U true JPS60151295U (ja) 1985-10-08
JPH0435408Y2 JPH0435408Y2 (ja) 1992-08-21

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7004108B2 (en) 2000-11-16 2006-02-28 Lg Electronics Inc. Apparatus for fixing an electrode in plasma polymerizing apparatus

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US7004108B2 (en) 2000-11-16 2006-02-28 Lg Electronics Inc. Apparatus for fixing an electrode in plasma polymerizing apparatus

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JPH0435408Y2 (ja) 1992-08-21

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