JPS6133277B2 - - Google Patents
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- JPS6133277B2 JPS6133277B2 JP2338680A JP2338680A JPS6133277B2 JP S6133277 B2 JPS6133277 B2 JP S6133277B2 JP 2338680 A JP2338680 A JP 2338680A JP 2338680 A JP2338680 A JP 2338680A JP S6133277 B2 JPS6133277 B2 JP S6133277B2
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は−族化合物半導体発光素子及びそ
の製造方法に係り、特に電極の構成を改良した
−族化合物半導体発光素子及びその製造方法に
関する。
の製造方法に係り、特に電極の構成を改良した
−族化合物半導体発光素子及びその製造方法に
関する。
化合物半導体の代表的なリン化ガリウム
（GaP）は、発光素子（発光ダイオード）として
多く使用されている。そしてこのGaP発光ダイオ
ードは、赤色〜縁色発光まで不純物の添加によつ
て自由に得られるため注目されている。例えばこ
の構成は第１図に示すようになつている。即ちｎ
型GaP基板１１上にｐ型GaP層１２を設けてｐ−
ｎ接合１３を構成したペレツトの両面に電極１１
ａ，１２ａを設け、ｎ型GaP基板１１側を下にし
て導電性ペースト１５を介してヘツダ１４にマウ
ントしたものである。なおヘツダ１４には電極取
り出し用端子１１ｃ，１２ｃが取り出されてお
り、ｐ型GaP層の電極１２ａからリード線１２ｂ
により端子１２ｃに取につけられている。当然乍
らｎ型GaP基板の電極１１ａと端子１２ｃは電気
的に接続されている。またヘツダ１４の上部はエ
ポキシ樹脂１６でおおわれている。
（GaP）は、発光素子（発光ダイオード）として
多く使用されている。そしてこのGaP発光ダイオ
ードは、赤色〜縁色発光まで不純物の添加によつ
て自由に得られるため注目されている。例えばこ
の構成は第１図に示すようになつている。即ちｎ
型GaP基板１１上にｐ型GaP層１２を設けてｐ−
ｎ接合１３を構成したペレツトの両面に電極１１
ａ，１２ａを設け、ｎ型GaP基板１１側を下にし
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ントしたものである。なおヘツダ１４には電極取
り出し用端子１１ｃ，１２ｃが取り出されてお
り、ｐ型GaP層の電極１２ａからリード線１２ｂ
により端子１２ｃに取につけられている。当然乍
らｎ型GaP基板の電極１１ａと端子１２ｃは電気
的に接続されている。またヘツダ１４の上部はエ
ポキシ樹脂１６でおおわれている。
ところで第１図の構成でｐ型GaP層への電極１
２ａにとつてｐ型GaP層とオーミツク接触し、
その接触抵抗は小さい程よい。リード線１２ｂ
が容易にボンデイング出来る。発光効率を減少
させてはならない。発光効率を向上させるｐ−
ｎ接合１３面の処理工程の強酸エツチング液に耐
えねばならない。電極の微細加工ツチングが可
能等の性能が要求される。
２ａにとつてｐ型GaP層とオーミツク接触し、
その接触抵抗は小さい程よい。リード線１２ｂ
が容易にボンデイング出来る。発光効率を減少
させてはならない。発光効率を向上させるｐ−
ｎ接合１３面の処理工程の強酸エツチング液に耐
えねばならない。電極の微細加工ツチングが可
能等の性能が要求される。
これらすべての条件を満足する電極は見出され
ておらず、上記の内１つか２つの条件に不満足乍
ら製作しているのが実状である。即ち、を満足
する電極としてAuを主体とした１〜2wt％のBe
又はZnの合金層を設け、この上にAu層を設けた
構造が知られている。しかしこのような電極で
は、は満足するが，を満足せず、は条件
により可能である。この理由を説明するために、
第２図ａ〜ｅをを参照して説明する。
ておらず、上記の内１つか２つの条件に不満足乍
ら製作しているのが実状である。即ち、を満足
する電極としてAuを主体とした１〜2wt％のBe
又はZnの合金層を設け、この上にAu層を設けた
構造が知られている。しかしこのような電極で
は、は満足するが，を満足せず、は条件
