JPS5847710Y2 - 半導体装置用櫛形リ−ドフレ−ム - Google Patents
半導体装置用櫛形リ−ドフレ−ムInfo
- Publication number
- JPS5847710Y2 JPS5847710Y2 JP1978139335U JP13933578U JPS5847710Y2 JP S5847710 Y2 JPS5847710 Y2 JP S5847710Y2 JP 1978139335 U JP1978139335 U JP 1978139335U JP 13933578 U JP13933578 U JP 13933578U JP S5847710 Y2 JPS5847710 Y2 JP S5847710Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead frame
- comb
- lead
- shaped lead
- support connection
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
この考案は半導体装置の組立に用いられ、はぼ平行して
近接した複数のリードが支持連結部に連結支持された櫛
形リードフレームの改良に関する。
近接した複数のリードが支持連結部に連結支持された櫛
形リードフレームの改良に関する。
樹脂モールド型の半導体装置においては例えば第１図に
示すような櫛形リードフレームを用いるのが一般である
。
示すような櫛形リードフレームを用いるのが一般である
。
即ち複数、例えば３本のリード１１．１２及び１３が近
接平行して一組とされ、これ等ノードの複数組、１４．
１５が支持連結部１６に連結支持される。
接平行して一組とされ、これ等ノードの複数組、１４．
１５が支持連結部１６に連結支持される。
つまり各リード１１〜１３の一端は支持連結部１６に一
体に連結される。
体に連結される。
各他端部は幅が僅か広くされ、その両側のものはワイヤ
接続部１７、中央のものは素子接合部１８とされる。
接続部１７、中央のものは素子接合部１８とされる。
−組内のり−ドの間隔は同一とされ、これよりも組１４
．１５の間隔は大とされる。
．１５の間隔は大とされる。
ワイヤ接続部１７、素子接合部１８の近くにおいて、各
リードと直角な方向に共通の補強線（ダム）１つが一体
に延長される。
リードと直角な方向に共通の補強線（ダム）１つが一体
に延長される。
支持連結部１６には案内孔２１が形成されている。
このようなリードフレームは金属条を打抜きプレス加工
して、もしくは金属板をフォトエツチング加工して製作
される。
して、もしくは金属板をフォトエツチング加工して製作
される。
このようなリードフレームを使って半導体装置を組立て
るには、第２図に示すようにペレットボンディング工程
において半導体素子２２が素子接合部１８上に接合され
、次にワイヤボンディング工程で半導体素子１１上の図
示しない電極部とワイヤ接続部１７とが導線２３によっ
て接続される。
るには、第２図に示すようにペレットボンディング工程
において半導体素子２２が素子接合部１８上に接合され
、次にワイヤボンディング工程で半導体素子１１上の図
示しない電極部とワイヤ接続部１７とが導線２３によっ
て接続される。
その後、補強線１９を外しそれより端部が合成樹脂２４
でモールドされ、更に半田テ゛イツプ工程で樹脂モール
ドされていない金属リード１１〜１３が半田浴に浸漬さ
れて半田付され、その後、各リード間を支持連結してい
る補強線１９の連結部分が切断され、また支持連結部１
６が切断分離され、最終的な半導体装置は第２図に示す
ような独立したものとなる。
でモールドされ、更に半田テ゛イツプ工程で樹脂モール
ドされていない金属リード１１〜１３が半田浴に浸漬さ
れて半田付され、その後、各リード間を支持連結してい
る補強線１９の連結部分が切断され、また支持連結部１
６が切断分離され、最終的な半導体装置は第２図に示す
ような独立したものとなる。
従来の櫛形リードフレームを前記半田デイツプ工程にお
いて半田浴に浸漬して引き上げると、半田が凝固するま
での間に一部流下して隣接するリードと支持連結部１６
との間に溜り、半田２０が付着したリードの外形は第３
図に拡大して示すように各リードの基部は支持連結部１
６に近ずくに従って幅が広くなる。
いて半田浴に浸漬して引き上げると、半田が凝固するま
