JPS5842759A - 高い透磁率、低い磁気歪、低い保磁力、低い交流コア損、低い励磁電力および高い熱安定性を合わせもつ金属ガラス - Google Patents

高い透磁率、低い磁気歪、低い保磁力、低い交流コア損、低い励磁電力および高い熱安定性を合わせもつ金属ガラス

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JPS5842759A
JPS5842759A JP57145407A JP14540782A JPS5842759A JP S5842759 A JPS5842759 A JP S5842759A JP 57145407 A JP57145407 A JP 57145407A JP 14540782 A JP14540782 A JP 14540782A JP S5842759 A JPS5842759 A JP S5842759A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、高い透磁率、低い磁気歪、低い保磁力、低い
交流コア損(a’c core 1oss )、低い励
磁電力および高い熱安定性をもつ金属ガラスに関する。
周知のとおり、金属ガラスは広範囲にわたる秩序をもた
ない準安定性物質である。ガラス様合金のX線回折走査
は、無機酸化物ガラスに関して観察されるものと類似の
散乱ハロを示すにすぎない。
金属ガラス(無定形合金)は米国特許第3.856,5
13号(1974年12月24日にHoS、チタンらに
付与)明細書に示されている。これらの合金には、式M
aYbZcをもつ組成物が含まれる。式中Mは鉄、ニッ
ケル、コバルト、/eナジウムおよびクロムよりなる群
から選ばれる金属であり、Yはリン、ホウ素および炭素
よりなる群から選ばれる元素であり、Zはアルミニウム
、ケイ素、スズ、ゲルマニウム、インジウム、アンチモ
ンおよびベリリウムよりなる群から選ばれる元素であり
、a”は約60〜90原子係の範囲にあり、b#は約1
0〜60原子係の範囲にあり、atc”は約0.1〜1
5原子係の範囲にある。また式TiXjをもつ金属ガラ
ス線も示されている。式中Tは少なくとも1種の遷移金
属であり、Xはリン、ホウ素、炭素、アルミニウム、ケ
イ素、スズ、ゲルマニウム、インジウム、ベリリウムお
よびアンチモンよりなる群から選ばれ、“1”は約70
〜87原子係の範囲にあり、′J”は約13〜30原子
係の範囲にある。これらの材料は今日では当技術分野で
周知の加工技術を用いてメルトから急冷することにより
好都合に製造きれる。
金属ガラスは米国特許第4,067.732号(197
8年1月10日付与)明細書にも示されている。これら
のガラス様合金には式M aM′bCr cM亀B、を
もつ組成物か含まれる。式中Mは鉄族元素(鉄、コバル
トおよびニッケル)のうちの1種であり、M′は残りの
鉄族元素2種のうち少なくとも1種であり、M“はバナ
ジウム、マンガン、モリブデン、タングステン、ニオブ
およびタンタルのうち少なくとも1種の元素であり、B
はホウ素であり、’ a ”は約40〜85原子%、t
o bsは0〜約45原子係、to ct+および′d
”は双方とも0〜約20原子係、′e″は約15〜25
原子係の範囲にあり、ただし”b”、′C”および′d
”は同時に0ではない。このようなガラス様合金は改良
された極限引張り強さ、改善された硬度、および改善さ
れた熱安定性という予想外の組合わせをもつと記載され
ている。
これらの記載は、広範な特許請求の範囲に包含される多
くの金属ガラスに関する格別なまたは独特の磁性につい
ても述べている。しかし、テープレコーダーヘット9、
リレーコア、変成器など特殊な用途のためには先行技術
による金属ガラスよりも高い透磁率、低い磁気歪、低い
保磁力、低いコア損、低い励磁電力、および高い熱安定
性を合わせもつ金属ガラスが必要とされる。
本発明によれば、高い透磁率、低い磁気歪、低い保磁力
、低い交流コア損、低い励磁電力および高い熱安定性を
