JPH0232644B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0232644B2 JPH0232644B2 JP55113181A JP11318180A JPH0232644B2 JP H0232644 B2 JPH0232644 B2 JP H0232644B2 JP 55113181 A JP55113181 A JP 55113181A JP 11318180 A JP11318180 A JP 11318180A JP H0232644 B2 JPH0232644 B2 JP H0232644B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transistor
- collector
- emitter
- reference voltage
- resistor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
- G05F3/00—Non-retroactive systems for regulating electric variables by using an uncontrolled element, or an uncontrolled combination of elements, such element or such combination having self-regulating properties
- G05F3/02—Regulating voltage or current
- G05F3/08—Regulating voltage or current wherein the variable is DC
- G05F3/10—Regulating voltage or current wherein the variable is DC using uncontrolled devices with non-linear characteristics
- G05F3/16—Regulating voltage or current wherein the variable is DC using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices
- G05F3/20—Regulating voltage or current wherein the variable is DC using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations
- G05F3/26—Current mirrors
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Radar, Positioning & Navigation (AREA)
- Automation & Control Theory (AREA)
- Control Of Electrical Variables (AREA)
- Continuous-Control Power Sources That Use Transistors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は温度係数が一定な基準電圧源に関す
る。
る。
従来、温度係数が一定な基準電圧源を得るに
は、サーミスタ、ポジスタ、あるいは周囲温度に
比例して抵抗値が変わる抵抗器等の感温素子と基
準電圧を組合わせて、回路を構成しなければなら
なかつた。
は、サーミスタ、ポジスタ、あるいは周囲温度に
比例して抵抗値が変わる抵抗器等の感温素子と基
準電圧を組合わせて、回路を構成しなければなら
なかつた。
本発明の目的はこれらの感温素子を使用せず、
また集積回路化しやすく、温度係数が一定でかつ
その温度係数をわずかの抵抗器の抵抗値の選択に
より変えることができる基準電圧源を提供するこ
とにある。
また集積回路化しやすく、温度係数が一定でかつ
その温度係数をわずかの抵抗器の抵抗値の選択に
より変えることができる基準電圧源を提供するこ
とにある。
本発明の基準電圧源は、エミツタを第１の抵抗
を介して電位源に接続した第一のトランジスタお
よびこのトランジスタよりもエミツタ面積が小さ
くエミツタを直接前記電位源に接続しベースを前
記第一のトランジスタのベースに接続した第二の
トランジスタを持つカレントミラー回路と、前記
第一および第二のトランジスタに流れるコレクタ
電流をほぼ同一にするための手段と、第２の抵抗
