JPS5827213A - 温度補償回路 - Google Patents
温度補償回路Info
- Publication number
- JPS5827213A JPS5827213A JP56126377A JP12637781A JPS5827213A JP S5827213 A JPS5827213 A JP S5827213A JP 56126377 A JP56126377 A JP 56126377A JP 12637781 A JP12637781 A JP 12637781A JP S5827213 A JPS5827213 A JP S5827213A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transistor
- resistance
- resistor
- diode
- circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
- G05F3/00—Non-retroactive systems for regulating electric variables by using an uncontrolled element, or an uncontrolled combination of elements, such element or such combination having self-regulating properties
- G05F3/02—Regulating voltage or current
- G05F3/08—Regulating voltage or current wherein the variable is dc
- G05F3/10—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics
- G05F3/16—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices
- G05F3/20—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations
- G05F3/22—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations wherein the transistors are of the bipolar type only
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、ＩＣ回路に使用される従来の温度補償回路に
抵抗とダイオードからなる直列回路を一個以上適切に付
加することにより温度補償の効果を増大せんとするもの
である。
抵抗とダイオードからなる直列回路を一個以上適切に付
加することにより温度補償の効果を増大せんとするもの
である。
従来例の欠点
従来この種のものとしては、第３図の如く直流電源Ｖｃ
ｃに抵抗Ｒ１、Ｒ２、ダイオードＱ２を直列接続したも
のを接続し、抵抗Ｒ１とＲ２との接続点＆にトランジス
タＱ１のベースを接続し、該トランジスタＱ１のコレク
タを抵抗Ｒ４を介して直流電源Ｖｃｃに接続し、該トラ
ンジスタＱ１のエミッタに抵抗Ｒ３を接続し、抵抗Ｒ４
とトランジスタＱ１のエミッタ間より定電圧Ｖｏを取り
出すようにして成るものがある。
ｃに抵抗Ｒ１、Ｒ２、ダイオードＱ２を直列接続したも
のを接続し、抵抗Ｒ１とＲ２との接続点＆にトランジス
タＱ１のベースを接続し、該トランジスタＱ１のコレク
タを抵抗Ｒ４を介して直流電源Ｖｃｃに接続し、該トラ
ンジスタＱ１のエミッタに抵抗Ｒ３を接続し、抵抗Ｒ４
とトランジスタＱ１のエミッタ間より定電圧Ｖｏを取り
出すようにして成るものがある。
この場合出力電圧Ｕｏは、
直流電源Ｖｃｃから抵抗に１、ダイオードＱ２を流れる
電流を■１ 直流電源Ｖｃｃから抵抗Ｒ３，Ｒ４を流れる電流をＩ３
として、 （Ｒ１＋Ｒ２）Ｉ１＋ＶＤ＝Ｖｃｃ・・・・・・・・・
・・■また、並列回路の接続電位から接続点ａまでの電
位が等しいことより Ｒ３Ｉ３＋ＶＢＥ＝Ｒ２Ｉ１＋ＶＤ・・・・・・・・・
・・■ここにＶＢＥ：トランジスタＱ１のベース・エミ
ツタ間電圧 ■、■式より 而して ここにトランジスタのベース・エミッタ間電圧ＶＢＥと
ダイオードの電圧ＶＤは等しく温度変化の割合も等しい
のでＶＤ＝ＶＢＥとおける。
電流を■１ 直流電源Ｖｃｃから抵抗Ｒ３，Ｒ４を流れる電流をＩ３
として、 （Ｒ１＋Ｒ２）Ｉ１＋ＶＤ＝Ｖｃｃ・・・・・・・・・
・・■また、並列回路の接続電位から接続点ａまでの電
位が等しいことより Ｒ３Ｉ３＋ＶＢＥ＝Ｒ２Ｉ１＋ＶＤ・・・・・・・・・
・・■ここにＶＢＥ：トランジスタＱ１のベース・エミ
ツタ間電圧 ■、■式より 而して ここにトランジスタのベース・エミッタ間電圧ＶＢＥと
ダイオードの電圧ＶＤは等しく温度変化の割合も等しい
のでＶＤ＝ＶＢＥとおける。
而して■式第３項は除去でき、ＶＢＥの影響が除去でき
、温度補償できたわけであるが、この従来例の場合■式
第２項におけるＶＤの影響は依然除去できていない。
、温度補償できたわけであるが、この従来例の場合■式
第２項におけるＶＤの影響は依然除去できていない。
