JPS59179756A - 電磁気装置用の非晶質合金 - Google Patents
電磁気装置用の非晶質合金Info
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Classifications
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- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C45/00—Amorphous alloys
- C22C45/02—Amorphous alloys with iron as the major constituent
-
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- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
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- C22C38/18—Ferrous alloys, e.g. steel alloys containing chromium
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は鉄−ホウ素を基礎とする非晶質合金組成物、特
に鉄、ホウ素、ケイ素、クロムおよび炭素な含有し、高
められた高周波磁性をもつ非晶質合金に関する。
に鉄、ホウ素、ケイ素、クロムおよび炭素な含有し、高
められた高周波磁性をもつ非晶質合金に関する。
特定の合金組成物から固体非晶質の得られることが研究
により明らかKされる。非晶質は実質的に広範囲の原子
秩序をもたず、幅広い強度極大からなるX線回折図を特
色とする。この種の回折図は質的に液体または普通の窓
ガラスの回折図に類似する。これは鋭く狭い強度極大か
らなる回折図を与える結晶質と対称的である。
により明らかKされる。非晶質は実質的に広範囲の原子
秩序をもたず、幅広い強度極大からなるX線回折図を特
色とする。この種の回折図は質的に液体または普通の窓
ガラスの回折図に類似する。これは鋭く狭い強度極大か
らなる回折図を与える結晶質と対称的である。
これらの非晶質は準安定状態で存在する。これらは、十
分に高い温度に加熱すると結晶化熱を発生して結晶化し
、X線回折図は非晶質の特徴をもつものから結晶質の特
徴をもつものに変化する。
分に高い温度に加熱すると結晶化熱を発生して結晶化し
、X線回折図は非晶質の特徴をもつものから結晶質の特
徴をもつものに変化する。
新規な非晶質合金はHlS−チェノおよびり、E。
ボークらにより米国特許第3,856,513号(19
74年12月24日交付)に示されている。これらの非
晶質合金は式McLY、Z、を有し、この式中Mは鉄。
74年12月24日交付)に示されている。これらの非
晶質合金は式McLY、Z、を有し、この式中Mは鉄。
ニッケル、コバルト、クロムおよびバナジウムよりなる
群から選ばれる少なくとも1種の金属であり、Yはリン
、ホウ素および炭素よりなる群から選ばれる少なくとも
1種の元素であり、Zはアルミニウム、アンチモン、は
リリウム、ゲルマニウム、インジウム、錫およびケイ素
よりなる群から選ばれる少なくとも1種の元素であり、
“α”は約60〜90原子チ、b”は約10〜30原子
チ。
群から選ばれる少なくとも1種の金属であり、Yはリン
、ホウ素および炭素よりなる群から選ばれる少なくとも
1種の元素であり、Zはアルミニウム、アンチモン、は
リリウム、ゲルマニウム、インジウム、錫およびケイ素
よりなる群から選ばれる少なくとも1種の元素であり、
“α”は約60〜90原子チ、b”は約10〜30原子
チ。
そしてC″は約0.1〜15原子チの範囲にある。
これらの非晶質合金は、リボン、シート、線材。
粉末などの形で多様な用途に適していることが認められ
ている。上記のチェノおよびボークの特許には式TiX
jをもつ合金も示されている。この式中Tは少な(とも
1種の遷移金属であり、Xはアルミニウム、アンチモン
、ベリリウム、ホウ素。
ている。上記のチェノおよびボークの特許には式TiX
jをもつ合金も示されている。この式中Tは少な(とも
1種の遷移金属であり、Xはアルミニウム、アンチモン
、ベリリウム、ホウ素。
ゲルマニウム、炭素、インジウム、リン、ケイ素および
錫よりなる群から選ばれろ少なくとも1種の元素であり
、′i″は約70〜87原子チ、1)°゛は約13〜3
0原子チの範囲にある。 これらの非晶質合金は広範な
用途に適していることが認められている。
錫よりなる群から選ばれろ少なくとも1種の元素であり
、′i″は約70〜87原子チ、1)°゛は約13〜3
0原子チの範囲にある。 これらの非晶質合金は広範な
用途に適していることが認められている。
上記の非晶質合金が見出された時点では、それらは当時
知られていた多結晶質合金よりも優れた磁性を示した。
知られていた多結晶質合金よりも優れた磁性を示した。
それにもかかわらず、改良された磁性およびより高い熱
安定性を必要とする新たな用途のため、他の合金組成物
を開発する努力が必要になった。
安定性を必要とする新たな用途のため、他の合金組成物
を開発する努力が必要になった。
本発明によれば、その構造の少なくとも85%が非晶質
金属マトリックスの形であり、鉄を基礎とし、ホウ素お
よびクロムを含有する磁性合金屡本′イの3誂ざあ、ン
、非晶質金属マトリックス中のその成分の離散粒子の析
出を誘発させかつマトリックス表面上に酸化クロムの層
を形成させるのに十分な温度および期間において焼鈍さ
れた磁性合金が提供される。
金属マトリックスの形であり、鉄を基礎とし、ホウ素お
よびクロムを含有する磁性合金屡本′イの3誂ざあ、ン
、非晶質金属マトリックス中のその成分の離散粒子の析
出を誘発させかつマトリックス表面上に酸化クロムの層
を形成させるのに十分な温度および期間において焼鈍さ
れた磁性合金が提供される。
合金の析出した離散粒子は、約0.05〜1mの範囲の
平均粒径、および約1〜約10m の平均粒子間隔をも
ち、約0.O1〜0.3の離散粒子平均体積分率をなす
。合金の焼鈍は磁場の存在下で行われる。
平均粒径、および約1〜約10m の平均粒子間隔をも
ち、約0.O1〜0.3の離散粒子平均体積分率をなす
。合金の焼鈍は磁場の存在下で行われる。
しかし、磁場の不在下で合金を焼鈍することにより優れ
た磁性の得られることが見出された。好ましくは合金は
式ii’ tgBbS &、C,ZOγ、(式中′″a
″、−b″。
た磁性の得られることが見出された。好ましくは合金は
