JPS585356U - 抵抗素子 - Google Patents

抵抗素子

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Publication number
JPS585356U
JPS585356U JP9900881U JP9900881U JPS585356U JP S585356 U JPS585356 U JP S585356U JP 9900881 U JP9900881 U JP 9900881U JP 9900881 U JP9900881 U JP 9900881U JP S585356 U JPS585356 U JP S585356U
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JP
Japan
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resistor
substrate
resistor element
resistance element
utility
Prior art date
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Pending
Application number
JP9900881U
Other languages
English (en)
Inventor
田井野　伸泰
Original Assignee
三洋電機株式会社
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は、従来方法で抵抗が形成された半導体基板の上
面図、第２図は本考案抵抗素子を用いてインバータ回路
を構成した際の要部断面向、第３図は、第２図に示した
構造のインバータ回路の電気回路図、第４図乃至第６図
は、本考案抵抗素子の形成工程を示す要部断面図である
。 ３．１３・・・・・・シリコン基板、４．１４・・曲不
純物拡散層、５，１５・・・・・・シリコン酸化膜、６
゜１６・・・・・・コンタクトホール、７．１７・・・
・・・多結晶シリコン、８・・・・・・シリサイドを形
成するための金属、９．１９・・・・・・シリサイド層
、１１．２０・・開維縁膜、１２．２１・・・・・・電
極、１８・・間モリブデン。

Claims (2)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. （１）基板上に形成する抵抗素子に於いて、多結晶シリ
    コンと、該シリコンと熱処理する事に依ってシリサイド
    を形成する金属ムを基板上に被゛　　着した後、熱処理
    を施こして得られるシリサイド層を抵抗体として用いる
    事を特徴とした抵抗素子。
  2. （２）実用新案登録請求の範囲第１項に於いて、前記抵
    抗体を基板に作られたコンタクト・ホール龜形成する事
    を特徴とした抵抗素子。
JP9900881U 1981-07-02 1981-07-02 抵抗素子 Pending JPS585356U (ja)

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JP9900881U JPS585356U (ja) 1981-07-02 1981-07-02 抵抗素子

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JP9900881U JPS585356U (ja) 1981-07-02 1981-07-02 抵抗素子

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JPS585356U true JPS585356U (ja) 1983-01-13

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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS55165649A (en) * 1979-06-13 1980-12-24 Toshiba Corp Manufacture of semiconductor device
JPS5740967A (en) * 1980-08-22 1982-03-06 Seiko Epson Corp Integrated circuit device
JPS5745967A (en) * 1980-09-04 1982-03-16 Toshiba Corp Semiconductor device

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS55165649A (en) * 1979-06-13 1980-12-24 Toshiba Corp Manufacture of semiconductor device
JPS5740967A (en) * 1980-08-22 1982-03-06 Seiko Epson Corp Integrated circuit device
JPS5745967A (en) * 1980-09-04 1982-03-16 Toshiba Corp Semiconductor device

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