JPS6244836B2 - - Google Patents
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- JPS6244836B2 JPS6244836B2 JP449481A JP449481A JPS6244836B2 JP S6244836 B2 JPS6244836 B2 JP S6244836B2 JP 449481 A JP449481 A JP 449481A JP 449481 A JP449481 A JP 449481A JP S6244836 B2 JPS6244836 B2 JP S6244836B2
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- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 23
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 22
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 22
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 22
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical group [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 13
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 8
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 6
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical group [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 49
- 238000000034 method Methods 0.000 description 16
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 14
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 11
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 7
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 3
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 3
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 229910015365 Au—Si Inorganic materials 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 2
- XZXYQEHISUMZAT-UHFFFAOYSA-N 2-[(2-hydroxy-5-methylphenyl)methyl]-4-methylphenol Chemical compound CC1=CC=C(O)C(CC=2C(=CC=C(C)C=2)O)=C1 XZXYQEHISUMZAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017401 Au—Ge Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 description 1
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N ammonia Natural products N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940107816 ammonium iodide Drugs 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01L2224/4805—Shape
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- H01L2224/48091—Arched
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は−族化合物半導体装置、特に
GaP、GaAs、GaAs1-xPx等のGa化合物半導体の
単結晶を用いた発光ダイオード（以下、LEDと
略記）における電極の構造に関するものである。
GaP、GaAs、GaAs1-xPx等のGa化合物半導体の
単結晶を用いた発光ダイオード（以下、LEDと
略記）における電極の構造に関するものである。
従来、LEDは可視光を発光するものとして
は、GaP結晶や、GaAs1-xPx、Ga1-xAlxAsなど
の三元結晶を用いたものが実用化され、現在では
工業的規模での生産により種々のパイロツトラン
プや数字表示素子として大量に使用される様にな
り、またGaAs結晶を用いたLEDは赤外発光素子
として、フオトダイオードとの組合わせにより、
リモートコントロールやソリツドステートリレー
等に広く使用されている。この中でGaPLEDは赤
色から緑色まで種々の発光色を得る事が可能であ
り、LEDの中で大きなウエイトを占めている。
このGaPLEDの製造方法を第１図を用いて説明す
る。
は、GaP結晶や、GaAs1-xPx、Ga1-xAlxAsなど
の三元結晶を用いたものが実用化され、現在では
工業的規模での生産により種々のパイロツトラン
プや数字表示素子として大量に使用される様にな
り、またGaAs結晶を用いたLEDは赤外発光素子
として、フオトダイオードとの組合わせにより、
リモートコントロールやソリツドステートリレー
等に広く使用されている。この中でGaPLEDは赤
色から緑色まで種々の発光色を得る事が可能であ
り、LEDの中で大きなウエイトを占めている。
このGaPLEDの製造方法を第１図を用いて説明す
る。
次に製造工程順に説明する。
LEC法により得られたｎ型GaPウエハー１上
に液相エピタキシヤル法により、ｎ型GaP層２
及びｐ型GaP層３を結晶成長させる。……第１
図ａ。
に液相エピタキシヤル法により、ｎ型GaP層２
及びｐ型GaP層３を結晶成長させる。……第１
図ａ。
次に上記結晶成長面（ｐ型層面）及びｎ型ウ
エハー面（裏面）を機械的に研磨し、ウエハー
を所定の厚みにする。
エハー面（裏面）を機械的に研磨し、ウエハー
を所定の厚みにする。
そしてｐ型成長層側の電極４としてAuとBe
の合金（以下Au−Beと略記）、或いはAuとZn
の合金（以下Au−Znと略記）を、またｎ型基
板側の電極５としてAuとSiの合金（以下Au−
Siと略記）、或いはAuとGeの合金（以下Au−
Geと略記）を真空蒸着する……第１図ｂ。
の合金（以下Au−Beと略記）、或いはAuとZn
の合金（以下Au−Znと略記）を、またｎ型基
板側の電極５としてAuとSiの合金（以下Au−
Siと略記）、或いはAuとGeの合金（以下Au−
Geと略記）を真空蒸着する……第１図ｂ。
その後、フオト、エツチング法により、各々
所定の電極形状になすべく加工を行ない、更に
500℃〜600℃の熱処理を施して電極のオーム性
接触を形成する……第１図ｃ。
所定の電極形状になすべく加工を行ない、更に
500℃〜600℃の熱処理を施して電極のオーム性
接触を形成する……第１図ｃ。
そして次にダイシング法、或いはスクライビ
ング法により、ウエハーを所定の大きさのチツ
プに加工する……第１図ｄ。
ング法により、ウエハーを所定の大きさのチツ
プに加工する……第１図ｄ。
そしてこの様に得られたLEDのチツプを第
１図ｅの様に、Auペースト、或いはAgペース
ト６により、ステム７上に固定した後、ｐ側電
極４とステムのポスト８とを、金細線９で熱圧
着法により結合する。そしてこのステムの上部
をエポキシ樹脂で被う事によりLEDのランプ
は完成する。
１図ｅの様に、Auペースト、或いはAgペース
ト６により、ステム７上に固定した後、ｐ側電
極４とステムのポスト８とを、金細線９で熱圧
着法により結合する。そしてこのステムの上部
をエポキシ樹脂で被う事によりLEDのランプ
は完成する。
ところで、この様な金細線９によるワイヤー、
ボンドが、良好に行なえるか否かはｐ側電極４の
表面状態に大きく左右され、従来のAu系合金電
極を用いた場合では、良好なオーム性接触は得ら
れるものの、Zn、Be等のAuに添加されている金
属による影響、及び熱処理工程を経る際に起ると
考えられる半導体基板中のGaの電極層内への拡