により可能である。この理由を説明するために、
第２図ａ〜ｅをを参照して説明する。
まず、ｎ型GaP基板２１にｎ型GaP層２２及び
ｐ型GaP層２３を形成し、前記ｎ型GaP基板２１
面にAu−Si又はAu−Ge合金層からなる電極２４
を、ｐ型GaP層２３上に上述のAu−Be又はAu−
Zn合金層２５ａ及びAu層２５ｂからなる電極２
５を夫々の真空蒸着法により形成する（第２図
ａ）。次にホトレジスト（図示せず）を使用し
て、両面電極２４，２５をケミカルエツチングに
より微細加工する。そして、ホトレジストを除去
し、不活性ガス雰囲気中で、500℃で10分間位加
熱する。このような処理をすると、各々の電極２
４，２５がｐ型GaP層２３及びｎ型GaPウエハー
２１とオーミツク接触をなる（第２図ｂ）。次い
で所定寸法にダイシングスクライビング法等で加
工分離する（第２図Ｃ）。この時機械加工のため
発光部となるｐ−ｎ接合側面が破砕され、発光効
率が劣化する。これを回復させるに、その破砕層
をエツチングで除去しなければならない。又、そ
のエツチングも、電極以外に露出したGaP面全面
が平滑ではなく凹凸のついた粗面に仕上るのが望
ましい。この両者を満足するエツチング液は塩酸
及び硝酸の加熱液である。この処理により第２図
ｄのような発光素子ペレツトが出来上る。この後
は前述の如くTOヘツダ２６に導電性ペースト２
７で、ｎ型GaP基板側の電極２４を接着固定し、
ｐ型GaP層側電極２５には金線ワイヤー２８をボ
ンデイングする（第２図ｅ）。
ｐ型GaP層２３を形成し、前記ｎ型GaP基板２１
面にAu−Si又はAu−Ge合金層からなる電極２４
を、ｐ型GaP層２３上に上述のAu−Be又はAu−
Zn合金層２５ａ及びAu層２５ｂからなる電極２
５を夫々の真空蒸着法により形成する（第２図
ａ）。次にホトレジスト（図示せず）を使用し
て、両面電極２４，２５をケミカルエツチングに
より微細加工する。そして、ホトレジストを除去
し、不活性ガス雰囲気中で、500℃で10分間位加
熱する。このような処理をすると、各々の電極２
４，２５がｐ型GaP層２３及びｎ型GaPウエハー
２１とオーミツク接触をなる（第２図ｂ）。次い
で所定寸法にダイシングスクライビング法等で加
工分離する（第２図Ｃ）。この時機械加工のため
発光部となるｐ−ｎ接合側面が破砕され、発光効
率が劣化する。これを回復させるに、その破砕層
をエツチングで除去しなければならない。又、そ
のエツチングも、電極以外に露出したGaP面全面
が平滑ではなく凹凸のついた粗面に仕上るのが望
ましい。この両者を満足するエツチング液は塩酸
及び硝酸の加熱液である。この処理により第２図
ｄのような発光素子ペレツトが出来上る。この後
は前述の如くTOヘツダ２６に導電性ペースト２
７で、ｎ型GaP基板側の電極２４を接着固定し、
ｐ型GaP層側電極２５には金線ワイヤー２８をボ
ンデイングする（第２図ｅ）。
以上が通常のプロセスであるが、この場合次の
ような欠点が発生する。即ち、Au−Be又はAu−
Zn合金属２５ａが加熱処理によりオーミツク接
触になるが、逆に加熱処理によりAu層２５ｂ表
面上にGa及びＰイオン（特にGaイオン）がAu−
Be又はAu−Zn合金属２５ａを介して堆積し、ま
たAu−Be又はAu−Zn合金のBe又はZn元素も堆
積し、さらにその堆積したイオン或いは元素等が
酸化して復雑な酸化膜例えばGa−Ｐ−Be−Ｏ又
はGa−Ｐ−Zn−Ｏというような酸化膜が形成さ
れる。この結果、ボンデイングの付き具合が極め
て悪くなる。まつたくボンデイング不能というペ
レツトも発生する時もあるが、通常は１回のボン
デイングでは成功せず４〜５回位ボンデイング操
作を行なつて初めてボンデイング出来る様にな
る。例えば表面に生じた酸化膜をエツチングして
その後にボンデイングすることも考えられるが、
表面に生じた酸化膜が複雑な酸化膜である為エツ
チングが難しい。それに加えて上述した如くGa
元素がAu層２５ｂへ拡散するため（Gaの拡散係
数が大きい為）、電極面上に多く堆積する。これ
に伴つてGaP結晶自体のGaの減少がはげしく結
晶性が損われ、発光効率が理論値より低下してし
まう。
ような欠点が発生する。即ち、Au−Be又はAu−
Zn合金属２５ａが加熱処理によりオーミツク接
触になるが、逆に加熱処理によりAu層２５ｂ表
面上にGa及びＰイオン（特にGaイオン）がAu−
