JPS60106335U - プラズマcvd装置 - Google Patents
プラズマcvd装置Info
- Publication number
- JPS60106335U JPS60106335U JP20023083U JP20023083U JPS60106335U JP S60106335 U JPS60106335 U JP S60106335U JP 20023083 U JP20023083 U JP 20023083U JP 20023083 U JP20023083 U JP 20023083U JP S60106335 U JPS60106335 U JP S60106335U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- compartment
- discharge chamber
- plasma discharge
- plasma cvd
- plasma
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
図面は本考案のプラズマCVD装置の一実施例を概略的
に示す断面図である。 1・・・減圧容器、2,12・・・パイプ、3・・・供
給パイプ、4・・・電極、6・・・区画容器、6F・・
・フランジ部、6B・・・区画容器底部、7・・・0リ
ング、8・・・基板、9・・・高周波電源、10・・・
蓋、11・・・赤外線ヒータ。
に示す断面図である。 1・・・減圧容器、2,12・・・パイプ、3・・・供
給パイプ、4・・・電極、6・・・区画容器、6F・・
・フランジ部、6B・・・区画容器底部、7・・・0リ
ング、8・・・基板、9・・・高周波電源、10・・・
蓋、11・・・赤外線ヒータ。
Claims (1)
- プラズマ放電室に原料ガスを連続的に供給しプラズマC
VD反応を生じさせ、加熱された基板上に成膜させるC
VD装置において、前記プラズマ放電室に面しかつプラ
ズマ放電室と区画された区画室を設けるとともに、この
区画室内を加熱する加熱手段と、前記区画室内を真空に
排気する排気手段とを設け、前記区画室のプラズマ放電
室面に付設された基板を前記加熱手段により輻射加熱す
るようにしたことを特徴とするプラズマCVD装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20023083U JPS60106335U (ja) | 1983-12-24 | 1983-12-24 | プラズマcvd装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20023083U JPS60106335U (ja) | 1983-12-24 | 1983-12-24 | プラズマcvd装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60106335U true JPS60106335U (ja) | 1985-07-19 |
Family
ID=30760884
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP20023083U Pending JPS60106335U (ja) | 1983-12-24 | 1983-12-24 | プラズマcvd装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60106335U (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63213672A (ja) * | 1987-01-15 | 1988-09-06 | バリアン・アソシエイツ・インコーポレイテッド | 急速加熱cvd装置 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS56161832A (en) * | 1980-05-10 | 1981-12-12 | Sony Corp | Gaseous phase treatment device |
JPS5810818A (ja) * | 1981-07-14 | 1983-01-21 | Shimadzu Corp | プラズマcvd装置 |
-
1983
- 1983-12-24 JP JP20023083U patent/JPS60106335U/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS56161832A (en) * | 1980-05-10 | 1981-12-12 | Sony Corp | Gaseous phase treatment device |
JPS5810818A (ja) * | 1981-07-14 | 1983-01-21 | Shimadzu Corp | プラズマcvd装置 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63213672A (ja) * | 1987-01-15 | 1988-09-06 | バリアン・アソシエイツ・インコーポレイテッド | 急速加熱cvd装置 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPS60106335U (ja) | プラズマcvd装置 | |
JP3336665B2 (ja) | 微粒子発生方法及び装置 | |
JPS62170759U (ja) | ||
JP2641463B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
JPS6075460U (ja) | プラズマ気相成長装置 | |
JPS62107439U (ja) | ||
JPS62126362U (ja) | ||
JPS60119743U (ja) | 化学的気相付着装置 | |
JPH0187529U (ja) | ||
JPS62201927U (ja) | ||
JPH02119124A (ja) | プラズマ処理装置 | |
JPS6426374U (ja) | ||
JPH0321844U (ja) | ||
JP3388837B2 (ja) | プラズマcvd装置 | |
JPS62126827U (ja) | ||
JPS61177440U (ja) | ||
JPH024237U (ja) | ||
JPS6194559U (ja) | ||
JPS62170627U (ja) | ||
JPS6418727U (ja) | ||
JPS6086555U (ja) | プラズマcvd装置 | |
JPH02138419U (ja) | ||
JPH0210470U (ja) | ||
JPS60185331U (ja) | 気相成長装置 | |
JPH01100432U (ja) |