式ii’ tgBbS &、C,ZOγ、(式中′″a
″、−b″。
”C”、′″d”および”−”はそれぞれ約75〜83
゜約15〜17、約4.5〜5.5%約0.1〜0.7
5および約1〜3原子チであり、ただし”σ”、”b′
”、”C”。
゜約15〜17、約4.5〜5.5%約0.1〜0.7
5および約1〜3原子チであり、ただし”σ”、”b′
”、”C”。
”d”および′C”の合計は100である。
さらに本発明によれば、上記の合金の磁性ケ高める方法
であって、(α)合金の溶融物を約10〜b ンとなし;(b)このリボンな絶縁層(たとえば酸化マ
グネシウム)で被覆し;(C) この被覆されたリボ
ンをその非晶質金属マトリックス中における離散粒子の
析出を誘発するのに十分な温度および時間において焼鈍
する工程からなる方法が提供される。
であって、(α)合金の溶融物を約10〜b ンとなし;(b)このリボンな絶縁層(たとえば酸化マ
グネシウム)で被覆し;(C) この被覆されたリボ
ンをその非晶質金属マトリックス中における離散粒子の
析出を誘発するのに十分な温度および時間において焼鈍
する工程からなる方法が提供される。
本発明方法により製造された合金はX線回折。
電子線回折、または透過型電子顕微鏡により測定して、
30チ以上が結晶質ではなく、好ましくは約15チ以上
が結晶質ではない。
30チ以上が結晶質ではなく、好ましくは約15チ以上
が結晶質ではない。
本発明方法により製造される合金は、約150℃までの
温度で安定に維持される改良された高周波磁性を示す。
温度で安定に維持される改良された高周波磁性を示す。
その結果、これらの合金はエネルギー貯蔵インダクター
、パルス変成器、スイッチ方式電源用変成器、電流変成
器などに用いるのに特に好適である。
、パルス変成器、スイッチ方式電源用変成器、電流変成
器などに用いるのに特に好適である。
添付の図面を参照することにより本発明はより良く理解
され、他の利点も明らかになるであろう。
され、他の利点も明らかになるであろう。
図面において。
第1図は析出した離散結晶粒子が存在しない非晶質合金
についての誘導と磁化力の関係を示すグラフであり; 第2図は最適な体積分率の離散粒子を含有する本発明の
非晶質合金についての誘導と磁化力の関係を示すグラフ
であり; 第3図は最適量よりも多い体積分率の離散粒子を含有す
る非晶質合金についての誘導と磁化力の関係を示すグラ
フであり;そして 第4図は本発明の合金の略図であり、その中の離散粒子
の分布を示す。
についての誘導と磁化力の関係を示すグラフであり; 第2図は最適な体積分率の離散粒子を含有する本発明の
非晶質合金についての誘導と磁化力の関係を示すグラフ
であり; 第3図は最適量よりも多い体積分率の離散粒子を含有す
る非晶質合金についての誘導と磁化力の関係を示すグラ
フであり;そして 第4図は本発明の合金の略図であり、その中の離散粒子
の分布を示す。
鉄を基礎とする新規な非晶質合金の組成は好ましくは本
質的に鉄約75〜83原子チ、ホウ素約15〜17原子
チ、ケイ素約4.5〜5.5原子チ、炭素約0.1〜0
.75 i子チおよびクロム約1〜3原子チからなる。
質的に鉄約75〜83原子チ、ホウ素約15〜17原子
チ、ケイ素約4.5〜5.5原子チ、炭素約0.1〜0
.75 i子チおよびクロム約1〜3原子チからなる。
この種の組成物は本発明方法により焼鈍した場合、高め
られた高周波磁性を示す。改良された磁性は高い磁化、
低いコア損、および低いボルドーアンはア要求量により
証明されろ。上記の範囲内の好ましい組成は本質的に鉄
約76〜77原子チ、クロム約1.5〜2.5原子チ、
ホウ素約15,8〜16.3原子チ、ケイ素約4.75
〜5.25原子係。
られた高周波磁性を示す。改良された磁性は高い磁化、
低いコア損、および低いボルドーアンはア要求量により
証明されろ。上記の範囲内の好ましい組成は本質的に鉄
約76〜77原子チ、クロム約1.5〜2.5原子チ、
ホウ素約15,8〜16.3原子チ、ケイ素約4.75
〜5.25原子係。
および炭素約0.2〜0.5原子チからなり、特に好ま
しい組成は、鉄76.85原子係、ホウ素16.1原子
チ、ケイ素4.8原子係、炭素0.25原子係、および
クロム・2原子俤からなる。
しい組成は、鉄76.85原子係、ホウ素16.1原子
チ、ケイ素4.8原子係、炭素0.25原子係、および
クロム・2原子俤からなる。
本発明方法により処理される合金は30%以上が結晶質
ではな(、好ましくは約15チが結晶質である。高周波
磁性は、好ましい体積チの結晶質を含む合金において改
善されている。結晶質の体積チはX線回折、電子線回折
、または透過型電子顕微鏡により測定することが好都合
である。
ではな(、好ましくは約15チが結晶質である。高周波
磁性は、好ましい体積チの結晶質を含む合金において改
善されている。結晶質の体積チはX線回折、電子線回折
、または透過型電子顕微鏡により測定することが好都合
である。
本発明の範囲外の合金について50kH2および0、I
Tで測定したコアー損および励磁力を下記の表1に示す
。
Tで測定したコアー損および励磁力を下記の表1に示す
。
表 ■
F’79 Bs4 314.rs C)rz G
o、25 12 31F%3 B2o S14.
7s Cfrz C6,253453Fgs5BB
Si4,75 鶴 C8,254477Fg81
B12 S14.75 or2CO1251027
”83 B10 S’4.75 0r2 CO,
251037Ftr7Bt7.s S14.75 C
fro、5 Go、s is 29Fe77.7
5 816 814 C)’rz C0,2516
27F1’75−75 Si6 Si6 伊2
Go、2516 42Fg7□B、6Si50r2
8 29”76 B16 S’5 or2
C11416Ft77 B14 S’4,75 0
r4. GO,、1901Fg75B18Si、75O
r2Go、、 14 23本発明の範囲内の合金に
つき50&HzおよびQ、ITで測定したコアー損およ
び励磁力を下記の表■に示す・ 表 ■ ”77 B16 S’4.75 Cr2 CO
,25514F#77B□7Si4,75CγI G
O,251023”76.5 B15.5 ””4
,5 Cr2C3,5o719”77 B15
S’5.5 Cr2 CO,50926”76
B16 Si5.25 Cr2 GO,7592
0FM76B□6,9Si5Cγ2C11021非晶質
合金は溶融物を約105〜b 度で冷却させることにより製造される。すべての材料の
純度は普通の市販品にみられるものである。
o、25 12 31F%3 B2o S14.
