JPS5849699A - ＣａＡｓ単結晶への硼素のド−ピング方法 - Google Patents
ＣａＡｓ単結晶への硼素のド−ピング方法Info
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- JPS5849699A JPS5849699A JP56148335A JP14833581A JPS5849699A JP S5849699 A JPS5849699 A JP S5849699A JP 56148335 A JP56148335 A JP 56148335A JP 14833581 A JP14833581 A JP 14833581A JP S5849699 A JPS5849699 A JP S5849699A
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B27/00—Single-crystal growth under a protective fluid
- C30B27/02—Single-crystal growth under a protective fluid by pulling from a melt
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
- C30B29/42—Gallium arsenide
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y10S117/90—Apparatus characterized by composition or treatment thereof, e.g. surface finish, surface coating
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は液体カプセル剤であるＢ２０ａ融液で覆われた
ＧａＡｓ融液から硼素（Ｂ）をドーピングしたＧａＡｓ
結晶を成長させることにより、成長結晶中の転位密度を
低下せしめる方法に関する。
ＧａＡｓ融液から硼素（Ｂ）をドーピングしたＧａＡｓ
結晶を成長させることにより、成長結晶中の転位密度を
低下せしめる方法に関する。
半ｓ体レーザ、ＧａＡｓＩＣ，オプトエレクトロニクス
用ＧａＡｓ ’Ｉ Ｃの用途が開拓されつつあるＧａＡ
ｓ単結晶の重大な技術上の問題点はシリコン（Ｓｉ）の
ような大型無転位結晶が得難いことである。
用ＧａＡｓ ’Ｉ Ｃの用途が開拓されつつあるＧａＡ
ｓ単結晶の重大な技術上の問題点はシリコン（Ｓｉ）の
ような大型無転位結晶が得難いことである。
ＧａＡｓはＳｌに比べて高温での機械的強度が小さく、
断面積５ ｃｍＱ以上でかつ転位密度（ＥＰ Ｄ ）
（、２，６００ｃｍ ２の単結晶を工業的に生産するこ
とはかなり困対［である（特開昭り］ −１８４，７１
号、同１８４．’７２号明細書参照）、ＥＰＤ ＜ ｌ
ｏＯｃｍ ”のいわゆるＤＦ（無転位）クラスの大型単
結晶は三温度帯Ｉ（Ｂ法を用いＳｉを１．５Ｘ１０１８
〜５．５Ｘ］’０１８ｃｍ ’ドープしたＧａ’Ａｓ結
晶においてのみ得られている（特開昭５２−６２２０’
０’）。
断面積５ ｃｍＱ以上でかつ転位密度（ＥＰ Ｄ ）
（、２，６００ｃｍ ２の単結晶を工業的に生産するこ
とはかなり困対［である（特開昭り］ −１８４，７１
号、同１８４．’７２号明細書参照）、ＥＰＤ ＜ ｌ
ｏＯｃｍ ”のいわゆるＤＦ（無転位）クラスの大型単
結晶は三温度帯Ｉ（Ｂ法を用いＳｉを１．５Ｘ１０１８
〜５．５Ｘ］’０１８ｃｍ ’ドープしたＧａ’Ａｓ結
晶においてのみ得られている（特開昭５２−６２２０’
０’）。
しかしながら最近になってＧａＡｓ Ｉ Ｃ用の用途が
開拓されるに従って、大型円形の低転位ＧａＡｓ単結晶
の要請が強くなった。この為従来のボーに成長法（ＨＢ
法など）でなく、液体カブ七ル引上法（ＬＥＣ法）など
の技術により低転位化をはかる必要がある。
開拓されるに従って、大型円形の低転位ＧａＡｓ単結晶
の要請が強くなった。この為従来のボーに成長法（ＨＢ
法など）でなく、液体カブ七ル引上法（ＬＥＣ法）など
の技術により低転位化をはかる必要がある。
ＬＥＣ法によるＧａＡｓの低転位化技術については特開
昭５２−１３．．３０゛（＋□５号公報に提案されてい
る、いわゆる「不純物硬化法」が特に有望視されている
。
昭５２−１３．．３０゛（＋□５号公報に提案されてい
る、いわゆる「不純物硬化法」が特に有望視されている
。
特開昭５２−６３０６５号明細書に−よれば、添加不純
物原子と目的とする単結晶の構成原子−との結合エネル
ギ（シングル・ボンド・エネルギ）が目ｒ自とする結晶
の結合エネルギよりも大なる様に選んだ少くとも一種以
上の不純物をその結晶中の合計濃度にしてｌＸｌ０−３
原子係以」二含ませることにより低転位化が実現できる
と記−１あされている。ＧａＡｓの場合Ｉ Ｘ １０−
８原子係は約４．４ Ｘ １０ ”ｃｍ ”に相当する
。
物原子と目的とする単結晶の構成原子−との結合エネル
ギ（シングル・ボンド・エネルギ）が目ｒ自とする結晶
の結合エネルギよりも大なる様に選んだ少くとも一種以
上の不純物をその結晶中の合計濃度にしてｌＸｌ０−３
原子係以」二含ませることにより低転位化が実現できる
と記−１あされている。ＧａＡｓの場合Ｉ Ｘ １０−
