JPS5866357A - 半導体用電極 - Google Patents
半導体用電極Info
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- JPS5866357A JPS5866357A JP16418881A JP16418881A JPS5866357A JP S5866357 A JPS5866357 A JP S5866357A JP 16418881 A JP16418881 A JP 16418881A JP 16418881 A JP16418881 A JP 16418881A JP S5866357 A JPS5866357 A JP S5866357A
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Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 15
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 claims 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 abstract description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 abstract description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/45—Ohmic electrodes
- H01L29/452—Ohmic electrodes on AIII-BV compounds
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体用電極に関し、とくにＧａＡ１！半導体
基板上にＣｒ薄膜層を介してＡｕ薄膜を設けた電極に対
して極めて効を奏するものである。
基板上にＣｒ薄膜層を介してＡｕ薄膜を設けた電極に対
して極めて効を奏するものである。
Ａｕ−Ｃｒ／ＧａＡｓ系（ＧａＡ８上にＣｒ。
Ａｕが膜状で順次積層されている状態は一般にこの様に
表現されている）の電極は、Ｐ４電型のＧａ Ａ Ｂ
（Ｐ−ＧａＡＳ）に対するオーミック逆極として、また
ｎ−ＧａＡｓ に対するショットキバリヤ’に極として
以前から広く用いられている。
表現されている）の電極は、Ｐ４電型のＧａ Ａ Ｂ
（Ｐ−ＧａＡＳ）に対するオーミック逆極として、また
ｎ−ＧａＡｓ に対するショットキバリヤ’に極として
以前から広く用いられている。
従来のＡｕ−Ｃｒ層用い７’ＣＧ ａ Ａ Ｓに対すル
′電極は、Ｃｒ層の膜厚が１０００Å以上あるにも拘ず
、熱処ｊｌ（例えば、３５０Ｃ，１０分間）によシ、Ｇ
ａＡｓからのＧａがＣｒ層を突き抜けてＡｕ層中に侵入
し、ｈｕ４はＱａと合金化してしまう。この友め、Ａ１
１−ＣＩ”／Ｇ、ＩＡ８系電極電極ｕ電極層に対するボ
ンダビリティ（ダイボンディング・ワイヤボンディング
の容易性）が熱処理により低下してしまう欠点があった
。
′電極は、Ｃｒ層の膜厚が１０００Å以上あるにも拘ず
、熱処ｊｌ（例えば、３５０Ｃ，１０分間）によシ、Ｇ
ａＡｓからのＧａがＣｒ層を突き抜けてＡｕ層中に侵入
し、ｈｕ４はＱａと合金化してしまう。この友め、Ａ１
１−ＣＩ”／Ｇ、ＩＡ８系電極電極ｕ電極層に対するボ
ンダビリティ（ダイボンディング・ワイヤボンディング
の容易性）が熱処理により低下してしまう欠点があった
。
この発明の目的は、上記の欠点を除去し、ボンダビリテ
ィの良好な耐熱性に優れ死生導体用電極を提供すること
にある。
ィの良好な耐熱性に優れ死生導体用電極を提供すること
にある。
上記目的を達成するための本発明の構成は、Ｇａｔ−組
成に有する化合物半導体基板上に膜厚が１００〜４００
人のＣｒ薄膜を設け、該薄膜上に上記Ｇａと反応性を有
する金属薄膜を設けることにある。
成に有する化合物半導体基板上に膜厚が１００〜４００
人のＣｒ薄膜を設け、該薄膜上に上記Ｇａと反応性を有
する金属薄膜を設けることにある。
