JPS5892275A - 電界効果トランジスタの製造方法 - Google Patents
電界効果トランジスタの製造方法Info
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- JPS5892275A JPS5892275A JP19350781A JP19350781A JPS5892275A JP S5892275 A JPS5892275 A JP S5892275A JP 19350781 A JP19350781 A JP 19350781A JP 19350781 A JP19350781 A JP 19350781A JP S5892275 A JPS5892275 A JP S5892275A
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- gate electrode
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/80—Field effect transistors with field effect produced by a PN or other rectifying junction gate, i.e. potential-jump barrier
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は電界効果トランジスタの製造方法に関するも
のである。
のである。
電界効果トランジスタ、ζ＼ではヒ化ガリウムを用いた
電界効果トランジスタ（以下ＧａＡａ ＦＥＴと略称す
る）を例にして説明する。
電界効果トランジスタ（以下ＧａＡａ ＦＥＴと略称す
る）を例にして説明する。
ＧａＡｓ Ｐ ＥＴはマイクロ波領域において、小信号
および電力用項中器、ｔｔ）るいは発振器などに利用さ
れており、このＧａＡｓＦＥＴの性能は主としてそのゲ
ート長により左右され、ゲート長を短くすることがその
要点の１つとなっている。そしてこのゲート電極は、一
般に光を用いた密着塵光、すなわちフォトリソグラフィ
法、電子ビーム露光法。
および電力用項中器、ｔｔ）るいは発振器などに利用さ
れており、このＧａＡｓＦＥＴの性能は主としてそのゲ
ート長により左右され、ゲート長を短くすることがその
要点の１つとなっている。そしてこのゲート電極は、一
般に光を用いた密着塵光、すなわちフォトリソグラフィ
法、電子ビーム露光法。
Ｘ線リングラフィ法などにより形成されるが、量産性を
考慮するとき、通常はフォトリングラフィ法を採用して
いる。
考慮するとき、通常はフォトリングラフィ法を採用して
いる。
第１図ないし第３図は従来のＧａＡｓＦＥＴの製造工程
を示すもので、各図（ａ）に平面を、（ｂ）に同断面を
表わしである。すなわち、まず第１図に示すように、半
絶縁性基板（１）と、その−主面上に形成されて不純物
濃度が１〜３Ｘ１０１？Δ−のｎ形層（２）とからなる
ＱａＡｓウェハを用意し、とのクエハの前記ｎ形層（２
）の表面上に、写真製版技術とリフトオ□ フ法によっ
て、ソース電極（３）およびドレイン電極（４）となる
金属膜を形成して熱処理を施すことによリ、それぞれに
オーミック電極を得る。ついで第２図に示すように１靜
電容量低減などのために、膣紀ソース電極（３）および
ドレイン電極（４）の各領域と、次のゲート形成領域と
を除く残余のｎ形層部分をメサエッチング除去した上で
、第３図に示すように、写真製版技術とフォトリング２
フイ法を利用して、ゲート電極用レジストパターン形成
。
を示すもので、各図（ａ）に平面を、（ｂ）に同断面を
表わしである。すなわち、まず第１図に示すように、半
絶縁性基板（１）と、その−主面上に形成されて不純物
濃度が１〜３Ｘ１０１？Δ−のｎ形層（２）とからなる
ＱａＡｓウェハを用意し、とのクエハの前記ｎ形層（２
）の表面上に、写真製版技術とリフトオ□ フ法によっ
て、ソース電極（３）およびドレイン電極（４）となる
金属膜を形成して熱処理を施すことによリ、それぞれに
オーミック電極を得る。ついで第２図に示すように１靜
電容量低減などのために、膣紀ソース電極（３）および
ドレイン電極（４）の各領域と、次のゲート形成領域と
を除く残余のｎ形層部分をメサエッチング除去した上で
、第３図に示すように、写真製版技術とフォトリング２
フイ法を利用して、ゲート電極用レジストパターン形成
。
電流調整用ゲートエッチングエ楊を経てゲート電極金属
膜を蒸着させ、リフトオフ法でゲート電極（５）を形成
するのでらる◇ こ＼でこのような密着露光方式によるフォトリングラフ
