JPS586125A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS586125A JPS586125A JP10354881A JP10354881A JPS586125A JP S586125 A JPS586125 A JP S586125A JP 10354881 A JP10354881 A JP 10354881A JP 10354881 A JP10354881 A JP 10354881A JP S586125 A JPS586125 A JP S586125A
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Classifications
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は金属シリサイドとシリコン基板との接触を有す
る半導体装置の製造方法に関するものである。
る半導体装置の製造方法に関するものである。
金属シリサイドとシリコン基板との接触は導電接触やシ
1ットキ障11接触として半導体装置において広く用い
られている。従来、金属シリサイドとシリコン基板との
接触を所定の開口部において形成する方法としては、次
の3つの方法が知られている。
1ットキ障11接触として半導体装置において広く用い
られている。従来、金属シリサイドとシリコン基板との
接触を所定の開口部において形成する方法としては、次
の3つの方法が知られている。
@1の方法は、第1図(匍に示した様に、シリコン基板
ll 上に形成した絶縁膜12 K開口13 を
設けた恢、全面に金属薄膜14 を被着せしめ、j!
に適切な条件ア熱処理を施すことにより開口部13にお
いて金属とシリコンとを反応せしめて、第1図(b)に
示した如く、開口部13 にのみ金属シリサイド層1
5 を形成する。次に1金゛属シリチイドはエツチン
グせず絶縁膜上に被着された未反応の金(2)−3 綱膜のみをエツチングする適切なエツチング液を用いて
未反応金属膜44′を除去することにより、第1図IC
)の如く開口部13 に自己整合的に金属シリサイド
層を形成する、ことを特徴としたもめである。しかしこ
の第1の方法においては、多くの金属に対して金属膜と
シリコン基板表面との反応により著しい体積変化やスト
レスの発生が生じ電気的特性の劣化を招く欠点があった
。この様な問題点は、厚い金属膜の場合、即ちシリサイ
ド形成における反応量が多い場合に特に顕著となる。
ll 上に形成した絶縁膜12 K開口13 を
設けた恢、全面に金属薄膜14 を被着せしめ、j!
に適切な条件ア熱処理を施すことにより開口部13にお
いて金属とシリコンとを反応せしめて、第1図(b)に
示した如く、開口部13 にのみ金属シリサイド層1
5 を形成する。次に1金゛属シリチイドはエツチン
グせず絶縁膜上に被着された未反応の金(2)−3 綱膜のみをエツチングする適切なエツチング液を用いて
未反応金属膜44′を除去することにより、第1図IC
)の如く開口部13 に自己整合的に金属シリサイド
層を形成する、ことを特徴としたもめである。しかしこ
の第1の方法においては、多くの金属に対して金属膜と
シリコン基板表面との反応により著しい体積変化やスト
レスの発生が生じ電気的特性の劣化を招く欠点があった
。この様な問題点は、厚い金属膜の場合、即ちシリサイ
ド形成における反応量が多い場合に特に顕著となる。
第2の方法は、第2図(a)K示す如く、前記第1の方
法における金js膜の代りにある特定の金属に対する金
属シリサイド相中最もシリコン原子Ik度の高いもの(
例えC本モリブデンに軸してはMoS輸白金に対しては
1tsiなどが好例である。以下簡単のために高シリコ
ン濃度金属シリサイドと呼→を被着せしめ、その後第2
図(b)の如く、ホトエツチング法を用いて開口を含む
領斌を残して他の部分をエツチング除去することにより
、金属シリサイドパターン部 を形成する方法である。
法における金js膜の代りにある特定の金属に対する金
属シリサイド相中最もシリコン原子Ik度の高いもの(
例えC本モリブデンに軸してはMoS輸白金に対しては
1tsiなどが好例である。以下簡単のために高シリコ
ン濃度金属シリサイドと呼→を被着せしめ、その後第2
図(b)の如く、ホトエツチング法を用いて開口を含む
領斌を残して他の部分をエツチング除去することにより