即ちＶＤは温度変化の影響を受け、
６式を５式に代入すると
以上の如く従来例においては上７式における温度変化の
影響を十分に補償していなかった。
影響を十分に補償していなかった。
式■よりすると、出力電圧は、温度補償をしたにもかか
わらず の温度変化の影響を受ける。
わらず の温度変化の影響を受ける。
これを減少させるには抵抗Ｒ１、Ｒ３の抵抗値を大きく
するか、または抵抗Ｒ４を小さくすればよい。しかしＩ
Ｃ回路では抵抗を大きくすることは消費電力の増大とい
う点で好ましくなく、また抵抗値を小さくすることは集
積度を高めることができないという欠点がある。
するか、または抵抗Ｒ４を小さくすればよい。しかしＩ
Ｃ回路では抵抗を大きくすることは消費電力の増大とい
う点で好ましくなく、また抵抗値を小さくすることは集
積度を高めることができないという欠点がある。
本発明は上記の点を配慮した上で従来の欠点を除去せん
としたものであり、その要旨とするところは第１図の如
く直流電源Ｖｃｃに抵抗Ｒ１、Ｒ２及びダイオードＱ２
を直列接続し、抵抗Ｒ１と抵抗Ｒ２との接続点ａにトラ
ンジスタＱ１のベースを接続し、接続点ａとトランジス
タＱ１のベース間とグランド間に抵抗ＲＤｎとダイオー
ドＱｎの直列回路を一個以上設け、該トランジスタＱ１
のコレクタを抵抗に４を介して直流電源Ｖｃｃに接続し
、該トランジスタＱ１のエミッタに抵抗Ｒ３を接続し、
抵抗Ｒ４とトランジスタＱ１のエミッタ間より定電圧Ｖ
ｏを取出すことを特徴として成る温度補償回路である。
としたものであり、その要旨とするところは第１図の如
く直流電源Ｖｃｃに抵抗Ｒ１、Ｒ２及びダイオードＱ２
を直列接続し、抵抗Ｒ１と抵抗Ｒ２との接続点ａにトラ
ンジスタＱ１のベースを接続し、接続点ａとトランジス
タＱ１のベース間とグランド間に抵抗ＲＤｎとダイオー
ドＱｎの直列回路を一個以上設け、該トランジスタＱ１
のコレクタを抵抗に４を介して直流電源Ｖｃｃに接続し
、該トランジスタＱ１のエミッタに抵抗Ｒ３を接続し、
抵抗Ｒ４とトランジスタＱ１のエミッタ間より定電圧Ｖ
ｏを取出すことを特徴として成る温度補償回路である。
以下本発明を図示せる実施例に基づき説明する。
第２図に示すのは本発明の一実施例で、上記第３図に示
す従来例の回路において接続点ａとトランジスタのベー
ス間の接点すとグランド間に抵抗ＲＤとダイオードＱ３
からなる一個の直列回路を設けて成るものである。
す従来例の回路において接続点ａとトランジスタのベー
ス間の接点すとグランド間に抵抗ＲＤとダイオードＱ３
からなる一個の直列回路を設けて成るものである。
この場合、直流電源Ｖｃｃから抵抗Ｒ１、Ｒ２へ流れる
直列回路を考えると、抵抗Ｒ１を流れる電流をＩ１、抵
抗Ｒ２を流れる電流をＩ２としてＲ１Ｉ１＋Ｒ２Ｉ２−
Ｖｃｃ−ＶＤ・・・・・・・■一方接続点（ａ）とグラ
ンド間及び接続点ｂとグランド間の電位が等しいことよ
り、抵抗ＲＤを流れる電流をＩＤとして、 Ｒ２Ｉ２＝ＲＤＩＤ ＩＤ＝Ｒ２／ＲＤＩ２・・・・・・・・・・・・・■ま
た、Ｉ２＋ＩＤ＝Ｉ１ １０■
を１０に代入し （１＋Ｒ２／ＲＤ）Ｉ２＝Ｉ１ １１
１１を８式に代入して また抵抗Ｒ４から抵抗Ｒ３へ流れる電流をＩ３とすると Ｒ３Ｉ３＋ＶＢＥ＝Ｒ２Ｉ２＋ＶＤ・・・・・・・１３
ここでＶＢＥ ＝ ＶＤ Ｉ３＝Ｒ２／Ｒ３Ｉ２・・・・・・・・・・・・・１４
で表わされる。ここで上式７と上式１５における温度変
化の影響をうける最後の項の係数を比較するとととなり
本発明によ ると従来のものに比し温度補償による効果がだけ改善さ
れたことになる。具体的にＲ１＝４．４ｋΩＲ２＝１ｋ
ＱＲｎ＝１ｋΩの場合には１８０％改善されたことにな
る。この効果は付加した（抵抗ＲＤ＋ダイオード）の数
をふやすことにより増大するものである。
直列回路を考えると、抵抗Ｒ１を流れる電流をＩ１、抵
抗Ｒ２を流れる電流をＩ２としてＲ１Ｉ１＋Ｒ２Ｉ２−
Ｖｃｃ−ＶＤ・・・・・・・■一方接続点（ａ）とグラ
ンド間及び接続点ｂとグランド間の電位が等しいことよ
り、抵抗ＲＤを流れる電流をＩＤとして、 Ｒ２Ｉ２＝ＲＤＩＤ ＩＤ＝Ｒ２／ＲＤＩ２・・・・・・・・・・・・・■ま
た、Ｉ２＋ＩＤ＝Ｉ１ １０■
を１０に代入し （１＋Ｒ２／ＲＤ）Ｉ２＝Ｉ１ １１
１１を８式に代入して また抵抗Ｒ４から抵抗Ｒ３へ流れる電流をＩ３とすると Ｒ３Ｉ３＋ＶＢＥ＝Ｒ２Ｉ２＋ＶＤ・・・・・・・１３
ここでＶＢＥ ＝ ＶＤ Ｉ３＝Ｒ２／Ｒ３Ｉ２・・・・・・・・・・・・・１４
で表わされる。ここで上式７と上式１５における温度変
化の影響をうける最後の項の係数を比較するとととなり
本発明によ ると従来のものに比し温度補償による効果がだけ改善さ
れたことになる。具体的にＲ１＝４．４ｋΩＲ２＝１ｋ
ＱＲｎ＝１ｋΩの場合には１８０％改善されたことにな
る。この効果は付加した（抵抗ＲＤ＋ダイオード）の数
をふやすことにより増大するものである。
以上の如く本発明によると消費電力を変えずに従来の温
度補償回路で抵抗を増加させた場合と同等の効果が得ら
れることである。上記実施例において抵抗ＲＤ＝Ｒ２と
すると上式１５における温度変化の係数は となり、図１の従来の温度補償回路においてＲ１の抵抗
を２倍にした場合と同じ効果が得られる。
度補償回路で抵抗を増加させた場合と同等の効果が得ら