散による影響などにより、金細線がうまく電極表
面へ熱圧着出来ず、良好なワイヤーボンデイング
性を得るのが困難であつた。そのため、従来
LEDの生産におけるワイヤーボンド工程の歩留
りは、満足するものが得られなかつた。
ボンドが、良好に行なえるか否かはｐ側電極４の
表面状態に大きく左右され、従来のAu系合金電
極を用いた場合では、良好なオーム性接触は得ら
れるものの、Zn、Be等のAuに添加されている金
属による影響、及び熱処理工程を経る際に起ると
考えられる半導体基板中のGaの電極層内への拡
散による影響などにより、金細線がうまく電極表
面へ熱圧着出来ず、良好なワイヤーボンデイング
性を得るのが困難であつた。そのため、従来
LEDの生産におけるワイヤーボンド工程の歩留
りは、満足するものが得られなかつた。
一方Si基板を用いた半導体素子の配線材料とし
て使用されているAlは、周知の通り、良好なワ
イヤーボンデイング性を有しているが、−族
化合物半導体、特に液相エピタキシヤル法により
成長させたGaPやGaAsの結晶の様な、不純物濃
度の低い半導体結晶に対しては、上記Au系合金
とは逆にオーム性接触を得るのが困難であり、こ
の様な半導体結晶にAlをオーム性電極として用
いる事は、不可能であつた。
て使用されているAlは、周知の通り、良好なワ
イヤーボンデイング性を有しているが、−族
化合物半導体、特に液相エピタキシヤル法により
成長させたGaPやGaAsの結晶の様な、不純物濃
度の低い半導体結晶に対しては、上記Au系合金
とは逆にオーム性接触を得るのが困難であり、こ
の様な半導体結晶にAlをオーム性電極として用
いる事は、不可能であつた。
これに対し、同出願人は特願昭53−149263号
（特開昭55−75276号公報）において、Agを主成
分とした合金層を第１層、Ti、Mo、Ｗ、または
Ti、Mo、Ｗと他の合金からなる高融点金属（バ
リア層として働く）を第２層、Al層を第３層と
する電極構造を提案した。上記電極構造により、
一応、Alによる良好なワイヤー・ボンデイング
性が得られた。
（特開昭55−75276号公報）において、Agを主成
分とした合金層を第１層、Ti、Mo、Ｗ、または
Ti、Mo、Ｗと他の合金からなる高融点金属（バ
リア層として働く）を第２層、Al層を第３層と
する電極構造を提案した。上記電極構造により、
一応、Alによる良好なワイヤー・ボンデイング
性が得られた。
しかし、第１層にAgを主成分とした合金を用
いた場合は、抵触抵抗が高くそしてその順方向電
圧がいく分高い側で広範囲にバラツク欠点があつ
た。
いた場合は、抵触抵抗が高くそしてその順方向電
圧がいく分高い側で広範囲にバラツク欠点があつ
た。
本発明は以上の従来欠点に鑑みなされたもので
あり、−族化合物半導体のｐ側電極として、
Au系合金を含む多層構造を持つ電極を形成する
事により結晶基板とは接触抵抗が低く、良好なオ
ーム性接触を持ち、かつ良好なワイヤー、ボンデ
イング性をも持つ電極を備えた半導体装置を提供
することを目的とするものである。
あり、−族化合物半導体のｐ側電極として、
Au系合金を含む多層構造を持つ電極を形成する
事により結晶基板とは接触抵抗が低く、良好なオ
ーム性接触を持ち、かつ良好なワイヤー、ボンデ
イング性をも持つ電極を備えた半導体装置を提供
することを目的とするものである。
即ち結晶基板とオーム性接触を形成するための
電極としてAu−Be、或いはAu−Znの層を設ける
とともに良好なワイヤー、ボンデイング性を得る
ための電極の表面層としてAl層を設け、更に前
記二層間の相互拡散を防ぐためのバリア層とし
て、両者の中間に窒化チタニウム（TiN）でチタ
ニウム（Ti）をサンドイツチ構造にした層、即
ちTiN−Ti−TiNの三層を設ける事により上記目
的を実現したものである。
電極としてAu−Be、或いはAu−Znの層を設ける
とともに良好なワイヤー、ボンデイング性を得る
ための電極の表面層としてAl層を設け、更に前
記二層間の相互拡散を防ぐためのバリア層とし
て、両者の中間に窒化チタニウム（TiN）でチタ
ニウム（Ti）をサンドイツチ構造にした層、即
ちTiN−Ti−TiNの三層を設ける事により上記目
的を実現したものである。
以下、本発明に係わる一実施例について説明す
る。
る。
実施例
GaPLEDに本発明を適用した実施例について、
第２図によつて説明を行なう。
第２図によつて説明を行なう。
LEC法により得られたｎ型GaP基板１０に、液
