JPS5843537A - 多層配線構造体の製造方法 - Google Patents

多層配線構造体の製造方法

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JPS5843537A
JPS5843537A JP14085681A JP14085681A JPS5843537A JP S5843537 A JPS5843537 A JP S5843537A JP 14085681 A JP14085681 A JP 14085681A JP 14085681 A JP14085681 A JP 14085681A JP S5843537 A JPS5843537 A JP S5843537A
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JP
Japan
Prior art keywords
hydrogen
copolymer
resin composition
organic group
wiring layer
Prior art date
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Pending
Application number
JP14085681A
Other languages
English (en)
Inventor
Shiro Takeda
武田 志郎
Makoto Usui
臼居 誠
Minoru Nakajima
実 中島
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Publication date
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Pending legal-status Critical Current

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  • Local Oxidation Of Silicon (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は′、多層配線構造体、′峙に有機シラン共重合
体勢を層間絶゛縁′材覇と・し九多層配線構造体O製造
力・法に関する。  、    ・ ゛遊離、多層構造
を有する電“子デノ童イメにありて、層間OP縁材料と
して有機基のぼりシリコーンが開発され、実用化が進め
られている。こO有IBMlリシリコーンtS縁材料と
して中導体装置を展透すゐ場合、該シリコーン樹脂を空
気中で熱“酸化処理し8I02化する方法が行なわれて
い友、しかるに、腋方法による場合1、無機化速度が違
いため、完全に8102化することが困難であ〕、更に
又配縁層上では歪が蓄えられ易い欠点があった。
本発ljl!#i、かかる欠点を除去し、緻密かつ歪の
少ない絶縁層を形成し九多層配線構造体を提供すること
をその目的とするものであル、シリコーン共重金体又紘
シリコーン樹脂組威物を金属配線層間および/又紘最上
層金属配線上Km布し、#塗布され九樹脂組成層を酸素
雰囲気中450℃以上の温匿て焼成することを特徴とす
る。
本発明において使用される:絶縁材料は、シリコーン共
重合体又はシリコーン樹脂組成物である。
ッ1.−7□8体は、(1)1嶌・・lX、□や1.−
価の有機基であシ、xはムロrン、水素、又はアfit
 コdf シ基である)、(2)81X4(式中、x#
iハロrン、水素、又紘アルコ呼シ基である)、および
(3)R28fix2(式中、Rは一価の有機基で参シ
、Xはハロr)、水素又はアルコキシ基である)を出発
モノマーとし、誼(1)R81X、を40セル−以上含
有する共重合体でありて、諌共重合体が(()前記(1
)R81X、および前記(2)81X4かもなる共重合
体(ロ)前記(1)R81X、>!び前記(2)128
1X2からなる共重合体、又art前記(1)R81X
s、lll記(2)81X4spZUfa記(37R2
81X2からなる共重合体である。又、シリコーン樹脂
組成物はR111X、(式中、8は一価の有機基であシ
、xはムロrン、水素、又はアル;キシ基である)を峰
ツマ一単位とし、て40モル−以上含有するシリコーン
樹脂混合物であって、誼混合物が0)前記(1)R81
X、C)重合体および(2)!11X4(式中、Xはハ
ロダン、水素、又はアルコキシ基である)の重合体の一
倉物、(ロ)前記(1) R81X、110重合体オヨ
び(2)R281!; (式中、R2は一価の有機基で
あシ、Xはムロ)Iyt水素、又はアルコキシ基である
)の重合体の混合物、又拡(ハ)前記(1)R81X。
O重合体、前記(2)81X40重合体および前記(3
)R281X2t)重金体oa食物である゛。
前記nの定義におけゐ一価め有機基線□、例えばメチル
基、エチル基、−デus’ル基O如亀アルキル基な、又
はフェニル基O如自アリール基等を意味する。又、xの
定義におけるアル″:Iキシ基は、例えばメトキシ、エ
トキシ等を意味する。
本発明にかける〜有機シリコーン重合体の酸素tS気中
での熱処理温[ti、゛該重合体O有−基が分解を開始
1゛る温度以上であれti夷(、□具体的にrisse
c以上であれけ^(、好壜し1450℃以上である。又
、熱処理時間は4分ないし2時間、好ましく紘2G分な
いし1時・間である。
このように、本発f1線空気中におけるl&m職よシも
酸素雰囲気でO熱J6110方がシリコーン樹脂の無機
化がより早くかつ完全に進行すみことの知見を得て完成
したも0”eあυ、本発明によれに緻密かつ歪O少ない
絶縁層管影威する−ことができる。
従うて信頼性の高い多層配線構造を有する電子デバイス
を作成、することができる、又、本発明によれば酸素中
における加5fIIh威時間を、従来O空気中における
加熱焼成時間の一愈いし7に短縮で1る*I!*て副次
的効果として加熱コストO軽減を図ることができる・ 以下、本発明を頁に実施例によ〉説明すみ。
実施例1 (oa’)。(式中、n’ = c2n&/1N(モル
比でに))の50JE、ル哄、および有機オキシシラン
化合物〔(8魚0)m(OR’)2m+23 C式中、
n’−a c2n、、4(モル比1/1))の50モル
−からなるシリ;−ン樹脂混合物をバブルメモリー用O
