JP2001085409A5 - - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 10
- 230000002093 peripheral Effects 0.000 claims description 2
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Description
【００１０】
【発明の実施の形態】
本発明の請求項１記載のプラズマ処理装置は、真空室にガスを供給するガス供給部と、前記真空室に配置され基板を載置する電極と、前記電極に対向して配置されたコイルと、前記コイルに高周波電圧を印加する高周波電源とを有するプラズマ処理装置において、前記ガス供給部は、前記電極の中心点上から先端部が外周部に向かって放射状に延びる複数のガス供給管で構成され、前記ガス供給管にガス吹出し孔を設けたことを特徴とする。
【発明の実施の形態】
本発明の請求項１記載のプラズマ処理装置は、真空室にガスを供給するガス供給部と、前記真空室に配置され基板を載置する電極と、前記電極に対向して配置されたコイルと、前記コイルに高周波電圧を印加する高周波電源とを有するプラズマ処理装置において、前記ガス供給部は、前記電極の中心点上から先端部が外周部に向かって放射状に延びる複数のガス供給管で構成され、前記ガス供給管にガス吹出し孔を設けたことを特徴とする。
この構成によると、電極の中心に基板の中心を合わせて載置することによって、ガス供給部へのガス導入が基板の中心点上から行われるとともに、基板の中心点上から放射状に複数のガス供給管が設置されているため、ガス吹出し孔から供給される処理ガスの流量のばらつきを抑え、基板の全面に均一性の高いガス供給を行える。
以下、本発明のプラズマ処理装置を具体的な実施の形態に基づいて説明する。
以下、本発明のプラズマ処理装置を具体的な実施の形態に基づいて説明する。
【００２３】
【発明の効果】
以上のように本発明のプラズマ処理装置によれば、ガス供給部は、電極の中心点上から先端部が外周部に向かって放射状に延びる複数のガス供給管からなり、前記ガス供給管にガス吹出し孔を設けた構成であるため、それぞれのガス吹出し孔から出るガス流量のばらつきを抑えて大面積の基板であっても全体に均一性の高いガスを供給でき、基板面内の処理速度の均一性の高いプラズマ処理が実現できる。
【発明の効果】
以上のように本発明のプラズマ処理装置によれば、ガス供給部は、電極の中心点上から先端部が外周部に向かって放射状に延びる複数のガス供給管からなり、前記ガス供給管にガス吹出し孔を設けた構成であるため、それぞれのガス吹出し孔から出るガス流量のばらつきを抑えて大面積の基板であっても全体に均一性の高いガスを供給でき、基板面内の処理速度の均一性の高いプラズマ処理が実現できる。
Claims (1)
- 真空室にガスを供給するガス供給部と、
前記真空室に配置され基板を載置する電極と、
前記電極に対向して配置されたコイルと、
前記コイルに高周波電圧を印加する高周波電源と
を有するプラズマ処理装置において、
前記ガス供給部は、前記電極の中心点上から先端部が外周部に向かって放射状に延びる複数のガス供給管で構成され、前記ガス供給管にガス吹出し孔を設けた
プラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25962799A JP3969907B2 (ja) | 1999-09-14 | 1999-09-14 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25962799A JP3969907B2 (ja) | 1999-09-14 | 1999-09-14 | プラズマ処理装置 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001085409A JP2001085409A (ja) | 2001-03-30 |
| JP2001085409A5 true JP2001085409A5 (ja) | 2005-09-02 |
| JP3969907B2 JP3969907B2 (ja) | 2007-09-05 |
Family
ID=17336714
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25962799A Expired - Lifetime JP3969907B2 (ja) | 1999-09-14 | 1999-09-14 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3969907B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020080014A (ko) * | 2001-04-10 | 2002-10-23 | 주식회사 에이티씨 | 플라즈마 처리 장치 |
| JP4185483B2 (ja) | 2004-10-22 | 2008-11-26 | シャープ株式会社 | プラズマ処理装置 |
| JP2006196681A (ja) | 2005-01-13 | 2006-07-27 | Sharp Corp | プラズマ処理装置および同装置により製造された半導体素子 |
| JP4584722B2 (ja) | 2005-01-13 | 2010-11-24 | シャープ株式会社 | プラズマ処理装置および同装置により製造された半導体素子 |
| JP5308664B2 (ja) * | 2005-09-01 | 2013-10-09 | パナソニック株式会社 | プラズマ処理装置 |
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1999
- 1999-09-14 JP JP25962799A patent/JP3969907B2/ja not_active Expired - Lifetime
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