れることである。上記実施例において抵抗ＲＤ＝Ｒ２と
すると上式１５における温度変化の係数は となり、図１の従来の温度補償回路においてＲ１の抵抗
を２倍にした場合と同じ効果が得られる。
この場合ＲＤ、Ｒ２で消費される電力はＲＤを付加しな
い時のＲ２で消費される電力と同じである。
い時のＲ２で消費される電力と同じである。
また、低い抵抗（１０Ω程度）を使用しなくてもよいの
で、集積度を低下させることがない等多大の効果が期狩
される。
で、集積度を低下させることがない等多大の効果が期狩
される。
第１図及び第２図は本発明を示す回路図、第３図は従来
例を示す回路図である。 特許出願人 松下電工株式会社 代理人弁理士 竹 元 敏 丸 （ほか２名） （９゜ ６７
例を示す回路図である。 特許出願人 松下電工株式会社 代理人弁理士 竹 元 敏 丸 （ほか２名） （９゜ ６７
Claims (1)
- （１）直流電圧Ｖｃｃに抵抗Ｒ１，Ｒ２及びダイオード
Ｑ２を直列接続し、抵抗Ｒ１と抵抗Ｒ２との接続点ａに
トランジスタＱ１のベースを接続し、接続点ａとトラン
ジスタＱ１のベース間とグランド間に抵抗ＲＤｎとダイ
オードＱｎの直列回路を一個以上設け、該トランジスタ
Ｑ１のコレクタを抵抗Ｒ４を介して直流電源Ｖｃｃに接
続し、該トランジスタＱ１のエミッタに抵抗Ｒ３を接続
し、抵抗Ｒ４とトランジスタＱ１のエミッタ間より定電
圧■ｏを取出すことを特徴として成る温度補償回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56126377A JPS5827213A (ja) | 1981-08-12 | 1981-08-12 | 温度補償回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56126377A JPS5827213A (ja) | 1981-08-12 | 1981-08-12 | 温度補償回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5827213A true JPS5827213A (ja) | 1983-02-17 |
Family
ID=14933651
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56126377A Pending JPS5827213A (ja) | 1981-08-12 | 1981-08-12 | 温度補償回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5827213A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6065742A (ja) * | 1983-09-16 | 1985-04-15 | Furukawa Electric Co Ltd:The | Ｖａｄ法による光フアイバ用多孔質ガラス母材の製造方法 |
| JPS622706A (ja) * | 1985-06-28 | 1987-01-08 | Toshiba Corp | 並列帰環形増幅回路 |
| JPS63208003A (ja) * | 1987-02-25 | 1988-08-29 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光フアイバ |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55152901A (en) * | 1979-05-16 | 1980-11-28 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | Hydraulic control circuit |
-
1981
- 1981-08-12 JP JP56126377A patent/JPS5827213A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55152901A (en) * | 1979-05-16 | 1980-11-28 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | Hydraulic control circuit |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6065742A (ja) * | 1983-09-16 | 1985-04-15 | Furukawa Electric Co Ltd:The | Ｖａｄ法による光フアイバ用多孔質ガラス母材の製造方法 |
| JPS622706A (ja) * | 1985-06-28 | 1987-01-08 | Toshiba Corp | 並列帰環形増幅回路 |
| JPS63208003A (ja) * | 1987-02-25 | 1988-08-29 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光フアイバ |
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