Be又はAu−Zn合金属２５ａを介して堆積し、ま
たAu−Be又はAu−Zn合金のBe又はZn元素も堆
積し、さらにその堆積したイオン或いは元素等が
酸化して復雑な酸化膜例えばGa−Ｐ−Be−Ｏ又
はGa−Ｐ−Zn−Ｏというような酸化膜が形成さ
れる。この結果、ボンデイングの付き具合が極め
て悪くなる。まつたくボンデイング不能というペ
レツトも発生する時もあるが、通常は１回のボン
デイングでは成功せず４〜５回位ボンデイング操
作を行なつて初めてボンデイング出来る様にな
る。例えば表面に生じた酸化膜をエツチングして
その後にボンデイングすることも考えられるが、
表面に生じた酸化膜が複雑な酸化膜である為エツ
チングが難しい。それに加えて上述した如くGa
元素がAu層２５ｂへ拡散するため（Gaの拡散係
数が大きい為）、電極面上に多く堆積する。これ
に伴つてGaP結晶自体のGaの減少がはげしく結
晶性が損われ、発光効率が理論値より低下してし
まう。
なおAuを主体とする合金膜は、フロスト効果
をもたせるために用いる強酸に対し耐えるもので
ある。
をもたせるために用いる強酸に対し耐えるもので
ある。
そこで本発明は上述した問題に鑑み、特にｐ型
層の電極構造を改良した−族化合物半導体発
光素子及びその製造方法を提供するものである。
層の電極構造を改良した−族化合物半導体発
光素子及びその製造方法を提供するものである。
即ち本発明はｐ型−族化合物半導体層の電
極を三層構造とし、その中間層に窒素を含むタン
タル層を設ける点を特徴とする。
極を三層構造とし、その中間層に窒素を含むタン
タル層を設ける点を特徴とする。
以下本発明の一実施例を第３図ａ〜ｆを参照し
て説明する。この第３図ａ〜ｆは−族化合物
半導体としてGaP結晶を用いた例で、製造方法の
一例である。まず従来と同様にｎ型GaP基板３５
上にｎ型GaP層３２及び亜鉛（Zn）と酸素（Ｏ）
を含むｐ型GaP層３３を例えば液相エピタキシヤ
ル成長法により形成する。この形成したｎ型GaP
層３２のドナー濃度（ND）は２〜10×1017／cm3
程度、ｐ型GaP層３３のアクセプタ濃度（NA）
は１〜５×1017／cm3程度である。この後ｎ型GaP
基板３１側に例えばAu−Ge合金層からなる電極
３４を蒸着により形成する（第３図ａ）。次にｐ
型GaP層３３上に厚さ0.05〜0.1μｍ位のZnが１
重量％含むAu−Zn合金層３５ａ，厚さ0.2〜0.4
μｍ位の窒素（Ｎ）を含むTa層３９及び厚さ0.2
〜１μｍ位のAu層３５ｂからなる電極３５を形
成する。ここで本発明で特徴とする窒素を含む
Ta層３９の形成は、真空蒸着で行う訳である
が、具体的に説明すると、まずAu−Zn合金層３
５ａを蒸着した状態のウエハを蒸着装置内に入
れ、真空度10-7〜10-8Torr位になる迄排気し、こ
の後アンモニア或いは窒素（N2）ガスを真空度
10-4〜10-6台Torrになる迄入れ、この状態でTa
を蒸着せしめてＮを含むTa層を形成する。なお
Au−Zn合金層３５ａ及びAu層３５ｂの形成は、
通常の真空蒸着（真空度10-6〜10-8Torr）で行
う。この後夫々の電極３４，３５がｎ型GaP基板
３１及びｐ型GaP層３３とオーミツク接触をなす
ように例えば500℃の温度で10分間位熱処理を行
う（第３図ｂ）。次にAu層３５ｂ，Ｎを含むTa
層３９及びAu−Zn合金層３５ａを順次選択エツ
チングし、第３図ｃの如くする。このように選択
エツチングする際、Au層３５ｂのエツチングは
例えばレジスト（図示せず）を選択的に形成し、
これをマスクとしてヨウ素（I2）とヨウ化カリウ
ム（KI）の混合液で行い、Ｎを含むTa層３９の
エツチングは上記Au層３５ｂをマスクとしてア
ルカリ性の例えばカセイソーダ（NaOH）とカセ
イカリウム（KOH）が９：１の混合液で行い、
またAu−Zn合金層３５ａのエツチングは上記Ｎ
を含むTa層３９をマスクとして上記Au層のエツ
チング液と同じエツチング液で行う。またこのエ
ツチング工程は熱処理工程後に行う為、エツチン
グ工程時にＮを含むTa層３９とAu−Zn合金層３
５ａとが剥離するという問題がなくなる。この後
の工程は従来の工程と同様で、第３図ｃのような
ウエハを所定の寸法にダイシングスクライビング
法等で加工分離する（第３図ｄ）。この時機械加
工の為発光部となるｐ−ｎ接合側面が破砕され、
発光効率が劣化する。そこで従来と同様にｐ−ｎ
接合側面を、塩酸の混合の加熱液でエツチング