相エピタキシヤル法によりｎ型GaP１１及びｐ型
GaP１２を成長し、ｐ−ｎ接合１３を形成する。
次にこのGaPウエハーの両面をラツピング、及び
ポリツシングして所定の厚みに加工した後、ｎ側
電極として裏面にAu−Si１９を真空蒸着法によ
り形成する。そしてフオトエツチング法により、
このｎ側電極を所定の形状にエツチングした後、
窒素雰囲気中で500〜600℃の熱処理を施こす事に
より、オーム性接触を形成する。次にこのGaPウ
エハーのＰ層表面にスパツタリング法により重量
パーセントで0.2〜１％のBeを含むAu−Be膜１４
を500〜5000Åの膜厚に堆積する。さらに続けて
TiN膜１５、Ti膜１６、TiN膜１７、Al膜１８を
順次堆積させる。膜厚はTiN膜が二層共150〜
1000Å、Ti膜が1000〜5000Å、Al膜0.8〜2.0μｍ
である。ここでTiN膜１５，１７はTiのターゲツ
トを窒素ガス雰囲気中でリアクテイブスパツタリ
ングをする事により得られる。よつて例えば、こ
の多層膜を全てスパツタリング法によつて形成す
る場合には、Au−Be、Ti、Alの３種のターゲツ
トを備えた装置を用いて連続的に堆積する事が可
能である。
相エピタキシヤル法によりｎ型GaP１１及びｐ型
GaP１２を成長し、ｐ−ｎ接合１３を形成する。
次にこのGaPウエハーの両面をラツピング、及び
ポリツシングして所定の厚みに加工した後、ｎ側
電極として裏面にAu−Si１９を真空蒸着法によ
り形成する。そしてフオトエツチング法により、
このｎ側電極を所定の形状にエツチングした後、
窒素雰囲気中で500〜600℃の熱処理を施こす事に
より、オーム性接触を形成する。次にこのGaPウ
エハーのＰ層表面にスパツタリング法により重量
パーセントで0.2〜１％のBeを含むAu−Be膜１４
を500〜5000Åの膜厚に堆積する。さらに続けて
TiN膜１５、Ti膜１６、TiN膜１７、Al膜１８を
順次堆積させる。膜厚はTiN膜が二層共150〜
1000Å、Ti膜が1000〜5000Å、Al膜0.8〜2.0μｍ
である。ここでTiN膜１５，１７はTiのターゲツ
トを窒素ガス雰囲気中でリアクテイブスパツタリ
ングをする事により得られる。よつて例えば、こ
の多層膜を全てスパツタリング法によつて形成す
る場合には、Au−Be、Ti、Alの３種のターゲツ
トを備えた装置を用いて連続的に堆積する事が可
能である。
次にこの様にして積層した５層膜をフオト、エ
ツチング法により所定の形状に加工するが、この
際Al膜のエツチングは80〜90℃に加熱したリン
酸（H3PO4）で、TiN膜及びTi膜はアンモニア水
（NH4OH）と過酸化水素水（H2O2）の混合液で、
そしてAu−Be膜はヨウ素（I2）とヨウ化アンモニ
ウム（NH4I）の混合液で容易にエツチング出来
る。
ツチング法により所定の形状に加工するが、この
際Al膜のエツチングは80〜90℃に加熱したリン
酸（H3PO4）で、TiN膜及びTi膜はアンモニア水
（NH4OH）と過酸化水素水（H2O2）の混合液で、
そしてAu−Be膜はヨウ素（I2）とヨウ化アンモニ
ウム（NH4I）の混合液で容易にエツチング出来
る。
次にこのGaPウエハーを窒素雰囲気中で420℃
〜500℃の熱処理を施こす事によりオーム性接触
を形成する。
〜500℃の熱処理を施こす事によりオーム性接触
を形成する。
この様にして得られたGaPウエハーは、第１図
に示した従来のGaPウエハーと同様にダイシング
或いはスクライブにより、所定の大きさに加工さ
れ、ステムにマウントされて、LEDランプとな
る。
に示した従来のGaPウエハーと同様にダイシング
或いはスクライブにより、所定の大きさに加工さ
れ、ステムにマウントされて、LEDランプとな
る。
以上のGaPLEDの製造過程におけるワイヤーボ
ンデイング工程において従来のAu−Beを用いた
電極に比べて、飛躍的な向上が見られ、ワイヤ
ー、ボンデイング工程の歩留りが大巾に向上し
た。またGaP基板との接触抵抗は従来のAu−Be
を用いた電極と何ら変わりなく良好であり、長時
間の使用に対しても安定であつた。
ンデイング工程において従来のAu−Beを用いた
電極に比べて、飛躍的な向上が見られ、ワイヤ
ー、ボンデイング工程の歩留りが大巾に向上し
た。またGaP基板との接触抵抗は従来のAu−Be
を用いた電極と何ら変わりなく良好であり、長時
間の使用に対しても安定であつた。
そしてこの様に上記実施例の電極が、すぐれた
特性を示すのは、中間層として設けているTiN−
