JPS59137391A - タ−フエアイト鉱物結晶 - Google Patents

タ−フエアイト鉱物結晶

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Publication number
JPS59137391A
JPS59137391A JP1181683A JP1181683A JPS59137391A JP S59137391 A JPS59137391 A JP S59137391A JP 1181683 A JP1181683 A JP 1181683A JP 1181683 A JP1181683 A JP 1181683A JP S59137391 A JPS59137391 A JP S59137391A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
flux
crystal
sintered
furnace
synthesized
Prior art date
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Pending
Application number
JP1181683A
Other languages
English (en)
Inventor
Katsuhiro Teraishi
寺石 克弘
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Suwa Seikosha KK
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Suwa Seikosha KK
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Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp, Suwa Seikosha KK filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP1181683A priority Critical patent/JPS59137391A/ja
Publication of JPS59137391A publication Critical patent/JPS59137391A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/16Oxides
    • C30B29/22Complex oxides
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B13/00Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ターフエアイトCT th a、 f f e i t
 e :l 結晶は、組成がBeo 、 3M?0 、
4A7−203であり、六万晶糸で、分解溶融型の材質
であり、融′N4湿匿が、1800℃とされ−Cいる。
最近、人工的な合成方法として、浮遊帯域溶融法により
、合成できるとでれでbる。
また、フラックス法でも、原理的には合成可能ときれで
いる。然しながら、フラックス法は、以下の理由 ■ 白金ルツボを必要とする。
■ 合成W、fの制御が厳密である。
■ 溶融塩(フラッフスフの使用量が多量でるる。
■ 結晶欠陥(フェザ−インクルージヨン)の発生防止
が、困難である。
■ 結晶成長速度が小尊い。
によシ、極めて製造コストの高いものでるる。
本願発明は、前記手法に代る管制な曾成方式全提供する
ものである。基本的発想は、周知のF−Z方式を改良変
形さ+!:女手法Vこある。即ち、周知の赤外線集中加
熱単結晶製造装置(F−Z′)y″と略称フを使用して
、合成条件全新規に考案し7たものである。本手法は、 ■ 白金ルツボは不安 ■ フラックスの使用量は、極小値である。
■ 従前のフラックス疹には無1b制御パラメータによ
り、結晶欠陥が制御叶できる。
■ 結晶成長速度が、フラックス法に比較して、大きく
とれる。
■ 結晶成長方向が、任意に制御できる。
のl除黴があり、結果として、スルーグツトが上り、従
前のフラックス法よりも安価なプロセスである。
以下に、実施例を説明する。
実施例1 了す、)f料粉末の調合全行な9゜試薬特級の酸化ベリ
ラム(BeO)、酸化アルミ= ラム(At20a L
酸化マグネシウム(M?、)  酸化クロム(○r20
3)より秤tt、−c’、Be6.3MP0.4At2
03 、0.[1050r2 o3  の組成の混合粉
末全作製する。次に、該混合粉末を、ボールミルに依り
、混合粉砕450時間以上行なう。この際、ポット及び
ボールの材質は高純度アルミナの焼結材でるる。次に、
該混合−粉末全、周ガ1のF、Z法原料棒製造法にJ:
す、焼結体棒金作製する。これがF−Z炉の原料棒とな
る。
次に、フラックスとしてs Li2O*V2O5の組成
トナル如くに、試薬特級の水酸化リチウム(LiOH)
及び五酸化バナジウム(VzOs)k秤量する。該粉末
に、前記BeOm3MPOF4Al、、03 e O,
’D D 5 Cr2O3の川底の粉末全重量割合で、
20%相当を加える。
然る後の混合粉末を、成形、焼結全行なって、ディスク
状の焼結ペレット全作る。次に、種子結晶として、フラ
ックス法により合成されたベリル結晶をO軸方向に長く
切断し、所定寸法(で加工する。次に、以上のプロセス
にて予め用意されたものを、F−Z炉にセットして結晶
合成を行な9゜P゛・2炉は、大略、第1崗に水爆It
、る椎造であり、例えば、ニヂデン機械株式会社製のC
I O= 2型でよい・即ち・■は原料素材棒であり、
■は種子結晶、■は回転楕円面鏡用の2つの焦点であり
