JPS59137391A - タ−フエアイト鉱物結晶 - Google Patents
タ−フエアイト鉱物結晶Info
- Publication number
- JPS59137391A JPS59137391A JP1181683A JP1181683A JPS59137391A JP S59137391 A JPS59137391 A JP S59137391A JP 1181683 A JP1181683 A JP 1181683A JP 1181683 A JP1181683 A JP 1181683A JP S59137391 A JPS59137391 A JP S59137391A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- flux
- crystal
- sintered
- furnace
- synthesized
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/16—Oxides
- C30B29/22—Complex oxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B13/00—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
ターフエアイトCT th a、 f f e i t
e :l 結晶は、組成がBeo 、 3M?0 、
4A7−203であり、六万晶糸で、分解溶融型の材質
であり、融′N4湿匿が、1800℃とされ−Cいる。
e :l 結晶は、組成がBeo 、 3M?0 、
4A7−203であり、六万晶糸で、分解溶融型の材質
であり、融′N4湿匿が、1800℃とされ−Cいる。
最近、人工的な合成方法として、浮遊帯域溶融法により
、合成できるとでれでbる。
、合成できるとでれでbる。
また、フラックス法でも、原理的には合成可能ときれで
いる。然しながら、フラックス法は、以下の理由 ■ 白金ルツボを必要とする。
いる。然しながら、フラックス法は、以下の理由 ■ 白金ルツボを必要とする。
■ 合成W、fの制御が厳密である。
■ 溶融塩(フラッフスフの使用量が多量でるる。
■ 結晶欠陥(フェザ−インクルージヨン)の発生防止
が、困難である。
が、困難である。
■ 結晶成長速度が小尊い。
によシ、極めて製造コストの高いものでるる。
本願発明は、前記手法に代る管制な曾成方式全提供する
ものである。基本的発想は、周知のF−Z方式を改良変
形さ+!:女手法Vこある。即ち、周知の赤外線集中加
熱単結晶製造装置(F−Z′)y″と略称フを使用して
、合成条件全新規に考案し7たものである。本手法は、 ■ 白金ルツボは不安 ■ フラックスの使用量は、極小値である。
ものである。基本的発想は、周知のF−Z方式を改良変
形さ+!:女手法Vこある。即ち、周知の赤外線集中加
熱単結晶製造装置(F−Z′)y″と略称フを使用して
、合成条件全新規に考案し7たものである。本手法は、 ■ 白金ルツボは不安 ■ フラックスの使用量は、極小値である。
■ 従前のフラックス疹には無1b制御パラメータによ
り、結晶欠陥が制御叶できる。
り、結晶欠陥が制御叶できる。
■ 結晶成長速度が、フラックス法に比較して、大きく
とれる。
とれる。
■ 結晶成長方向が、任意に制御できる。
のl除黴があり、結果として、スルーグツトが上り、従
前のフラックス法よりも安価なプロセスである。
前のフラックス法よりも安価なプロセスである。
以下に、実施例を説明する。
実施例1
了す、)f料粉末の調合全行な9゜試薬特級の酸化ベリ
ラム(BeO)、酸化アルミ= ラム(At20a L
酸化マグネシウム(M?、) 酸化クロム(○r20
3)より秤tt、−c’、Be6.3MP0.4At2
03 、0.[1050r2 o3 の組成の混合粉
末全作製する。次に、該混合粉末を、ボールミルに依り
、混合粉砕450時間以上行なう。この際、ポット及び
ボールの材質は高純度アルミナの焼結材でるる。次に、
該混合−粉末全、周ガ1のF、Z法原料棒製造法にJ:
す、焼結体棒金作製する。これがF−Z炉の原料棒とな
る。
ラム(BeO)、酸化アルミ= ラム(At20a L
酸化マグネシウム(M?、) 酸化クロム(○r20
3)より秤tt、−c’、Be6.3MP0.4At2
03 、0.[1050r2 o3 の組成の混合粉
末全作製する。次に、該混合粉末を、ボールミルに依り
、混合粉砕450時間以上行なう。この際、ポット及び
ボールの材質は高純度アルミナの焼結材でるる。次に、
該混合−粉末全、周ガ1のF、Z法原料棒製造法にJ:
す、焼結体棒金作製する。これがF−Z炉の原料棒とな
る。
次に、フラックスとしてs Li2O*V2O5の組成
トナル如くに、試薬特級の水酸化リチウム(LiOH)
及び五酸化バナジウム(VzOs)k秤量する。該粉末
に、前記BeOm3MPOF4Al、、03 e O,
’D D 5 Cr2O3の川底の粉末全重量割合で、