、金属シリサイドパターン部 を形成する方法である。
ここに第2図(a) において21はシリコン基板を、
また4は酸化シリコン膜を示す。この第2の方法におい
ては、金属シリサイドはもはやシリコンと反応しない安
定な組成のもの、即ち高シリコン#度シリサイドか用い
られるので、前記第1の方法OIMKシリコン基板との
反応に起因する間−は生じない。
また4は酸化シリコン膜を示す。この第2の方法におい
ては、金属シリサイドはもはやシリコンと反応しない安
定な組成のもの、即ち高シリコン#度シリサイドか用い
られるので、前記第1の方法OIMKシリコン基板との
反応に起因する間−は生じない。
しかし、この第2の方法で用いられる安定組成の^シリ
コンミm金属シリサイドは、もはやシリコンと反応しな
いため電気的%性は金属シリサイドとシリコン基板との
間の界面の性質に著しく影響され再玩性が乏しいという
問題がある上、自己整合的に形成することが鰺しいこと
も大きな欠点である。
コンミm金属シリサイドは、もはやシリコンと反応しな
いため電気的%性は金属シリサイドとシリコン基板との
間の界面の性質に著しく影響され再玩性が乏しいという
問題がある上、自己整合的に形成することが鰺しいこと
も大きな欠点である。
第3の方法は第2の方法の変形で、第2図(旬における
^シリコン劇度金栖シリサイドm別を最初から^シリコ
ンミm金属シリサイドの単一膜として被着せしめるので
はなく、金属とシリコン族からなりかつ熱処理による反
応後に高シリコン濃度金属シリサイドが形成される様に
金属とシリコンとの総量比を決めた多層膜として被着せ
しめた後、熱処理により所望の安定な高シリコン#II
WIL金属シリサイドを全面にわたって形成するととk
より第2図(a)の構造を得る方法であるが、この第3
の方法は、金S膜とシリコン躾を多層状に被着せしめる
ため工程が複雑になりかつ自己整合的に形成できないと
いう欠点も解消できない。
^シリコン劇度金栖シリサイドm別を最初から^シリコ
ンミm金属シリサイドの単一膜として被着せしめるので
はなく、金属とシリコン族からなりかつ熱処理による反
応後に高シリコン濃度金属シリサイドが形成される様に
金属とシリコンとの総量比を決めた多層膜として被着せ
しめた後、熱処理により所望の安定な高シリコン#II
WIL金属シリサイドを全面にわたって形成するととk
より第2図(a)の構造を得る方法であるが、この第3
の方法は、金S膜とシリコン躾を多層状に被着せしめる
ため工程が複雑になりかつ自己整合的に形成できないと
いう欠点も解消できない。
なお、上記3つの方法いずれに対しても、第3図(a)
に示した如くシリコン基板31上の絶縁$32に開口を
設ける際に用いるレジスト膜33を残しておいてその上
に金属膜や合金[34を形成した後、該ホトレジスト膜
おを溶解除去しその際にホトレジスト膜33 上の金I
MMや合金膜部 も除去されることを利用して第3図(
b)に示した如く開口部゛にのみ選択的に金Ii4膜や
合金膜部を残飯せしめる方法、いわゆるリフトオフ法も
適用可能である。
に示した如くシリコン基板31上の絶縁$32に開口を
設ける際に用いるレジスト膜33を残しておいてその上
に金属膜や合金[34を形成した後、該ホトレジスト膜
おを溶解除去しその際にホトレジスト膜33 上の金I
MMや合金膜部 も除去されることを利用して第3図(
b)に示した如く開口部゛にのみ選択的に金Ii4膜や
合金膜部を残飯せしめる方法、いわゆるリフトオフ法も
適用可能である。
しかしリフトオフ法の場合には、耐熱性に劣るレジス)
1−用いでいるので金JIII農や合金膜を被着せしめ
る際に基板加熱を充分に行えず、従って界面特性の劣化
を引起したり、ホトレジスト中の有機ガスによる汚染が
先しるといった問題かあった。、(5) 本発明は、上記従来の方法における問題点を看しく改善
した金属シリサイド電極を有する半導体装置の製造方法
に関するものである。
1−用いでいるので金JIII農や合金膜を被着せしめ
る際に基板加熱を充分に行えず、従って界面特性の劣化
を引起したり、ホトレジスト中の有機ガスによる汚染が
先しるといった問題かあった。、(5) 本発明は、上記従来の方法における問題点を看しく改善
した金属シリサイド電極を有する半導体装置の製造方法
に関するものである。
本発明による方法は、シリコン基板の−1面上に絶縁膜
を形成し、該絶縁膜に開口を設けて所定部分のシリコン
