TW201817897A - 軟磁性合金及磁性零件 - Google Patents
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Abstract
本發明提供一種軟磁性合金及磁性零件,兼具高的飽和磁通密度及低的矯頑力,且同時具有優異的軟磁特性和高的耐蝕性。軟磁性合金由組成式((Fe(1-(α+β))X1αX2β)(1-(a+b+c+d+e))MaBbPcCrdCue)1-fCf構成。X1為選自Co及Ni所組成之族群的1種以上,X2為選自W、Al、Mn、Ag、Zn、Sn、As、Sb、Bi、N、O及稀土元素所組成之族群的1種以上,M為選自Nb、Hf、Zr、Ta、Ti、Mo及V所組成之族群的1種以上。0.020≦a≦0.060、0.020≦b≦0.060、0≦c≦0.030、0≦d≦0.050、0≦e≦0.030、0<f≦0.040、α≧0、β≧0、0≦α+β≦0.50。
Description
本發明關於軟磁性合金及磁性零件。
近年來,在電子、資訊、通信設備等中尋求低耗電量化及高效率化。進而,面向低碳化社會,上述要求進一步增強。因此,在電子、資訊、通信設備等的電源電路中也尋求能量損失的降低、電源效率的提高等。而且,對用於電源電路的磁元件的磁芯尋求飽和磁通密度的提高及磁芯損耗(磁芯損失)的降低。如果降低磁芯損耗,則電能的損耗就減小,實現高效率化及節能化。
專利文獻1中記載有Fe-B-M(M=Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Mo、W)系的軟磁性非晶質合金。本軟磁性非晶質合金與市售的非晶態Fe相比,具有高的飽和磁通密度,具有良好的軟磁特性。
專利文獻1:日本特許第3342767號
此外,作為降低上述磁芯的磁芯損耗的方法,考慮降低構成磁芯的磁性體的矯頑力。
但是,專利文獻1的合金組合物因為不含能夠改善耐蝕性的元素,所以在大氣中的製造極其困難。進而,專利 文獻1的合金組合物即使在氮氣氛或氬氣氛中通過水霧化法或氣體霧化法製造,也存在會因氣氛中的少量的氧而氧化的問題。
本發明的目的在於提供一種軟磁性合金等,兼具高的飽和磁通密度及低的矯頑力,且同時具有優異的軟磁特性和高的耐蝕性。
為了實現上述目的,本發明提供一種軟磁性合金,其由組成式((Fe(1-(α+β))X1αX2β)(1-(a+b+c+d+e))MaBbPcCrdCue)1-fCf構成,X1為選自Co及Ni所組成之族群的1種以上,X2為選自W、Al、Mn、Ag、Zn、Sn、As、Sb、Bi、N、O及稀土元素所組成之族群的1種以上,M為選自Nb、Hf、Zr、Ta、Ti、Mo及V所組成之族群的1種以上,0.020≦b≦0.060 0≦c≦0.030 0≦d≦0.050 0≦e≦0.030 0<f≦0.040 α≧0 β≧0 0≦α+β≦0.50。
由於本發明的軟磁性合金具有上述特徵,因此易於通過實施熱處理而成為鐵基奈米結晶合金的結構。進而,具 有上述特徵的鐵基奈米結晶合金的耐蝕性高。而且,具有上述特徵的鐵基奈米結晶合金成為具有飽和磁通密度高且矯頑力低這種優選的軟磁特性的軟磁性合金。
本發明的軟磁性合金中,也可以是,0.91≦1-(a+b+c+d+e)≦0.95。
本發明的軟磁性合金中,也可以是,0≦α{1-(a+b+c+d+e)}(1-f)≦0.40。
本發明的軟磁性合金中,也可以是,α=0。
本發明的軟磁性合金中,也可以是,0≦β{1-(a+b+c+d+e)}(1-f)≦0.030。
本發明的軟磁性合金中,也可以是,β=0。
本發明的軟磁性合金中,也可以是,α=β=0。
本發明的軟磁性合金中,也可以是由非晶質及初期微晶構成,並且具有所述初期微晶存在於所述非晶質中的奈米異質結構