20%相当を加える。
トナル如くに、試薬特級の水酸化リチウム(LiOH)
及び五酸化バナジウム(VzOs)k秤量する。該粉末
に、前記BeOm3MPOF4Al、、03 e O,
’D D 5 Cr2O3の川底の粉末全重量割合で、
20%相当を加える。
然る後の混合粉末を、成形、焼結全行なって、ディスク
状の焼結ペレット全作る。次に、種子結晶として、フラ
ックス法により合成されたベリル結晶をO軸方向に長く
切断し、所定寸法(で加工する。次に、以上のプロセス
にて予め用意されたものを、F−Z炉にセットして結晶
合成を行な9゜P゛・2炉は、大略、第1崗に水爆It
、る椎造であり、例えば、ニヂデン機械株式会社製のC
I O= 2型でよい・即ち・■は原料素材棒であり、
■は種子結晶、■は回転楕円面鏡用の2つの焦点であり
、一方は、ハロゲンランプ■で熱源であり、他の一方は
溶融したフラックスである。■は透明石英チューブであ
り、のはレンズ、■はスクリーンでめジ、合成状況のモ
ニタリングを行なり。■、■は、上。
状の焼結ペレット全作る。次に、種子結晶として、フラ
ックス法により合成されたベリル結晶をO軸方向に長く
切断し、所定寸法(で加工する。次に、以上のプロセス
にて予め用意されたものを、F−Z炉にセットして結晶
合成を行な9゜P゛・2炉は、大略、第1崗に水爆It
、る椎造であり、例えば、ニヂデン機械株式会社製のC
I O= 2型でよい・即ち・■は原料素材棒であり、
■は種子結晶、■は回転楕円面鏡用の2つの焦点であり
、一方は、ハロゲンランプ■で熱源であり、他の一方は
溶融したフラックスである。■は透明石英チューブであ
り、のはレンズ、■はスクリーンでめジ、合成状況のモ
ニタリングを行なり。■、■は、上。
下の回転軸であり、■及び■の回転及び、上下動全制御
する。
する。
最初に、セットされた種子結晶■の上に、フラックスペ
レットを載償し、該ペレット直上に原料累材棒當接触さ
せてセットする。この状態で、ハロゲンランプの電力を
上昇させて、フラックス全溶融せしめ、フラックスが、
種子結晶■と原料素材棒■の間に表面張力で保持されて
いる状態を維持する。その後、溶融フラックス部’l1
ioo℃に保持り、、l下S全逆方向に50 r、p、
m で回転させ10時間保持する。然る後に、7ぶ融ゾ
ーンの上下距離を維持する状態で、■及び[相]全下方
に移動させる。この場合、移動速度は即納高成長速度に
対応する。結晶成長速度は、大きすき゛るとインクルー
ジヨン7)工発生する1ζめ、制御されなければならず
、最大10間/D A Yである。これ以下の成長速度
で。インクルージヨンの無い結晶が作製でき、’−ti
、低速はど他の成長条件の制御余裕幅が大きくとれ、容
易(に成長させることができる。
レットを載償し、該ペレット直上に原料累材棒當接触さ
せてセットする。この状態で、ハロゲンランプの電力を
上昇させて、フラックス全溶融せしめ、フラックスが、
種子結晶■と原料素材棒■の間に表面張力で保持されて
いる状態を維持する。その後、溶融フラックス部’l1
ioo℃に保持り、、l下S全逆方向に50 r、p、
m で回転させ10時間保持する。然る後に、7ぶ融ゾ
ーンの上下距離を維持する状態で、■及び[相]全下方
に移動させる。この場合、移動速度は即納高成長速度に
対応する。結晶成長速度は、大きすき゛るとインクルー
ジヨン7)工発生する1ζめ、制御されなければならず
、最大10間/D A Yである。これ以下の成長速度
で。インクルージヨンの無い結晶が作製でき、’−ti
、低速はど他の成長条件の制御余裕幅が大きくとれ、容
易(に成長させることができる。
結晶成長は、溶融体と結晶の界面でlL行するため、下
方の結晶体に、侶成冗了時にはその上部のフラックス固
体を切Njrすれば、hpメタ−エアーイト結晶14こ
のみとしてオリ用でき、特に彼処fMを必うとしない。
方の結晶体に、侶成冗了時にはその上部のフラックス固
体を切Njrすれば、hpメタ−エアーイト結晶14こ
のみとしてオリ用でき、特に彼処fMを必うとしない。
以との手法により、0.1〜10 mm / D A
Yの速度で、インクルージヨンの無いターフエアイトが
合成で゛きた。結晶のIk径は、大略5〜15%である
。
Yの速度で、インクルージヨンの無いターフエアイトが
合成で゛きた。結晶のIk径は、大略5〜15%である
。
実施例2
実施例1と同様の前提条件で、原料素材棒■と種子結晶
■の配置全土・下逆転して、合成を行なっ及。さらに、
最初の段階で1100℃で保持する間に、土部4′1子
結晶と溶融体と全接触させずに、溶融体を下部原料素材
棒の上端に表面張力で保持烙せフピ状態で維持し、10
時間後に、種子結晶と接触させ、は後結晶成長全行なわ
ぞた。この場合は溶融体の飽和溶解度を制御!すること
が容易で、4市子結晶接触後、直ちに、結晶成長に進め
ることができる。結晶の品質け、実施例同様に、80倍
の宝石顕微/親の規祭で、インクルージヨンは認めら7
しなかつ女。
■の配置全土・下逆転して、合成を行なっ及。さらに、