８原子係は約４．４ Ｘ １０ ”ｃｍ ”に相当する
。
又この方法はＬＥＣ法のみならず三温度法、ＨＢ法など
の結晶成長法に適用し得ると記載されている。更にＧａ
Ａｓ中に添加すべき不純物の具体例として燐（Ｐ）、ア
ルミニウム（Ａβ）、酸素（０）、窒素（Ｎ）、硼素（
Ｂ）、硫黄（Ｓ）、亜鉛（ｚｎ ）が提案されている。
の結晶成長法に適用し得ると記載されている。更にＧａ
Ａｓ中に添加すべき不純物の具体例として燐（Ｐ）、ア
ルミニウム（Ａβ）、酸素（０）、窒素（Ｎ）、硼素（
Ｂ）、硫黄（Ｓ）、亜鉛（ｚｎ ）が提案されている。
本発明により、これらの不純物のうち、特に硼素（Ｂ）
がＬＥＣ法によるＧａＡｓの低転位化に有効であること
、アルミニウム（Ａ４）は、液体カプセル剤であるＢ２
Ｏ３と反応し、 ２ＡＣ＋ ＢｚＯｓ ＝ Ａ（？ｇＯａ ＋２Ｂ
−（］）のように自身はＡ＃２０ｇとなってＢを
遊離してしまう為、結果的にＢを添加したのと同等とな
ることが見出された。但しＡｅ２０Ｉｌが成長結晶中に
巻き込まれる危険があり、結局Ｂを添加した方がよい。
がＬＥＣ法によるＧａＡｓの低転位化に有効であること
、アルミニウム（Ａ４）は、液体カプセル剤であるＢ２
Ｏ３と反応し、 ２ＡＣ＋ ＢｚＯｓ ＝ Ａ（？ｇＯａ ＋２Ｂ
−（］）のように自身はＡ＃２０ｇとなってＢを
遊離してしまう為、結果的にＢを添加したのと同等とな
ることが見出された。但しＡｅ２０Ｉｌが成長結晶中に
巻き込まれる危険があり、結局Ｂを添加した方がよい。
その他の不純物は効果が少いか、低転位になっても析出
物などの微小欠陥が増加するか、均一にドープす□るこ
とが極めて困難の為二「業的効果が期待されないか、の
いずれかであることが分った。
物などの微小欠陥が増加するか、均一にドープす□るこ
とが極めて困難の為二「業的効果が期待されないか、の
いずれかであることが分った。
特開昭５２−６３０６５号明細書によるとＬＥＣ法でＢ
を原料多結晶ＧａＡｓに対してｌ原子係、クロム（Ｃｒ
）を０３６原子係添加した融液から単結晶を成長させＥ
Ｐ Ｄ ＝ ０〜］ ０ｃｍ−２、比抵抗１０８Ωｃ
ｍ を得たと記載されている。しかしＬＥＣ法に用いた
坩堝の拐質等についての記載がない上に引上結晶の直径
も２０朋程度となっている。直径が１５ ｍｍ程度（す
なわち断面積が１．、８ ｃｍ” ） まではいわゆ
るネッキング・イン技術を用いれば、無添加でも低転位
ＧａＡｓが得られている。
を原料多結晶ＧａＡｓに対してｌ原子係、クロム（Ｃｒ
）を０３６原子係添加した融液から単結晶を成長させＥ
Ｐ Ｄ ＝ ０〜］ ０ｃｍ−２、比抵抗１０８Ωｃ
ｍ を得たと記載されている。しかしＬＥＣ法に用いた
坩堝の拐質等についての記載がない上に引上結晶の直径
も２０朋程度となっている。直径が１５ ｍｍ程度（す
なわち断面積が１．、８ ｃｍ” ） まではいわゆ
るネッキング・イン技術を用いれば、無添加でも低転位
ＧａＡｓが得られている。
本発明者らは先に、石英坩堝を用いて、Ｂを適量ドープ
された直径５０ ａｍでＥＰＤがウェハ中央部で＝ １
０８ｃｍ ”のＣｒ ドープ半絶縁１．’ｌＥ Ｇａ
Ａｓ結晶を提案している（特願昭５５−２！Ｊ３０）が
、石英以外のＢＮ（例えばＰｙｒｏｌｙｔｉｃ Ｂｏｒ
ｏｎ Ｎ１ｔｒｉｄｅ ）、ＡｇＮ 又はＡ４０Ｂなど
Ｂと反応し難い坩堝材質の場合のＢの改良されたドーピ
ング方法の開発が望まれていた。
された直径５０ ａｍでＥＰＤがウェハ中央部で＝ １
０８ｃｍ ”のＣｒ ドープ半絶縁１．’ｌＥ Ｇａ
Ａｓ結晶を提案している（特願昭５５−２！Ｊ３０）が
、石英以外のＢＮ（例えばＰｙｒｏｌｙｔｉｃ Ｂｏｒ
ｏｎ Ｎ１ｔｒｉｄｅ ）、ＡｇＮ 又はＡ４０Ｂなど
Ｂと反応し難い坩堝材質の場合のＢの改良されたドーピ
ング方法の開発が望まれていた。
添加されたＢはＧａＡｓ融液中に溶は込み、原料やＢ、
０３中の水分（Ｈ２Ｏ又はＯＨ）から溶は込んだ酸素（
０）と反応し、 ２ Ｂ （ＧａＡｓ融液中） ＋３０ （ＧａＡｓ Ｍ
！ｌｊ液中）−Ｂ２０Ｂ （液体） ・・・・ ・ （
２）の厚応がバランスするまでＢ２Ｏ３として除去され
る。
０３中の水分（Ｈ２Ｏ又はＯＨ）から溶は込んだ酸素（
０）と反応し、 ２ Ｂ （ＧａＡｓ融液中） ＋３０ （ＧａＡｓ Ｍ
！ｌｊ液中）−Ｂ２０Ｂ （液体） ・・・・ ・ （
２）の厚応がバランスするまでＢ２Ｏ３として除去され
る。
このため原料やＢ２Ｏ３中の水分から混入する酸素量（
以下残留酸素量と記す）によってＢのドーピン５− グ量が変化する。実用的な大きさ、すなわち直径５ Ｑ
ＰＨ１以上のＧａＡｓ結晶の低転位化に有効なりの濃
度は約２Ｘ１０１８〜Ｉ Ｘ １０１０ｃｎｔ ’
の間であることがわかった。Ｂの実効偏析係数は前記特
開昭！５２−６３０６５号明細書にも記載がないので、
実際に原料中にどれだけのＢを添加すべきか明らかでな
かった。
以下残留酸素量と記す）によってＢのドーピン５− グ量が変化する。実用的な大きさ、すなわち直径５ Ｑ
ＰＨ１以上のＧａＡｓ結晶の低転位化に有効なりの濃
度は約２Ｘ１０１８〜Ｉ Ｘ １０１０ｃｎｔ ’
の間であることがわかった。Ｂの実効偏析係数は前記特
開昭！５２−６３０６５号明細書にも記載がないので、
実際に原料中にどれだけのＢを添加すべきか明らかでな
かった。
第１図はＰＢＮ （Ｐｙｒｏｌｙｔｉｃ Ｂｏｒｏｎ
Ｎ１ｔｒｉｄｅ）製の坩堝を用いＬＥＣ法において、Ｂ
をドーピングした一連のドーピング実験の結果をまとめ