Ti−TiN層が、オーム性接触を得るための熱処理
の際に生じるAu、BeやGaP基板中のGaの電極表
面への拡散を阻止するバリアとして働き、表面の
Al膜への不純物の混入が生じないと共に、良好
なオーム性接触を得るに必要なGaPとAu−Beと
の合金化が安定して行なわれるためである。な
お、バリア層としてTiN、或いはTiを単独で用い
た場合には、そのバリアとしての働きは不充分で
ありオーム性接触を得るための熱処理後、Au−
BeとAlとの反応が見られた。
特性を示すのは、中間層として設けているTiN−
Ti−TiN層が、オーム性接触を得るための熱処理
の際に生じるAu、BeやGaP基板中のGaの電極表
面への拡散を阻止するバリアとして働き、表面の
Al膜への不純物の混入が生じないと共に、良好
なオーム性接触を得るに必要なGaPとAu−Beと
の合金化が安定して行なわれるためである。な
お、バリア層としてTiN、或いはTiを単独で用い
た場合には、そのバリアとしての働きは不充分で
ありオーム性接触を得るための熱処理後、Au−
BeとAlとの反応が見られた。
すなわち、Au系合金を用いた場合、良好なオ
ーム性接着を得るには、少なくとも420℃以上の
熱処理を施こすことが必要である。しかし、Ti
等の単一の高融点金属はAu系合金に対しては反
応が生じ易く、例えばTiはAu系合金に対しては
370〜380℃以上の温度で反応を起し、そのバリア
性を破壊してAu系合金とAlを反応させてしま
う。つまり、Au系合金で良好なオーム性接触が
得られる温度では、Au系合金中へAlが拡散し、
結果として良好なオーム性接触が得られない。
ーム性接着を得るには、少なくとも420℃以上の
熱処理を施こすことが必要である。しかし、Ti
等の単一の高融点金属はAu系合金に対しては反
応が生じ易く、例えばTiはAu系合金に対しては
370〜380℃以上の温度で反応を起し、そのバリア
性を破壊してAu系合金とAlを反応させてしま
う。つまり、Au系合金で良好なオーム性接触が
得られる温度では、Au系合金中へAlが拡散し、
結果として良好なオーム性接触が得られない。
同出願人が先に提案した特願昭53−149263号
は、Ag系合金と高融点金属との特殊性に着目し
たもので、Ag系合金では、Ag系合金で良好なオ
ーム性接触を得る温度でも、Ti等の単一の高融
点金属との反応がなく、単一層でもバリア層とし
て有効に働く。しかしながら前述したとおり、こ
の電極構造では、順方向電圧が高くバラツキも大
きい。
は、Ag系合金と高融点金属との特殊性に着目し
たもので、Ag系合金では、Ag系合金で良好なオ
ーム性接触を得る温度でも、Ti等の単一の高融
点金属との反応がなく、単一層でもバリア層とし
て有効に働く。しかしながら前述したとおり、こ
の電極構造では、順方向電圧が高くバラツキも大
きい。
一方、TiNは導電性を有し化学的に非常に安定
した化合物である。このTiNは、Au系合金で良
好なオーム性接触が得られる温度に耐え、バリア
層として働かせることが可能である。ところが、
TiN膜を単一層でバリア層として有効に働かせる
には、膜厚を4000〜5000Å以上と非常に厚くする
必要がある。しかし実験によれば、膜厚を厚くす
ることによつて、Au系合金とTiN膜間の機械的
接着強度が低下し、ワイヤー・ボンデイングの際
に電極が剥離する現象が生じ、バリア層として使
用できなかつた。またTiN膜をリアクテイブスパ
ツタ法により形成する場合は生成速度が遅く、
TiN層単独で充分なバリア性を有するだけの膜厚
を得るのが非常に困難であつた。
した化合物である。このTiNは、Au系合金で良
好なオーム性接触が得られる温度に耐え、バリア
層として働かせることが可能である。ところが、
TiN膜を単一層でバリア層として有効に働かせる
には、膜厚を4000〜5000Å以上と非常に厚くする
必要がある。しかし実験によれば、膜厚を厚くす
ることによつて、Au系合金とTiN膜間の機械的
接着強度が低下し、ワイヤー・ボンデイングの際
に電極が剥離する現象が生じ、バリア層として使
用できなかつた。またTiN膜をリアクテイブスパ
ツタ法により形成する場合は生成速度が遅く、
TiN層単独で充分なバリア性を有するだけの膜厚
を得るのが非常に困難であつた。
本発明において、中間層としてTiN−Ti−TiN
と順次積層形成したのは上記諸点によるもので、
第１層としてAu系合金を用いた場合にあつて、
バリア性として最も安定した層が得られる。ま