し、第３図ｅの如く凹凸のついた粗面にする。こ
のようにｐ−ｎ接合側面を粗面すれば、ｐ−ｎ接
合面で発光した光が放出され易くなり、必然的に
発光効率が向上するようになる。この後、TOヘ
ツダー３６に導電ペースト３７でｎ型GaP基板側
の電極３４を接着固定し、金線ワイヤー３８をｐ
型GaP層側の電極３５にボンデイングし、第３図
ｆのようなGaP赤色発光素子が得られる。
て説明する。この第３図ａ〜ｆは−族化合物
半導体としてGaP結晶を用いた例で、製造方法の
一例である。まず従来と同様にｎ型GaP基板３５
上にｎ型GaP層３２及び亜鉛（Zn）と酸素（Ｏ）
を含むｐ型GaP層３３を例えば液相エピタキシヤ
ル成長法により形成する。この形成したｎ型GaP
層３２のドナー濃度（ND）は２〜10×1017／cm3
程度、ｐ型GaP層３３のアクセプタ濃度（NA）
は１〜５×1017／cm3程度である。この後ｎ型GaP
基板３１側に例えばAu−Ge合金層からなる電極
３４を蒸着により形成する（第３図ａ）。次にｐ
型GaP層３３上に厚さ0.05〜0.1μｍ位のZnが１
重量％含むAu−Zn合金層３５ａ，厚さ0.2〜0.4
μｍ位の窒素（Ｎ）を含むTa層３９及び厚さ0.2
〜１μｍ位のAu層３５ｂからなる電極３５を形
成する。ここで本発明で特徴とする窒素を含む
Ta層３９の形成は、真空蒸着で行う訳である
が、具体的に説明すると、まずAu−Zn合金層３
５ａを蒸着した状態のウエハを蒸着装置内に入
れ、真空度10-7〜10-8Torr位になる迄排気し、こ
の後アンモニア或いは窒素（N2）ガスを真空度
10-4〜10-6台Torrになる迄入れ、この状態でTa
を蒸着せしめてＮを含むTa層を形成する。なお
Au−Zn合金層３５ａ及びAu層３５ｂの形成は、
通常の真空蒸着（真空度10-6〜10-8Torr）で行
う。この後夫々の電極３４，３５がｎ型GaP基板
３１及びｐ型GaP層３３とオーミツク接触をなす
ように例えば500℃の温度で10分間位熱処理を行
う（第３図ｂ）。次にAu層３５ｂ，Ｎを含むTa
層３９及びAu−Zn合金層３５ａを順次選択エツ
チングし、第３図ｃの如くする。このように選択
エツチングする際、Au層３５ｂのエツチングは
例えばレジスト（図示せず）を選択的に形成し、
これをマスクとしてヨウ素（I2）とヨウ化カリウ
ム（KI）の混合液で行い、Ｎを含むTa層３９の
エツチングは上記Au層３５ｂをマスクとしてア
ルカリ性の例えばカセイソーダ（NaOH）とカセ
イカリウム（KOH）が９：１の混合液で行い、
またAu−Zn合金層３５ａのエツチングは上記Ｎ
を含むTa層３９をマスクとして上記Au層のエツ
チング液と同じエツチング液で行う。またこのエ
ツチング工程は熱処理工程後に行う為、エツチン
グ工程時にＮを含むTa層３９とAu−Zn合金層３
５ａとが剥離するという問題がなくなる。この後
の工程は従来の工程と同様で、第３図ｃのような
ウエハを所定の寸法にダイシングスクライビング
法等で加工分離する（第３図ｄ）。この時機械加
工の為発光部となるｐ−ｎ接合側面が破砕され、
発光効率が劣化する。そこで従来と同様にｐ−ｎ
接合側面を、塩酸の混合の加熱液でエツチング
し、第３図ｅの如く凹凸のついた粗面にする。こ
のようにｐ−ｎ接合側面を粗面すれば、ｐ−ｎ接
合面で発光した光が放出され易くなり、必然的に
発光効率が向上するようになる。この後、TOヘ
ツダー３６に導電ペースト３７でｎ型GaP基板側
の電極３４を接着固定し、金線ワイヤー３８をｐ
型GaP層側の電極３５にボンデイングし、第３図
ｆのようなGaP赤色発光素子が得られる。
以上説明した実施例の方法によれば、ｐ型GaP
層側電極３５への金線ワイヤー３８のボンデイン
グが容易になると共に発光効率も理論値に近い値
のものが得られる。これはｐ型GaP層側の電極３
５を三層構造にし、その中間層にＮを含むTa層
３９を設けている為である。
層側電極３５への金線ワイヤー３８のボンデイン
グが容易になると共に発光効率も理論値に近い値
のものが得られる。これはｐ型GaP層側の電極３
５を三層構造にし、その中間層にＮを含むTa層
３９を設けている為である。
即ちＮを含むTa層３９はオーミツク接触を得
る為の熱処理時等において、Zn，Ga，Ｐ等のイ
オン（或いは元素）の移動を阻止する為、Au層
３５ｂ表面にこれらのイオンが堆積したりするの
