JPS59116196A - F・z法によるルビ−キヤツツアイ結晶合成法 - Google Patents
F・z法によるルビ−キヤツツアイ結晶合成法Info
- Publication number
- JPS59116196A JPS59116196A JP57232346A JP23234682A JPS59116196A JP S59116196 A JPS59116196 A JP S59116196A JP 57232346 A JP57232346 A JP 57232346A JP 23234682 A JP23234682 A JP 23234682A JP S59116196 A JPS59116196 A JP S59116196A
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- JP
- Japan
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- crystal
- ruby
- cat
- eye
- rod
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- Pending
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B13/00—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/16—Oxides
- C30B29/20—Aluminium oxides
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、F−2炉によりルビーキャッツアイ結晶を合
成する方法に於て、インクルージヨンによりキャッツア
イをルビー結晶に生ずることを特徴とする製造方法に関
する。
成する方法に於て、インクルージヨンによりキャッツア
イをルビー結晶に生ずることを特徴とする製造方法に関
する。
従来、ルビー結晶を合成する方法として、水熱合成法、
°7ラツクス合成法、F−Z法、ペルターイ法、引上げ
法がある。
°7ラツクス合成法、F−Z法、ペルターイ法、引上げ
法がある。
しかし、これらの方法により、ルビーキャッツアイ結晶
が、合成されたという報告は、未だにない又、天然には
、ルビーキャッツアイは、存在しない。
が、合成されたという報告は、未だにない又、天然には
、ルビーキャッツアイは、存在しない。
本発明は、ルビーキャッツアイ結晶製造方法として、全
く新規なものであり、その目的は、F・2法により、ル
ビー結晶に明確なキャッツアイを生ずるルビーキャッツ
アイを製造することにある本発明の特徴は、 (1) 従来、発明されたことのないルビーキャッツ
アイ製造方法である。
く新規なものであり、その目的は、F・2法により、ル
ビー結晶に明確なキャッツアイを生ずるルビーキャッツ
アイを製造することにある本発明の特徴は、 (1) 従来、発明されたことのないルビーキャッツ
アイ製造方法である。
(2) インクルージヨンをルビー結晶中に形成させ
それによりルビー結晶にキャッツアイを生じる。
それによりルビー結晶にキャッツアイを生じる。
(3) インクルージヨンの成長方位が一定方向であ
ることにより、一定方向に光の散乱を生じ、その散乱光
を集光することによってキャッツアイを生じる。
ることにより、一定方向に光の散乱を生じ、その散乱光
を集光することによってキャッツアイを生じる。
(4) (3)に述べたインクルージヨンの成長方向の
制御可能であり、又インクルージヨンを成長させるには
、結晶成長速度が数mm / h r必要であるが、そ
れが可能なF−Z法を用いる。
制御可能であり、又インクルージヨンを成長させるには
、結晶成長速度が数mm / h r必要であるが、そ
れが可能なF−Z法を用いる。
(5)F−Z法を用いることにより、スループットが上
り、白金ルツボが不要等により安価なプロセスである。
り、白金ルツボが不要等により安価なプロセスである。
以下、実施例に基づいて本発明の詳細な説明する。
実施例1
原料粉末である酸化アルミニウム(A40g)に酸化ク
ロム(Or、03 ) を、重量比で0.3〜3%混
合して粉末を作成する。
ロム(Or、03 ) を、重量比で0.3〜3%混
合して粉末を作成する。
次に、プラスチック、ナフタリン、ろう、パラフィン等
の有機物、ウッドメタル等の低融点金属、ヨウ素化物等
の昇華性物質、炭素、黒鉛、イオウ等の非金属を、単一
に或いは、複数で上述の混合粉末に混合し、混合比は、
体積比で10%〜80%にとり、特に40%程度が適当
である。これをボールミルで混合粉砕を50時間以上行
なう。次に、該混合粉末を、周知のF−Z法原料棒製造
法により、焼結体棒を作製する。
の有機物、ウッドメタル等の低融点金属、ヨウ素化物等
の昇華性物質、炭素、黒鉛、イオウ等の非金属を、単一
に或いは、複数で上述の混合粉末に混合し、混合比は、
体積比で10%〜80%にとり、特に40%程度が適当
である。これをボールミルで混合粉砕を50時間以上行
なう。次に、該混合粉末を、周知のF−Z法原料棒製造
法により、焼結体棒を作製する。
次にF−1炉に焼結棒1種子結晶をセットして結晶合成
を行なう。F−Z炉は、第1図に示される構造であり、
例えば、ニチデン機械株式会社製の5o−2型でよい。
を行なう。F−Z炉は、第1図に示される構造であり、
例えば、ニチデン機械株式会社製の5o−2型でよい。
■は、原料素材棒であり、■は、種子結晶、■は、回転
楕円面鏡用の2つの焦点であり、ハロゲンランプ■は熱
源である。■は、石英チューブ、■はレンズ、■はスク
リーンであり、合成状況のモニタリングを行なう。■。
楕円面鏡用の2つの焦点であり、ハロゲンランプ■は熱