たものである。図において曲線Ｉは水分除去処理が不徹
底の為１’ ０００ ｗｔ ｐｐｍ以上の水分を含むＢ
２Ｏ５を用いて、Ｂのドーピングを行った場合の成長し
たＧａＡｓ結晶中のＢ濃度を示している。平均して残留
酸素量はＧａＡｓ原料に対して約５Ｘ］０−”モル係で
あったことが分った。残留酸素量がこれ以」二多いとき
は、Ｂを再現性よく所望の値にドープすることは困難゛
であった。次に脱水の為の高温での真空ベーキング処理
を行った低水分ＢｍＯａ （約１５０ｗｔ＋ ’を含む
）を用いてＢのドーピングを行っり所、成長ＧａＡｓ結
晶中のＢ濃度は曲線ＴＩのようになった。
Ｎ１ｔｒｉｄｅ）製の坩堝を用いＬＥＣ法において、Ｂ
をドーピングした一連のドーピング実験の結果をまとめ
たものである。図において曲線Ｉは水分除去処理が不徹
底の為１’ ０００ ｗｔ ｐｐｍ以上の水分を含むＢ
２Ｏ５を用いて、Ｂのドーピングを行った場合の成長し
たＧａＡｓ結晶中のＢ濃度を示している。平均して残留
酸素量はＧａＡｓ原料に対して約５Ｘ］０−”モル係で
あったことが分った。残留酸素量がこれ以」二多いとき
は、Ｂを再現性よく所望の値にドープすることは困難゛
であった。次に脱水の為の高温での真空ベーキング処理
を行った低水分ＢｍＯａ （約１５０ｗｔ＋ ’を含む
）を用いてＢのドーピングを行っり所、成長ＧａＡｓ結
晶中のＢ濃度は曲線ＴＩのようになった。
−〇−
この場合の平均残留酸素■１は約６Ｘ］０−８モル係で
あることが分った。な」４・これ以上Ｂ２Ｏ３のベーキ
ング処理を行っても、成長結晶中のＢ濃度が目的とする
２Ｘ １０１８〜ｌ Ｘ １０１９ｃｍ ’の間の場合
には、はぼ曲線■と同様のドーピング関係が得られた。
あることが分った。な」４・これ以上Ｂ２Ｏ３のベーキ
ング処理を行っても、成長結晶中のＢ濃度が目的とする
２Ｘ １０１８〜ｌ Ｘ １０１９ｃｍ ’の間の場合
には、はぼ曲線■と同様のドーピング関係が得られた。
以」二の一連のドーピング実験より結晶中ＯＢの濃度を
２Ｘ；、１０１８〜Ｉ Ｘ １０’ｌ：ｔｎ ”の間で
、再現性よく制御するには、残留酸素量をＧａＡｓ融液
に対して５×１０−２モル係以下とした条件で、Ｂを原
料に対して０．２５〜０．９５原子係添加すべきことが
分った。Ｂの添加量が０．２原子係以丁では、直径５０
酊以」−のＧａＡｓ結晶の低転位化には大きな効果が期
待できない。文通にＢを１原子係以上の場合には組成的
過冷却が起り易く、Ｂが局所的に多量に取り込まれた、
いわゆるストリエーション（Ｓｔｒｉａｔｉｏｎ ）の
現象が起り、局所的に格子のミスフィツトを生じてむし
ろ転位発生の原因となる。
２Ｘ；、１０１８〜Ｉ Ｘ １０’ｌ：ｔｎ ”の間で
、再現性よく制御するには、残留酸素量をＧａＡｓ融液
に対して５×１０−２モル係以下とした条件で、Ｂを原
料に対して０．２５〜０．９５原子係添加すべきことが
分った。Ｂの添加量が０．２原子係以丁では、直径５０
酊以」−のＧａＡｓ結晶の低転位化には大きな効果が期
待できない。文通にＢを１原子係以上の場合には組成的
過冷却が起り易く、Ｂが局所的に多量に取り込まれた、
いわゆるストリエーション（Ｓｔｒｉａｔｉｏｎ ）の
現象が起り、局所的に格子のミスフィツトを生じてむし
ろ転位発生の原因となる。
第１図に示したドーピング関係は、添加したＢと反応し
姉、い坩堝であればＰＢＮ以外でもＡｅＮ坩堝でも同様
である。又機械的強度の点で若干の問題はあるもののＡ
ｇ２’ｏ８坩堝でも同様の結果が得られる。
姉、い坩堝であればＰＢＮ以外でもＡｅＮ坩堝でも同様
である。又機械的強度の点で若干の問題はあるもののＡ
ｇ２’ｏ８坩堝でも同様の結果が得られる。
次に最適濃度である２Ｘ１０１８〜ｌ Ｘ １０１９ｃ
ｍ ’ だけＢを含むＧａＡｓ結晶がどこまで低転位化
するかは成長条件によって決まる。例えばＬＥＣ法にお
ける固液界面近傍にふ・ける温度勾配を１００ ’Ｃ／
ｃｍ以下にすべきことが前記特開昭５２−６３０６５号
明細書に記されているが、高圧ＬＥＣ法で温度勾配を１
００ ℃／ｃｍ以下にすることは必ずしも容易ではない
。
ｍ ’ だけＢを含むＧａＡｓ結晶がどこまで低転位化
するかは成長条件によって決まる。例えばＬＥＣ法にお
ける固液界面近傍にふ・ける温度勾配を１００ ’Ｃ／
ｃｍ以下にすべきことが前記特開昭５２−６３０６５号
明細書に記されているが、高圧ＬＥＣ法で温度勾配を１
００ ℃／ｃｍ以下にすることは必ずしも容易ではない
。
例えば加圧窒素ガスの圧力が約２０気圧の場合、Ｂ２Ｏ
３の厚さを成長開始前の状態で２〜５ ’ｃｎｔとがな
り厚くすることによって始めて８０〜２０ Ｃ／ｃｒｔ
ｔの温度勾配を得ることが出来た。この場合成長結晶は
厚いＢ ｐＯａ融液中で保護されるため熱分解によって
砒素が表面から逃げるのを防ぐ効果もある。よ°り小さ
な温度勾配を得るにはＬ Ｅ Ｃ法でなく、液体カプセ
ル垂直ブリッジマン法（ＬＥ−■Ｂ法）又は液体カブ七
ル垂直グラジェントフリース（ｇｒａｄｉｅｎｔｆｒｅ
ｅｚｉｎｇ）法（ＬＥ−ＶＧＦ法）が有効であった。こ
れらの方法によれば、５〜２０ ℃／ｃｍの温度勾配を
実現することができる。
３の厚さを成長開始前の状態で２〜５ ’ｃｎｔとがな
り厚くすることによって始めて８０〜２０ Ｃ／ｃｒｔ
ｔの温度勾配を得ることが出来た。この場合成長結晶は
厚いＢ ｐＯａ融液中で保護されるため熱分解によって