7s Cfrz C6,253453Fgs5BB
Si4,75 鶴 C8,254477Fg81
B12 S14.75 or2CO1251027
”83 B10 S’4.75 0r2 CO,
251037Ftr7Bt7.s S14.75 C
fro、5 Go、s is 29Fe77.7
5 816 814 C)’rz C0,2516
27F1’75−75 Si6 Si6 伊2
Go、2516 42Fg7□B、6Si50r2
8 29”76 B16 S’5 or2
C11416Ft77 B14 S’4,75 0
r4. GO,、1901Fg75B18Si、75O
r2Go、、 14 23本発明の範囲内の合金に
つき50&HzおよびQ、ITで測定したコアー損およ
び励磁力を下記の表■に示す・ 表 ■ ”77 B16 S’4.75 Cr2 CO
,25514F#77B□7Si4,75CγI G
O,251023”76.5 B15.5 ””4
,5 Cr2C3,5o719”77 B15
S’5.5 Cr2 CO,50926”76
B16 Si5.25 Cr2 GO,7592
0FM76B□6,9Si5Cγ2C11021非晶質
合金は溶融物を約105〜b 度で冷却させることにより製造される。すべての材料の
純度は普通の市販品にみられるものである。
スプラットクエンチングによる箔、ならびにラビッドク
エンチングによる連続リボン、線材、シートなどの製造
には種々の手法がある。一般に、特定の組成を選び、希
望する割合の必要元素(または分解してそれらの元素を
生成する材料、たとえば、ホウ化鉄(II)、ケイ化鉄
(Illなど)の粉末または顆粒を溶融、均質化し、こ
の溶融した合金を冷却面(たとえば回転しているシリン
ダー)上で迅速に急冷する。
エンチングによる連続リボン、線材、シートなどの製造
には種々の手法がある。一般に、特定の組成を選び、希
望する割合の必要元素(または分解してそれらの元素を
生成する材料、たとえば、ホウ化鉄(II)、ケイ化鉄
(Illなど)の粉末または顆粒を溶融、均質化し、こ
の溶融した合金を冷却面(たとえば回転しているシリン
ダー)上で迅速に急冷する。
本発明合金の磁性を合金の焼鈍により高めることができ
る。焼鈍の方法は一般に非晶質金属マトリックス内の離
散結晶粒子の析出を誘発する温度および時間において合
金を加熱することよりなる。
る。焼鈍の方法は一般に非晶質金属マトリックス内の離
散結晶粒子の析出を誘発する温度および時間において合
金を加熱することよりなる。
この粒子は、約0.05〜177!の範囲の平均粒径、
約1〜10rILの粒子間隔をもち、約0.01〜0.
3の平均体積分率をなす。焼鈍工程は一般に磁場の存在
下で行われ、磁場の強さは約1エルステツド(80A/
m)〜10エルステッド(800A/73)の範囲にあ
る。しかし前記のように1合金を磁場の不在下で焼鈍す
ることにより優れた磁性が得られ、製造原価は低下する
。
約1〜10rILの粒子間隔をもち、約0.01〜0.
3の平均体積分率をなす。焼鈍工程は一般に磁場の存在
下で行われ、磁場の強さは約1エルステツド(80A/
m)〜10エルステッド(800A/73)の範囲にあ
る。しかし前記のように1合金を磁場の不在下で焼鈍す
ることにより優れた磁性が得られ、製造原価は低下する
。
離散結晶粒子の不在下では本発明の非晶質合金は第1図
に示すように高い残留磁化(Br)を伴う四角いcl、
c、B−Hループな示す。以下、四角いd。
に示すように高い残留磁化(Br)を伴う四角いcl、
c、B−Hループな示す。以下、四角いd。
C,B−HループをA型と呼ぶ。四角いループを示す材
料は高い周波数において大きな電力損を示すであろう。
料は高い周波数において大きな電力損を示すであろう。
最適水準の離散結晶粒子密度においては、d、c−B−
Hループは第2図に示すようにずれ℃、Brは実質的に
低下する。以下、ずれたt、c。
Hループは第2図に示すようにずれ℃、Brは実質的に
低下する。以下、ずれたt、c。
B−HループをB型と呼ぶ。ずれたループを示す材料は
、高周波数において増大した低磁場透磁率および低下し
たコアー損を示す。一般に、ずれたループを示す材料の
高周波コアー損は、四角いループを示す材料の損失の約
硲である。コアー損が少ない場合、コアー内における熱
の蓄積が少なくなり、一定の操作温度についてより高い
誘導水準でより少量のコア材料の使用が可能となる。
、高周波数において増大した低磁場透磁率および低下し
たコアー損を示す。一般に、ずれたループを示す材料の
高周波コアー損は、四角いループを示す材料の損失の約
硲である。コアー損が少ない場合、コアー内における熱
の蓄積が少なくなり、一定の操作温度についてより高い
誘導水準でより少量のコア材料の使用が可能となる。
合金を焼鈍して最適量よりも多い体積分率の離散結晶粒
子を沈殿させる場合、 d、c、f3−Hループは第3
図に示すように扁平になり、BTはほぼOとなる、以下
、扁平なd、、c、 f3−)(ループをC型と呼ぶ。
子を沈殿させる場合、 d、c、f3−Hループは第3
図に示すように扁平になり、BTはほぼOとなる、以下
、扁平なd、、c、 f3−)(ループをC型と呼ぶ。
扁平なループを示す材料を駆動するのに必要な励磁力は
きわめて大きく、ずれたループまたは四角いループを示
す材料の励磁力の10倍に及ぶ値に達する。
きわめて大きく、ずれたループまたは四角いループを示
す材料の励磁力の10倍に及ぶ値に達する。
高周波において総コアー損の主な成分は渦電流損失であ
り、これは強磁性磁区寸法に伴って低下する。磁区の寸
法を小さくすることにより高周波コアー損を小さくする
ことができる。磁区寸法は磁区壁の固定点としての役割
をもつ離散−(Fg、Si)粒子の沈降釘調整すること