最初の段階で1100℃で保持する間に、土部4′1子
結晶と溶融体と全接触させずに、溶融体を下部原料素材
棒の上端に表面張力で保持烙せフピ状態で維持し、10
時間後に、種子結晶と接触させ、は後結晶成長全行なわ
ぞた。この場合は溶融体の飽和溶解度を制御!すること
が容易で、4市子結晶接触後、直ちに、結晶成長に進め
ることができる。結晶の品質け、実施例同様に、80倍
の宝石顕微/親の規祭で、インクルージヨンは認めら7
しなかつ女。
′足施1り1」3
p 71例1と同様の条件で、フラックスペレットの粗
或として、V2O5/ L i20のモル比を変化させ
て、火、険の結果、1〜5の範囲で、インクルージヨン
の簡そXされないターフエアイトが合成された。
或として、V2O5/ L i20のモル比を変化させ
て、火、険の結果、1〜5の範囲で、インクルージヨン
の簡そXされないターフエアイトが合成された。
実2iI!iυ(14
実施例1と同様の条件で、結晶成長温度、即ち溶融体湿
度を変化させて実験した。温匿は、ノ・ロゲンランブの
電力の変動全換算している。この結果、5朋/ D A
Yの成長速度では950〜1200℃の間でインクル
ージヨンの無い成長が可能である。
度を変化させて実験した。温匿は、ノ・ロゲンランブの
電力の変動全換算している。この結果、5朋/ D A
Yの成長速度では950〜1200℃の間でインクル
ージヨンの無い成長が可能である。
実施例5
’AIM例1と(+y3等の条件で、フラックスペレッ
トとして、 Li2OMOOII 系を実験した。こ
の結果。
トとして、 Li2OMOOII 系を実験した。こ
の結果。
成長速度二0.1〜10朋/DAY
成長温度=750〜950℃
組成モル比: 2〜5 (Mos3/ Li□0 )の
範囲が適切である。
範囲が適切である。
実施例
実施例1と同等の条件で、フラックスペレットとして、
L1□o−Wo3系を実Mした。この結果成長速度:
01〜10+xx/D A Y成長温度二800〜10
00℃ 組成モル比=2〜6 (WO3/Li2O)の範囲が適
切である。
L1□o−Wo3系を実Mした。この結果成長速度:
01〜10+xx/D A Y成長温度二800〜10
00℃ 組成モル比=2〜6 (WO3/Li2O)の範囲が適
切である。
りよ、実施111Nにて砦、明した如く、本願発明はF
IZ方式の新規改良により、極めて有用なるターフエア
イト合成法として新たな発想?提供するものである。
IZ方式の新規改良により、極めて有用なるターフエア
イト合成法として新たな発想?提供するものである。
第1図は、本願発明に係る1゛・2炉の概9を示す図で
ある。 ■・・・原料素材棒 ■・・・1子結晶■・・・回
転楕円面鏡の2つの焦点 ■・・回転↑言置面鏡■・
・・・・ロゲンランプ ■・・・ゐ明石英管■・・・レ
ンズ (8)・・・スクリーンで、■、(αt(より合成状況
の像観察が為さ力、る。 以上 出願人 株式会社 諏訪費工合
ある。 ■・・・原料素材棒 ■・・・1子結晶■・・・回
転楕円面鏡の2つの焦点 ■・・回転↑言置面鏡■・
・・・・ロゲンランプ ■・・・ゐ明石英管■・・・レ
ンズ (8)・・・スクリーンで、■、(αt(より合成状況
の像観察が為さ力、る。 以上 出願人 株式会社 諏訪費工合
Claims (1)
- F−Z炉によフ結晶全合成する方法Vr、おいで、フラ
ックスを使用すること全特徴とする製造方法により合成
されたターフエアイト鉱物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1181683A JPS59137391A (ja) | 1983-01-27 | 1983-01-27 | タ−フエアイト鉱物結晶 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1181683A JPS59137391A (ja) | 1983-01-27 | 1983-01-27 | タ−フエアイト鉱物結晶 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59137391A true JPS59137391A (ja) | 1984-08-07 |
Family
ID=11788320
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1181683A Pending JPS59137391A (ja) | 1983-01-27 | 1983-01-27 | タ−フエアイト鉱物結晶 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59137391A (ja) |
-
1983
- 1983-01-27 JP JP1181683A patent/JPS59137391A/ja active Pending
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