砒素が表面から逃げるのを防ぐ効果もある。よ°り小さ
な温度勾配を得るにはＬ Ｅ Ｃ法でなく、液体カプセ
ル垂直ブリッジマン法（ＬＥ−■Ｂ法）又は液体カブ七
ル垂直グラジェントフリース（ｇｒａｄｉｅｎｔｆｒｅ
ｅｚｉｎｇ）法（ＬＥ−ＶＧＦ法）が有効であった。こ
れらの方法によれば、５〜２０ ℃／ｃｍの温度勾配を
実現することができる。
以」二を要約すると、本発明の第一の発明は、液体カプ
セル剤であるＢ２Ｏ３融液で覆われたＧａＡｓ融液から
硼素をドーピングしたＧａＡｓ結晶を成長させることに
より、成長結晶中の転位密度を低下せしめる方法におい
て、ＧａＡｓ融液を収容する坩堝として、硼素（・Ｂ）
ト反応シ難イＢＮ、ＡｇＮ、又ハＡｎ ２０ ｓ製の坩
堝を用い、Ｂ２０．Ｉ中や原料中に含まれる残留酸素量
が、ＧａＡｓ融液に対して５ＸｌＯ”モル係以下となる
ような条件で、硼素を０．２５〜０．９５原子係添加す
ることにより、成長結晶中の硼素の濃度が２Ｘ１０１８
〜ｌＸｌ０１９ｃｍ３０間になるように制御してドーピ
ングする事を特徴としている。硼素の添加剤としては、
単体のＢのみならず、ＢＡｓ 、 Ｇａ、−ｘＢｘＡｓ
（，０＜ｘ〈］）などの硼素化合物を用いてもよい。
セル剤であるＢ２Ｏ３融液で覆われたＧａＡｓ融液から
硼素をドーピングしたＧａＡｓ結晶を成長させることに
より、成長結晶中の転位密度を低下せしめる方法におい
て、ＧａＡｓ融液を収容する坩堝として、硼素（・Ｂ）
ト反応シ難イＢＮ、ＡｇＮ、又ハＡｎ ２０ ｓ製の坩
堝を用い、Ｂ２０．Ｉ中や原料中に含まれる残留酸素量
が、ＧａＡｓ融液に対して５ＸｌＯ”モル係以下となる
ような条件で、硼素を０．２５〜０．９５原子係添加す
ることにより、成長結晶中の硼素の濃度が２Ｘ１０１８
〜ｌＸｌ０１９ｃｍ３０間になるように制御してドーピ
ングする事を特徴としている。硼素の添加剤としては、
単体のＢのみならず、ＢＡｓ 、 Ｇａ、−ｘＢｘＡｓ
（，０＜ｘ〈］）などの硼素化合物を用いてもよい。
なおこの発明において、特に液体カブ七ル引上法（ＬＥ
Ｃ法）を用いる場合には、Ｂ２Ｏ３融液の厚さが成長開
始前の状態で２〜５ ｃｔｎに選ぶと、より効果的であ
る。
Ｃ法）を用いる場合には、Ｂ２Ｏ３融液の厚さが成長開
始前の状態で２〜５ ｃｔｎに選ぶと、より効果的であ
る。
更に液体カブ七ル垂直ブリッジマン法（ＬＥ−ＶＢ９−
法）又は液体カブ士ル垂直グラジェントフリース法（Ｌ
Ｅ−ＶＧＦ法）を用いると成長界面の温度勾配を大幅に
小さくする事が可能であり、更に低転位化には有利とな
る。
Ｅ−ＶＧＦ法）を用いると成長界面の温度勾配を大幅に
小さくする事が可能であり、更に低転位化には有利とな
る。
以下本発明を図面を用いて実施例により説明する。なお
Ｌ Ｅ Ｃ法により通常のＢ２Ｏ３の厚さ１０〜１５π
〃ｌ として、窒素ガス約２０気圧〜１０気圧のもとに
、直径５０ ｍｍのアンドープＧａＡｓ結晶を成長させ
た場合の平均転位密度は２Ｘ］０’〜ｌ Ｘ ’１０５
ｃｍ ’であった。又この時の固液界面附近の温度勾配
は９０〜１２０ ’Ｃ／ｃｍ であった。単結晶のフロ
ント部でかつウェハの中央部は５ＸＩＯ”〜］ Ｘ １
０’ｃｍ ”の転位密度に下ることもあったが、ウェハ
周辺では約１×１０５ｃｍ−２に達した。
Ｌ Ｅ Ｃ法により通常のＢ２Ｏ３の厚さ１０〜１５π
〃ｌ として、窒素ガス約２０気圧〜１０気圧のもとに
、直径５０ ｍｍのアンドープＧａＡｓ結晶を成長させ
た場合の平均転位密度は２Ｘ］０’〜ｌ Ｘ ’１０５
ｃｍ ’であった。又この時の固液界面附近の温度勾配
は９０〜１２０ ’Ｃ／ｃｍ であった。単結晶のフロ
ント部でかつウェハの中央部は５ＸＩＯ”〜］ Ｘ １
０’ｃｍ ”の転位密度に下ることもあったが、ウェハ
周辺では約１×１０５ｃｍ−２に達した。
実施例１
第２図はＬＥＣ法により、本発明の硼素（Ｂ）のドーピ
ング方法を実施するための高圧単結晶用」二装置の略式
断面図である。
ング方法を実施するための高圧単結晶用」二装置の略式
断面図である。
図において、約１０気圧の高圧窒素ガス（ＮＺガス）を
満たした耐圧容器（１）内にカーボンヒーター−】〇− （２）が設けられカーボン坩堝（３）およびｊＢＮ坩堝
（４）が下部駆動軸（５）の上に設置される。下部駆動
軸（５）は上下移動と回転運動が可能であり、坩堝（８
゜４）をヒーター（２）に対して最適の温度勾配が得ら
れるように調整することができる。ＰＢＮ用堝内に約２
＃の高純度ＧａＡｓ多結晶と９９．９９り％の純度のＢ
を原子係で０．５５原子係だけ収容した。Ｂ２Ｏ３には
十分脱水された低水分Ｂ２Ｏ３を用い、約４．５Ωｇが
収容された。この場Ｂ２Ｏ３融液の厚さは成長開始前に
約３ ｃｍであった。又この条件で温度勾配を測定した
所、固液界面附近で約３５ ’Ｃ／ｃｍであった。
満たした耐圧容器（１）内にカーボンヒーター−】〇− （２）が設けられカーボン坩堝（３）およびｊＢＮ坩堝
（４）が下部駆動軸（５）の上に設置される。下部駆動
軸（５）は上下移動と回転運動が可能であり、坩堝（８
゜４）をヒーター（２）に対して最適の温度勾配が得ら
れるように調整することができる。ＰＢＮ用堝内に約２
＃の高純度ＧａＡｓ多結晶と９９．９９り％の純度のＢ
を原子係で０．５５原子係だけ収容した。Ｂ２Ｏ３には
十分脱水された低水分Ｂ２Ｏ３を用い、約４．５Ωｇが
収容された。この場Ｂ２Ｏ３融液の厚さは成長開始前に