合わせもつ金属ガ°ラスが提供される。これらの金属ガ
ラスは本質的に鉄約66〜82原子%(この金属の1〜
約8原子係はニッケルおよびコバルトのうち少なくとも
1種により置換されていてもよい)、クロム、モリブデ
ン、タングステン、バナジウム、ニオブ、タンタル、チ
タン、ジルコニウムおよびハフニウムよりなる群から選
ばれる少なくとも1種の元素約1〜約6原子係、ホウ素
約17〜28原子係(このホウ素の0.5〜約6原子係
はケイ素により置換されていてもよく、ホウ素の約2原
子係まではケイ素により置換されていてもよい)ならび
に付随する不純物よりなる。本発明の金属ガラスはテー
プレコーダーヘッド、リレーコア、変成器などに使用す
るのに適している。
本発明の金属ガラスは、高い透磁率、低い飽和磁気歪、
低い保磁力、低い交流コア損、低い励磁電力、および高
い熱安定性の組合わせにより特色づけられる。本発明の
ガラス様合金は、本質的に鉄約66〜82原子%(この
金属の1〜約8原子係はニッケルおよびコバルトのうち
少なくとも1種により置換されていてもよい)、クロム
、モリブデン、タングステン、バナジウム、ニオブ、タ
ンタル、チタン、ジルコニウムおヨヒハフニウムよりな
る群から選ばれる少なくとも1種の元素約1〜6原子%
、ホウ素約17〜28原子係(このメタロイドの0.5
〜約6原子係はケイ素により置換されていてもよく、こ
のメタロイドの2原子係までは炭素により置換されてい
てもよい)ならびに付随する不純物よりなる。OrlM
o、 W、’V、 Nb1Ta、 Ti、Zr および
/またはHfの濃度が約1原子係よりも低いと、透磁率
、飽和磁気歪、保磁力、交流コア損および熱安定性が十
分に改善されない。またこれらの元素のうち少なくとも
1種の濃度が約6原子係よりも大きいと、キュリ一温度
が許容できないほど低くなる。
鉄は室温で高い飽和磁化をもたら子。従って金属含量は
好ましくは鉄が実質的であり、クロム、モリブデン、タ
ングステン、バナジウム、ニオブ、タンタル、チタン、
ジルコニウムおよび/またはノ)フニウムの存在による
室温飽和磁化の低下を補償するために8原子係までがニ
ッケルおよび/またはコバルトである。ニッケルを添加
すると透磁率が高まる。
本発明の金属ガラスの例には下記のものが含まれる。
Fe s oNl 1 MOIB 16S2 + Fe
76Nl aM’02B 17 sS l o s +
F e 75N12C02MO3B 168121 F
:e−t sco 、4Mo 313.6E3121F
 e 7 sNi 4MO3B 168121 Fe 
77N12MO3B 1a8121F 875N14M
O3B 148141 Fe 71N14MO3B17
Sl s +Fe74N14M04B1sS12 + 
Fe7 oNl 6M06B、sSl 3+F e y
 sN l 4V 3B 14S 1202 + F 
e 71N14MO3B 16314 C2。
F e 7 sN 12M02B12814CJ21 
F e 7 sN 1 。Or 2 B 163121
F 875N14Nb3B 16s 121 Fe 7
5N14W3B 168121Fe!7sN14V3B
16S12+  Fe7.gN14TalBtsS12
゜F’e75N14T13B16S12 + Fe75
Ni4Zr3B16S12 +Fe 79Nl 4Hf
 IB 16s12 + Fe 7’2Ni2MO2B
22812 。
Fe7oN1zMOzBz□S14.  およびFe7
oNlzMOzElz4S1z   (下方に書かれた
数値は原子幅である)。すべての合金の純度は商業的に
普通に認められるものである。
クロム、モリブデン、タングステン、バナジウム、ニオ
ブ、タンタル、チタン、ジルコニウムおよび/またはハ
フニウムの存在により結晶化温度が上昇し、一方では同
時にガラス様合金のキュリ一温度が低下する。これらの
温度の間隔が大きくなることにより磁気アニーリング、
すなわちキュリ一温度付近での熱アニーリングが容易に
なる。
周知のように磁性材料をそのキュリ一温度付近でアニー