上記金属薄膜としてはＡｕＡｇが極めて良好である。
Ａｕ−ｃｒ、’ｅａＡｓ系の電極の合金化反応を絆しく
調べたところ、Ａｌ１層の合金化の程度はｅｒａ厚に大
きく依存し、Ｃｒ膜厚が厚くなる程合金化が看るしくな
ることを見出した。゛これは、Ｃｒ薄膜が４００λ以下
だとＡｕとＱａが反応する前に、ｋ”とＣｒとが反応し
てしまうためである。上記合金化が促進されるのは４０
０人を越える値でるる。また、１００λ未満の膜厚であ
ると却って、Ａｕとの密着性が劣化するので好ましくな
い。上記の新しい知見により、ＣｒｐＩＡ厚を上述の膜
厚の範囲であれば、Ｇａが移動してＡｕと反応せず、耐
熱性に優れたＡｕ−Ｃｒ／ＧａＡＳ系電極を製造しうろ
ことを見い出し友。
調べたところ、Ａｌ１層の合金化の程度はｅｒａ厚に大
きく依存し、Ｃｒ膜厚が厚くなる程合金化が看るしくな
ることを見出した。゛これは、Ｃｒ薄膜が４００λ以下
だとＡｕとＱａが反応する前に、ｋ”とＣｒとが反応し
てしまうためである。上記合金化が促進されるのは４０
０人を越える値でるる。また、１００λ未満の膜厚であ
ると却って、Ａｕとの密着性が劣化するので好ましくな
い。上記の新しい知見により、ＣｒｐＩＡ厚を上述の膜
厚の範囲であれば、Ｇａが移動してＡｕと反応せず、耐
熱性に優れたＡｕ−Ｃｒ／ＧａＡＳ系電極を製造しうろ
ことを見い出し友。
以下、本発明の一実施例を説明する。第１図は、本発明
の一実施例としてのＰ−ＧａＡ８に対するＡｕ−Ｃｒ電
極の構造を示す断面図である。この電極の構造および製
作プロセスは次のとおシである。まず、Ｐ−ＧａＡ８半
導体基板１（不純物濃度Ｐ：；ｌＸｌ０”ａｌｌ−”
）上にＣｒ２を厚さ１００〜４００人真空蒸着し、つい
でＡｕ３’ｉ厚さ０．７〜１．５μｍ連続真空蒸着して
電極を形成する。
の一実施例としてのＰ−ＧａＡ８に対するＡｕ−Ｃｒ電
極の構造を示す断面図である。この電極の構造および製
作プロセスは次のとおシである。まず、Ｐ−ＧａＡ８半
導体基板１（不純物濃度Ｐ：；ｌＸｌ０”ａｌｌ−”
）上にＣｒ２を厚さ１００〜４００人真空蒸着し、つい
でＡｕ３’ｉ厚さ０．７〜１．５μｍ連続真空蒸着して
電極を形成する。
本実雄側によれば、Ｃｒ膜厚ｔ−１００〜４００Ａに制
御したことによシ、３５０ｒ、１０分間の熱処理ｔ−笑
施した後でもＡｕ層１面に対するＡｕ＠の熱圧着におい
て、良好なワイヤボンダビリティが得られる。
御したことによシ、３５０ｒ、１０分間の熱処理ｔ−笑
施した後でもＡｕ層１面に対するＡｕ＠の熱圧着におい
て、良好なワイヤボンダビリティが得られる。
本発明によるＡｕ−ＣＦ３Ｉ極は、Ｐ−ＧａＡ１１に対
するオーミック区極としてばかりでな（、ｎ−ＧａＡＳ
上の電極ヤ、ＧａＡ３％その他酸化膜層（ｓｉｏｔ膜、
ＡｔｔＯｓ膜など）上の配線導体としても全く同様に形
成され同様の効果が得られた。
するオーミック区極としてばかりでな（、ｎ−ＧａＡＳ
上の電極ヤ、ＧａＡ３％その他酸化膜層（ｓｉｏｔ膜、
ＡｔｔＯｓ膜など）上の配線導体としても全く同様に形
成され同様の効果が得られた。
構成、作用等は前述の実施例と全く同様なので詳細な説
明は割愛する。
明は割愛する。
上述の実施例は、半導体レーザに用いられる電極であっ
たが、他の半導体素子、或いは半導体装置に対しても全
く同様に適用できる。以下それを示す。
たが、他の半導体素子、或いは半導体装置に対しても全
く同様に適用できる。以下それを示す。
第２図は赤外発光ダイオードのチップを示す斜視図であ
る。ｎ−ＧａＡｓ基板１４ （ｎ：：ｌＸｌ０”ａｎ−
” ）にｚｎｔ−約１．μｍ拡散してｐ−ＧａＡａ層１
５全１５する。次に、ｐ−ａａｈｓ層１５上にＣｒ１２
を厚さ約３０ＯＡ蒸着し、ついでＡｕ１３ｔ−厚さ約１
μｍ連続蒸着してｐＩＩＩＩオーミック電極を形成する
。
る。ｎ−ＧａＡｓ基板１４ （ｎ：：ｌＸｌ０”ａｎ−
” ）にｚｎｔ−約１．μｍ拡散してｐ−ＧａＡａ層１
５全１５する。次に、ｐ−ａａｈｓ層１５上にＣｒ１２
を厚さ約３０ＯＡ蒸着し、ついでＡｕ１３ｔ−厚さ約１
μｍ連続蒸着してｐＩＩＩＩオーミック電極を形成する
。
−ｐｔｎで、ｎ−ＧａＡｌ基板１４を厚さ約１５０ｐｍ