約３ ｃｍであった。又この条件で温度勾配を測定した
所、固液界面附近で約３５ ’Ｃ／ｃｍであった。
カーボンヒーター（２）により１２７０℃まで加熱する
と、８２０８融液（６）の下にＧａＡｓ融液（７）が生
成される。
と、８２０８融液（６）の下にＧａＡｓ融液（７）が生
成される。
次に１２５０℃程度に徐々に温度を下げ、上部駆動軸（
８）に取り付けられた＜１００＞方位を有する単結晶シ
ード（９）を回転しながら降下させＢ２Ｏ３融液（６）
の層を通してＧａＡｓ融液（７）に接触させ、３〜１５
回Ａ上で回転させながら約４・〜ｌ Ｏｙ＋ｍ／１寺の
早さで引」−けられた。こうして直径約５０間のＧａＡ
ｓ単結晶（１０が得られた。
８）に取り付けられた＜１００＞方位を有する単結晶シ
ード（９）を回転しながら降下させＢ２Ｏ３融液（６）
の層を通してＧａＡｓ融液（７）に接触させ、３〜１５
回Ａ上で回転させながら約４・〜ｌ Ｏｙ＋ｍ／１寺の
早さで引」−けられた。こうして直径約５０間のＧａＡ
ｓ単結晶（１０が得られた。
質量分析の結果、得られた砒化ガリウム結晶は、硼素（
Ｂ）が５〜（ｉ Ｘ ｌ（１１８ｃｍ ”、酸素がＪＸ
ＩＯ”Ｃｍ−”以下で検出限界以下、シリコンがＩＸ
１０ ”’ｃｍ ’以下、そしてクロムが５ Ｘ １．
０１′ｃｍ ”含まれていることが分った０ ３０（１，Ｋにおける比電気抵抗は２ Ｘ ］、、０７
Ω・ｃｍであり、水素中８００℃、３０分間の熱処理後
もｉ Ｘ １０７Ω・ｃｔｎ以」−であった。
Ｂ）が５〜（ｉ Ｘ ｌ（１１８ｃｍ ”、酸素がＪＸ
ＩＯ”Ｃｍ−”以下で検出限界以下、シリコンがＩＸ
１０ ”’ｃｍ ’以下、そしてクロムが５ Ｘ １．
０１′ｃｍ ”含まれていることが分った０ ３０（１，Ｋにおける比電気抵抗は２ Ｘ ］、、０７
Ω・ｃｍであり、水素中８００℃、３０分間の熱処理後
もｉ Ｘ １０７Ω・ｃｔｎ以」−であった。
次に単結晶のほぼ中央部から（］ （１０） ウェハ
を切断し、Ｋ ＯＨ溶液を用いてエツチングにより転位
密度を調べた所、ウェハ中央部で２Ｘ１０２〜５×１０
２ｃｍ”、周辺５ ｍｒＪＩの周辺部でも約３ Ｘ １
０８ｃｔｎ ”、従って平均すると１４・０Ｏｃｎｔ−
２、周辺部５ ＋Ｊ＃／ｌより内側の平均値では約３
Ｘ １０２ｃｍ−２であった。
を切断し、Ｋ ＯＨ溶液を用いてエツチングにより転位
密度を調べた所、ウェハ中央部で２Ｘ１０２〜５×１０
２ｃｍ”、周辺５ ｍｒＪＩの周辺部でも約３ Ｘ １
０８ｃｔｎ ”、従って平均すると１４・０Ｏｃｎｔ−
２、周辺部５ ＋Ｊ＃／ｌより内側の平均値では約３
Ｘ １０２ｃｍ−２であった。
Ｂ２０．ｌ中の水分量により、Ｂのドーピング量は大き
く影響を受けるので、残留酸素量として５ Ｘ ］ ０
−”モル係以下の条件でドーピングすべきことは第１図
に関して記載した通りである。原料に刈して添加すべき
Ｂの最適濃度が０，２５〜０１９５原子％であること、
又このような条件下で成長させられたＧａＡｓ結晶中の
Ｂ濃度が約２Ｘ］０１８〜ｌ Ｘ １０１９ｃｍ ”の
間に入ることも前記の通りである。Ｂ濃度が２ Ｘ １
０１８ｃｍ ”より少いと低転位化の効果が減する他に
残留酸素濃度によってＢ濃度が大きく変動し、再現性が
極度に悪くなる（第１図参照）。又原料ＧａＡｓ中に添
加するＢ濃度が１原子係以」二になると、組成的過冷却
が起り、Ｂが局所的（固り込まれた、いわゆるストリエ
ーション（５ｔｒｉａｔｉｏｎ ）の現象が起り、局所
的に格子のミスフィツトを生じてむしろ転位発生の原因
となる。極端な場合にはＧａＡｓ結晶中にリネージ（１
ｉｎｅａｇｅ ）などの欠陥が生じて多結晶化すること
もある。
く影響を受けるので、残留酸素量として５ Ｘ ］ ０
−”モル係以下の条件でドーピングすべきことは第１図
に関して記載した通りである。原料に刈して添加すべき
Ｂの最適濃度が０，２５〜０１９５原子％であること、
又このような条件下で成長させられたＧａＡｓ結晶中の
Ｂ濃度が約２Ｘ］０１８〜ｌ Ｘ １０１９ｃｍ ”の
間に入ることも前記の通りである。Ｂ濃度が２ Ｘ １
０１８ｃｍ ”より少いと低転位化の効果が減する他に
残留酸素濃度によってＢ濃度が大きく変動し、再現性が
極度に悪くなる（第１図参照）。又原料ＧａＡｓ中に添
加するＢ濃度が１原子係以」二になると、組成的過冷却
が起り、Ｂが局所的（固り込まれた、いわゆるストリエ
ーション（５ｔｒｉａｔｉｏｎ ）の現象が起り、局所
的に格子のミスフィツトを生じてむしろ転位発生の原因
となる。極端な場合にはＧａＡｓ結晶中にリネージ（１
ｉｎｅａｇｅ ）などの欠陥が生じて多結晶化すること
もある。
本実施例はＢのみをドープした高抵抗ＧａＡｓについて
示したが、Ｂとクロム（Ｃｒ）を同時に添加した半絶縁
性ＧａＡｓ 、 Ｂと亜鉛（Ｚｎ） を同時に添加し
たＰ形ＧａＡｓ、Ｂと硫黄（Ｓ）を同時に添加したｎ形
ＧａＡｓにも適用できることは明らかである。但しＢと
酸素（０）を同時に添加しても効果は相殺される。
示したが、Ｂとクロム（Ｃｒ）を同時に添加した半絶縁
性ＧａＡｓ 、 Ｂと亜鉛（Ｚｎ） を同時に添加し
たＰ形ＧａＡｓ、Ｂと硫黄（Ｓ）を同時に添加したｎ形
ＧａＡｓにも適用できることは明らかである。但しＢと
酸素（０）を同時に添加しても効果は相殺される。
実施例２
本実施例は液体カブ七ル垂直ブリッジマン法１３−
（ＬＥ ＝ＶＢ法）における実施例について記す。
第３図はＬＥ−ＶＢ法を実施する為の高圧単結晶成長装
