JPS59141492A - ガ−ネツト鉱物 - Google Patents
ガ−ネツト鉱物Info
- Publication number
- JPS59141492A JPS59141492A JP1333783A JP1333783A JPS59141492A JP S59141492 A JPS59141492 A JP S59141492A JP 1333783 A JP1333783 A JP 1333783A JP 1333783 A JP1333783 A JP 1333783A JP S59141492 A JPS59141492 A JP S59141492A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- flux
- crystal
- pellet
- raw material
- give
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/16—Oxides
- C30B29/22—Complex oxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B13/00—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
ガーネット結晶は、組成が3Cαo、A7,03.3B
iO。
iO。
であり、等軸結系で、分解溶融型の材質であり、融解温
度が1500〜2000℃とされている。従来、人工的
な合成方法として、フラックス合成法が主要な方式とし
て、周知である。然しながら、フラックス法は以下の理
由 ■ 白金ルツボを必要とする。
度が1500〜2000℃とされている。従来、人工的
な合成方法として、フラックス合成法が主要な方式とし
て、周知である。然しながら、フラックス法は以下の理
由 ■ 白金ルツボを必要とする。
■ 合成温度の制御が厳密である。
■ 溶融塩(7ヲツクス)の使用量が多量である。
■ 結晶欠陥(フェザ−インクルージヨン)の発生防止
が、困難である。
が、困難である。
Q 結晶成長速度が小さい。
によシ、極めて製造コストの高いものである。
本願発明は、前記手法に代る安価な合成方式を提供する
ものである。基本的発想は、周知のF・2方式を改良変
形させた手法にある。即わち、周知の、赤外線集中加熱
単結晶製造装R(F’、Z炉と略称)を使用して、合成
条件を新規に考案したものである。本手法は、 ■ 白金ルツボは不要 ■ フラックスの使用量は、極小量である。
ものである。基本的発想は、周知のF・2方式を改良変
形させた手法にある。即わち、周知の、赤外線集中加熱
単結晶製造装R(F’、Z炉と略称)を使用して、合成
条件を新規に考案したものである。本手法は、 ■ 白金ルツボは不要 ■ フラックスの使用量は、極小量である。
■ 従前のフラックス法には無い制御バラメータにより
、結晶欠陥が制御できる。
、結晶欠陥が制御できる。
■ 結晶成長速度が、フラックス法に比較して、大きく
とれる。
とれる。
■ 結晶成長方向が、任意に制御できる。
の特徴があシ、結果として、スルーブツトが上シ、従前
のフラックス法よフも安価なプロセスである。
のフラックス法よフも安価なプロセスである。
以下に、実施例を説明する。
実施例1
まず、原料粉末の調合を行なう。試薬特級の酸化ガルシ
ウム(CaO) 、酸化アルミニウム■203)、酸化
ケイ累(87(]2)、酸化クロム(Cr203)よシ
、秤量して、 3CaO,AA203 、3Si02
、0゜05Cr203の組成の混合粉末を作製する。
ウム(CaO) 、酸化アルミニウム■203)、酸化
ケイ累(87(]2)、酸化クロム(Cr203)よシ
、秤量して、 3CaO,AA203 、3Si02
、0゜05Cr203の組成の混合粉末を作製する。
次に、該温容粉末を、ボールミルに依シ、混合粉砕を5
0時間以上行なう。この際、ポット及びポールの材質は
高純度アルミナの焼結材である。次に、該混合粉末を、
周知のF、Z法原料棒製造法によシ、焼結体枠を作製す
る。これがF、Z炉の原料棒となる。
0時間以上行なう。この際、ポット及びポールの材質は
高純度アルミナの焼結材である。次に、該混合粉末を、
周知のF、Z法原料棒製造法によシ、焼結体枠を作製す
る。これがF、Z炉の原料棒となる。
次に、フラックスとして、Li2O,v205の組成と
なる如くに、試薬%級の水酸化リチウム(Li0H)及
び五酸化バナジウム(■206)を秤量する。
なる如くに、試薬%級の水酸化リチウム(Li0H)及
び五酸化バナジウム(■206)を秤量する。
該粉末に、前記3CaO,AA203゜3SjO2,0
,05Cr203の組成の粉末をN景割合で、20チ当
分を加える。
,05Cr203の組成の粉末をN景割合で、20チ当
分を加える。
然る後の混合粉末を、成形、焼結を行なって、ディスク
状の焼結ペレット直上る。次に、種子結晶として、フラ