での間に一部流下して隣接するリードと支持連結部１６
との間に溜り、半田２０が付着したリードの外形は第３
図に拡大して示すように各リードの基部は支持連結部１
６に近ずくに従って幅が広くなる。
このようなリードをＸ−Ｘの位置、つまり支持連結部１
６に極く接近した位置で切断すると、リードの下部先端
部は第４図に示すように、合成樹脂２４側の仕上がりリ
ード幅ａに対し、切離し部のリード幅がａより大きいｂ
となる。
６に極く接近した位置で切断すると、リードの下部先端
部は第４図に示すように、合成樹脂２４側の仕上がりリ
ード幅ａに対し、切離し部のリード幅がａより大きいｂ
となる。
このような半田付着リードを持った第２図の半導体装置
をプリント基板に取り付ける場合、プリント基板に設け
られたリード差込孔はリード幅ａに適合するようなもの
であるため、取付は作業に困難を生じることか゛多かっ
た。
をプリント基板に取り付ける場合、プリント基板に設け
られたリード差込孔はリード幅ａに適合するようなもの
であるため、取付は作業に困難を生じることか゛多かっ
た。
Ｘ−Ｘより樹脂２４側の例えばＹ−Ｙの位置で切断すれ
ば切離し部分のリード幅がａに保たれるのでプリント配
線基板への差込み時の問題は無くなるが、リード長さを
確保するため、櫛形リードフレームに加工する前の厚金
属板の幅を、その分だけ広げることとなり、材料の損失
が大きくなって好ましくない。
ば切離し部分のリード幅がａに保たれるのでプリント配
線基板への差込み時の問題は無くなるが、リード長さを
確保するため、櫛形リードフレームに加工する前の厚金
属板の幅を、その分だけ広げることとなり、材料の損失
が大きくなって好ましくない。
この考案の目的はプリント配線基板への半導体装置の取
付けが容易であり、かつ材料損失も左程大きくならない
櫛形リードフレームを提供することにある。
付けが容易であり、かつ材料損失も左程大きくならない
櫛形リードフレームを提供することにある。
この考案によれば複数本のリードよりなる組内において
その隣接するリード間の支持連結部に切欠きが設けられ
る。
その隣接するリード間の支持連結部に切欠きが設けられ
る。
例えば第５図に第１図と対応する部分に同一符号を付け
て示すように、少くともリード各組１４゜１５内の隣接
するリード間、即ち１２と１１及び１３との間の支持連
結部１６にＶ型の切欠き２５が形成される。
て示すように、少くともリード各組１４゜１５内の隣接
するリード間、即ち１２と１１及び１３との間の支持連
結部１６にＶ型の切欠き２５が形成される。
この第５図ではリード組１４．１５間の互の内側のリー
ド１３及び１１と接して支持連結部１６に切欠き２５が
同様に形成される。
ド１３及び１１と接して支持連結部１６に切欠き２５が
同様に形成される。
この第５図に示したリードフレームによれは゛これを半
田浴に浸漬した後、引上げて半田を付着せしめた状態は
第６図に示すようになる。
田浴に浸漬した後、引上げて半田を付着せしめた状態は
第６図に示すようになる。
即ち半田が凝固するまでに流下した半田２０は切欠き２
５に内に溜るため、第３図に示したＸ−Ｘの位置、つま
り支持連結部１６と接近した位置で切断した後のリード
する遊端部は第７図に示すように、リード幅は合成樹脂
２４側も、これより離れた遊端部も殆んど同一で゛ある
。
５に内に溜るため、第３図に示したＸ−Ｘの位置、つま
り支持連結部１６と接近した位置で切断した後のリード
する遊端部は第７図に示すように、リード幅は合成樹脂
２４側も、これより離れた遊端部も殆んど同一で゛ある
。
流下した半田を溜める効果としては切欠き２５の面積を
大きくとる方が良好となることは明らがであり、■字形
よりもＵ字形、もしくは半円形が良く、四辺形に切欠く
場合は、更に良好である。
大きくとる方が良好となることは明らがであり、■字形
よりもＵ字形、もしくは半円形が良く、四辺形に切欠く
場合は、更に良好である。
しがし第１図及び第２図に示したように櫛形リードフレ
ームには支持連結部１６にリードの送り及び位置決めに
利用するガイド孔２１を設ける必要があるため、無制限
に切欠き２５を大きくすることはできない。
ームには支持連結部１６にリードの送り及び位置決めに
利用するガイド孔２１を設ける必要があるため、無制限
に切欠き２５を大きくすることはできない。
第５図に示した実施例においては各リード組の組内の隣