により小さくすることができる。
り、これは強磁性磁区寸法に伴って低下する。磁区の寸
法を小さくすることにより高周波コアー損を小さくする
ことができる。磁区寸法は磁区壁の固定点としての役割
をもつ離散−(Fg、Si)粒子の沈降釘調整すること
により小さくすることができる。
同様に、コアー損が減少する程度は、合金の離散−(F
g、 Si )粒子の体積分率に依存する。体積分率が
30%を越えると、非晶質マトリックスの柔軟な磁性が
低下し始め、結晶質−CFe、Si )粒子が磁区壁の
動きに対し過度の抵抗を生じる。離散結晶質粒子の体積
分率を約1〜30チ の範囲内に調整する必要のあるこ
とが見出された。体積分率は粒子間隔および粒径の関数
である。粒径は約o、1〜0.5TILの範囲であるこ
とが見出された。
g、 Si )粒子の体積分率に依存する。体積分率が
30%を越えると、非晶質マトリックスの柔軟な磁性が
低下し始め、結晶質−CFe、Si )粒子が磁区壁の
動きに対し過度の抵抗を生じる。離散結晶質粒子の体積
分率を約1〜30チ の範囲内に調整する必要のあるこ
とが見出された。体積分率は粒子間隔および粒径の関数
である。粒径は約o、1〜0.5TILの範囲であるこ
とが見出された。
鉄、ホウ素およびケイ素を含有する磁性合金のストリッ
プを製造する際に遭遇する主な問題の1つは、急冷また
は焼鈍の工程でストリップ上に酸化ケイ素層が形成され
るのを防ぐのが困難なことである。酸化ケイ素層はその
ストリップから作成されたコアーの磁気損失を増大させ
、ストリップの磁性をバッチ毎に変動させる。本発明に
おいて鉄−ホウ素−ケイ素含有合金にクロムな添加する
ことにより急冷および焼鈍の工程における酸化ケイ素の
生成が防止されることが見出された。意外にも、本発明
に従って製造されたストリップは平均厚さ約6〜10T
LrrL、好ましくは少なくとも約8nmの酸化クロム
層で覆われている。炭素を添加しない状態では、この酸
化クロム層は焼鈍工程を磁場の存在下または不在下のい
ずれで行っても急冷および焼鈍工程全体を通して一定の
厚さに保たれる。
プを製造する際に遭遇する主な問題の1つは、急冷また
は焼鈍の工程でストリップ上に酸化ケイ素層が形成され
るのを防ぐのが困難なことである。酸化ケイ素層はその
ストリップから作成されたコアーの磁気損失を増大させ
、ストリップの磁性をバッチ毎に変動させる。本発明に
おいて鉄−ホウ素−ケイ素含有合金にクロムな添加する
ことにより急冷および焼鈍の工程における酸化ケイ素の
生成が防止されることが見出された。意外にも、本発明
に従って製造されたストリップは平均厚さ約6〜10T
LrrL、好ましくは少なくとも約8nmの酸化クロム
層で覆われている。炭素を添加しない状態では、この酸
化クロム層は焼鈍工程を磁場の存在下または不在下のい
ずれで行っても急冷および焼鈍工程全体を通して一定の
厚さに保たれる。
ストリップ中に焼鈍工程で生じる一結晶の体積分率を制
御するために、鉄−ホウ素−ケイ素−クロム含有合金に
炭素を約01〜075.好ましくは約0.25〜0.5
原子チの量添加する。炭素の添加は急冷または焼鈍の工
程で形成される表面酸化物層の組成には影響を与えない
。これらの層は急冷工程に際しては、それまでと同様に
それらの酸化クロム組成およびそれらの厚さを維持する
。しかし。
御するために、鉄−ホウ素−ケイ素−クロム含有合金に
炭素を約01〜075.好ましくは約0.25〜0.5
原子チの量添加する。炭素の添加は急冷または焼鈍の工
程で形成される表面酸化物層の組成には影響を与えない
。これらの層は急冷工程に際しては、それまでと同様に
それらの酸化クロム組成およびそれらの厚さを維持する
。しかし。
本発明においてFg −B −3i−Or金合金中炭素
が存在すると、焼鈍工程中に酸化クロム層の厚さが実質
的に増大する。一般に本発明において合金にこのように
炭素を添加することにより酸化クロム層は81′LrI
Lから157L77Lまたはそれ以上程度にまで増大す
る。
が存在すると、焼鈍工程中に酸化クロム層の厚さが実質
的に増大する。一般に本発明において合金にこのように
炭素を添加することにより酸化クロム層は81′LrI
Lから157L77Lまたはそれ以上程度にまで増大す
る。
鉄約75〜83原子チ、ホウ素約15〜17原子係、ケ
イ素約4,5〜5.5原子俤、炭素約0.1〜0.75
原子チ、およびクロム約1〜3原子係を含有する非晶質
合金に関して、離散結晶質粒子の最適分布を誘発するた
めに円環形試料を約425〜445℃の温度に約3〜5
時間、好ましくは約3〜4時間加熱しなければならない
。明確な時間および温度は合金の組成および急冷速度に
依存する。鉄−ホウ素を基礎とする合金、たとえば 2g76B□681−5.25Cτ2Co、75および
Fe76B16S’4.8Cr2−5G5.25に関し
ては、離散結晶質粒子〔粒子直径D)は第4図に示すよ
うに星形の−(Fe、Si)析出物である。
イ素約4,5〜5.5原子俤、炭素約0.1〜0.75
原子チ、およびクロム約1〜3原子係を含有する非晶質
合金に関して、離散結晶質粒子の最適分布を誘発するた
めに円環形試料を約425〜445℃の温度に約3〜5
時間、好ましくは約3〜4時間加熱しなければならない
。明確な時間および温度は合金の組成および急冷速度に
依存する。鉄−ホウ素を基礎とする合金、たとえば 2g76B□681−5.25Cτ2Co、75および
Fe76B16S’4.8Cr2−5G5.25に関し
ては、離散結晶質粒子〔粒子直径D)は第4図に示すよ
うに星形の−(Fe、Si)析出物である。
析出物の寸法は約0.1〜0.3mである。好ましい平
均粒子間隔(d)は約1.0〜Ionの範囲にあり、こ
れは約0.01〜0.15の最適体積分率に対応する。