リングすると一般に改善された特性が得られる。クロム
、モリブデン、タングステン、バナジウム、ニオブ、タ
ンタル、チタン、ジルコニウムおよび/またはハフニウ
ムの濃度の上昇に伴って結晶化温度が上昇し、その結果
キュリ一温度付近であって結晶化温度よりも低い、高め
られた温度において容易にアニーリングを行なうことが
できる。このようなアニーリングは、本発明の合金に類
似するがこれらの元素を含有しない多くの合金について
は行なうことができない。他方、クロム、モリブデン、
タングステン、バナジウム、ニオブ、タンタル、チタン
、ジルコニウムおよび/またはハフニウムの濃度が高す
ぎると、ある種の用途には望ましくないと思われる水準
にまでキュリ丁温度が低下する。ホウ素およびケイ素が
それぞれ主メタロイト9成分および副メタロイト9成分
である金属ガラスについて好ましいクロム、モリブデン
、タングステン、貝ナジウム、ニオブ、タンタル、チタ
ン、ジルコニウムおよび/またはハフニウムの濃度は約
2〜4原子係である。
メタロイド含量は本質的に(1)少量のケイ素を含む実
質量のホウ素、(2)ホウ素プラスケイ素、および(3
)ホウ素およびケイ素プラス少量の炭素よりなることが
好ましい。。メタロイド含量は約17〜28原子係の範
囲にあることが最大の熱安定性を得るために好ましい。
好ましい金属ガラス系は下記のものである。
1、  Fe M Mo B−81:Fe、00 a−
b−c−d’aMobBcS1d。
式中Mはニッケルおよびコバルトのうち少なくとも1種
である。(c+d)が約18である場合、a、 b、 
c  およびdの好ましい範囲はそれぞれ約2〜8、約
1〜4、約14〜17.5および約0.5〜4である。
(c+d)が約22である場合、a、b、cおよびdの
好ましい範囲はそれぞれ約2〜8、約1〜6、約15〜
20.5および約0.5〜6である。(c十d)が25
に近い場合、a、 b、 cおよびdの好ましい範囲は
それぞれ約2〜8、約1〜6、約21〜25および約1
〜6である。これらの金属ガラスは飽和誘導(B)1.
0〜1,4テスう(Te5la)、飽和磁気歪(λ8)
12〜24 ppm 。
キュリ一温度(θf)約475〜705におよび第1結
晶化温度750〜880Kを合わせもつ。適切に熱処理
した場合、これらの合金は特に高周波数(f > 10
3Hz )において優れた交番磁性をもつ。
たとえば熱処理されたF e 75 N 1 、iMO
3B 16 S 12合金ガラスのf=50kHz  
および誘導水準Bm=0.1テスラにおいて求められた
交流コア損(L)および励磁電力(Po)はそれぞれ6
.5 WAf!および16,4V A/kgである。こ
れらの数値を、Fe7.B□6S15の組成をもつ同一
厚さの先行技術による熱処理された金属ガラスに関する
L = 7 W/kgおよびPe=20VAAgと比較
すべきである。Bm=0.01テスラにおける透磁率は
熱処理されたFe7.N13Mo4B  Si  およ
びF e 79 B 16S 15につきそれぞれ6 
 2 10500および8000である。前記の先行技術によ
る合金についての飽和磁気歪(λ )=30ppmに比
して本発明合金の飽和磁気歪は約20ppmとより小さ
いため、本発明の合金は高周波数変成器の心など磁気装
置に用いるために特に適している。f ”’50 kH
z  を越えると、本発明の合金はほぼ0,8テスラの
B8をもつ結晶性類ノξ−マロイに関する透磁率に匹敵
するかまたはこれより ゛も高い透磁率をもつ。本発明
の合金に関するBsの値はより高いため、これらの合金
はf=53kHzの磁場を加えることにつき超パーマロ
イよりも適切となる。
F e −M−M’ −B S l: F e 16o
−a−B−c−d’a”bBos 1d。
式中Mはニッケルおよび/またはコパル°トであり、M
/はOr、 W、 V、 Nb%’ra、 Ti、Zr
またはHfから選ばれる。(c+d)が約18である場
合、a、 b、 c およびdの好ましい範囲はそれぞ
れ約2〜8、約1〜4、約14〜17.5および約0.