た、このようにTi膜をはさんでその両側にTiN膜
を形成することにより、TiN−Ti層のみの場合よ
りさらに安定したバリア性が期待できるととも
に、両Ti膜は実施例の如く、150〜1000Åと比較
的薄く形成しても安定したバリア性が得られ、生
成速度が遅いリアクテイブスパツタ法においても
容易にその膜を形成できる利点がある。
と順次積層形成したのは上記諸点によるもので、
第１層としてAu系合金を用いた場合にあつて、
バリア性として最も安定した層が得られる。ま
た、このようにTi膜をはさんでその両側にTiN膜
を形成することにより、TiN−Ti層のみの場合よ
りさらに安定したバリア性が期待できるととも
に、両Ti膜は実施例の如く、150〜1000Åと比較
的薄く形成しても安定したバリア性が得られ、生
成速度が遅いリアクテイブスパツタ法においても
容易にその膜を形成できる利点がある。
なお、第２層にTi膜、第３層にTiN膜、第４層
にTi膜を形成すると、Ti膜とAu系合金との間で
第２層が却り、またその上のTiN膜の膜厚が薄い
ので、結局Au系合金中へAlが拡散し良好なオー
ム性接触は得られない。
にTi膜を形成すると、Ti膜とAu系合金との間で
第２層が却り、またその上のTiN膜の膜厚が薄い
ので、結局Au系合金中へAlが拡散し良好なオー
ム性接触は得られない。
第３図に本発明による電極構造と特願昭53−
149263号による電極構造の特性比較を示してお
く。横軸は順方向電圧、縦軸は個数である。本発
明においては、その接触抵抗が小さくかつバラツ
キも少なく、従つて、順方向電圧の低いものがバ
ラツキなく安定して得られること明らかである。
149263号による電極構造の特性比較を示してお
く。横軸は順方向電圧、縦軸は個数である。本発
明においては、その接触抵抗が小さくかつバラツ
キも少なく、従つて、順方向電圧の低いものがバ
ラツキなく安定して得られること明らかである。
以上のような本実施例では、Au−Be等をスパ
ツタリングにより形成したが、これを真空蒸着法
により形成しても良い。
ツタリングにより形成したが、これを真空蒸着法
により形成しても良い。
なお、上記実施例の電極構造は、GaP結晶ばか
りではなく、GaAs、GaAs1-xPx、Ga1-xAlxAs等
の他の−族化合物半導体の電極構造としても
適用出来る。
りではなく、GaAs、GaAs1-xPx、Ga1-xAlxAs等
の他の−族化合物半導体の電極構造としても
適用出来る。
以上説明した如く本発明の半導体装置によれ
ば、その電極は良好なワイヤーボンデイング性を
有するとともに基板に対しオーム性接触を有るこ
とのできるものである。
ば、その電極は良好なワイヤーボンデイング性を
有するとともに基板に対しオーム性接触を有るこ
とのできるものである。
第１図は従来のGaPLEDの製造工程を示す説明
図、第２図は本発明に係わるGaPLEDの側面断面
図である。また、第３図は特性比較図である。 図中、１……ｎ型GaP基板、２……ｎ型GaP
層、３……ｐ型GaP層、４……Au−Be、或いは
Au−Zn層、５……Au−Si、或いはAu−Ge膜、
６……Auペースト或いはAgペースト、７……ス
テム、８……ステムのポスト、９……金細線、１
０……ｎ型GaP基板、１１……ｎ型GaP層、１２
……ｐ型GaP層、１３……ｐ−ｎ接合、１４……
Au−Be層、１５……TiN層、１６……Ti層、１
７……TiN層、１８……Al層、１９……Au−Si
層。
図、第２図は本発明に係わるGaPLEDの側面断面
図である。また、第３図は特性比較図である。 図中、１……ｎ型GaP基板、２……ｎ型GaP
層、３……ｐ型GaP層、４……Au−Be、或いは
Au−Zn層、５……Au−Si、或いはAu−Ge膜、
６……Auペースト或いはAgペースト、７……ス
テム、８……ステムのポスト、９……金細線、１
０……ｎ型GaP基板、１１……ｎ型GaP層、１２
……ｐ型GaP層、１３……ｐ−ｎ接合、１４……
Au−Be層、１５……TiN層、１６……Ti層、１
７……TiN層、１８……Al層、１９……Au−Si
層。
Claims (1)
- １ ｐ型化合物半導体とオーム性接触を成す金を
主成分とした合金層を第１層、窒化チタニウム層
を第２層、チタニウム層を第３層、窒化チタニウ
ム層を第４層、アルミニウム層を第５層として順
次積層して電極とした事を特徴とする−族化