均粒子間隔(d)は約1.0〜Ionの範囲にあり、こ
れは約0.01〜0.15の最適体積分率に対応する。
電子顕微鏡写真から粒子間隔を計算するためには。
二次元画像上に三次元の配列が突出している点を説明す
ることに注意を払わなければならない。
ることに注意を払わなければならない。
コアー損の低いことが特に有利である用途には。
エネルギー貯蔵インダクター、パルス変成器、スイッチ
方式電源用変成器などが含まれる。
方式電源用変成器などが含まれる。
上記のように1本発明方法により焼鈍された合金は約1
50℃までの温度で安定な改良された磁性を示す。本発
明合金の温度安定性のため、これらを高温での用途に利
用することができる。
50℃までの温度で安定な改良された磁性を示す。本発
明合金の温度安定性のため、これらを高温での用途に利
用することができる。
本発明合金からなるコアーを電磁気装置たとえば変成器
に用いた場合、これらは低い電力損失および低い励磁電
力要求を示し、従って電磁気装置がより効率的に操作さ
れる。コアーを循環する渦電流のため磁気コアーに生じ
るエネルギー損失は。
に用いた場合、これらは低い電力損失および低い励磁電
力要求を示し、従って電磁気装置がより効率的に操作さ
れる。コアーを循環する渦電流のため磁気コアーに生じ
るエネルギー損失は。
熱の形でエネルギーを消失させる。本発明合金から製造
されたコアーは操作に要する電気エネルギーが小さく、
生じる熱も少ない。変成器コアーを冷却するために冷却
装置を必要とする用途、たとえば航空機における変成器
および大型変成器の場合は、本発明合金から製造された
コアーにより生じる。従来よりも少量の熱を除去するた
めに必要な冷却装置はより少ないので、さらに節約が実
現される。さらに1本発明合金から製造されたコアーの
高い磁化および高い効率のため、一定の容量定格に対し
重量の少ないコアーが得られる。
されたコアーは操作に要する電気エネルギーが小さく、
生じる熱も少ない。変成器コアーを冷却するために冷却
装置を必要とする用途、たとえば航空機における変成器
および大型変成器の場合は、本発明合金から製造された
コアーにより生じる。従来よりも少量の熱を除去するた
めに必要な冷却装置はより少ないので、さらに節約が実
現される。さらに1本発明合金から製造されたコアーの
高い磁化および高い効率のため、一定の容量定格に対し
重量の少ないコアーが得られる。
下記の実施例は本発明をより良く理解するために提示さ
れる。本発明の原理および実際を説明するために示され
た特定の手法、条件、材料1割合および報告されたデー
タは例示であり1本発明の範囲を制限するものと解すべ
きでない。
れる。本発明の原理および実際を説明するために示され
た特定の手法、条件、材料1割合および報告されたデー
タは例示であり1本発明の範囲を制限するものと解すべ
きでない。
実施例
組成”76.85B16.IS’4.8Cr2COJ5
をもつ幅0.0254乳の合金リボン約0.030
ki9を、 内径および外径それぞれ0.039777
1および0.0445mのステアタイトコアーに巻きつ
げることにより円環形の被験試料を作成した。合金は銅
−(リリウム支持体上でこの合金を急冷することにより
リボンに鋳造された。この円環に高温マグネチックワイ
ヤ150回を巻きつけて、焼鈍のために795.8 A
/mまでの円周方向直流磁場を与えた。磁場を与えずに
焼鈍すべき試料には高温マグネチックワイヤを施さなか
った。試料な不活性ガス雰囲気中で420〜450℃の
温度において2〜4.5時間焼鈍し、磁場のもとで焼鈍
すべき試料と指示された試料には加熱および冷却中に7
95.8 A/mの磁場を与えた。
をもつ幅0.0254乳の合金リボン約0.030
ki9を、 内径および外径それぞれ0.039777
1および0.0445mのステアタイトコアーに巻きつ
げることにより円環形の被験試料を作成した。合金は銅
−(リリウム支持体上でこの合金を急冷することにより
リボンに鋳造された。この円環に高温マグネチックワイ
ヤ150回を巻きつけて、焼鈍のために795.8 A
/mまでの円周方向直流磁場を与えた。磁場を与えずに
焼鈍すべき試料には高温マグネチックワイヤを施さなか
った。試料な不活性ガス雰囲気中で420〜450℃の
温度において2〜4.5時間焼鈍し、磁場のもとで焼鈍
すべき試料と指示された試料には加熱および冷却中に7
95.8 A/mの磁場を与えた。
焼鈍した値を表Iおよび■に示す。表■および■の合金
はそれぞれ本発明の範囲内にある。表■の焼鈍法は本発
明の範囲外であり、一方表■の焼鈍法は本発明の範囲内
にある。
はそれぞれ本発明の範囲内にある。表■の焼鈍法は本発
明の範囲外であり、一方表■の焼鈍法は本発明の範囲内
にある。
焼鈍した試料(磁場あり、磁場なし共に)中の一結晶の
存在、および−結晶粒子の体積分率は5透過型電子顕微
鏡により測定なれた。これらの・ぐラメ−ターならびに
50kHz、01Tにおける電力損および励磁力を焼鈍
条件の関数として表Vに示す。
存在、および−結晶粒子の体積分率は5透過型電子顕微
鏡により測定なれた。これらの・ぐラメ−ターならびに
50kHz、01Tにおける電力損および励磁力を焼鈍
条件の関数として表Vに示す。
鋳造し放しの組成物および焼鈍した組成物の試料を二次
イオン質量分析(SIMS)および走査型オージェ(A
uger )顕微鏡(SAM)により表面酸化について
分析した。すべての試料の曇った面および光沢のある面
につき分析を行った。試料1は急冷および焼鈍双方の条
件下でf3nm の酸化ケイ素層を示した。これは先き
に分析したFt −B−EEi系のリボンに一般的であ
る。酸化ケイ素の層はリボンの曇った面および光沢のあ
る面双方に同程度に存在していた。試料2も試料1と同