所述初期微晶的平均粒徑也可以為0.3~10nm。
本發明的軟磁性合金中,也可以是,具有由鐵基奈米結晶構成的結構。
所述鐵基奈米結晶的平均粒徑也可以為5.0~30nm。
本發明的軟磁性合金也可為薄帶形狀。
本發明的軟磁性合金也可以為粉末形狀。
另外,本發明的磁性零件由上述軟磁性合金構成。
以下,對本發明的實施方式進行說明。
本實施方式的軟磁性合金具有Fe、M、B、P、Cr、Cu及C的含量分別在特定的範圍內的組成。具體而言,一種軟磁性合金,由組成式((Fe(1-(α+β))X1αX2β)(1-(a+b+c+d+e))MaBbPcCrdCue)1-fCf構成,X1為選自Co及Ni所組成之族群的1種以上,X2為選自W、Al、Mn、Ag、Zn、Sn、As、Sb、Bi、N、O及稀土元素所組成之族群的1種以上,M為選自Nb、Hf、Zr、Ta、Ti、Mo及V所組成之族群的1種以上,0.020≦a≦0.060 0.020≦b≦0.060 0≦c≦0.030 0≦d≦0.050 0<f≦0.040 α≧0 β≧0 0≦α+β≦0.50。
具有上述組成的軟磁性合金易於成為由非晶質構成且不含由平均粒徑大於20nm的結晶構成的結晶相的軟磁性合金。而且,在對這個軟磁性合金進行熱處理的情況下,容易析出鐵基奈米結晶。而且,含有鐵基奈米結晶的軟磁性合金容 易具有良好的磁特性。進而,易於成為耐蝕性也優異的軟磁性合金。
換言之,具有上述組成的軟磁性合金易於成為使鐵基奈米結晶析出的軟磁性合金的初始原料。
鐵基奈米結晶,是指粒徑為奈米級且Fe的結晶結構為bcc(體心立方晶格結構)的結晶。在本實施方式中,優選使平均粒徑為5~30nm的鐵基奈米結晶析出。這種析出了鐵基奈米結晶的軟磁性合金的飽和磁通密度高,矯頑力容易降低。
此外,熱處理前的軟磁性合金也可以完全僅由非晶質構成,但優選由非晶質及粒徑為20nm以下的初期微晶構成且具有上述初期微晶存在於上述非晶質中的奈米異質結構。由於具有初期微晶存在於非晶質中的奈米異質結構,從而在熱處理時容易析出鐵基奈米結晶。此外,在本實施方式中,上述初期微晶優選平均粒徑為0.3~10nm。
以下,對本實施方式的軟磁性合金的各成分進行詳細說明。
M為選自Nb、Hf、Zr、Ta、Ti、Mo及V所組成之族群的1種以上。另外,作為M的種類,優選為選自Nb、Hf及Zr中所組成之族群1種以上。由於M的種類為選自Nb、Hf及Zr所組成之族群的1種以上,從而矯頑力容易降低。
M的含量(a)滿足0.020≦a≦0.060。M的含量(a)優選為0.020≦a≦0.045。在a小的情況下,在熱處理前的軟磁性合金中容易產生由粒徑大於15nm的結晶構成的結晶相, 通過熱處理不能使鐵基奈米結晶析出,矯頑力容易變高。在a大的情況下,矯頑力容易變高,耐蝕性容易降低。
B的含量(b)滿足0.020≦b≦0.060。另外,優選為滿足0.020≦b≦0.050。在b小的情況下,非晶質形成能力容易降低。在b大的情況下,矯頑力容易提高,耐蝕性容易降低。
P的含量(c)滿足0≦c≦0.030。也可以是c=0。即,也可以不含P。通過含有P,矯頑力容易降低。另外,優選為滿足0.010≦c≦0.020。在c大的情況下,飽和磁通密度容易降低。另一方面,在不含P的情況下(c=0),與含有P的情況相比,具有飽和磁通密度高的優點。
Cr的含量(d)滿足0≦d≦0.050。也可以是d=0。即,也可以不含Cr。另外,優選為滿足0.005≦d≦0.020。在d大的情況下,耐蝕性容易提高,但飽和磁通密度容易降低。另一方面,在不含Cr的情況下(d=0),與含有Cr的情況相比,具有飽和磁通密度高的優點。