合物半導体装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP449481A JPS57117283A (en) | 1981-01-13 | 1981-01-13 | 3-5 group compound semiconductor device |
| NLAANVRAGE8200038,A NL186354C (nl) | 1981-01-13 | 1982-01-07 | Halfgeleiderinrichting die uit iii-v verbindingen bestaat, met een samengestelde elektrode. |
| DE19823200788 DE3200788A1 (de) | 1981-01-13 | 1982-01-13 | Elektrode fuer halbleiterbauteile |
| US06/681,710 US4553154A (en) | 1981-01-13 | 1984-12-13 | Light emitting diode electrode |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP449481A JPS57117283A (en) | 1981-01-13 | 1981-01-13 | 3-5 group compound semiconductor device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57117283A JPS57117283A (en) | 1982-07-21 |
| JPS6244836B2 true JPS6244836B2 (ja) | 1987-09-22 |
Family
ID=11585622
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP449481A Granted JPS57117283A (en) | 1981-01-13 | 1981-01-13 | 3-5 group compound semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57117283A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0463480A (ja) * | 1990-07-02 | 1992-02-28 | Sharp Corp | ３―ｖ族化合物半導体装置 |
| JP2008098336A (ja) * | 2006-10-11 | 2008-04-24 | Stanley Electric Co Ltd | 半導体発光素子およびその製造方法 |
| JP7360822B2 (ja) * | 2019-06-13 | 2023-10-13 | ローム株式会社 | 半導体発光装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5411689A (en) * | 1977-06-28 | 1979-01-27 | Toshiba Corp | Light emitting element of gallium phosphide |
| JPS5575276A (en) * | 1978-12-02 | 1980-06-06 | Sharp Corp | 3[5 group compound semiconductor device |
-
1981
- 1981-01-13 JP JP449481A patent/JPS57117283A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5411689A (en) * | 1977-06-28 | 1979-01-27 | Toshiba Corp | Light emitting element of gallium phosphide |
| JPS5575276A (en) * | 1978-12-02 | 1980-06-06 | Sharp Corp | 3[5 group compound semiconductor device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57117283A (en) | 1982-07-21 |
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