基板表面を露出せしめた後に、金属原子#度が509b
を超える金属とシリコンとからなる金ll4M74、も
しくは該組成の合金膜を形成するための金属ドとシリコ
ン昶とからなる多層膜、を被着し、その後熱処理を行う
仁とにより開口部において前記合金膜もしくは多層膜と
前記シリコン基板とを反応せしめて該開口部にシリコン
−rが恥チ以上の金属シリサイドを形成し、更に絶縁膜
上に直接被崩せしめもしくは前記熱処理により形成され
た金属原子良度が501を超える金属とシリコンとから
なる合金膜を選択的にエツチング除去することにより、
開口部にのみシリコン原子鎖度が団チ以上の金属シリサ
イド層を残置せしめる、ことを特徴とするものである。
を形成し、該絶縁膜に開口を設けて所定部分のシリコン
基板表面を露出せしめた後に、金属原子#度が509b
を超える金属とシリコンとからなる金ll4M74、も
しくは該組成の合金膜を形成するための金属ドとシリコ
ン昶とからなる多層膜、を被着し、その後熱処理を行う
仁とにより開口部において前記合金膜もしくは多層膜と
前記シリコン基板とを反応せしめて該開口部にシリコン
−rが恥チ以上の金属シリサイドを形成し、更に絶縁膜
上に直接被崩せしめもしくは前記熱処理により形成され
た金属原子良度が501を超える金属とシリコンとから
なる合金膜を選択的にエツチング除去することにより、
開口部にのみシリコン原子鎖度が団チ以上の金属シリサ
イド層を残置せしめる、ことを特徴とするものである。
゛本発明の方法によれば、高シリコン鎖度
の安定な(6)。
の安定な(6)。
金属シリサイド層を開口部に自己整合的に形成すること
ができるだけでなく、開口部において、金属成分の多い
金属とシリコンとからなる合金膜あるいは金属とシリコ
ンとの多層膜、とシリコ・ン基板との適度な反応が生じ
るので(高シリコン濃度の安定な金属シリサイド相が形
成されるまで)界面特性も良好なものが形成される。
ができるだけでなく、開口部において、金属成分の多い
金属とシリコンとからなる合金膜あるいは金属とシリコ
ンとの多層膜、とシリコ・ン基板との適度な反応が生じ
るので(高シリコン濃度の安定な金属シリサイド相が形
成されるまで)界面特性も良好なものが形成される。
次に本発明による方法をnチャンネル、エンハーンスメ
ント/デプリーシーン(を9構成の埴凋インバータ回路
の製造に応用した例を図を用いて詳細に説明する。以下
説明の簡単のために1ゲート電極がソース電極に接続さ
れたデプリーシ翳ンWIト’ffの部分についてのみ述
べる。公知の熱酸化法、ホトエツチング法およびイオン
注入法を用いて第4図+a) K示された様に、p型シ
リコン基板41 の−主面上に形成されたゲート酸化
膜42に設けられた開口43 と、該開口43 を
通じてヒ 素が高濃度にドープされたn+不純物領埴伺
を有する構造を形成する。
ント/デプリーシーン(を9構成の埴凋インバータ回路
の製造に応用した例を図を用いて詳細に説明する。以下
説明の簡単のために1ゲート電極がソース電極に接続さ
れたデプリーシ翳ンWIト’ffの部分についてのみ述
べる。公知の熱酸化法、ホトエツチング法およびイオン
注入法を用いて第4図+a) K示された様に、p型シ
リコン基板41 の−主面上に形成されたゲート酸化
膜42に設けられた開口43 と、該開口43 を
通じてヒ 素が高濃度にドープされたn+不純物領埴伺
を有する構造を形成する。
なお将来デプリーシ1ン11iFETのチャネルとなる
べき領域には、閾値電圧の制御の為、いわゆるチャネル
ドープと言われる微量のヒ素イオン注入が行われている
が、本実施例の説明においては本質的な意味を持たない
ので記述を省略する。次に第4図(b)に示された様に
Mob、83なる組成比Oモリブデンとシリコンとから
なる合金膜部 を公知あ直流スパッタリング法で被着せ
しめ、次いで(5)で窒素ガス中での熱処理を施すこと
により、第4図(C)に示され°た様に開口部において
前記合金膜45とn+ 領域祠 のシリコンとを反応せ
しめMoS輸なる安定なモリブデンシリサイド層46
を形成舎しめる。この際ゲート酸化膜々上の合金[4
5’にはシリコンの供給が無いため組成はMo、8iの
ま\である(数時間にも及び長時間の熱処理を行った場
合には開ロ部ド形成されたMo8一層を通じてn+領領
域らシリコン原子の供給(拡散)が生じMo8isの領
域がゲート酸化膜成上へもせり出して来るので、その様