に研磨し次後、ｎ−ＧＪＩＡＩ基板１４に、ＡＶ−Ｇｅ
−Ｈｉ−Ａｕ （総合膜厚的１ｘｍ）を連続蒸着してＮ
側オーミック電極層１６ｔ−形成する。
に研磨し次後、ｎ−ＧＪＩＡＩ基板１４に、ＡＶ−Ｇｅ
−Ｈｉ−Ａｕ （総合膜厚的１ｘｍ）を連続蒸着してＮ
側オーミック電極層１６ｔ−形成する。
次に、ウェーハを約２００ ／１ｍ角の大きさに切断し
て、赤外発光ダイオードのチップ１Ｍ作する。
て、赤外発光ダイオードのチップ１Ｍ作する。
この場合も、基板１４中の（）ａが０１層１２を突き抜
けて上記Ａ、ｕｌＢと反応して合金化することはなく、
良好な電気的特性の電極が得られた。
けて上記Ａ、ｕｌＢと反応して合金化することはなく、
良好な電気的特性の電極が得られた。
以上詳述した様に、本発明はＧａｔ含んだ化合物半導体
基板上に膜厚１００〜４００人のＣｒ膜を介してＡｕ又
はＡｇ膜を設けることにより、ボンダビリティの良好な
電極を提供し得る点工業的利益大なるものである。
基板上に膜厚１００〜４００人のＣｒ膜を介してＡｕ又
はＡｇ膜を設けることにより、ボンダビリティの良好な
電極を提供し得る点工業的利益大なるものである。
第１図は本発明の一実施例としての半導体用電極の概略
断面図、第２図は本発明の他の実施例としての半導体用
電極の斜視図である。
断面図、第２図は本発明の他の実施例としての半導体用
電極の斜視図である。
Claims (1)
- Ｇａｔ［する半導体基板上に設けられたＣｒ薄膜と、該
膜上に設けられた上記（）ａと反応性ｆ：有する金属薄
膜とを擁する半導体用［極において、上記Ｃｒ薄膜は膜
厚が１００〜４００°人であることｔ％徴とする半導体
用電極。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16418881A JPS5866357A (ja) | 1981-10-16 | 1981-10-16 | 半導体用電極 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16418881A JPS5866357A (ja) | 1981-10-16 | 1981-10-16 | 半導体用電極 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5866357A true JPS5866357A (ja) | 1983-04-20 |
Family
ID=15788357
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16418881A Pending JPS5866357A (ja) | 1981-10-16 | 1981-10-16 | 半導体用電極 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5866357A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59171935U (ja) * | 1983-05-02 | 1984-11-16 | 凸版印刷株式会社 | ラベル |
| JPS60176232A (ja) * | 1984-02-22 | 1985-09-10 | Sanyo Electric Co Ltd | 電極形成方法 |
-
1981
- 1981-10-16 JP JP16418881A patent/JPS5866357A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59171935U (ja) * | 1983-05-02 | 1984-11-16 | 凸版印刷株式会社 | ラベル |
| JPH0121329Y2 (ja) * | 1983-05-02 | 1989-06-26 | ||
| JPS60176232A (ja) * | 1984-02-22 | 1985-09-10 | Sanyo Electric Co Ltd | 電極形成方法 |
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