5〜4である。(c+d)が約22である場合、alb
、cおよびdの好ましい範囲はそれぞれ約2〜8、約1
〜6、約16〜21.5および約0.5〜6である。(
c+d)が25に近い場合、aSb、cおよびdの好ま
しい範囲はそれぞれ約2〜8、約1〜6、約21〜25
および約1〜6である。
F e −M−M’−B−81−C:Fe1oo−a−
5−o−d−8MaV、B。51dC8゜式中Mはニッ
ケルおよび/またはコバルトであり、M′はCr、Mo
、W、V、Nb、Ta、Ti、ZrまたはHfよりなる
群から選ばれる。(c+d)が約18である場合、a、
 b、 c、 dおよびeの好ましい範囲はそれぞれ約
2〜8、約1〜4、約12〜1Z5、約0.5〜4およ
び0〜2である。(C+d)が約22である場合、a、
 b、 c、 dおよびeの好ましい範囲はそれぞれ約
2〜8、約1〜6、約14〜21.5、約0.5〜6お
よび約0〜2である。(c十d)が25に近い場合、a
、 b%c、 dおよびeの好ましい範囲はそれぞれ約
2〜8、約1〜6、約20〜27、約1〜6および約0
〜2である。
透磁率は加えられた磁場に対する磁気誘導の比である。
透磁率が高いほどある物質は応答が増大するためテープ
レコーダーヘット9など特定の用途にいっそう有用にな
る。本発明のガラス様合金の透磁率の周波数依存性は、
中−高周波数領域(1〜50kHz)では4−79ノξ
−マロイのものに類似しており、より高周波数領域(約
50 kHz〜1MHz)では透磁率は超パーマロイの
ものに匹敵する。特に注目すべき点は1kH2および誘
導水準0.01テスラにおいては、熱処理されたFe7
sN14MOaBx 6s12金属ガラスは24,00
0の透磁率をもち、一方最良の条件下で熱処理された先
行技術によるF e! 40 N 136 MO4B 
2 o  金属ガラスは14.000の透磁率をもつ。
飽−和磁気歪は、飽和磁場の作用下における長さの変化
である。飽和磁気歪が小さいほどその物質はテープレコ
ーダーヘット9など特定の用途にいっそう有利になる。
磁気歪は通常はもとの長さに対する長さの変化の比とい
う表現で論じられ、ppmで示される。先行技術による
鉄含有金属ガラスは、周期表のWB、VBおよびVIB
族に属するいずれかの元素(たとえばモリブデン)が存
在しない金属ガラスと同様に約30 ppmの飽和磁気
歪を示す。
たとえば高周波用に考案され、F e 7 g B 1
6 S l sの組成をもつ先行技術の鉄に富む金属ガ
ラスは、約50 ppmの飽和磁気歪をもつ。これに対
し、F e 7s N 14M O3B 、6S 12
 の組成をもつ本発明の金属ガラスは約20 ppmの
磁気歪をもつ。飽和磁気歪が小さいほど、励磁場と得ら
れる誘導との間の位相角は小さくなる。その結果、のち
に論じるように励磁電力がより小さくなる。
交流コア損は熱として消失するエネルギー損失である。
これは交番磁場におけるヒステリシスであり、低周波数
(約1kHz以下)に関してはB−Hルーズの面積によ
り測定され、高周波数(約1kHz〜1MHz)に関し
ては励磁コイルにおける複素入力から測定される。高周
波領域における交流コア損の主な部分は、磁束の変化に
際して発生する渦流により生じる。しかし、より小さい
ヒステリシス損失、従ってより小さい保磁力の方が望ま
しい。コア損が小さいほどある物質はテープレコーダー
ヘット9および変成器など特定の用途にいっそう有用に
なる。コア損はW/kgの単位で論じられる。先行技術
による熱処理された金属ガラスは、0.1テスラの誘導
および1kH2の周波数領域において一般に約0.05
〜0.1ワツ) /に90交流コア損を示す。たとえば
Fe 4 ON 136M O4B 20 の組成をも
つ先行技術による熱処理された金属ガラスは、0.1テ
スラの誘導および1kHz  の周波数において0.0
7 WA9の交流コア損を示し、一方F 976MO4
B 2 oの組成をもつ金属ガラスハ、0.1テスラの
誘電および同一周波数において0.08 WA9の交流
コア損を示す。これに対しF67sN14MO3B 1
6S1□の組成をもつ本発明の金属ガラス性合金は、0
.1テスラの誘電および同一周波数において、0、02
 W、#の交流コア損を示す。