Cu的含量(e)滿足0≦e≦0.030。也可以是e=0。即,也可以不含Cu。通過含有Cu,矯頑力容易降低。優選為滿足0.005≦e≦0.030。在e大的情況下,非晶質形成能力降低,不能維持非晶質相。另一方面,在不含Cu的情況下(e=0),與含有Cu的情況相比,具有飽和磁通密度高的優點。
關於Fe的含量(1-(a+b+c+d+e)),沒有特別限制,但優選滿足0.91≦1-(a+b+c+d+e)≦0.95。在0.91≦1-(a+b+c+d+e)的情況下,容易提高飽和磁通密度。 另外,在1-(a+b+c+d+e)≦0.95的情況下,非晶質形成能力提高,矯頑力降低,軟磁特性容易變得良好。
C的含量(f)滿足0<f≦0.040。優選為0.001≦f≦0.040,更優選為0.005≦f≦0.030。在f=0、即不含C的情況下,在熱處理前的軟磁性合金中容易產生由粒徑大於15nm的結晶構成的結晶相,通過熱處理不能使鐵基奈米結晶析出,矯頑力容易變高。另外,即使不產生結晶相,最終獲得的軟磁性合金的矯頑力也容易增大。另外,即使f過大的情況下,也容易產生結晶相。
另外,本實施方式的軟磁性合金中,也可以由X1和/或X2取代Fe的一部分。
X1為選自Co及Ni所組成之族群的1種以上。X1的含量(α)也可以為α=0。即,也可以不含X1。另外,將組成整體的原子數設為100at%,X1的原子數優選為40at%以下。即,優選滿足0≦α{1-(a+b+c+d+e)}(1-f)≦0.40。
X2為選自W、Al、Mn、Ag、Zn、Sn、As、Sb、Bi、N、O及稀土類元素所組成之族群的1種以上。X2的含量(β)也可以為β=0。即,也可以不含X2。另外,將組成整體的原子數設為100at%,X2的原子數優選為3.0at%以下。即,優選滿足0≦β{1-(a+b+c+d+e)}(1-f)≦0.030。
作為將Fe取代為X1和/或X2的取代量的範圍,基於原子數設為Fe的一半以下。即,設為0≦α+β≦0.50。在α+β>0.50的情況下,通過熱處理難以形成鐵基奈米結晶合金。
此外,本實施方式的軟磁性合金中,作為不可避免的雜質,也可以含有上述以外的元素。例如,相對於軟磁性合金100重量%,可含有1重量%以下的不可避免的雜質。
以下,對本實施方式的軟磁性合金的製造方法進行說明。
本實施方式的軟磁性合金的製造方法沒有特別限定。例如有通過單輥法製造本實施方式的軟磁性合金的薄帶的方法。另外,薄帶也可以是連續薄帶。
在單輥法中,首先,準備最終得到的軟磁性合金中所含的各金屬元素的純金屬,以與最終得到的軟磁性合金成為同組成的方式進行秤量。而且,將各金屬元素的純金屬熔解並混合,製作母合金。此外,上述純金屬的熔解方法沒有特別限制,但例如有在腔室內抽真空後通過高頻加熱使其熔解的方法。此外,母合金和由最終得到的鐵基奈米結晶構成的軟磁性合金通常為相同組成。
接著,將所製作的母合金加熱使其熔融,得到熔融金屬(熔液)。熔融金屬的溫度沒有特別限制,但例如可以設為1200~1500℃。
在單輥法中,主要可通過調節輥33的旋轉速度來調節得到的薄帶的厚度,然而例如也可以通過調節噴嘴和輥之間的間隔、熔融金屬的溫度等來調節得到的薄帶的厚度。薄帶的厚度沒有特別限制,例如可以設為10~80μm。
在後述的熱處理前的時間點,薄帶為不含粒徑大於15nm的結晶的非晶質。通過對作為非晶質的薄帶實施後述 的熱處理,能夠得到鐵基奈米結晶合金。
此外,確認熱處理前的軟磁性合金的薄帶中是否含有粒徑大於15nm的結晶的方法沒有特別限制。例如,關於粒徑大於15nm的結晶的有無,可通過通常的X射線繞射測定進行確認。
另外,熱處理前的薄帶中也可以完全不含粒徑低於15nm的初期微晶,但優選含有初期微晶。即,熱處理前的薄帶優選為由非晶質及存在於該非晶質中的該初期微晶構成的奈米異質結構。此外,初期微晶的粒徑沒有特別限制,但優選平均粒徑在0.3~10nm的範圍內。