ィ法により、微錘なゲート長をもつゲート電極を形成す
る場合、前記従来方法によると、ソース電極（３）とド
レイン電極（４）とく挾まれたｎ形層（２）上のゲート
電極（５）と、除去部分、すなわちメサエッチング部分
のボンディングバット部分とを同時に形成することから
、露光不足によってメサエッチフグ０部分が形成されな
かったり、あるいはメサとｎ形層の段差部分でゲート電
極（５）Ｋ断線・などの不良を生じ、製造歩留りが悪く
なる欠点が６つ九。
膜を蒸着させ、リフトオフ法でゲート電極（５）を形成
するのでらる◇ こ＼でこのような密着露光方式によるフォトリングラフ
ィ法により、微錘なゲート長をもつゲート電極を形成す
る場合、前記従来方法によると、ソース電極（３）とド
レイン電極（４）とく挾まれたｎ形層（２）上のゲート
電極（５）と、除去部分、すなわちメサエッチング部分
のボンディングバット部分とを同時に形成することから
、露光不足によってメサエッチフグ０部分が形成されな
かったり、あるいはメサとｎ形層の段差部分でゲート電
極（５）Ｋ断線・などの不良を生じ、製造歩留りが悪く
なる欠点が６つ九。
この発明は従来のこのような欠点を改善して、微細なゲ
ート長をもつＧａＡｓＦｇＴを歩留りよく製造するため
の方法を提供しようとするものであり、以下、この発明
方法の一実施例について詳細に説明する。
ート長をもつＧａＡｓＦｇＴを歩留りよく製造するため
の方法を提供しようとするものであり、以下、この発明
方法の一実施例について詳細に説明する。
第４図および第５図はこの実施例方法によるＧａＡｓＦ
ＢＴの製造工程を示し、各図（ａ）に平面を。
ＢＴの製造工程を示し、各図（ａ）に平面を。
（ｂ）に同断面を表わしである。これらの各図において
、この実施例方法にあっても、まず前記第１図および第
２図工程と全く同様にして、ｎ形層（２）上にソース電
極（３）およびドレイン電極（４）を形成してからメサ
エッチング工程を実施し、ついで第４図に示すように、
前記ソース電極（３）およびドレイ／電極（４）に挾ま
れたゲート形成領域に、写真製版技術とフォトリングラ
フィ法を利用して、微細なゲート長をもつゲート電極用
レジストパターンを形成し、蒸着工程を経てリフトオフ
法により、ゲート電極チャネル部（５ａ）を一旦形成さ
せ、さらに第５図に示すように１このゲート電極チャネ
ル部（シ）とそれぞれに電気的に連結されているところ
の、ゲート電極ボンディングバット部（ｓｂ） ｐおよ
び外周電流遮断用のバット部（５ｃ）を形成するのであ
る。
、この実施例方法にあっても、まず前記第１図および第
２図工程と全く同様にして、ｎ形層（２）上にソース電
極（３）およびドレイン電極（４）を形成してからメサ
エッチング工程を実施し、ついで第４図に示すように、
前記ソース電極（３）およびドレイ／電極（４）に挾ま
れたゲート形成領域に、写真製版技術とフォトリングラ
フィ法を利用して、微細なゲート長をもつゲート電極用
レジストパターンを形成し、蒸着工程を経てリフトオフ
法により、ゲート電極チャネル部（５ａ）を一旦形成さ
せ、さらに第５図に示すように１このゲート電極チャネ
ル部（シ）とそれぞれに電気的に連結されているところ
の、ゲート電極ボンディングバット部（ｓｂ） ｐおよ
び外周電流遮断用のバット部（５ｃ）を形成するのであ
る。
すなわち、この実施例方法では、ゲート電極をチャネル
部（５ａ）と、ボンディングバット部（５ｂ）と、外周
電流遮断用のバット部（５ｃ）とに区分して形成するよ
うにしたものである。
部（５ａ）と、ボンディングバット部（５ｂ）と、外周
電流遮断用のバット部（５ｃ）とに区分して形成するよ
うにしたものである。
なお前記実施例はＧａＡｓを用いた電界効果トランジス
タについて述べたが、とのＧ ａ Ａ ｓに限定される
ものでないことは勿論である。
タについて述べたが、とのＧ ａ Ａ ｓに限定される
ものでないことは勿論である。
以上詳述し友ようにこの発明方法によるときは、電界効
果トランジスタにあって、ゲート電極の形成に関し、こ
れを微細ゲート長を必要とするチャネル部電極領域と、
ゲートボンディングバットおよび外周電流遮断バットの
各部に区分して行なうようにしたから、各部分での露光
不足およびメサエッチング部分とｎ形層との段差部分で
の電極切れを完全に解消でき、これによって微細ゲート
長をもつ電界効果トランジスタを歩留りよく製造し得る
特長がある。
果トランジスタにあって、ゲート電極の形成に関し、こ
れを微細ゲート長を必要とするチャネル部電極領域と、
ゲートボンディングバットおよび外周電流遮断バットの