励磁電力はある磁性材料において特定の磁束密度を維持
するために必要な電力の尺度である。従って磁気装置に
用いられる磁性材料の励磁電力はできる限り低いことが
望ましい。励磁電力(P8)は、L=P8cosδ(式
中δは励磁場とその結果中じる誘導との間の位相差であ
る)という関係により、上記のコア損(L)と関連性が
ある。この位相差もまた、磁気歪の値が小さいほど位相
差が小さくなるという形で磁気歪と関連性がある。従っ
て、磁気歪の値ができるだけ小さい方が有利である。先
きに述べたように、Fe79B16Si5  のように
鉄に富む先行技術の金属ガラスは、本発明の金属ガラス
の磁気歪の値約20 ppmに比して、はぼ30 pp
mの磁気歪の値をもつ。この差のため、位相差がかなり
異なる。たとえば最適な条件下でアニーリングされた先
行技術による金属ガラスFe79B16S15はほぼ7
0°のδをもつのに対し、本発明の金属ガラスはほぼ5
06のδをもつ。その結果、一定のコア損については、
本発明の金属ガラスよりも先行技術による金属ガラスの
方がファクター2だけ高い励磁電力を示す。
結晶化温度は、金属ガラスが結晶化し始める温度である
。結晶化温度が高いほどある物質は高温での用途にいっ
そう有用となり、結晶化温度よりも実質的に低いキュリ
一温度と関連して、キュリ一温度よりもわずかに高い温
度で磁気アニーリングを行うことができる。ある種の金
属ガラスは多段階で結晶化する。このような場合、第1
の結晶化温度(最低の結晶化温度)はその物質の熱安定
性に関する限り重要である。ここで論じる結晶化温度は
差動走査熱量測定法により測定される。先行技術による
ガラス様合金は約660〜750にの結晶化温度を示す
。たとえばF e175M0j 2 B 20の組成を
もつ金属ガラスは680にの結晶化温度をもち、一方F
e74M06B2oの組成をもつ金属ガラスは750に
の結晶化温度をもつ。これに対し本発明の金属ガラスは
750Kを越える水準にまで結晶化温度の上昇を示す。
本発明の金属ガラスの磁性は、アニーリング温度(Ta
)の選択、保持時間(ta)、加えられた磁場(リボン
の方向およびリボンの面に平行かまたは直角)および処
理後の冷却速度により特色づけられる熱処理によって改
善されている。本発明の合金について、最適の特性は、
ガラス様マトリックスから一定数の結晶粒子を制御され
た状態で沈殿させるアニーリングののちに得られる。こ
れらの条件下では、約17〜20原子係の範囲のホウ素
含量をもつ組成物ピ関して離散粒子は体心立方構造をも
つ。これらの粒子は本質的に鉄よりなり、鉄の22原子
係まではニッケル、コバルト、クロム、モリ//7’ン
、タングステン、バナジウム、ニオブ、タンタル、チタ
ン、ジルコニウム、ハフニウム、ケイ素および炭素のう
ち少なくとも1種により置換されるよう合わせられてい
る。約21〜25原子係の範囲のホウ素含量および約6
9〜78原子係の範囲の鉄含量をもつ組成物に関しては
、離散粒子は本質的には粒子の混合物よりなり、この混
合物の主要な部分はF e 3 B構造の結晶をもつ粒
子を含有する。このような部分の粒子は鉄およびホウ素
よりなり、鉄の14原子係まではニッケル、コバルト、
クロム、モリブデン、タングステン、バナジウム、ニオ
ブ、タンタル、チタン、ジルコニウムおよびハフニウム
のうち少なくとも1種により置換されるよう合わせられ
ており、ホウ素の2原子係までは炭素により置換される
よう合わせられている。この種の粒子が少数である場合
平均磁壁間隔が一定の程度減少し、同時にコア損が減少
する。粒子の数が多すぎると保磁力が増大し、従ってヒ
ステリシス損失が増大する。
F e 7 s N 14 MO3B s s S 1
2の組成をもつ本発明の金属ガラスは最適条件下でアニ
ーリングされた場合、わずか2A/m の保磁力と共に
低い損失および高い透磁率を合わせもつ。これに対し最
適条件下でアニーリングされた先行技術による金属ガラ
スF e 79 B t 6S l sは約8A/m 
の保磁力をもつ。最適条件下で熱処理され、た本発明材
料の結晶粒子寸法は100〜300 nmの範囲にあり
、それらの体積分率は1係以下である。粒子間間隙は約
1〜10μmである。
要約すると、本発明の金属ガラスは高い透磁率、低い飽