源である。■は、石英チューブ、■はレンズ、■はスク
リーンであり、合成状況のモニタリングを行なう。■。
■は、上、下の回転軸であり、■及び■の回転及び、上
下動を制御する。
下動を制御する。
最初に、種子結晶及び原料を上下軸同方向に、150r
−P−mで回転させ、次にハロゲン九ンプ電圧を上昇し
、種子結晶及び原料を溶かし、両者を接合させる。この
状態で、■及び[相]を上下に移動させる。この移動速
度が、結晶成長速度に一致し、結晶成長速度は、2關/
h r〜10■/ h rがよいが、4 mm /
h rが適当である。結晶成長が、速いことにより、イ
ンクルージヨンが、結晶の成長方向に成長し、又径が数
μ情程度のものが、多量にルビー結晶中に形成される。
−P−mで回転させ、次にハロゲン九ンプ電圧を上昇し
、種子結晶及び原料を溶かし、両者を接合させる。この
状態で、■及び[相]を上下に移動させる。この移動速
度が、結晶成長速度に一致し、結晶成長速度は、2關/
h r〜10■/ h rがよいが、4 mm /
h rが適当である。結晶成長が、速いことにより、イ
ンクルージヨンが、結晶の成長方向に成長し、又径が数
μ情程度のものが、多量にルビー結晶中に形成される。
以上の手法によりルビーキャッツアイが、合成でき、結
晶の直径は、4〜12間である。
晶の直径は、4〜12間である。
実施例2
I原料粉末である酸化アルミニウム(A40s )に対
して酸化クロム(Or、O,)及び酸化ニッケル(Ni
p)を夫々、重量比で0.3〜3%、 0.01〜0.
06%の割合で混合し、実施例1と同様な実験をした。
して酸化クロム(Or、O,)及び酸化ニッケル(Ni
p)を夫々、重量比で0.3〜3%、 0.01〜0.
06%の割合で混合し、実施例1と同様な実験をした。
その結果、ルビー結晶にキャッツアイが明確にみえるル
ビーキャッツアイを作ることができた。
ビーキャッツアイを作ることができた。
実施例3
実施例1と同様にして実験を行ない、その時、空気を、
石英管■に100t/m+a流した。その結果実施例1
より更に微細なインクルージヨンがルビー内部に形成さ
れ、ルビーキャッツアイを作ることができた。
石英管■に100t/m+a流した。その結果実施例1
より更に微細なインクルージヨンがルビー内部に形成さ
れ、ルビーキャッツアイを作ることができた。
実施例4
実施例1と同様にして酸化クロムの代わりに金属クロム
(Cu)をドーピング材として用い、その重量比は、0
.6〜3.0%として実験を行なった。その結果、実施
例1と同等なルビーキャッツアイを育成できた。
(Cu)をドーピング材として用い、その重量比は、0
.6〜3.0%として実験を行なった。その結果、実施
例1と同等なルビーキャッツアイを育成できた。
第1図は、本発明に係る’F−Z炉の概要を示す図であ
る。■は、原料素材棒、■は種子結晶、■は、回転楕円
面鏡の2つの焦点、■は回転楕円面鏡、■はハロゲンラ
ンプ、■は石英管、■はレンズ、■はスクリーンである
。 以 上 出願人 株式会社諏訪精工舎
る。■は、原料素材棒、■は種子結晶、■は、回転楕円
面鏡の2つの焦点、■は回転楕円面鏡、■はハロゲンラ
ンプ、■は石英管、■はレンズ、■はスクリーンである
。 以 上 出願人 株式会社諏訪精工舎
Claims (1)
- y−z炉によりルビーキャッツアイ結晶を合成する方法
に於て、インクルージヨンを含有することを特徴とする
F−Z法によるルビーキャッツアイ結晶合成法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57232346A JPS59116196A (ja) | 1982-12-22 | 1982-12-22 | F・z法によるルビ−キヤツツアイ結晶合成法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57232346A JPS59116196A (ja) | 1982-12-22 | 1982-12-22 | F・z法によるルビ−キヤツツアイ結晶合成法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59116196A true JPS59116196A (ja) | 1984-07-04 |
Family
ID=16937761
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57232346A Pending JPS59116196A (ja) | 1982-12-22 | 1982-12-22 | F・z法によるルビ−キヤツツアイ結晶合成法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59116196A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100480904B1 (ko) * | 1998-12-24 | 2005-08-30 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반응로및이를이용한단결정실리콘층형성방법 |
-
1982
- 1982-12-22 JP JP57232346A patent/JPS59116196A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100480904B1 (ko) * | 1998-12-24 | 2005-08-30 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반응로및이를이용한단결정실리콘층형성방법 |
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