な条件は避けねばならない)。
べき領域には、閾値電圧の制御の為、いわゆるチャネル
ドープと言われる微量のヒ素イオン注入が行われている
が、本実施例の説明においては本質的な意味を持たない
ので記述を省略する。次に第4図(b)に示された様に
Mob、83なる組成比Oモリブデンとシリコンとから
なる合金膜部 を公知あ直流スパッタリング法で被着せ
しめ、次いで(5)で窒素ガス中での熱処理を施すこと
により、第4図(C)に示され°た様に開口部において
前記合金膜45とn+ 領域祠 のシリコンとを反応せ
しめMoS輸なる安定なモリブデンシリサイド層46
を形成舎しめる。この際ゲート酸化膜々上の合金[4
5’にはシリコンの供給が無いため組成はMo、8iの
ま\である(数時間にも及び長時間の熱処理を行った場
合には開ロ部ド形成されたMo8一層を通じてn+領領
域らシリコン原子の供給(拡散)が生じMo8isの領
域がゲート酸化膜成上へもせり出して来るので、その様
な条件は避けねばならない)。
次に熱リン酸液中に浸漬するとMo、8iは熱リン酸゛
ニ浸すレルカMoS輸は浸されない為、Mo、8i 1
[4’;■み選択的に除去され、第4図(d)に示され
た様な構造を得る。更に公知のスパッタリング法やホト
エツチング法により第4図(e)に示された様に、モリ
ブデン膜からなりかつ前記Mo8一層と導電接触を有す
るゲート電極47 を形成したのち、該ゲート電極をマ
スクとしたいわゆるイオン注入による自己整合ドーピン
グによりn+不純物領斌、即ち、デプリーシ謬ン型FE
Tのソース領域化 とドレイン領域49 を形成した。
ニ浸すレルカMoS輸は浸されない為、Mo、8i 1
[4’;■み選択的に除去され、第4図(d)に示され
た様な構造を得る。更に公知のスパッタリング法やホト
エツチング法により第4図(e)に示された様に、モリ
ブデン膜からなりかつ前記Mo8一層と導電接触を有す
るゲート電極47 を形成したのち、該ゲート電極をマ
スクとしたいわゆるイオン注入による自己整合ドーピン
グによりn+不純物領斌、即ち、デプリーシ謬ン型FE
Tのソース領域化 とドレイン領域49 を形成した。
後は、通常のルT製造工程と同様に公知の方法で層間絶
縁膜を被着し、アルミニウム配線や導電接触を形成する
ことにより所望のインバータが得られる。
縁膜を被着し、アルミニウム配線や導電接触を形成する
ことにより所望のインバータが得られる。
更に本発明の第2の実施例を第5図を用いて説明する。
本実施例は前記第1の実施例におけるjiAom8i組
成の合金[45の代りにリンを含んだMo、8i Nを
用い、口“不純物領域形成工程の簡単化を図9たもので
ある。第5図+a)に示された様にp型シリコン基板5
1 の−主面上にゲート酸化膜52 t−形成し、
所定の個所に開口53 を設け、次にIN5図(b)
に示された様にリンを含んだNIosSt組成の膜U
及び蜜化シリコン膜謁 を被着せしめる。この際、リン
を含んだm−組成の膜部 は、Mo、8i組成のターゲ
ットを用いたとえばアルゴンとフォスフイン(P)4)
との混合ガス雰囲気中でのスパッタリングにより形成で
きる。リンの1112は約IQ”(*−”程度でよい。
成の合金[45の代りにリンを含んだMo、8i Nを
用い、口“不純物領域形成工程の簡単化を図9たもので
ある。第5図+a)に示された様にp型シリコン基板5
1 の−主面上にゲート酸化膜52 t−形成し、
所定の個所に開口53 を設け、次にIN5図(b)
に示された様にリンを含んだNIosSt組成の膜U
及び蜜化シリコン膜謁 を被着せしめる。この際、リン
を含んだm−組成の膜部 は、Mo、8i組成のターゲ
ットを用いたとえばアルゴンとフォスフイン(P)4)
との混合ガス雰囲気中でのスパッタリングにより形成で
きる。リンの1112は約IQ”(*−”程度でよい。
次に勤℃の窒素ガス中での熱処理を行うことにより第5
図(C)に示された 様に開口部においてh/1D
sSi組成膜とシリコン基板との反応が生じてMo8一
層間が形成されると共に、リンを含んだm、si膜から
リンがシリコン基板中に熱拡散し自己整合的に♂不純物
領域57 が形成される。窒化シリコン膜聞 は、この
熱処理の際にリンが一81膜から蒸発するのを防ぐため
のものである。次に熱リン酸液に浸して窒化シリコン膜
聞 及び未反応のMDss+ Hs4: を選択的に