和磁気歪、低い保磁力、低い交流コア損、低い励磁電力
、および高い結晶化温度を合わせもち、テープヘッド、
リレーコア、変成器などとして用いられる。
本発明の金属ガラスは所期の組成のメルトを金属ガラス
技術の分野で周知の急冷法により少な(とも約105C
/秒の速度で冷却することによって、(たとえば米国特
許第5.856,513号明細書参照)製造される。こ
れらの金属ガラスは実質的に完全にガラス状であり(す
なわち少なくとも9゜係はガラス状であり)、その結果
これよりもガラス性の少ない合金に比して保磁力が低く
、かつ延性がより大きい。
連続したリボン、線材、シートなどに加工するためには
多様な方法がある。一般に、特定の組成を選び、所期の
割合の必須元素の粉末またはグラニユールを溶融し、均
質化し、溶融した合金を急速に回転しているシリンダー
などの冷却面上で急冷する。
実施例1 : Fe−Ni−Mo−B−3i系特定の組
成のメルトを急速に回転している銅製チルホイール(表
面速度的3000〜6000ft15+)上にアルゴン
の過圧により噴出させることによって、Fe1oo−a
−5−o褐N1aMobBoS1dにより表わされる組
成をもち、幅約1〜2.5 cmおよび厚さ約25〜5
0μmの寸法をもつリボンを製造した。
モリブデン含量を1原子係から6原子係まで変化させ、
実質的にガラス状のリボンを得た。6原子係よりも高い
モリブデン含量の場合、キュリ一温度が許容できないほ
ど低い値にまで低下した。
透磁率、磁気歪、コア損、磁化力および保磁力を、B−
Hループ、金属ストレンゲージおよび振動試料磁力計を
使用する普通の方法で測定した。
キュリ一温度および結晶化温度はそれぞれ誘導法および
差動走査熱量計により測定された。室温飽和誘導、キュ
リ一温度、室温飽和磁気歪および第1結晶化温度の測定
値を後記の表■にまとめる。
アニーリング後のこれらガラス様合金の磁性を表■に示
す。金属ガラスFe75N14M03B16S1□の最
適アニーリング条件および得られた結果を表■にまとめ
る。この最適条件下でアニーリングされた合金の透磁率
およびコア損の周波数依存性を表1vに列記する。
モリブデンの存在により透磁率および結晶化温度は高ま
り、交流コア損、励磁電力および磁気歪は低下するよう
に思われる。特に注目すべき点は、最適条件下で熱処理
された本発明の金属ガラスFe75N14M03B16
S1□が2.5A/m程度の低い保磁力をもち、さらに
5’QkHz  および誘導水準0.1テスラにおいて
6.5 W/kg という低いコア損および12500
の透磁率をもっという点である。これらの特性を合わせ
もつことにより、これらの組成物が高周波数変成器およ
びテープヘット9に用いるために適したものとなる。
表   ■ Fe−Ni−Mo−B−8i合金の基本的磁性の例。
BSおよびλ8はそれぞれ室温飽和誘導および飽和磁気
歪である。θ、およびT。□はそれぞれ強磁性キュリ一
温度および第1結晶化温度である。
表   ■ 磁場を加えずに温度Taで約15分間アニーリングし、
次いで約−IC/分の速で冷却したFe−Ni−Mo−
B−8i合金に関するf=50kHzおよび最大誘導水
準Bm−0,1テスラにおける女)コア損(L)、励磁
電力(Po’)および透磁率(μ)の例。
アステリスクをつげた数値はBm=0.01テスラに関
するものである。
表   ■ 厚さ32/jmのFe75N14MO3Bt 6812
  リボンに関する最適アニーリング条件、ならびにf
=50kHzおよびB−=6.1テスラにおいて得られ
たコア損(L)、透磁率(μ)の結果、ならびに交流保
磁条  件 380C120分 11.8  8 200. 2.3
54001506.5125002.5 4209011.282004.5 表   ■ 最適条件下でアニーリングされた厚さ32μmのF 8
75 N 14 MO3B t e 812合金リボン
に関する誘導水準B=0.01および0.1テスラにお
ける透磁率(μ)および交流コア損(L)の周波数依存
性μ(Bm=0.01T)  24000230001
850011500800OL(Bm=0.IT)  
0.02 0.24 0.83 6.5  20(W、
Ag) 実施例2 : Fe−Ni −M−B−3i系実施例1