接するリードの間、及び各組の最外側のノード基部の外
側の支持連結部１６に切欠きを設けたが、各組が光分離
れている場合は各組の最外側のリード基部の外側の支持
連結部１６には切欠きを設けなくても差支えない。
接するリードの間、及び各組の最外側のノード基部の外
側の支持連結部１６に切欠きを設けたが、各組が光分離
れている場合は各組の最外側のリード基部の外側の支持
連結部１６には切欠きを設けなくても差支えない。
この考案の櫛形リードフレームを半導体装置に用いるこ
とにより、その半導体装置のリード遊端部の半田付着幅
が過大とならず、従ってこの半導体装置をプリント基板
に取付ける作業が極めて容易に行なえる。
とにより、その半導体装置のリード遊端部の半田付着幅
が過大とならず、従ってこの半導体装置をプリント基板
に取付ける作業が極めて容易に行なえる。
また支持連結部１６の近くで支持連結部１６とリードと
を切離すことができ、材料損失が大きくなることもない
。
を切離すことができ、材料損失が大きくなることもない
。
第１図は従来の櫛形リードフレームを示す平面図、第２
図は第１図のリードフレームを用いて組立てられた半導
体装置を示す平面図、第３図は従来の櫛形リードフレー
ムに半田層を形成した状態を示す拡大平面図、第４図は
第３図のリードフレームから支持連結部を切離した図、
第５図はこの考案による櫛形リードフレームの一例を示
す平面図、第６図は第５図のリードフレームに半田層を
形成した状態を示す拡大平面図、第７図は第６図のリー
ドフレームから支持連結部を切離した図である。 １１〜１３：リード、１４．１５ ：リード組、１６：
支持連結部、２５：切欠き。
図は第１図のリードフレームを用いて組立てられた半導
体装置を示す平面図、第３図は従来の櫛形リードフレー
ムに半田層を形成した状態を示す拡大平面図、第４図は
第３図のリードフレームから支持連結部を切離した図、
第５図はこの考案による櫛形リードフレームの一例を示
す平面図、第６図は第５図のリードフレームに半田層を
形成した状態を示す拡大平面図、第７図は第６図のリー
ドフレームから支持連結部を切離した図である。 １１〜１３：リード、１４．１５ ：リード組、１６：
支持連結部、２５：切欠き。
Claims (1)
- はぼ平行に近接した複数本のリードを一組とし、その複
数組が支持連結部で連結支持された半導体装置用の櫛形
リードフレームにおいて、少くとも前記組内の隣接する
リード間の支持連結部に切欠きが形成されたなる半導体
装置用櫛形リードフレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1978139335U JPS5847710Y2 (ja) | 1978-10-09 | 1978-10-09 | 半導体装置用櫛形リ−ドフレ−ム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1978139335U JPS5847710Y2 (ja) | 1978-10-09 | 1978-10-09 | 半導体装置用櫛形リ−ドフレ−ム |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5554952U JPS5554952U (ja) | 1980-04-14 |
| JPS5847710Y2 true JPS5847710Y2 (ja) | 1983-10-31 |
Family
ID=29113320
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1978139335U Expired JPS5847710Y2 (ja) | 1978-10-09 | 1978-10-09 | 半導体装置用櫛形リ−ドフレ−ム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5847710Y2 (ja) |
-
1978
- 1978-10-09 JP JP1978139335U patent/JPS5847710Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5554952U (ja) | 1980-04-14 |
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