様にリボンの曇った面および光沢のある面双方につき同
程度の厚さを示した。しかし試料2の酸化物層の組成は
酸化クロムであると判定された。酸化物層の厚さは焼鈍
後も変化せず、その組成も変化しなかった。
イオン質量分析(SIMS)および走査型オージェ(A
uger )顕微鏡(SAM)により表面酸化について
分析した。すべての試料の曇った面および光沢のある面
につき分析を行った。試料1は急冷および焼鈍双方の条
件下でf3nm の酸化ケイ素層を示した。これは先き
に分析したFt −B−EEi系のリボンに一般的であ
る。酸化ケイ素の層はリボンの曇った面および光沢のあ
る面双方に同程度に存在していた。試料2も試料1と同
様にリボンの曇った面および光沢のある面双方につき同
程度の厚さを示した。しかし試料2の酸化物層の組成は
酸化クロムであると判定された。酸化物層の厚さは焼鈍
後も変化せず、その組成も変化しなかった。
試料3〜5も急冷条件下では試料1〜2と実質的に等し
い厚さの酸化物層を含んでいた。しかし焼成後に酸化物
層は約8または9ルmから約15ルmに増大した。試料
3〜5の酸化物層の組成は酸化クロムであると判定され
た。リボンの分析、それらの酸化物層の厚さおよび組成
な表■に示す。
い厚さの酸化物層を含んでいた。しかし焼成後に酸化物
層は約8または9ルmから約15ルmに増大した。試料
3〜5の酸化物層の組成は酸化クロムであると判定され
た。リボンの分析、それらの酸化物層の厚さおよび組成
な表■に示す。
表 ■
2時が420℃、磁場なし 23294時間30分
、420°C1磁場なし 13433時間30分、4
50’C,磁場なし 11544時間30分、磁場な
し 16 149表 ■ 3時間、425℃、磁場なし io
243時間30分、435℃、磁場なし 5
144時間、425℃、磁場なし 8193時
間、445℃、磁場なし 6274時間、445
℃、磁場なし 823表 V ”79B16S’5 2時間、43
0℃795.8んへ1円周方向磁場 Fgyc+BtsSZs 3 %
時間、 4ao℃795.8A廓5円周方向磁場 Fe12.85B16.lSi4,8Cr2GO,25
2時間、435℃。
、420°C1磁場なし 13433時間30分、4
50’C,磁場なし 11544時間30分、磁場な
し 16 149表 ■ 3時間、425℃、磁場なし io
243時間30分、435℃、磁場なし 5
144時間、425℃、磁場なし 8193時
間、445℃、磁場なし 6274時間、445
℃、磁場なし 823表 V ”79B16S’5 2時間、43
0℃795.8んへ1円周方向磁場 Fgyc+BtsSZs 3 %
時間、 4ao℃795.8A廓5円周方向磁場 Fe12.85B16.lSi4,8Cr2GO,25
2時間、435℃。
795.8A/m、円周方向磁場
”7g、5sBxs、xS’4.s”2Co、zs
B残時間・435℃795.8A7’m、円周方向
磁場 Fa B Si (ErG 3W時間
、435℃76+85 五6.1 4+8
2 0+25”76.85B16.1””4JCr2
C0,253V2時間・450℃r95.slVm、
円周方向’tB場Fg76.85B□6.□Si4.8
Cr2co、253V2時間、 45o℃”76.85
B16.lSi4.8Cr2C0,253時間、425
℃795.81Vm、円u方向磁s ”76.85B16.IS’4,8Cr2G0.25
4時間、445℃795.8A/m、円周方向i場 ”ys、5sBxs、1S4tsCrzCo、zs
4時間、425℃795.8 A/77L 、円周方
向磁場”76.85B16.1””4.8Cr2COJ
3時間、445℃795.8A/yx、円周方
向磁場 表■ (続) ” 79 B16 S i 5 非
晶質マトリックス内に離散粒子なし F6□9B□6Si5 −結晶1体
積分率〈15%”76.85B16.lSi4,8Cr
2GO,25非晶質マトリックス内に離散粒子なし Fg B F3i Cr0 −結晶、体
積分率〈15%76.85 16.1 4+8 2
0.SツFe76.85B16.1””4.8Cτ2
CO625−結晶1体積分率(15%F’76.85B
16.1”” 4.8Cr2C0,25−結晶1体積分
率〈15チ”76.85B16.1””4.8Or2C
O025−結晶、体積分率(15%”76.85B16
−IS’4,8Cγ2co、25 −結晶、体積分
率(15%Fg B E3i CrC−結晶、
体積分率〈15%76+85 16+1 4.8
2 0.25Fe B Si CrG
−結晶1体積分率〈15%76+85 16+J、
4.8 2 0.6”76.85B16.IS’
4.80r2C0,25−結晶、体積分率〈15%表
V (続) ”79B16””5 25 47
”79B16S’5 5 18
”76.85B16.IS’4,8Cr2CO,251
637”76.85B16.1””4.8Cγ2C0,
25514”76.85B16j””4.8Cτ2CO
,,25514”76.85B16.IS’4.8Cr
2COJ 8 65”76.85B16.1
SL4.8Or2GO,25978”76.85B16
j”’4.8Cr2GO,251021Ft76.85
B16.1SL4.8Or2G0.25 8
26”76.85B16.l5L4JC72CQ、25
8 19”76.85B16.1Sz4.8
=2C0,2572”表 ■ ” ”79B16S’5 8 8
2 FgyyB16SZsCrz 8
8” ”76.85B16.lSi4゜8Cτ
2C0,25818’ ”76B16Si5.25C
τ2CO17591551g76B□6.、E3JGr
2cj1 8 161”79B16”’5
16 472F#77B□6Si5C
r2829 ” ”76.85B16.IS’4.8Or2G0.