と同様にしてFeFe100−a−b−c−d” −B
−81(式中Mがニッケルおよび/またはコバルトであ
る場合、M′はクロム、モリブデン、タングステン、バ
ナジウム、ニオブ、タンタル、チタン、ジルコニウムお
よび)・フニウムのうち1種の元素である)で表わされ
る組成をもち、幅約1αおよび厚さ約25〜50μmの
寸法をもつリボンを製造した。
金属゛M′”の含量を1原子係から6原子係まで変化さ
せ、実質的にガラス状のリボンを得た。
RIM/#含量がこれよりも高いとキュリ一温度が許容
できないほど低い値にまで低下した。
磁気的および熱的データを後記の表vにまとめる。アニ
ーリング後のこれらの合金の磁性は表Viに示されてい
る。
低磁場におけるこれらの金属ガラスの磁性は、モリブデ
ンを含有する金属ガラスに関する磁性に相当するもので
あった(実施例1)。
本発明の金属ガラスにおいては、高周波数における低い
交流コア損および高い透磁率という組合わせが達成され
る。高い結晶化温度によって表わされるように、熱安定
性が優れていることも示される。本発明の金属ガラスが
もつこれらの改善された特性の組合わせにより、これら
の組成物は変成器の磁気コア、テープレコーディングヘ
ッドなどに適している。
表   ■ Fe100”a−b−c−dMa”bBcSld (式
中Mはニッケルおよびコバルトのうち少なくとも1種で
あり、Vi’はOrlMo、 WSV、 Nb、 ’r
a、 Ti、 ZrまたはHfである)の組成をもつ金
属ガラスに関する室温飽和誘導(Bs)、キュリ一温度
(θ、)、飽和磁気歪(λB)および第1結晶化温度(
To)表   Vl ”eloo−a−b−c−dMa”bBcSld (式
中MはN1および/またはGoであり、M′はOr 、
 Mo 1、W。
■、Nb、Ta1Ti、ZrまたはHfである)の組成
をもつ熱処理された金属ガラスに関してf−50kHz
およびBm=0.1 テスラにおいて測定されたコア損
(L)、励磁電力(Po)および透磁率(μ)。アニー
リング温度はTaで表わされ、保持時間はすべての材料
につき15分間である。
表   ■ Fe】oo−a−b−c−d−eN1aMbBcS’d
Ce (式中M′はCr、 ’Mo、 W、 V、 N
b、 Ta、 Ti またはZrである)の組成をもろ
金属ガラスの飽和誘導(Bs)、キュリ一温度(θf)
、飽和磁気歪(λ8)および第1結晶化温度(Toよ) 実施例3 : Fe−Ni−M−B−8i−C系実施例
1と同様にしてFe100−a−b−c−d−eN1a
M/bBoS1dCe(式中MはOr、 Mo1W、 
V、Nb。
Ta、TiまたはZrである)で表わされる組成をもち
、幅約1cIrLおよび厚さ約25〜50μmの寸法を
もつリボンを製造した。金属t1M/$1含量を1原子
%から6原子係まで変化させた。実質的にガラス状のリ
ボンが得られる炭素含量は2原子係までであった。金属
″′M″の含量が約6原子係よりも大きいと、キュリ一
温度が許容できないほど低い値にまで低下した。
磁気的および熱的データを後記の表■にまとめる。これ
らの金属のアニーリング後の磁性を表情に示す。本発明
の金属ガラスがもつ低い交流コア損、高い透磁率、およ
び高い熱安定性の組合わせにより、これらの組成物は変
成器の磁気コア、レコーディングヘッドなどに適したも
のとなる。
表   彊 F8+ 0O−a−b−c−d−e”a” bBcSi
dCe(式中M′はCr、 Mo、 W、 V、 Nb
 またはTaである)の組成をもつ熱処理された金属ガ
ラスに関してf=50kHz  およびBm=0.1テ
スラにおいて測定されたコア損(L)、励磁電力(P8
)および透磁率(μ)。
アニーリング温度はTaで表わされ、保持時間はすべて
の材料につき15分間である。
以上に本発明をきわめて詳細に記載したが、この詳論に
厳密に固執する必要はなく、当業者には各種の変更およ
び修正をなしうろことは明らかであり、これらはすべて
特許請求の範囲に定められた本発明の範囲内に含まれる
特許出願人  アライド・コーポレーション(外2名)

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 (11本質的に鉄66〜82原子%(この鉄の1〜8原
