JPS59135756A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS59135756A JPS59135756A JP957183A JP957183A JPS59135756A JP S59135756 A JPS59135756 A JP S59135756A JP 957183 A JP957183 A JP 957183A JP 957183 A JP957183 A JP 957183A JP S59135756 A JPS59135756 A JP S59135756A
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- resistance
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- resistor
- polycrystalline silicon
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Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
- H01L27/08—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind
- H01L27/0802—Resistors only
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装Ｉｇに関する。
近年、トランジスタの高速比重たけ高集積化の要求から
窒化膜をマスクにした選択酸化や多結晶シリコンを利用
したトランジスタの形成が行なわれている。しかるに、
抵抗等の受動素子は低消費’ｆＥ流の安水が強くなるに
つれ抵抗値が大きくなる傾向にあるので高集積化の障害
になっている。本発明の目的は抵抗素子の高集積化のた
めの構造を提供することにある。
窒化膜をマスクにした選択酸化や多結晶シリコンを利用
したトランジスタの形成が行なわれている。しかるに、
抵抗等の受動素子は低消費’ｆＥ流の安水が強くなるに
つれ抵抗値が大きくなる傾向にあるので高集積化の障害
になっている。本発明の目的は抵抗素子の高集積化のた
めの構造を提供することにある。
かかる目的を達成するために、本発明では、基板の半導
体層を用いて第１の抵抗素子を形成し、該抵抗素子の上
に多結晶半導体層を用いｌこ第２の抵抗素子を積層した
ものである。
体層を用いて第１の抵抗素子を形成し、該抵抗素子の上
に多結晶半導体層を用いｌこ第２の抵抗素子を積層した
ものである。
以下図面を用いて詳細に説明する。
第１図は従来方法による抵抗の形成を示す。１１はＰ形
基板、１２はへ形埋込層、１３ばＮ形エピタキシャル層
、１４はＰ形絶縁層、１５ばＰ形ベース抵抗１６はＮコ
ンタクト領域、１７はＮ形エピタキシャル抵抗１８はＡ
τ組電極示す。
基板、１２はへ形埋込層、１３ばＮ形エピタキシャル層
、１４はＰ形絶縁層、１５ばＰ形ベース抵抗１６はＮコ
ンタクト領域、１７はＮ形エピタキシャル抵抗１８はＡ
τ組電極示す。
第１図のように従来は抵抗はトランジスタとは別に絶縁
して形成され、エピタキシャル抵抗ト、ベース拡散抵抗
を同一領域に入れるのは不ＩｊＪ能であった。従って集
積回路の高集積化に抵抗素子の縮少化が困難なことが障
害となっていた。
して形成され、エピタキシャル抵抗ト、ベース拡散抵抗
を同一領域に入れるのは不ＩｊＪ能であった。従って集
積回路の高集積化に抵抗素子の縮少化が困難なことが障
害となっていた。
次に本発明の一実施例を第２図に７Ｊｅず。２■は比抵
抗１０ΩｃｍのＰ形基板、２２は比抵抗１ΩＣ１”ＩＩ
のＮ形エピタキシャル層、厚さは２〜６゛μである。Ｐ
形絶縁領域２３を形成した後に、基板を窒化Ｊｌ’；ｉ
等をマスクに選択酸化しコンタクト領域２８ 、２８
’きのモ゛い１ノイールドぽ化膜２４を厚さ１３μに形
成する。次に基板全面上に多結晶シリコンを形成し、窒
化膜をマスクに選１ノ＜酸化して、酸化物２７で周囲音
かこまれた多結晶シリコンパターン’２５．２５’。
抗１０ΩｃｍのＰ形基板、２２は比抵抗１ΩＣ１”ＩＩ
のＮ形エピタキシャル層、厚さは２〜６゛μである。Ｐ
形絶縁領域２３を形成した後に、基板を窒化Ｊｌ’；ｉ
等をマスクに選択酸化しコンタクト領域２８ 、２８
’きのモ゛い１ノイールドぽ化膜２４を厚さ１３μに形