25 5144 ”76B16Si5.25Or2
0O1759205Fg−r6Bse、sSL sG”
2Gs 10 21表■ (続) 焼成:435℃、3時間30分、 795.8に値1円
周方向磁場I Ft 7.B 1s S L s
酸化ケイ素2 ”77B1
6SL5Cr2 酸化クロム”
”76.85B16j”” 4JCr2CO,25酸
化クロム4”76816”5.25C12GO775酸
化クロム5Fe76B16..5L5Cr2C1酸化ク
ロム以上、本発明をかなり詳細に記述したが、この詳述
に厳密に固執する必要はな(、当業者には各種の変更お
よび修正が自明であることは理解されるであろう。これ
らはすべて特許請求の範囲に定められた本発明の範囲内
に包含される。
B残時間・435℃795.8A7’m、円周方向
磁場 Fa B Si (ErG 3W時間
、435℃76+85 五6.1 4+8
2 0+25”76.85B16.1””4JCr2
C0,253V2時間・450℃r95.slVm、
円周方向’tB場Fg76.85B□6.□Si4.8
Cr2co、253V2時間、 45o℃”76.85
B16.lSi4.8Cr2C0,253時間、425
℃795.81Vm、円u方向磁s ”76.85B16.IS’4,8Cr2G0.25
4時間、445℃795.8A/m、円周方向i場 ”ys、5sBxs、1S4tsCrzCo、zs
4時間、425℃795.8 A/77L 、円周方
向磁場”76.85B16.1””4.8Cr2COJ
3時間、445℃795.8A/yx、円周方
向磁場 表■ (続) ” 79 B16 S i 5 非
晶質マトリックス内に離散粒子なし F6□9B□6Si5 −結晶1体
積分率〈15%”76.85B16.lSi4,8Cr
2GO,25非晶質マトリックス内に離散粒子なし Fg B F3i Cr0 −結晶、体
積分率〈15%76.85 16.1 4+8 2
0.SツFe76.85B16.1””4.8Cτ2
CO625−結晶1体積分率(15%F’76.85B
16.1”” 4.8Cr2C0,25−結晶1体積分
率〈15チ”76.85B16.1””4.8Or2C
O025−結晶、体積分率(15%”76.85B16
−IS’4,8Cγ2co、25 −結晶、体積分
率(15%Fg B E3i CrC−結晶、
体積分率〈15%76+85 16+1 4.8
2 0.25Fe B Si CrG
−結晶1体積分率〈15%76+85 16+J、
4.8 2 0.6”76.85B16.IS’
4.80r2C0,25−結晶、体積分率〈15%表
V (続) ”79B16””5 25 47
”79B16S’5 5 18
”76.85B16.IS’4,8Cr2CO,251
637”76.85B16.1””4.8Cγ2C0,
25514”76.85B16j””4.8Cτ2CO
,,25514”76.85B16.IS’4.8Cr
2COJ 8 65”76.85B16.1
SL4.8Or2GO,25978”76.85B16
j”’4.8Cr2GO,251021Ft76.85
B16.1SL4.8Or2G0.25 8
26”76.85B16.l5L4JC72CQ、25
8 19”76.85B16.1Sz4.8
=2C0,2572”表 ■ ” ”79B16S’5 8 8
2 FgyyB16SZsCrz 8
8” ”76.85B16.lSi4゜8Cτ
2C0,25818’ ”76B16Si5.25C
τ2CO17591551g76B□6.、E3JGr
2cj1 8 161”79B16”’5
16 472F#77B□6Si5C
r2829 ” ”76.85B16.IS’4.8Or2G0.
25 5144 ”76B16Si5.25Or2
0O1759205Fg−r6Bse、sSL sG”
2Gs 10 21表■ (続) 焼成:435℃、3時間30分、 795.8に値1円
周方向磁場I Ft 7.B 1s S L s
酸化ケイ素2 ”77B1
6SL5Cr2 酸化クロム”
”76.85B16j”” 4JCr2CO,25酸
化クロム4”76816”5.25C12GO775酸
化クロム5Fe76B16..5L5Cr2C1酸化ク
ロム以上、本発明をかなり詳細に記述したが、この詳述
に厳密に固執する必要はな(、当業者には各種の変更お
よび修正が自明であることは理解されるであろう。これ
らはすべて特許請求の範囲に定められた本発明の範囲内
に包含される。
第1図は沈降した離散結晶粒子が存在しない非晶質合金
についての誘導と磁化力の関係を示すグラフである。 第2図は最適な体積分率の離散粒子な含有する本発明の
非晶質合金についての誘導と磁化力の関係を示すグラフ
である。 第3図は最適量よりも多い体積分率の離散粒子を含有す
る非晶質合金についての誘導と磁化力の関係を示すグラ
フである。 第4図は本発明の合金の略図であり、その中の離散粒子
の分布を示し、Dは粒子直径、dは粒子間隔を表わす。 特許出願人 アライ)パ・コーポレーション(外4名
) FIG、4 第1頁の続き @発 明 者 ロナルド・ジョセフ・ジャコブ・マーチ
ス アメリカ合衆国ニューシャーシ ー州07940マジソン・エイ−1 ドライブ19 0発 明 者 ニコラス・ジョン・デクリストファロ アメリカ合衆国ニューシャーシ ー州07928チャタム・ヒルサイ ド・アベニュー114
についての誘導と磁化力の関係を示すグラフである。 第2図は最適な体積分率の離散粒子な含有する本発明の
非晶質合金についての誘導と磁化力の関係を示すグラフ
である。 第3図は最適量よりも多い体積分率の離散粒子を含有す
る非晶質合金についての誘導と磁化力の関係を示すグラ
フである。 第4図は本発明の合金の略図であり、その中の離散粒子
の分布を示し、Dは粒子直径、dは粒子間隔を表わす。 特許出願人 アライ)パ・コーポレーション(外4名
) FIG、4 第1頁の続き @発 明 者 ロナルド・ジョセフ・ジャコブ・マーチ
ス アメリカ合衆国ニューシャーシ ー州07940マジソン・エイ−1 ドライブ19 0発 明 者 ニコラス・ジョン・デクリストファロ アメリカ合衆国ニューシャーシ ー州07928チャタム・ヒルサイ ド・アベニュー114
Claims (9)
- (1) その構造の少なくとも85係が非晶質金属7
トリツクスの形であり、かつ本質的に鉄約75〜83原
子係、クロム約1〜3原子係、ホウ素約15〜17原子
係、ケイ素約4.5〜5.5原子係、および炭素約01
〜075原子係からなる組成をもつ磁性合金であって、
この合金が非晶質金属マ) IJソックス中おけるその
成分の離散粒子の析出を誘発させかつこのマトリックス
の表面に酸化物層を形成させるのに十分な温度および時
間において焼鈍されたものである合金。 - (2)合金が磁場の存在下で焼鈍されたものである、特
許請求の範囲第1項記載の合金。 - (3)合金が磁場の不在下で焼鈍されたものである。 特許請求の範囲第1項記載の合金。
- (4)酸化物層が主としてクロムから構成される、特許
請求の範囲第1項記載の合金。 - (5)酸化物層が少なくとも約15 nmの厚さをもつ
。 特許請求の範囲第4項記載の合金。 - (6)焼鈍温度が約425〜445℃の範囲にあり。 焼鈍時間が約3〜4時間の範囲にある。特許請求の範囲
第1項記載の合金。 - (7)組成が本質的に鉄約76〜77原子チ、クロム約
1.5〜2.5原子チ、ホウ素約15,8〜163原子
チ。 ケイ素約4.75〜5.25原子チ、および炭素約02
〜0.5原子チからなる。特許請求の範囲第1項記載の
合金。 - (8)本質的にFe76.85Cr2B16jSi4.
