JPS6086555U - プラズマｃｖｄ装置 - Google Patents

プラズマｃｖｄ装置

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JPS6086555U
JPS6086555U JP17732083U JP17732083U JPS6086555U JP S6086555 U JPS6086555 U JP S6086555U JP 17732083 U JP17732083 U JP 17732083U JP 17732083 U JP17732083 U JP 17732083U JP S6086555 U JPS6086555 U JP S6086555U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
source gas
plasma cvd
reaction chamber
substrate
blowing
Prior art date
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Pending
Application number
JP17732083U
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English (en)
Inventor
喜之 影山
由紀雄 井手
大嶋　孝一
藤村　格
国田　雅子
Original Assignee
株式会社リコー
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Publication date
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Publication of JPS6086555U publication Critical patent/JPS6086555U/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は本考案の第１実施例のプラズマＣＶＤ装置の構
成図、第２図は本考案の第２実施例のプラズマＣＶＩ）
装置の構成図である。 １・・・・・・反応室、２・・・・・・基板、３・・・
・・・電極、４・・・・・・高周波電源、５・・・・・
・真空ポンプ、６・・・・・・ベントバルブ、７・・・
・・・集塵機、８・・・・・・ガスボンベ、９・・・・
・・減圧弁、１０・・・・・・流量コントローラー、１
１・・・・・・吹き付は装置、１２・・・・・・吹き出
し口。

Claims (4)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. （１）反応室と、該反応室内に設けられる基板と、前記
    反応室に原料ガスを供給する原料ガス供給装置と、前記
    原料ガスを前記反応室から排気する原料ガス排気装置と
    、前記反応室内に高周波電界を印加する印加手段とを有
    し、前記高周波電界によるグロー放電により原料ガスを
    分解して、前記基板の表面に膜を形成するプラズマＣＶ
    Ｄ装置において、前記原料ガス排気装置以外に塵埃を排
    出する塵埃排出装置を設けることを特徴とするプラズマ
    ＣＶＤ装置。
  2. （２）前記塵埃排出装置は前記基板にガスを吹き付ける
    吹き付は装置を設けることを特徴とする実用新案登録請
    求の範囲第１項記載のプラズマＣＶＤ装置。
  3. （３）前記吹き付装置は不活性ガスを吹き付け、前記吹
    き付は装置番こ゛シャッターを設けることを特徴とする
    実用新案登録請求の範囲第２項記載のプラズマＣＶＤ装
    置。
  4. （４）　　前記基板にアモルファスシリコン膜を形成す
    ることを特徴とする実用新案登録請求の範囲第１項記戦
    のプラズマＣＶＤ装置。
JP17732083U 1983-11-16 1983-11-16 プラズマｃｖｄ装置 Pending JPS6086555U (ja)

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