各部に区分して行なうようにしたから、各部分での露光
不足およびメサエッチング部分とｎ形層との段差部分で
の電極切れを完全に解消でき、これによって微細ゲート
長をもつ電界効果トランジスタを歩留りよく製造し得る
特長がある。
第１図（ａ） 、 （ｂ）ないし第３図＋り 、 （ｂ
）は従来岡による電界効果トランジスタの製造工程を示
す平面および各図（ｂ−ｂ）断面図、第４図（ａ） 、
（ｂ）および第５図（ａ） 、 （ｂ）はこの発明の
一実施例方法による電界効果トランジスタの製造工程要
部を示す平面および各図（ｂ−ｂ）断面図である。 （１）・・・・半絶縁性基板、（２）・・・・ｎ形層、
（３）・・・・ソース電極、（４）・・・・ドレイン電
極、（５ａ）・・・・ゲート電極チャネル部、 （５ｂ
）・・・・同ボンディングバット部％ （ｓｃ）・・・
・同外周電流遮断バット部。 代 理 人 葛 野 信 −（ほか１名）第４＠１ （ＣＩ） Ｖｂ （Ｇ）
）は従来岡による電界効果トランジスタの製造工程を示
す平面および各図（ｂ−ｂ）断面図、第４図（ａ） 、
（ｂ）および第５図（ａ） 、 （ｂ）はこの発明の
一実施例方法による電界効果トランジスタの製造工程要
部を示す平面および各図（ｂ−ｂ）断面図である。 （１）・・・・半絶縁性基板、（２）・・・・ｎ形層、
（３）・・・・ソース電極、（４）・・・・ドレイン電
極、（５ａ）・・・・ゲート電極チャネル部、 （５ｂ
）・・・・同ボンディングバット部％ （ｓｃ）・・・
・同外周電流遮断バット部。 代 理 人 葛 野 信 −（ほか１名）第４＠１ （ＣＩ） Ｖｂ （Ｇ）
Claims (1)
- 基板に形成した導電層上にゲート形成領域を挾んで対向
するようにソース電極およびドレイン電極をオーミック
接触により形成する工程と、これらのゲート形成領域お
よびソース、ドレイン各電極部分以外の前記導電層をメ
サエッチング除去する工程と、前記ゲート形成領域にゲ
ート電極チャネル部を形成する工程と、このゲート電極
チャネル部に電気的に連結させて、ゲートボンディング
バット部、および外周電流遮断用バット部を形成する工
程とを含むことを特徴とする電界効果トランジスタの製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19350781A JPS5892275A (ja) | 1981-11-28 | 1981-11-28 | 電界効果トランジスタの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19350781A JPS5892275A (ja) | 1981-11-28 | 1981-11-28 | 電界効果トランジスタの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5892275A true JPS5892275A (ja) | 1983-06-01 |
| JPS6231833B2 JPS6231833B2 (ja) | 1987-07-10 |
Family
ID=16309198
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19350781A Granted JPS5892275A (ja) | 1981-11-28 | 1981-11-28 | 電界効果トランジスタの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5892275A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2738455A1 (de) * | 1977-08-26 | 1979-03-01 | Daimler Benz Ag | Aktive schwingungsdaempfer |
-
1981
- 1981-11-28 JP JP19350781A patent/JPS5892275A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2738455A1 (de) * | 1977-08-26 | 1979-03-01 | Daimler Benz Ag | Aktive schwingungsdaempfer |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6231833B2 (ja) | 1987-07-10 |
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