    子係はニッケル、コバルトおよびそれらの混合物よりな
    る群から選ばれる少なくとも1種の元素により置換され
    ていてもよい)、クロム、モリブデン、タングステン、
    バナジウム、ニオブ、タンタル、チタン、ジルコニウム
    およびハフニウムよりなる群から選ばれる少なくとも1
    種の元素1〜6原子係、ホウ素17〜28原子%(この
    ホウ素の0.5〜6原子係はケイ素により置換されてい
    てもよく、ホウ素の2原子係までは炭素により置換され
    ていてもよい)ならびに付随する不純物よりなり、高い
    透磁率、低い磁気歪、低い保磁力、低い交流コア損、低
    い励磁電力および高い熱安定性を合わせもつ実質的に完
    全にガラス状の金属ガラス。 (2)金属が本質的に鉄62〜79原子係、ニッケル、
    コバルトおよびそれらの混合物よりなる群から選ばれる
    少なくとも1種の元素2〜8原子係、゛ならびにクロム
    、モリブデン、タングステン、バナジウム、ニオブ、タ
    ンタル、チタン、ジルコニウムおよびハフニウムよりな
    る群から選ばれる少なくとも1種の元素2〜4原子係よ
    りなる、特許請求の範囲第1項記載の金属ガラス。 (3)ケイ素および炭素によるホウ素の置換によって金
    属ガラスが実質量のホウ素、0.5〜4原子係゛のケイ
    素、およびホウ素プラスケイ素よりなる群から選ばれる
    メタロイビ元素ならびに0〜2原子係の炭素を特徴する
    特許請求の範囲第1項記載の金属ガラス。 (4)  メタロイビ元素が17〜26原子係の範囲に
    ある、特許請求の範囲第6項記載の金属ガラス。 (5)本質的に鉄70〜79原子係、ニッケル、コノζ
    ルトおよびそれらの混合物よりなる群から選ばれる少な
    くとも1種の元素約2〜4原子係、モリプデンおよびク
    ロムよりなる群から選ばれる少なくとも1種の元素2〜
    4原子%、ならびにホウ素、ケイ素およびそれらの混合
    物よりなる群から選ばれる元素17〜22原子係よりな
    る、特許請求の範囲第1項記載の金属ガラス。 (6)合金にその成分の離散粒子が存在することを特徴
    とし、それらの粒子が約0.1〜0.3μの範囲の平均
    粒径および約1〜10μmの平均粒子間隔をもつ、少な
    くとも85%非晶質の特許請求の範囲第1項記載の合金
    。 (力 離散粒子が平均体積分率0.005〜0.01を
    占める、特許請求の範囲第6項記載の合金。 (8)非晶質金属マトリックス内に離散粒子を沈積させ
    るのに十分な温度および時間で合金をアニーリングする
    工程を含む、特許請求の範囲第1項記載の合金の磁性を
    高める方法。 (9)離散粒子が本質的に粒子混合物よりなり、その混
    合物の一部が体心立方構造をもつ粒子を含み、これらの
    粒子が本質的に鉄よりなり、この鉄の2シ原子係までが
    ニッケル、コバルト、クロム、モリブデン、タングステ
    ン、バナジウム、ニオブ、タンタル、チタン、ジルコニ
    ウム、ハフニウム、ケイ素および炭素のうち少なくとも
    1種により置換され得るように調製された、特許請求の
    範囲第8項記載の方法。 0〔離散粒子が本質的に粒子混合物よりなり、この混合
    物の一部が結晶質F e 3B構造をもつ粒子を含み、
    この部分のこれらの粒子が鉄およびホウ素よりなり、こ
    の鉄の14原子係までがニッケル、コバルト、クロム、
    モリブデン、タングステン、バナジウム、ニオブ、タン
    タル、チタン、ジルコニウムおよびハフニウムのうち少
    なくとも1種により置換され得ると共に、上記ホウ素の
    2原子係までが炭素により置換され得るように調製され
    た特許請求の範囲第8項記載の方法。
JP57145407A 1981-08-21 1982-08-21 高い透磁率、低い磁気歪、低い保磁力、低い交流コア損、低い励磁電力および高い熱安定性を合わせもつ金属ガラス Granted JPS5842759A (ja)

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