、一方は、ハロゲンランプ■で熱源であり、他の一方は
溶融したフラックスである。■は透明石英チューブであ
り、のはレンズ、■はスクリーンでめジ、合成状況のモ
ニタリングを行なり。■、■は、上。
下の回転軸であり、■及び■の回転及び、上下動全制御
する。
最初に、セットされた種子結晶■の上に、フラックスペ
レットを載償し、該ペレット直上に原料累材棒當接触さ
せてセットする。この状態で、ハロゲンランプの電力を
上昇させて、フラックス全溶融せしめ、フラックスが、
種子結晶■と原料素材棒■の間に表面張力で保持されて
いる状態を維持する。その後、溶融フラックス部’l1
ioo℃に保持り、、l下S全逆方向に50 r、p、
m で回転させ10時間保持する。然る後に、7ぶ融ゾ
ーンの上下距離を維持する状態で、■及び[相]全下方
に移動させる。この場合、移動速度は即納高成長速度に
対応する。結晶成長速度は、大きすき゛るとインクルー
ジヨン7)工発生する1ζめ、制御されなければならず
、最大10間/D A Yである。これ以下の成長速度
で。インクルージヨンの無い結晶が作製でき、’−ti
、低速はど他の成長条件の制御余裕幅が大きくとれ、容
易(に成長させることができる。
結晶成長は、溶融体と結晶の界面でlL行するため、下
方の結晶体に、侶成冗了時にはその上部のフラックス固
体を切Njrすれば、hpメタ−エアーイト結晶14こ
のみとしてオリ用でき、特に彼処fMを必うとしない。
以との手法により、0.1〜10 mm / D A 
Yの速度で、インクルージヨンの無いターフエアイトが
合成で゛きた。結晶のIk径は、大略5〜15%である
実施例2 実施例1と同様の前提条件で、原料素材棒■と種子結晶
■の配置全土・下逆転して、合成を行なっ及。さらに、
最初の段階で1100℃で保持する間に、土部4′1子
結晶と溶融体と全接触させずに、溶融体を下部原料素材
棒の上端に表面張力で保持烙せフピ状態で維持し、10
時間後に、種子結晶と接触させ、は後結晶成長全行なわ
ぞた。この場合は溶融体の飽和溶解度を制御!すること
が容易で、4市子結晶接触後、直ちに、結晶成長に進め
ることができる。結晶の品質け、実施例同様に、80倍
の宝石顕微/親の規祭で、インクルージヨンは認めら7
しなかつ女。
′足施1り1」3 p 71例1と同様の条件で、フラックスペレットの粗
或として、V2O5/ L i20のモル比を変化させ
て、火、険の結果、1〜5の範囲で、インクルージヨン
の簡そXされないターフエアイトが合成された。
実2iI!iυ(14 実施例1と同様の条件で、結晶成長温度、即ち溶融体湿
度を変化させて実験した。温匿は、ノ・ロゲンランブの
電力の変動全換算している。この結果、5朋/ D A
 Yの成長速度では950〜1200℃の間でインクル
ージヨンの無い成長が可能である。
実施例5 ’AIM例1と(+y3等の条件で、フラックスペレッ
トとして、 Li2OMOOII  系を実験した。こ
の結果。
成長速度二0.1〜10朋/DAY 成長温度=750〜950℃ 組成モル比: 2〜5 (Mos3/ Li□0 )の
範囲が適切である。
実施例 実施例1と同等の条件で、フラックスペレットとして、
L1□o−Wo3系を実Mした。この結果成長速度: 
01〜10+xx/D A Y成長温度二800〜10
00℃ 組成モル比=2〜6 (WO3/Li2O)の範囲が適
切である。
りよ、実施111Nにて砦、明した如く、本願発明はF
IZ方式の新規改良により、極めて有用なるターフエア
イト合成法として新たな発想?提供するものである。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本願発明に係る1゛・2炉の概9を示す図で
ある。 ■・・・原料素材棒   ■・・・1子結晶■・・・回
転楕円面鏡の2つの焦点  ■・・回転↑言置面鏡■・
・・・・ロゲンランプ ■・・・ゐ明石英管■・・・レ
ンズ (8)・・・スクリーンで、■、(αt(より合成状況
の像観察が為さ力、る。 以上 出願人 株式会社 諏訪費工合

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. F−Z炉によフ結晶全合成する方法Vr、おいで、フラ
    ックスを使用すること全特徴とする製造方法により合成
    されたターフエアイト鉱物。
JP1181683A 1983-01-27 1983-01-27 タ−フエアイト鉱物結晶 Pending JPS59137391A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1181683A JPS59137391A (ja) 1983-01-27 1983-01-27 タ−フエアイト鉱物結晶

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1181683A JPS59137391A (ja) 1983-01-27 1983-01-27 タ−フエアイト鉱物結晶

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS59137391A true JPS59137391A (ja) 1984-08-07

Family

ID=11788320

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1181683A Pending JPS59137391A (ja) 1983-01-27 1983-01-27 タ−フエアイト鉱物結晶

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JP (1) JPS59137391A (ja)

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