ガーネット基板上O厚さ0.4μmのアル1=ウム配線
層上に、平板上に塗布熱旭理したとき厚さが0.37t
mとなるように塗布し500℃、1時間酸素雰囲気中で
熱処理した。
得られ良給縁層上に厚さ0.4−のパーマ襲イ膜を形成
し、次に公知O方法によ、シパーマqイ膜OAターニン
グを行ないj!に上記シリ;−ン樹脂を塗布し300℃
で1時間窒素中で熱処理を行い保膿 4.。
層を形、成した。得られ九保膜層上に8102−を0.
1μmス/ダッタリンーl′−によシ形威し、電極取ル
出し窓を開け、パプルメ篭り−装置を作成した。得られ
九バブルメモリー装置を液体窒素と沸とう水に5分回ず
つ交互に10回浸漬し九が、諒装置に社りラック勢の異
常社会く認められなかや九。
比較例 先O実施例1において、第一〇樹脂膜Os旭理を50.
0℃、1時間空気中で行なう他社は埋同様01Fmでパ
ルプメモリー装置を作成し良。得られ九装置について、
液体窒素と沸とう水に6分関すつ交互に浸漬したところ
2回目にアルミA/−ンのすぐ脇にクラックが発生し良
実施例2 実施例1で使用したシリコーン樹脂組成物について以下
の実験を行なりた。諌樹脂組成物を幹末状にして二つO
試料ム、農を作成した。試料ムは空気中で、試料Bd酸
素−囲気で熱処理した。熱:、。
処理条件はそれぞれ50.11□6::℃、3時間であ
りた。
1 m処ms、それらを25℃、601111IO$8気下
に24時間放置した。放置後、熱処理済O試料ム、゛n
について窒素中で示差熱分析(5℃711)を行なりた
拳ム、Bいずれの試料についても約100℃から200
℃にかけて吸熱ピークと重量減少が見られ友が、空気中
で熱処理した試料ムの熱減量d4.81sでありた。一
方、酸素雰囲気中で熱処理し九試料lo熱減量はO,S
*であり九。熱減量の温度から考察して該減量は吸着水
O減量と思われる0以上の結果よシ、酸素中O熱処Il
の方が明らかに緻密な、8102になりているものと判
断される。
実施例3 CB、81Ct、 70モルチ、(CHs)281Ct
21 Gモルチ、5i(OCII、)420七ルーの各
シラン化合物を混合し、得られた混合物をエチルアルコ
ールに溶解し、水を加え還流温度で4時間加熱しシリコ
ーン共重合体を作った。得られたシリコーン共重合体に
ついて、先O笑施例2と同様の実験管行な:・凸、\ りた、空気中で加勢処理した試料は、18チO熱)・ 減量を、一方酸素中で熱処理した試料tiO,27−の
熱減量をそれぞれ示した。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、 シリコーン共重合体、又紘シリコーン樹脂組成物
    を金属配線層間および/又紘最上層金属配線上に塗布し
    、誼塗布された樹脂・組成層を酸素雰囲気中4530℃
    以上の温度で箇威する−ことを特徴とする、多層配線構
    造体0=製造方法、     ・2、前記シリコーン共
    重合体が、(1) R11hxs(式中、R紘−価の有
    機・基であ)・、X紘ハロr/、水素、又d7Th=x
    4シ基である゛)% (2)allX4(式中、・xH
    八へ口rン、水素、又紘アルコ中シ基である)′、”お
    よび(3)’Ri8’lXz (式中、・翼゛紘−価の
    有機基であシ1.x社へ口rン、水素又紘アルコ印シ基
    “である)を出発上ツマ−とし、該(1)BliIX3
    を′40モルー以 ゛上含有す゛る共重合体であうて、
    該共重合′体が(イ)前記(1)R81Xsおよび前記
    (2) I!・亀x4からなる共重合体、(ロ)前記(
    t)itstx、Thzヒ+Itrfe(2)m、si
    x、かうta、共重合体、又ari前記(1)RalX
    3、前記(z)st*4お本び前記(3)R281X2
    :6”もなる共重合体である、特許請求011aB第1
    −項記載O方法04.。 3、前記シリコ−、ン樹脂組成物がiigtx、(式中
    、Rは一価の有機基でs3.xはハロゲン、水素、又は
    ア、ル:!曳シ基である)をモノア一単位として。 40モル−以上含有するシリコーン樹脂混合物でありて
    、腋混合物が(4)#記(1)R引X、の重合体およU
    (2)SIX4=: (式中1.、xFi八cへyy、
    水素5.又はア。 ルコキシ基である)の重合体の混合物、・(ロ)前記(
    1)astxso重・金体およ・び(2)R281X2
    (式中、−R,、は一価の有機基であり、Xはハロゲン
    、水素、−1又はアルコヤシ基である)の重合体O混′
    合物、又は(/9齢記(1)R引・X、の重合体、前記
    (2) 81X4O”重合体および前記(3)It2引
    x2の重合体G混合物である、特許請求の範囲第1・項
    記載の゛方法。−゛、−;゛。
JP14085681A 1981-09-09 1981-09-09 多層配線構造体の製造方法 Pending JPS5843537A (ja)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60175804A (ja) * 1984-02-20 1985-09-10 Sekitan Rotenbori Kikai Gijutsu Kenkyu Kumiai 液圧回路における流量制御装置
JPS60201102A (ja) * 1984-03-27 1985-10-11 Sekitan Rotenbori Kikai Gijutsu Kenkyu Kumiai 油圧操作装置
JPS6298002A (ja) * 1985-10-25 1987-05-07 Hitachi Constr Mach Co Ltd 油圧アクチユエ−タ駆動流量制御装置
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JPH0514801B2 (ja) * 1985-10-25 1993-02-26 Hitachi Construction Machinery
JPH0514802B2 (ja) * 1985-10-25 1993-02-26 Hitachi Construction Machinery

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