エツチング除去することにより、第10実施例における
第4図(dJで示されたものと同じ構造を得ることがで
きるので、それ以後は第10実施例の場合に従って行え
ばよい。
図(C)に示された 様に開口部においてh/1D
sSi組成膜とシリコン基板との反応が生じてMo8一
層間が形成されると共に、リンを含んだm、si膜から
リンがシリコン基板中に熱拡散し自己整合的に♂不純物
領域57 が形成される。窒化シリコン膜聞 は、この
熱処理の際にリンが一81膜から蒸発するのを防ぐため
のものである。次に熱リン酸液に浸して窒化シリコン膜
聞 及び未反応のMDss+ Hs4: を選択的に
エツチング除去することにより、第10実施例における
第4図(dJで示されたものと同じ構造を得ることがで
きるので、それ以後は第10実施例の場合に従って行え
ばよい。
1記集施においてはいずれもNb8−形成反応は窒素ガ
ス中で行つたが、応用にようて酸化性算囲気中で行って
も本発明による方法は有効に利用できる。それは、シリ
コン基板と接している金属シリサイドの酸化を行った場
合、表面に形成される酸化シリコン膜によって消費され
る金属シリサイド中のシリコンは基板シリコンから補給
され金属シリサイドの組成は殆ど変化せず高シリコン濃
度の金属シリサイド相が保たれるが、絶M膜上の金属シ
リサイド部においては酸化によりて消費されたシリコン
の補給はなく、従って益々金属成分が多くなるので高シ
リコン濃度金属シリサイド層との選択エツチングがより
容易となるためである。
ス中で行つたが、応用にようて酸化性算囲気中で行って
も本発明による方法は有効に利用できる。それは、シリ
コン基板と接している金属シリサイドの酸化を行った場
合、表面に形成される酸化シリコン膜によって消費され
る金属シリサイド中のシリコンは基板シリコンから補給
され金属シリサイドの組成は殆ど変化せず高シリコン濃
度の金属シリサイド相が保たれるが、絶M膜上の金属シ
リサイド部においては酸化によりて消費されたシリコン
の補給はなく、従って益々金属成分が多くなるので高シ
リコン濃度金属シリサイド層との選択エツチングがより
容易となるためである。
第1図各図、第2図各図、帛3図各図は、金属シリサイ
ドとシリコンとの接触を形成する従来の方法を説明する
ために1費工程を追って示した模式的断面図。wc4図
各図及び第5図会図は、本発明による方法をゲート電極
とソース゛電極とをI&続したNO3型に’l;Tの製
造に応用した実施例で説明するためにその主l[[JI
i!造工程を追うて示した模式的断面図である。 図中、各記号はそれぞれ次のものを示している。 11、21.31.41. り1・・・シリコン基板、
12.22.32.42、 b2・・・ 酸化シリコン
膜、14.14’・・・金属膜、15゜25 ・・・
高シリコンmf金属シリサイド、U・・・ 低シリコン
濃度全域・シリコン合金膜、33・・・ レジスト、3
4.35・・・金属又は金属シリサイド膜、祠、・48
、49.57・・・♂不純物領域、45.45’・・・
yb、8i il。 46、56−・・Mo2S、 、 4’1−un、54
.54’・・・リンを含ん 。 だMos 8 i膜、55・・・車代シリコン膜。 O1 第1胆 第3胆 才2図 第4胆 t5目
ドとシリコンとの接触を形成する従来の方法を説明する
ために1費工程を追って示した模式的断面図。wc4図
各図及び第5図会図は、本発明による方法をゲート電極
とソース゛電極とをI&続したNO3型に’l;Tの製
造に応用した実施例で説明するためにその主l[[JI
i!造工程を追うて示した模式的断面図である。 図中、各記号はそれぞれ次のものを示している。 11、21.31.41. り1・・・シリコン基板、
12.22.32.42、 b2・・・ 酸化シリコン
膜、14.14’・・・金属膜、15゜25 ・・・
高シリコンmf金属シリサイド、U・・・ 低シリコン
濃度全域・シリコン合金膜、33・・・ レジスト、3
4.35・・・金属又は金属シリサイド膜、祠、・48
、49.57・・・♂不純物領域、45.45’・・・
yb、8i il。 46、56−・・Mo2S、 、 4’1−un、54
.54’・・・リンを含ん 。 だMos 8 i膜、55・・・車代シリコン膜。 O1 第1胆 第3胆 才2図 第4胆 t5目
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 シリコン基板の一主面上に絶縁膜を形成し、肢絶縁jl