另外,上述初期微晶的有無及平均粒徑的觀察方法沒有特別限制,但例如可通過對利用離子研磨而薄片化了的試樣使用透射電子顯微鏡得到受限視場繞射圖像、奈米束繞射圖像、明視場圖像或高解析度圖像而進行確認。在使用受限視場繞射圖像或奈米束繞射圖的情況下,在繞射圖案中,在非晶質的情況下形成環狀的繞射,與之相對,在不為非晶質的情況下形成起因於結晶結構的繞射斑點。另外,在使用明視場圖像或高解析度圖像的情況下,通過以倍率1.00×105~3.00×105倍以目視進行觀察,能夠觀察初期微晶的有無及平均粒徑。
輥的溫度、旋轉速度及腔室內部的氣氛沒有特別限制。為了非晶質化,優選輥的溫度為4~30℃。輥的旋轉速度越快,初期微晶的平均粒徑有越小的傾向,為了得到平均粒徑0.3~10nm的初期微晶,優選輥的旋轉速度設為25~30m/sec.。從成本方面考慮,腔室內部的氣氛優選為大氣中。
另外,用於製造鐵基奈米結晶合金的熱處理條件沒有特別限制。根據軟磁性合金的組成的不同,優選的熱處理條件不同。通常,優選的熱處理溫度大致為400~600℃,優選的熱處理時間大致為0.5~10小時。但是,有些組成的優選的熱處理溫度及熱處理時間也有在上述範圍之外的情況。另外,熱處理時的氣氛沒有特別限制。可以在如大氣中的活性氣氛下進行,也可以在Ar氣體這種惰性氣氛下進行。
另外,得到的鐵基奈米結晶合金中的平均粒徑的計算方法沒有特別限制。例如,可通過使用透射電子顯微鏡進行觀察而算出。另外,確認結晶結構是bcc(體心立方晶格結構)的方法也沒有特別限制。例如可使用X射線繞射測定進行確認。
另外,作為獲得本實施方式的軟磁性合金的方法,除上述單輥法以外,還有通過例如水霧化法或氣體霧化法得到本實施方式的軟磁性合金的粉體的方法。以下,對氣體霧化法進行說明。
在氣體霧化法中,與上述單輥法相同,得到1200~1500℃的熔融合金。之後,在腔室內噴射上述熔融合金,製作粉體。
此時,將氣體噴射溫度設為4~30℃,將腔室內的蒸汽壓設為1hPa以下,由此容易得到上述優選的奈米異質結構。
通過氣體霧化法製作了粉體之後,在400~600℃下進行0.5~10分鐘的熱處理,能夠防止各粉體彼此燒結而將 粉體粗大化,並且能夠促進元素的擴散、短時間內到達熱力學的平衡狀態,且能夠除去應變、應力等,容易獲得平均粒徑為10~50nm的鐵基軟磁性合金。
以上,對本發明的一個實施方式進行了說明,但本發明不限於上述實施方式。
本實施方式的軟磁性合金的形狀沒有特別限制。如上所述,示例了薄帶形狀、粉末形狀等,但除此之外也可以是塊形狀等。
本實施方式的軟磁性合金(鐵基奈米結晶合金)的用途沒有特別限制。例如,可舉出磁性零件,其中還特別舉出磁芯。可以適當用作電感器用,尤其是功率電感器用的磁芯。本實施方式的軟磁性合金除被用於磁芯之外,還可以適當用於薄膜電感器、磁頭。
以下,對由本實施方式的軟磁性合金獲得磁性零件、特別是磁芯及電感器的方法進行說明,但由本實施方式的軟磁性合金獲得磁芯及電感器的方法不限於下述的方法。另外,作為磁芯的用途,除電感器之外,可舉出變壓器及電動機等。
作為由薄帶形狀的軟磁性合金獲得磁芯的方法,例如可舉出將薄帶形狀的軟磁性合金捲繞的方法、層疊的方法等。在層疊薄帶形狀的軟磁性合金時隔著絕緣體進行層疊的情況下,能夠獲得進一步提高了特性的磁芯。
作為由粉末形狀的軟磁性合金獲得磁芯的方法,例如可舉出在適當與黏合劑混合後,使用模具進行成形的方 法。另外,在與黏合劑進行混合之前,對粉末表面實施氧化處理及絕緣被膜等,由此,電阻率提高,成為更適於高頻帶的磁芯。
成形方法沒有特別限制,示例了使用模具的成形、模製成形等。黏合劑的種類沒有特別限制,示例了聚矽氧樹脂。軟磁性合金粉末和黏合劑的混合比率也沒有特別限制。例如相對於軟磁性合金粉末100質量%,混合1~10質量%的黏合劑。