を防止する。したがつてAu層３５ｂ表面におい
て複雑な酸化膜等ができたりせず、このAu層３
５ｂ上にAu線ワイヤー３８を容易にボンデイン
グ可能となる。なおＮを含むTa層３９は、Ta単
体の層より熱処理時におけるZn，Ga，Ｐ等のイ
オンの移動を阻止する効果が大きいので、上記し
た作用効果がさらに顕著に現われる。この理由と
して、TaにＮを含ませると、Ta単体の層より緻
密な層となり、微細なイオン（或いは元素）が
Au層表面に達することがなくなる為と思われ
る。実際にAu層３５ｂをイオンマイクロアナイ
ザー（IMA）により分析して見るとZn，Ga，Ｐ
等がほとんどなかつた。またTaにＮを含ませた
層を同様にIMAにより分析し、Ｎの含有量（原
子パーセント＝at％）を測定して見たところ、比
較的少ない量（0.6〜1.2at％）であつた。
る為の熱処理時等において、Zn，Ga，Ｐ等のイ
オン（或いは元素）の移動を阻止する為、Au層
３５ｂ表面にこれらのイオンが堆積したりするの
を防止する。したがつてAu層３５ｂ表面におい
て複雑な酸化膜等ができたりせず、このAu層３
５ｂ上にAu線ワイヤー３８を容易にボンデイン
グ可能となる。なおＮを含むTa層３９は、Ta単
体の層より熱処理時におけるZn，Ga，Ｐ等のイ
オンの移動を阻止する効果が大きいので、上記し
た作用効果がさらに顕著に現われる。この理由と
して、TaにＮを含ませると、Ta単体の層より緻
密な層となり、微細なイオン（或いは元素）が
Au層表面に達することがなくなる為と思われ
る。実際にAu層３５ｂをイオンマイクロアナイ
ザー（IMA）により分析して見るとZn，Ga，Ｐ
等がほとんどなかつた。またTaにＮを含ませた
層を同様にIMAにより分析し、Ｎの含有量（原
子パーセント＝at％）を測定して見たところ、比
較的少ない量（0.6〜1.2at％）であつた。
さらにＮを含むTa層３９は上述した如くGa或
いはＰ（特にGa）のイオンの移動を阻止する
為、ｐ型GaP層表面においてGaの欠乏即ち結晶
性の悪化が生じたりすることが少なく、結果的に
理論値に近い発光効率が得られるようになる。同
時に例えばオーミツク接触を得る場合の熱処理の
温度がロツト毎に多少変化しても、ロツト毎の発
光素子ペレツトの発光効率のバラツキが少なくな
り、結果的に歩留りも向上することになる。
いはＰ（特にGa）のイオンの移動を阻止する
為、ｐ型GaP層表面においてGaの欠乏即ち結晶
性の悪化が生じたりすることが少なく、結果的に
理論値に近い発光効率が得られるようになる。同
時に例えばオーミツク接触を得る場合の熱処理の
温度がロツト毎に多少変化しても、ロツト毎の発
光素子ペレツトの発光効率のバラツキが少なくな
り、結果的に歩留りも向上することになる。
なお上記実施例ではGaP発光素子について説明
したが、本発明はこのGaP発光素子に限ることな
く、例えばGaAs発光素子等の−族化合物半
導体発光素子に適用されることは言うまでもな
い。
したが、本発明はこのGaP発光素子に限ることな
く、例えばGaAs発光素子等の−族化合物半
導体発光素子に適用されることは言うまでもな
い。
第１図に一般に用いられているGaP発光ダイオ
ードの構成断面図、第２図ａ〜ｅは従来のGaP発
光素子の製造プロセスを示す工程断面図、第３図
ａ〜ｆは本発明一実施例のGaP発光素子の製造プ
ロセスを示す工程断面図である。 ３１……ｎ型GaP基板、３２……ｎ型GaP層、
３３……ｐ型GaP層、３４……ｎ型GaP基板側の
電極、３５……ｐ型GaP層側の電極、３５ａ……
Au−Zn合金層、３５ｂ……Au層、３９……Ｎを
含むTa層。
ードの構成断面図、第２図ａ〜ｅは従来のGaP発
光素子の製造プロセスを示す工程断面図、第３図
ａ〜ｆは本発明一実施例のGaP発光素子の製造プ
ロセスを示す工程断面図である。 ３１……ｎ型GaP基板、３２……ｎ型GaP層、
３３……ｐ型GaP層、３４……ｎ型GaP基板側の
電極、３５……ｐ型GaP層側の電極、３５ａ……
Au−Zn合金層、３５ｂ……Au層、３９……Ｎを
含むTa層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ｐ−ｎ接合を有する−族化合物半導体発
光素子において、前記Ｐ−ｎ接合を構成するｐ型
層の電極を、金を主成分とするベリリウム又は亜
鉛の合金層、窒素を含むタンタル層、金又はアル