成する。次に基板全面上に多結晶シリコンを形成し、窒
化膜をマスクに選１ノ＜酸化して、酸化物２７で周囲音
かこまれた多結晶シリコンパターン’２５．２５’。
２６金形成する。選択酸化の代シにエツチングによって
２５．２５’、２６以外を除去してもよい。
２５．２５’、２６以外を除去してもよい。
？ＫＶこ、エビタギ７ヤル抵抗コンタクト領域２８゜２
８′ＶＣＦ＆：する′電極領域（配線に用いてもよい）
２５゜２５′にマ形不純物を拡散してコンタクト領域２
８゜２８′をＮとしオーミックコンタクト全形成し、エ
ピタキシャル抵抗上のフィールド酸化族２４上の高抵抗
形成領域２６ ［ＣＨＰ形不純物ケイオン注入又ぼ拡散
で導入しＮ形不純物全相殺させて高抵抗とする。この領
域２６の両端は領域２６の４寛型と同じ４亀型で高不純
物濃度とする。この時、基板にはエピタキシャル抵抗が
形成さ９．その上には多結晶シリコンのイオン注入抵抗
が積層して形成される。
８′ＶＣＦ＆：する′電極領域（配線に用いてもよい）
２５゜２５′にマ形不純物を拡散してコンタクト領域２
８゜２８′をＮとしオーミックコンタクト全形成し、エ
ピタキシャル抵抗上のフィールド酸化族２４上の高抵抗
形成領域２６ ［ＣＨＰ形不純物ケイオン注入又ぼ拡散
で導入しＮ形不純物全相殺させて高抵抗とする。この領
域２６の両端は領域２６の４寛型と同じ４亀型で高不純
物濃度とする。この時、基板にはエピタキシャル抵抗が
形成さ９．その上には多結晶シリコンのイオン注入抵抗
が積層して形成される。
以上説明したように、不発明によ）主は同一平面区域内
に多結晶シリコン抵抗とエピタキシャル抵抗が形成でき
るため抵抗の集積ｍ］全約２倍に向ヒできる。
に多結晶シリコン抵抗とエピタキシャル抵抗が形成でき
るため抵抗の集積ｍ］全約２倍に向ヒできる。
第１図１−工従来のベース拡散抵抗とエピタキシャル抵
抗のＭｒ面図１、第２図は本発明の一４施例のｒＪｆ面
図。 １１．２１ａＰ形基板、１２はＮ４’形埋込層、２３゜
１４はＰ形絶縁層、２２，１７．１３はエピタキシャル
層、１５げベース拡散抵抗、１６αヘコンタクｔ・領域
、 ２５ 、 ２５’ Ｕ Ｎ＋ポリシリコンコンタ
クト領域、 ２４． ２４’ｌ’Ｊフィールド酸化涙
、２６は多結晶シリコン抵抗をそれぞれ示す。 ■１図 ／ 華２図
抗のＭｒ面図１、第２図は本発明の一４施例のｒＪｆ面
図。 １１．２１ａＰ形基板、１２はＮ４’形埋込層、２３゜
１４はＰ形絶縁層、２２，１７．１３はエピタキシャル
層、１５げベース拡散抵抗、１６αヘコンタクｔ・領域
、 ２５ 、 ２５’ Ｕ Ｎ＋ポリシリコンコンタ
クト領域、 ２４． ２４’ｌ’Ｊフィールド酸化涙
、２６は多結晶シリコン抵抗をそれぞれ示す。 ■１図 ／ 華２図
Claims (1)
- −４１ｉ形半導体基板上の反対導１４Ｌ形半導体層に形
成された第１の抵抗・直載の−にに多結晶半導体層で形
成された第２の抵抗領域が形成されてなることを％徴と
する半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP957183A JPS59135756A (ja) | 1983-01-24 | 1983-01-24 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP957183A JPS59135756A (ja) | 1983-01-24 | 1983-01-24 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59135756A true JPS59135756A (ja) | 1984-08-04 |
Family
ID=11723982
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP957183A Pending JPS59135756A (ja) | 1983-01-24 | 1983-01-24 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59135756A (ja) |
-
1983
- 1983-01-24 JP JP957183A patent/JPS59135756A/ja active Pending
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