例如,相對於軟磁性合金粉末100質量%,混合1~5質量%的黏合劑,使用模具進行壓縮成形,由此能夠獲得空間因數(粉末充填率)為70%以上、且施加了1.6×104A/m的磁場時的磁通密度為0.45T以上、且電阻率為1Ω‧cm以上的磁芯。上述特性與通常的鐵氧磁體磁芯的特性相同或更好。
另外,例如,相對於軟磁性合金粉末100質量%,混合1~3質量%的黏合劑,利用黏合劑的軟化點以上的溫度條件下的模具進行壓縮成形,由此,能夠獲得空間因數為80%以上、且施加了1.6×104A/m的磁場時的磁通密度為0.9T以上、且電阻率為0.1Ω‧cm以上的壓粉磁芯。上述特性是比通常的壓粉磁芯更優異的特性。
進而,相對於成為上述磁芯的成形體,在成形後進行熱處理作為去應變的熱處理,磁芯損耗進一步降低,有用性提高。此外,通過降低構成磁芯的磁性體的矯頑力而降低磁芯的磁芯損耗。
另外,對上述磁芯實施繞線,獲得電感零件。繞 線的實施方法及電感零件的製造方法沒有特別限制。例如,可舉出在通過上述方法製造的磁芯上捲繞至少1匝繞組的方法。
進而,在使用軟磁性合金粒子的情況下,有在將繞組線圈內置於磁性體的狀態下進行加壓成形使其一體化而製造電感零件的方法。此情況下,容易獲得與高頻且大電流對應的電感零件。
進而,在使用軟磁性合金粒子的情況下,通過將在軟磁性合金粒子中添加黏合劑及溶劑而膏化的軟磁性合金膏、及在線圈用的導體金屬中添加黏合劑及溶劑而膏化的導體膏交互印刷層疊後進行加熱燒成,能夠獲得電感零件。或者,通過使用軟磁性合金膏製作軟磁性合金片材,在軟磁性合金片材的表面印刷導體膏,將它們層疊並燒成,由此能夠獲得磁性體中內置有線圈的電感零件。
在此,在使用軟磁性合金粒子製造電感零件的情況下,在獲得優異的Q特性方面,優選使用最大粒徑以篩孔直徑計為45μm以下、中心粒徑(D50)為30μm以下的軟磁性合金粉末。為了使最大粒徑以篩孔直徑計為45μm以下,可以僅使用以網眼45μm的篩過篩的軟磁性合金粉末。
由於使用最大粒徑大的軟磁性合金粉末,在高頻區域中Q值傾向於降低,特別是在使用最大粒徑以篩孔直徑計超過45μm的軟磁性合金粉末的情況下,有時高頻區域的Q值大幅降低。不過,在高頻區域下的Q值不重要的情況下,可以使用偏差大的軟磁性合金粉末。因為偏差大的軟磁性合金粉末能夠較廉價地製造,所以在使用偏差大的軟磁性合金粉末的情 況下,能夠降低成本。
【實施例】
以下,基於實施例具體說明本發明。
以成為下表所示的各實施例及比較例的合金組成的方式秤量原料金屬,通過高頻加熱熔解,製作母合金。
之後,將所製作的母合金加熱使其熔融,製成1300℃的熔融狀態的金屬之後,通過單輥法,即在大氣中以旋轉速度30m/sec.使用10℃的輥,使上述金屬噴射在輥上,製作薄帶。薄帶的厚度為20~25μm、薄帶的寬度約為15mm、薄帶的長度約為10m。
對獲得的各薄帶進行X射線繞射測定,確認有無粒徑大於15nm的結晶。然後,不存在粒徑大於15nm的結晶時,設為由非晶質相構成;存在粒徑大於15nm的結晶時,設為由結晶相構成。
之後,相對於各實施例及比較例的薄帶,以下表所示的條件進行熱處理。對熱處理後的各薄帶測定飽和磁通密度及矯頑力。飽和磁通密度(Bs)使用振動試樣型磁力計(VSM)在1000kA/m的磁場下進行測定。矯頑力(Hc)使用直流BH示蹤器在5kA/m的磁場下進行測定。在本實施例中,飽和磁通密度1.40T以上設為良好,1.60T以上設為更良好。矯頑力6.0A/m以下設為良好,5.0A/m以下設為更良好。
進而,對各實施例及比較例的薄帶進行恒溫恒濕測試,評價耐蝕性。在溫度80℃、濕度85%RH的條件下觀察多長時間不發生腐蝕。在本實施例中,3小時以上設為良好, 30小時以上設為更良好。