8C0,25’数字は原子チ)の組成からなる、特許請
求の範囲第1項記載の合金。 - (9) その構造の少なくとも85チが非晶質マトリ
ックスの形である、特許請求の範囲第1項記載の合金。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US06/475,782 US4473413A (en) | 1983-03-16 | 1983-03-16 | Amorphous alloys for electromagnetic devices |
US475782 | 1983-03-16 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59179756A true JPS59179756A (ja) | 1984-10-12 |
JPH0360906B2 JPH0360906B2 (ja) | 1991-09-18 |
Family
ID=23889122
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59050799A Granted JPS59179756A (ja) | 1983-03-16 | 1984-03-16 | 電磁気装置用の非晶質合金 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4473413A (ja) |
EP (1) | EP0119432B1 (ja) |
JP (1) | JPS59179756A (ja) |
KR (1) | KR870002189B1 (ja) |
AU (1) | AU566152B2 (ja) |
CA (1) | CA1223756A (ja) |
DE (1) | DE3470814D1 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61250162A (ja) * | 1985-04-26 | 1986-11-07 | Toshiba Corp | 非晶質合金磁心の製造方法 |
JPS6267149A (ja) * | 1985-09-18 | 1987-03-26 | Tohoku Metal Ind Ltd | 超急冷複合磁性合金 |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5110378A (en) * | 1988-08-17 | 1992-05-05 | Allied-Signal Inc. | Metallic glasses having a combination of high permeability, low coercivity, low ac core loss, low exciting power and high thermal stability |
DE3484231D1 (de) * | 1983-11-05 | 1991-04-11 | Tdk Corp | Kern eines stoerungsfilters aus einer amorphen legierung. |
JPS60106949A (ja) * | 1983-11-15 | 1985-06-12 | Unitika Ltd | 疲労特性と靭性に優れた非晶質鉄基合金 |
SE443264B (sv) * | 1984-04-03 | 1986-02-17 | Hoeganaes Ab | Kiselhaltigt stalpulver for framstellning av sintrade mjukmagnetiska kroppar |
US4602951A (en) * | 1985-09-12 | 1986-07-29 | Westinghouse Electric Corp. | Production of iron-boron-silicon composition for an amorphous alloy without using ferroboron |
US4834814A (en) * | 1987-01-12 | 1989-05-30 | Allied-Signal Inc. | Metallic glasses having a combination of high permeability, low coercivity, low AC core loss, low exciting power and high thermal stability |
US5494760A (en) * | 1991-12-24 | 1996-02-27 | Gebrueder Sulzer Aktiengesellschaft | Object with an at least partly amorphous glass-metal film |
US6749695B2 (en) | 2002-02-08 | 2004-06-15 | Ronald J. Martis | Fe-based amorphous metal alloy having a linear BH loop |
JP4636365B2 (ja) * | 2004-07-05 | 2011-02-23 | 日立金属株式会社 | Fe基非晶質合金薄帯および磁心体 |
WO2011130699A2 (en) * | 2010-04-16 | 2011-10-20 | C3 International, Llc | Methods for providing surface treatments in a magnetic field |
CN102509603B (zh) * | 2011-12-31 | 2015-10-07 | 青岛云路新能源科技有限公司 | 铁基非晶态软磁材料及其制备方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5794554A (en) * | 1980-09-26 | 1982-06-12 | Allied Chem | Iron base born containing magnetic amorphous alloy and enhancement of magnetism thereof |
JPS57169207A (en) * | 1981-04-10 | 1982-10-18 | Nippon Steel Corp | Amorphous alloy with excellent constant permeability and manufacture thereof |
JPS5842759A (ja) * | 1981-08-21 | 1983-03-12 | アライド・コ−ポレ−シヨン | 高い透磁率、低い磁気歪、低い保磁力、低い交流コア損、低い励磁電力および高い熱安定性を合わせもつ金属ガラス |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3940293A (en) * | 1972-12-20 | 1976-02-24 | Allied Chemical Corporation | Method of producing amorphous cutting blades |
US3856513A (en) * | 1972-12-26 | 1974-12-24 | Allied Chem | Novel amorphous metals and amorphous metal articles |
US4144058A (en) * | 1974-09-12 | 1979-03-13 | Allied Chemical Corporation | Amorphous metal alloys composed of iron, nickel, phosphorus, boron and, optionally carbon |
US4116682A (en) * | 1976-12-27 | 1978-09-26 | Polk Donald E | Amorphous metal alloys and products thereof |
US4264358A (en) * | 1979-02-12 | 1981-04-28 | California Institute Of Technology | Semiconducting glasses with flux pinning inclusions |
US4409041A (en) * | 1980-09-26 | 1983-10-11 | Allied Corporation | Amorphous alloys for electromagnetic devices |
-
1983
- 1983-03-16 US US06/475,782 patent/US4473413A/en not_active Expired - Lifetime
-
1984
- 1984-01-25 AU AU23762/84A patent/AU566152B2/en not_active Ceased
- 1984-02-08 DE DE8484101251T patent/DE3470814D1/de not_active Expired
- 1984-02-08 EP EP84101251A patent/EP0119432B1/en not_active Expired
- 1984-03-07 KR KR1019840001150A patent/KR870002189B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1984-03-07 CA CA000449044A patent/CA1223756A/en not_active Expired
- 1984-03-16 JP JP59050799A patent/JPS59179756A/ja active Granted
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5794554A (en) * | 1980-09-26 | 1982-06-12 | Allied Chem | Iron base born containing magnetic amorphous alloy and enhancement of magnetism thereof |
JPS57169207A (en) * | 1981-04-10 | 1982-10-18 | Nippon Steel Corp | Amorphous alloy with excellent constant permeability and manufacture thereof |
JPS5842759A (ja) * | 1981-08-21 | 1983-03-12 | アライド・コ−ポレ−シヨン | 高い透磁率、低い磁気歪、低い保磁力、低い交流コア損、低い励磁電力および高い熱安定性を合わせもつ金属ガラス |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61250162A (ja) * | 1985-04-26 | 1986-11-07 | Toshiba Corp | 非晶質合金磁心の製造方法 |
JPS6267149A (ja) * | 1985-09-18 | 1987-03-26 | Tohoku Metal Ind Ltd | 超急冷複合磁性合金 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0360906B2 (ja) | 1991-09-18 |
US4473413A (en) | 1984-09-25 |
AU2376284A (en) | 1984-09-20 |
DE3470814D1 (en) | 1988-06-01 |
EP0119432A2 (en) | 1984-09-26 |
EP0119432A3 (en) | 1985-05-15 |
CA1223756A (en) | 1987-07-07 |
EP0119432B1 (en) | 1988-04-27 |
KR840007903A (ko) | 1984-12-11 |
AU566152B2 (en) | 1987-10-08 |
KR870002189B1 (ko) | 1987-12-28 |
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Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
EXPY | Cancellation because of completion of term |