置の略式断面図である。第３図の装置の操作モードは二
種類可能である。ひとつは以下に示すＬＥ・−ＶＢ法で
あって、一定の温度分布を持たせながら坩堝全体をゆっ
くりと引下げる方法であり、もうひとつは、融液全体に
わたって温度勾配を作りながら全体の温度をゆっくりと
下げて行く方法である。いずれの方法も基本的に同様の
効果がある。
置の略式断面図である。第３図の装置の操作モードは二
種類可能である。ひとつは以下に示すＬＥ・−ＶＢ法で
あって、一定の温度分布を持たせながら坩堝全体をゆっ
くりと引下げる方法であり、もうひとつは、融液全体に
わたって温度勾配を作りながら全体の温度をゆっくりと
下げて行く方法である。いずれの方法も基本的に同様の
効果がある。
第３図において約２０気圧の高圧窒素ガスを満たした耐
圧容器αυ内にカーボンヒーター０のが設けられ、カー
ボン坩堝（Ｉ■およびＰＢＮ坩堝（１４）が下部駆動軸
（ｌＦ９の上に設置される。下部駆動軸αυは下」−移
動と回転運動が可能となっている。ＰＢＮ坩堝内に約２
館の高純度ＧａＡｓ多結晶と９９．９０９％の純度のＢ
を原子係で０．３５原子係だけ収容した。Ｂ２Ｏ３とし
て低水分のものを用い、約３５ｇが収容された。
圧容器αυ内にカーボンヒーター０のが設けられ、カー
ボン坩堝（Ｉ■およびＰＢＮ坩堝（１４）が下部駆動軸
（ｌＦ９の上に設置される。下部駆動軸αυは下」−移
動と回転運動が可能となっている。ＰＢＮ坩堝内に約２
館の高純度ＧａＡｓ多結晶と９９．９０９％の純度のＢ
を原子係で０．３５原子係だけ収容した。Ｂ２Ｏ３とし
て低水分のものを用い、約３５ｇが収容された。
溶融状態でＢ ２０ａ （１１９の厚さは約１ ｃｍで
あった。又この条件でＧａＡｓ融液（１７）中の温度勾
配を測定した所、１４− 断熱イ〕（１８）附近で５〜２０°Ｃ／ａｎであった。
あった。又この条件でＧａＡｓ融液（１７）中の温度勾
配を測定した所、１４− 断熱イ〕（１８）附近で５〜２０°Ｃ／ａｎであった。
坩堝（１４）のヒーターに対する位置関係、ヒータ一温
度により、温度勾配を調整することができる。ＢＮのシ
ードホルダー（２）に七ソ卜された（１１１） Ｂ方位
をもつＧａＡｓ単結晶シード（１９）の」二面（２２）
が溶融しない状態で原料を溶融し、用鍋位置を調整して
シード（１９）の上面を溶融させてから、約４．ｒｎｍ
／時の早さで坩堝全体を矢印（２３）の方向に引き下げ
て、垂直ブリッジマン法によりＧａＡｓ単結晶を成長さ
せた。図において成長ＧａＡｓ結晶（２０）はＰＢＮ坩
堝（圓にしたがって上方に成長した。
度により、温度勾配を調整することができる。ＢＮのシ
ードホルダー（２）に七ソ卜された（１１１） Ｂ方位
をもつＧａＡｓ単結晶シード（１９）の」二面（２２）
が溶融しない状態で原料を溶融し、用鍋位置を調整して
シード（１９）の上面を溶融させてから、約４．ｒｎｍ
／時の早さで坩堝全体を矢印（２３）の方向に引き下げ
て、垂直ブリッジマン法によりＧａＡｓ単結晶を成長さ
せた。図において成長ＧａＡｓ結晶（２０）はＰＢＮ坩
堝（圓にしたがって上方に成長した。
質量分析の結果、得られた砒化ガリウム結晶は、硼素（
Ｂ）が２．５〜４ｘｌＱ１８Ｃ〃ｒ３、クロムが８×１
０１４ｃｍ″含まれていた他は、シリコンがＩ Ｘ １
０１５ｃｍ″以下、酸素は検出限界以下であった。実施
例１と同様クロムやシリコンはいわゆるアンインテンシ
ョナルな不純物である。
Ｂ）が２．５〜４ｘｌＱ１８Ｃ〃ｒ３、クロムが８×１
０１４ｃｍ″含まれていた他は、シリコンがＩ Ｘ １
０１５ｃｍ″以下、酸素は検出限界以下であった。実施
例１と同様クロムやシリコンはいわゆるアンインテンシ
ョナルな不純物である。
３００ＫにＪ。・ける比電気抵抗は３Ｘ１０７Ω・ｃｒ
ｎであり、水素中８００℃、３０分間の熱処理後もｌＸ
ｌＯ７Ω・ｃ１ｎ以上であった。
ｎであり、水素中８００℃、３０分間の熱処理後もｌＸ
ｌＯ７Ω・ｃ１ｎ以上であった。
実施例１と同様に単結晶の中央部から切り出し □た
（１１１）ウェハをＨ２ＳＯ，／Ｉ（２０□４（２０溶
液を用いてエツチングにより転位密度を調べた所、ウェ
ハ内でほぼ均一に転位が分布しており、測定値はいずれ
も２ Ｘ １．０２〜Ｉ Ｘ １０８ｃｍ ”であった
。
（１１１）ウェハをＨ２ＳＯ，／Ｉ（２０□４（２０溶
液を用いてエツチングにより転位密度を調べた所、ウェ
ハ内でほぼ均一に転位が分布しており、測定値はいずれ
も２ Ｘ １．０２〜Ｉ Ｘ １０８ｃｍ ”であった
。
本発明の方法は以」二の実施例の範囲にとどまるもので
はなく、窒素ガスの圧力を６０気圧以」二としてＧａと
Ａｓを原料とし、Ｂを添加して直接合成溶融後、圧力を
所望の値（５−ａｏ気圧）に下げてＬ Ｅ Ｃ法を実施
することもできる。更にＰＢＮ坩堝（４）の底壁を多孔
性とし、砒素を収容した別室から融液（７）中に砒素を
送り込むようにすれば砒素の蒸気圧を制御しなからＢを
ドーピングしたＧａＡｓを成長させることも可能である
。
はなく、窒素ガスの圧力を６０気圧以」二としてＧａと
Ａｓを原料とし、Ｂを添加して直接合成溶融後、圧力を
所望の値（５−ａｏ気圧）に下げてＬ Ｅ Ｃ法を実施
することもできる。更にＰＢＮ坩堝（４）の底壁を多孔
性とし、砒素を収容した別室から融液（７）中に砒素を
送り込むようにすれば砒素の蒸気圧を制御しなからＢを
ドーピングしたＧａＡｓを成長させることも可能である
。