ミニウムからなる金属層を順次積層して構成した
ことを特徴とする−族化合物半導体発光素
子。 ２ ｎ型−族化合物半導体基体上にｐ型−
族化合物半導体層を形成してｐ−ｎ接合を構成
する工程と、該Ｐ型−族化合物半導体層上に
金を主成分とするベリリウム又は亜鉛の合金層を
蒸着により形成する工程と、該合金層上に真空度
10-4〜10-6Torr台で窒素を含むタンタル層を蒸着
により形成する工程と、該窒素を含むタンタル層
上に金層又はアルミニウム層を蒸着により形成す
る工程とを具備してなることを特徴とする−
族化合物半導体発光素子の製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2338680A JPS56120174A (en) | 1980-02-28 | 1980-02-28 | Semiconductor luminous element of 3-5 group compound and its preparing method |
| EP81100621A EP0035118B1 (en) | 1980-02-28 | 1981-01-28 | Iii - v group compound semiconductor light-emitting element and method of producing the same |
| DE8181100621T DE3172935D1 (en) | 1980-02-28 | 1981-01-28 | Iii - v group compound semiconductor light-emitting element and method of producing the same |
| US06/230,679 US4447825A (en) | 1980-02-28 | 1981-02-02 | III-V Group compound semiconductor light-emitting element having a doped tantalum barrier layer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2338680A JPS56120174A (en) | 1980-02-28 | 1980-02-28 | Semiconductor luminous element of 3-5 group compound and its preparing method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56120174A JPS56120174A (en) | 1981-09-21 |
| JPS6133277B2 true JPS6133277B2 (ja) | 1986-08-01 |
Family
ID=12109076
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2338680A Granted JPS56120174A (en) | 1980-02-28 | 1980-02-28 | Semiconductor luminous element of 3-5 group compound and its preparing method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS56120174A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58182868A (ja) * | 1982-04-20 | 1983-10-25 | Sanyo Electric Co Ltd | 化合物半導体の電極 |
| JP2001298212A (ja) | 2000-02-07 | 2001-10-26 | Sharp Corp | 半導体発光素子およびその製造方法 |
-
1980
- 1980-02-28 JP JP2338680A patent/JPS56120174A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS56120174A (en) | 1981-09-21 |
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