此外,在以下所示的實施例中只要沒有特別記載,則通過X射線繞射測定和穿透式電子顯微鏡可以確認全都具有平均粒徑為5~30nm且結晶結構為bcc的鐵基奈米結晶。
表1中記載了使B的含量(b)、P的含量(c)、Cr的含量(d)、Cu的含量(e)、C的含量(f)、M的含量(a)及M的種類變化的實施例及比較例。此外,比較例11是現有的FeSiBCr型非晶合金(組成式Fe73Si10B15Cr2)。
各成分的含量在規定的範圍內的實施例的恒溫恒濕測試的結果良好。並且,飽和磁通密度及矯頑力良好。
與之相對,各成分的任意含量在規定的範圍外的比較例中的幾個比較例中,熱處理前的薄帶由結晶相構成,熱 處理後的矯頑力顯著提高。另外,即使在熱處理前的薄帶由非晶質相構成的情況下,獲得的軟磁性合金的耐蝕性、飽和磁通密度和/或矯頑力也比實施例的軟磁性合金差。
表2是對於實施例3將Fe的一部分由X1和/或X2進行了取代的實施例。
即使將Fe的一部分由X1和/或X2取代,也顯示良好的特性。
表3是對於實施例3通過使輥的旋轉速度和/或熱處理溫度變化而使初期微晶的平均粒徑及鐵基奈米結晶合金的平均粒徑變化的實施例。
在初期微晶的平均粒徑為0.3~10nm,鐵基奈米結晶合金的平均粒徑為5~30nm的情況下,與脫離上述範圍的情況相比,飽和磁通密度和矯頑力均良好。
表4是除使M的種類變化這一點之外以與實施例3、23及24相同的條件實施的實施例。
即使使M的種類變化,也顯示良好的特性。
Claims (14)
- 一種軟磁性合金,其特徵在於,該軟磁性合金由組成式((Fe (1-(α+β))X1 αX2 β) (1-(a+b+c+d+e))M aB bP cCr dCu e) 1-fC f構成,X1為選自Co及Ni所組成之族群的1種以上,X2為選自W、Al、Mn、Ag、Zn、Sn、As、Sb、Bi、N、O及稀土元素所組成之族群的1種以上,M為選自Nb、Hf、Zr、Ta、Ti、Mo及V所組成之族群的1種以上,0.020≦a≦0.060 0.020≦b≦0.060 0≦c≦0.030 0≦d≦0.050 0≦e≦0.030 0<f≦0.040 α≧0 β≧0 0≦α+β≦0.50。
- 如申請專利範圍第1項所述的軟磁性合金,其中,0.91≦1-(a+b+c+d+e)≦0.95。
- 如申請專利範圍第1或2項所述的軟磁性合金,其中,0≦α{1-(a+b+c+d+e)}(1-f)≦0.40。
- 如申請專利範圍第1或2項所述的軟磁性合金,其中,α=0。
- 如申請專利範圍第1或2項所述的軟磁性合金,其中,0≦β{1-(a+b+c+d+e)}(1-f)≦0.030。
- 如申請專利範圍第1或2項所述的軟磁性合金,其中,β=0。
- 如申請專利範圍第1或2項所述的軟磁性合金,其中,α=β=0。
- 如申請專利範圍第1或2項所述的軟磁性合金,其中,該軟磁性合金由非晶質及初期微晶構成,並且具有該初期微晶存在於該非晶質中的奈米異質結構。
- 如申請專利範圍第8項所述的軟磁性合金,其中,該初期微晶的平均粒徑為0.3~10nm。
- 如申請專利範圍第1或2項所述的軟磁性合金,其中,該軟磁性合金具有由鐵基奈米結晶構成的結構。
- 如申請專利範圍第10項所述的軟磁性合金,其中,該鐵基奈米結晶的平均粒徑為5.0~30nm。
- 如申請專利範圍第1或2項所述的軟磁性合金,其中,該軟磁性合金為薄帶形狀。
- 如申請專利範圍第1或2項所述的軟磁性合金,其中,該軟磁性合金為粉末形狀。
- 一種磁性部件,其中,該磁性部件由申請專利範圍第1~13項中任一項所述的軟磁性合金構成。
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