ックス法によシ合成されたベリル結晶をC軸方向に長く
切断し、所定寸法に加工する。
状の焼結ペレット直上る。次に、種子結晶として、フラ
ックス法によシ合成されたベリル結晶をC軸方向に長く
切断し、所定寸法に加工する。
次に、以上のプロセスにて予め、用意されたものを、F
、Z炉にセットして、結晶合成を行なう。
、Z炉にセットして、結晶合成を行なう。
F−2炉は、大略、第1図に示される構造であり、例え
ば、ニチデン機械株式会社製のS C−2型でよい。即
わち、′1)は原料素材棒であシ、2H1種子結晶、3
は回転楕円面鏡用の2つの焦点であシ、一方は、ハロゲ
ンランプ5で熱源であり、他の一方は、溶融したフラッ
クスである。6−は透明石英チューブであり、7はレン
ズ、8はスクリーンであり、合成状況のモニタリングを
行なう。
ば、ニチデン機械株式会社製のS C−2型でよい。即
わち、′1)は原料素材棒であシ、2H1種子結晶、3
は回転楕円面鏡用の2つの焦点であシ、一方は、ハロゲ
ンランプ5で熱源であり、他の一方は、溶融したフラッ
クスである。6−は透明石英チューブであり、7はレン
ズ、8はスクリーンであり、合成状況のモニタリングを
行なう。
9、川は、上、下の回転軸であり、1及び20回転及び
、上下動を制御する。
、上下動を制御する。
最初に、セットされた種子結晶2の上に、フラックスベ
レットを載置し、該ペレット直上に原料素材棒を接触さ
せて、セットする。この状態でノ・ロゲンヲンプの電力
を上昇させて、フラックスを溶融せしめ、フラックスが
、種子結晶2と原料素材棒lの間に表面張力で保持され
ている状態を維持する。その後、溶融フラックス部を1
ioo℃に保持し、上下軸を逆方向に、50γ、p、r
n、で回転させ用時間、保持する。然る後に、溶融ゾー
ンの上下距y4It’e維持する状態で、9及び10を
下方に移動させる。この場合、移動速度は即納高成長速
度に対応する。結晶成長速度は、大きすぎるとインクル
ージヨンが発生するため、制御されなければならず、最
大1(+ 、/ D A Yである。これ以下の成長速
度で、インクルージヨンの無い結晶が作製でき、また低
速はど、他の成長条件の制御余裕幅が大きくとれ、容易
に成長させることができる。結晶成長は、溶融体と結晶
の界面で進行するため、下方の結晶体は、合成完了時に
は、その上部のフラックス固体を切断すれば、即ガーネ
ット結晶体のみとして利用でき、特に後処理を必要とし
ない。
レットを載置し、該ペレット直上に原料素材棒を接触さ
せて、セットする。この状態でノ・ロゲンヲンプの電力
を上昇させて、フラックスを溶融せしめ、フラックスが
、種子結晶2と原料素材棒lの間に表面張力で保持され
ている状態を維持する。その後、溶融フラックス部を1
ioo℃に保持し、上下軸を逆方向に、50γ、p、r
n、で回転させ用時間、保持する。然る後に、溶融ゾー
ンの上下距y4It’e維持する状態で、9及び10を
下方に移動させる。この場合、移動速度は即納高成長速
度に対応する。結晶成長速度は、大きすぎるとインクル
ージヨンが発生するため、制御されなければならず、最
大1(+ 、/ D A Yである。これ以下の成長速
度で、インクルージヨンの無い結晶が作製でき、また低
速はど、他の成長条件の制御余裕幅が大きくとれ、容易
に成長させることができる。結晶成長は、溶融体と結晶
の界面で進行するため、下方の結晶体は、合成完了時に
は、その上部のフラックス固体を切断すれば、即ガーネ
ット結晶体のみとして利用でき、特に後処理を必要とし
ない。
以上の手法によシ帆1〜Ill mx / D A Y
の速度で、インクルージヨンの無いガーネットが合成で
きた。
の速度で、インクルージヨンの無いガーネットが合成で
きた。
結晶の直径は、大略5〜15藺である。
実施例2
実施例1と同様の前提条件で、原料素材棒1と種子結晶
2の配置を上・下逆転して、合成を行なった。さらに、
最初の段階で1100℃で保持する間に、上部種子結晶
と溶融体とを接触させずに、溶融体を下部原料素材棒の
上端に表面張力で保持させた状態で維持し、10時間後
に、種子結晶と接触させ、以後結晶成長を行なわせた。
2の配置を上・下逆転して、合成を行なった。さらに、
最初の段階で1100℃で保持する間に、上部種子結晶
と溶融体とを接触させずに、溶融体を下部原料素材棒の
上端に表面張力で保持させた状態で維持し、10時間後
に、種子結晶と接触させ、以後結晶成長を行なわせた。
この場合に溶融体の飽和溶解度を制御することが容易で
、種子結晶接触後、直ちに、結晶成長に進めることがで
きる。結晶の品質は実施例同様に80倍の宝石顕微鏡の
観察で、インクルージヨンは認められなかった。
、種子結晶接触後、直ちに、結晶成長に進めることがで
きる。結晶の品質は実施例同様に80倍の宝石顕微鏡の
観察で、インクルージヨンは認められなかった。
実施例3
実施例1と同様の条件で、フラックスベレットの組成と
して、v2o5.z’Lz2oのモル比を変化させて、