以上詳述したように本発明は直径５ Ｑ ｍｕ以上の大
型で、かつ転位や析出物のような結晶欠陥の少い、硼素
を最適濃度ドープしたＧａ Ａｓ結晶の製法を提供する
ものであり、大型円形かつ低転位ＧａＡｓ結晶が要求さ
れる。半導体レーザ、ＧａＡｓ Ｉ Ｃ，オプトエレク
トロニック 品質の単結晶基板の製造を可能とする効果がある。
型で、かつ転位や析出物のような結晶欠陥の少い、硼素
を最適濃度ドープしたＧａ Ａｓ結晶の製法を提供する
ものであり、大型円形かつ低転位ＧａＡｓ結晶が要求さ
れる。半導体レーザ、ＧａＡｓ Ｉ Ｃ，オプトエレク
トロニック 品質の単結晶基板の製造を可能とする効果がある。
第１図は本発明の実施例を含む硼素ドーピングの結果の
グラフである。 第２図は本発明の一実施例に用いた高圧単結晶用」二装
置の断面図である。 第８図は本発明の他の実施例に用いた高圧単結晶成長装
置の断面図である。 １、１１ 耐圧容器、２，】２・・・ヒーター、３，
１３カーボン坩堝、４，１４．・・・ＰＢＮ坩堝、５．
１５・・・下部駆動軸、６ 、 １６ − ＢｇＯａ融
液、７ 、 １７ ・ＧａＡｓ融液、８・・上部駆動軸
、１８・・・断熱材、９，】９・単結晶シード、１．０
． ２０−成長ＧａＡｓ結晶、２１ ・シードホルダー
、２２・・・シードの上面、２３・・・矢印１７ー 手続補正書 １．事件の表示 昭和５６年特 許願第１４．８３３５号２、発明の
名称 Ｇ ａ Ａ ｓ単結晶への硼素のドーピング方法３、補
正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 大阪市東区北浜５丁目１５番地名称（２１
３） 住友電気工業株式会社代表者社長 亀 井
正 夫 ４代理人 住所 大阪市此花区島屋１丁目１番３号住友電気
工業株式会社内 （電話大阪４．６ｌ−１０３１） 氏名（７８８１） 弁理士 （ビ顎輩り哲 弔５、補
正命令の日付 自 発 補 正 ６、補正の対象 明細書中発明の詳細な説明の欄 ７、補正の内容 （］）明細書第５頁第９行目 「特願昭５５−２９３０ Ｊの次に１すなわち特開昭５
６−１００４・１０号明細書」を加入する。 （２）明細書第７頁第１３行目 「Ｂを」を「Ｂの添加阻が」吉訂市する。 （３）明細書第８頁第１８行目 「フリース」を１フリーズ」と訂正する。 （４）明細書第９頁第１５行目 「化合物」の次に「や子じめ硼素が添加されたＧ ａ
Ａ、 ｓ多結晶」を加入する。 ２−
グラフである。 第２図は本発明の一実施例に用いた高圧単結晶用」二装
置の断面図である。 第８図は本発明の他の実施例に用いた高圧単結晶成長装
置の断面図である。 １、１１ 耐圧容器、２，】２・・・ヒーター、３，
１３カーボン坩堝、４，１４．・・・ＰＢＮ坩堝、５．
１５・・・下部駆動軸、６ 、 １６ − ＢｇＯａ融
液、７ 、 １７ ・ＧａＡｓ融液、８・・上部駆動軸
、１８・・・断熱材、９，】９・単結晶シード、１．０
． ２０−成長ＧａＡｓ結晶、２１ ・シードホルダー
、２２・・・シードの上面、２３・・・矢印１７ー 手続補正書 １．事件の表示 昭和５６年特 許願第１４．８３３５号２、発明の
名称 Ｇ ａ Ａ ｓ単結晶への硼素のドーピング方法３、補
正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 大阪市東区北浜５丁目１５番地名称（２１
３） 住友電気工業株式会社代表者社長 亀 井
正 夫 ４代理人 住所 大阪市此花区島屋１丁目１番３号住友電気
工業株式会社内 （電話大阪４．６ｌ−１０３１） 氏名（７８８１） 弁理士 （ビ顎輩り哲 弔５、補
正命令の日付 自 発 補 正 ６、補正の対象 明細書中発明の詳細な説明の欄 ７、補正の内容 （］）明細書第５頁第９行目 「特願昭５５−２９３０ Ｊの次に１すなわち特開昭５
６−１００４・１０号明細書」を加入する。 （２）明細書第７頁第１３行目 「Ｂを」を「Ｂの添加阻が」吉訂市する。 （３）明細書第８頁第１８行目 「フリース」を１フリーズ」と訂正する。 （４）明細書第９頁第１５行目 「化合物」の次に「や子じめ硼素が添加されたＧ ａ
Ａ、 ｓ多結晶」を加入する。 ２−
Claims (3)
- （１）液体カプセル剤であるＢ２Ｏ３融ｄｋで覆われた
ＧａＡｓ融液から硼素をドーピングしたＧａＡｓ結晶を
成長させることにより、成長結晶中の転位密度を低下せ
しめる方法において、Ｇ’ａＡｓ融液を収容する坩堝と
してＢＮ、ＡＩＮ又はＡｌｓ Ｏａ製の坩堝を用い、残
留酸素量がＧａＡｓ融液に対して５ＸｌＯ”モル係以下
の条件で、硼素を０．２５〜０．９５原子係添加するこ
とにより、成長結晶中の硼素の濃度が２Ｘ１０１８〜１
０１９ｔ、ｔｎ ”の間になるように制御することを特
徴とする、ＧａＡｓ単結晶への硼素のドーピング方法。 - （２）成長方法が液体カブナル引上法（ＬＥＣ法）であ
り、ＢＱＯ８融液の厚さが、成長開始前の状態で２〜５
ｃｍである特許請求範囲第１項記載の、ＧａＡｓ単結
晶への硼素のドーピング方法。 - （３）成長方法が液体カブ七ル垂直ブリッジマン法（Ｌ
Ｅ−ＶＢ法）又は液体カプセル垂直グラジェントフリー
ズ法（ＬＥ−ｖｔｒ法）である特許請求範囲第１項記載
の、Ｇ’ａＡｓ単結晶への硼素のドーピング方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56148335A JPS5914440B2 (ja) | 1981-09-18 | 1981-09-18 | ＣａＡｓ単結晶への硼素のド−ピング方法 |