lK開口を設けて所定部分のシリコン基板表面を露出せ
しめた後に、金属原子濃度が潮を超える金属とシリコン
とからなる合金膜、もしくは該組成の合金膜を形成する
ための金属膜とシリコン膜とからなる多層膜、を被着し
、その後熱処理を行うことにより開口部において前記合
金膜もしくは多層膜とシリコン基板とを反応せしめて核
間口部にシリコン原子濃度が5ots 以上の金属シリ
サイドを形成し、更に#り*膜上に直接被着せしめもし
くは前記熱処理により形成されている金属原子濃度50
1! を超える金属とシリコンとからなる合金膜を選
択的にエツチング除去することにより、開口部にのみシ
リコン原子讃度が501 以上の金属シリサイドl−を
残置せしめる、ことを特徴とす11) る半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10354881A JPS586125A (ja) | 1981-07-02 | 1981-07-02 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10354881A JPS586125A (ja) | 1981-07-02 | 1981-07-02 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS586125A true JPS586125A (ja) | 1983-01-13 |
JPH03768B2 JPH03768B2 (ja) | 1991-01-08 |
Family
ID=14356871
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10354881A Granted JPS586125A (ja) | 1981-07-02 | 1981-07-02 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS586125A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62101049A (ja) * | 1985-10-25 | 1987-05-11 | インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション | シリサイド層の形成方法 |
JPS62203370A (ja) * | 1986-03-03 | 1987-09-08 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体装置 |
JPH01138755A (ja) * | 1987-08-28 | 1989-05-31 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
-
1981
- 1981-07-02 JP JP10354881A patent/JPS586125A/ja active Granted
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62101049A (ja) * | 1985-10-25 | 1987-05-11 | インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション | シリサイド層の形成方法 |
JPH07153717A (ja) * | 1985-10-25 | 1995-06-16 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | シリサイド層の形成方法 |
JPS62203370A (ja) * | 1986-03-03 | 1987-09-08 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体装置 |
JPH01138755A (ja) * | 1987-08-28 | 1989-05-31 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH03768B2 (ja) | 1991-01-08 |
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