実験の結果、1〜5の範囲でインクルージヨンの観察さ
れないガーネットが合成された。
して、v2o5.z’Lz2oのモル比を変化させて、
実験の結果、1〜5の範囲でインクルージヨンの観察さ
れないガーネットが合成された。
実施例4
実施例1と同様の条件で、結晶成長温度、即わち溶融体
温度を変化させて実験した。温度は)・ロゲンヲンプの
電力の変動を換算している。この結果、5./DAYの
成長速度では、950〜1200℃の間で、インクルー
ジヨンの無い成長が可能である。
温度を変化させて実験した。温度は)・ロゲンヲンプの
電力の変動を換算している。この結果、5./DAYの
成長速度では、950〜1200℃の間で、インクルー
ジヨンの無い成長が可能である。
実施例5
実施例工と同等の条件で、フラックスベレットとして、
Li20−MoC2系を実験した。この結果、成長速度
二〇。1〜10M□AY 成長温度: ’750〜950℃ 組成モル比: 2〜5 (MOo3/Li2o)の範
囲が適切である。
Li20−MoC2系を実験した。この結果、成長速度
二〇。1〜10M□AY 成長温度: ’750〜950℃ 組成モル比: 2〜5 (MOo3/Li2o)の範
囲が適切である。
実施例6
実施!111と同等の条件で、7ヲンクスペレツトとし
て、L?:20− WO3系を実験した。この結果成最
速度=0.1〜10mm/DAY 成長温度:800−1000℃ 組成モル比: 2〜6 (WO3/Li20)の範囲
が適切である。
て、L?:20− WO3系を実験した。この結果成最
速度=0.1〜10mm/DAY 成長温度:800−1000℃ 組成モル比: 2〜6 (WO3/Li20)の範囲
が適切である。
実施例7
実施例1と同等の条件で、原料組成を変更した。
即わち、3)ht、0 、 AA203a 3BiO2
,0,005Tj02ノ組成の混合粉末を作製する。こ
の粉末から、実施例1の如くに、原料棒を作製する。さ
らに実施例1の如くに、結晶を合成する。
,0,005Tj02ノ組成の混合粉末を作製する。こ
の粉末から、実施例1の如くに、原料棒を作製する。さ
らに実施例1の如くに、結晶を合成する。
実施例工では、エメラルドグリーンの着色がみられるの
に対して、・本例では黄色からオレンジの着色ができる
。
に対して、・本例では黄色からオレンジの着色ができる
。
以上、実施例にて、説明した如くに、本願発明は、F、
Z方式の新規改質によシ、極めて有用なるガーネット合
成法として、新たな発想を提供するものである。
Z方式の新規改質によシ、極めて有用なるガーネット合
成法として、新たな発想を提供するものである。
第1図は、本願発明に係るF、Z炉の概要を示す図であ
る。lは、原料紫材棒、2は種子結晶、3は回転楕円面
鏡の2つの焦点、4は回転楕円面鏡、5はハロゲンラン
プ、6は透明石英管、7はレンズ、8はスクリーンで、
7,8によシ合成状況の像観察が為される。 以 上 出願人 株式会社諏訪精工舎 代理人 弁理士最 上 務d鍮ン
る。lは、原料紫材棒、2は種子結晶、3は回転楕円面
鏡の2つの焦点、4は回転楕円面鏡、5はハロゲンラン
プ、6は透明石英管、7はレンズ、8はスクリーンで、
7,8によシ合成状況の像観察が為される。 以 上 出願人 株式会社諏訪精工舎 代理人 弁理士最 上 務d鍮ン
Claims (1)
- F 、 Z炉によ多結晶を合成する方法において、フラ
ックスを使用することを特徴とする製造方法により、合
成されたガーネット鉱物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1333783A JPS59141492A (ja) | 1983-01-28 | 1983-01-28 | ガ−ネツト鉱物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1333783A JPS59141492A (ja) | 1983-01-28 | 1983-01-28 | ガ−ネツト鉱物 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59141492A true JPS59141492A (ja) | 1984-08-14 |
Family
ID=11830309
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1333783A Pending JPS59141492A (ja) | 1983-01-28 | 1983-01-28 | ガ−ネツト鉱物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59141492A (ja) |
-
1983
- 1983-01-28 JP JP1333783A patent/JPS59141492A/ja active Pending
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