| US06/418,174 US4478675A (en) | 1981-09-18 | 1982-09-14 | Method of producing GaAs single crystals doped with boron |
| DE19823234387 DE3234387A1 (de) | 1981-09-18 | 1982-09-16 | Verfahren zum dotieren eines gaas-einkristalls mit bor |
| FR8215654A FR2513274A1 (fr) | 1981-09-18 | 1982-09-16 | Procede de dopage au bore d'un monocristal de gaas |
| GB08226522A GB2108404B (en) | 1981-09-18 | 1982-09-17 | Doping ga/as single crystal with boron |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56148335A JPS5914440B2 (ja) | 1981-09-18 | 1981-09-18 | ＣａＡｓ単結晶への硼素のド−ピング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5849699A true JPS5849699A (ja) | 1983-03-23 |
| JPS5914440B2 JPS5914440B2 (ja) | 1984-04-04 |
Family
ID=15450461
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56148335A Expired JPS5914440B2 (ja) | 1981-09-18 | 1981-09-18 | ＣａＡｓ単結晶への硼素のド−ピング方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4478675A (ja) |
| JP (1) | JPS5914440B2 (ja) |
| DE (1) | DE3234387A1 (ja) |
| FR (1) | FR2513274A1 (ja) |
| GB (1) | GB2108404B (ja) |
Cited By (4)
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|---|---|---|---|---|
| JPS60112695A (ja) * | 1983-11-22 | 1985-06-19 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 化合物単結晶の引上方法 |
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| JPS6212700A (ja) * | 1985-05-29 | 1987-01-21 | モンテデイソン・エツセ・ピ・ア | 転位密度が小さくかつ純度が高いヒ化ガリウム単結晶 |
| JP2015078122A (ja) * | 2008-07-11 | 2015-04-23 | フライベルガー・コンパウンド・マテリアルズ・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツングＦｒｅｉｂｅｒｇｅｒ Ｃｏｍｐｏｕｎｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ Ｇｍｂｈ | 低い光吸収係数を有するドープされた砒化ガリウム単結晶 |
Families Citing this family (28)
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|---|---|---|---|---|
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| US4637854A (en) * | 1983-01-18 | 1987-01-20 | Agency Of Industrial Science And Technology | Method for producing GaAs single crystal |
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| JPS60137891A (ja) * | 1983-12-24 | 1985-07-22 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 化合物半導体単結晶引き上げ方法と装置 |
| US4697202A (en) * | 1984-02-02 | 1987-09-29 | Sri International | Integrated circuit having dislocation free substrate |
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