とダイオードとの直列回路と、ベースを前記第一
のトランジスタのベースに接続しエミツタを前記
電位源に接続しコレクタを前記直列回路に接続し
前記第一のトランジスタのコレクタとほぼ同じコ
レクタ電流を得るようにした第三のトランジスタ
とを有し、前記直列回路に発生する電圧を基準電
圧としてとり出すようにし、前記第一のトランジ
スタに流れるコレクタ電流が絶体温度にほぼ比例
し、前記基準電圧が前記第２の抵抗の関数として
の温度係数を持つようにしたことを特徴とする。
を介して電位源に接続した第一のトランジスタお
よびこのトランジスタよりもエミツタ面積が小さ
くエミツタを直接前記電位源に接続しベースを前
記第一のトランジスタのベースに接続した第二の
トランジスタを持つカレントミラー回路と、前記
第一および第二のトランジスタに流れるコレクタ
電流をほぼ同一にするための手段と、第２の抵抗
とダイオードとの直列回路と、ベースを前記第一
のトランジスタのベースに接続しエミツタを前記
電位源に接続しコレクタを前記直列回路に接続し
前記第一のトランジスタのコレクタとほぼ同じコ
レクタ電流を得るようにした第三のトランジスタ
とを有し、前記直列回路に発生する電圧を基準電
圧としてとり出すようにし、前記第一のトランジ
スタに流れるコレクタ電流が絶体温度にほぼ比例
し、前記基準電圧が前記第２の抵抗の関数として
の温度係数を持つようにしたことを特徴とする。
本発明の実施例につき、図面を用いて説明す
る。
る。
第１図は本発明の実施例を示す回路図であり、
トランジスタＱ１〜Ｑ５、抵抗Ｒ１、直流増幅器
１よりなり、絶体温度に比例する定電流を得る定
電流源と、トランジスタＱ６〜Ｑ７、抵抗Ｒ２か
らなる温度係数発生回路とで構成されている。カ
レントミラー回路を構成するトランジスタＱ１，
Ｑ２において、Ｑ１のエミツタ面積をＱ２のエミ
ツタ面積のＫ倍（Ｋ＞１）になるようにすれば、
Ｑ１とＱ２の間には、 kT／ｑlnＩ／KIs＋IR1＝kT／ｑlnＩ／Is ………(1) が成り立つ。ここで、ｋはボルツマン定数、Ｔは
絶体温度、ｑは電子の電荷、Isはトランジスタの
飽和電流、ＩはＱ１，Ｑ２のコレクタ電流であ
る。なお、(1)式の左辺の第１項および右辺はそれ
ぞれＱ１，Ｑ２のベースエミツタ間電圧を示す。
(1)式からＩは Ｉ＝１／R1・kT／ｑlnK ………(2) となり、絶体温度Ｔに比例するコレクタ電流が得
られる。
トランジスタＱ１〜Ｑ５、抵抗Ｒ１、直流増幅器
１よりなり、絶体温度に比例する定電流を得る定
電流源と、トランジスタＱ６〜Ｑ７、抵抗Ｒ２か
らなる温度係数発生回路とで構成されている。カ
レントミラー回路を構成するトランジスタＱ１，
Ｑ２において、Ｑ１のエミツタ面積をＱ２のエミ
ツタ面積のＫ倍（Ｋ＞１）になるようにすれば、
Ｑ１とＱ２の間には、 kT／ｑlnＩ／KIs＋IR1＝kT／ｑlnＩ／Is ………(1) が成り立つ。ここで、ｋはボルツマン定数、Ｔは
絶体温度、ｑは電子の電荷、Isはトランジスタの
飽和電流、ＩはＱ１，Ｑ２のコレクタ電流であ
る。なお、(1)式の左辺の第１項および右辺はそれ
ぞれＱ１，Ｑ２のベースエミツタ間電圧を示す。
(1)式からＩは Ｉ＝１／R1・kT／ｑlnK ………(2) となり、絶体温度Ｔに比例するコレクタ電流が得
られる。
次に、このコレクタ電流をＱ２と同じエミツタ
面積をもつトランジスタＱ６を通してとり出し、
直列に接続された抵抗Ｒ２とコレクターベースシ
ヨートのトランジスタＱ７へ流し込む。Ｑ６のコ
レクタにより得る出力電圧V0は V0＝R2／R1・kT／ｑlnK＋VBE（Q7） ………(3) ここで、VBE（Ｑ７）はＱ７のベース・エミツ
タ間電圧である。(3)式を絶体温度Ｔで微分すれば
V0の温度係数が得られ、 ∂V0／∂T＝R2／R1・ｋ／ｑlnK＋∂VBE（Q7）／∂T…
……(4) となる。一般に、∂VBE／∂T−２ｍＶ／℃であるか ら、(4)式から ∂V0／∂TR2／R1・ｋ／ｑlnK−２×10-3（Ｖ／℃） ………(5) が得られる。即ちR1／R2の比を変えれば、出力
電圧V0の温度係数は任意にとり得ることがわか
る。また、R1／R2を∂V0／∂T＝０になるように選べ ば、温度特性を有しない基準電圧源を得ることが
できる。
面積をもつトランジスタＱ６を通してとり出し、
直列に接続された抵抗Ｒ２とコレクターベースシ
ヨートのトランジスタＱ７へ流し込む。Ｑ６のコ
レクタにより得る出力電圧V0は V0＝R2／R1・kT／ｑlnK＋VBE（Q7） ………(3) ここで、VBE（Ｑ７）はＱ７のベース・エミツ
タ間電圧である。(3)式を絶体温度Ｔで微分すれば
V0の温度係数が得られ、 ∂V0／∂T＝R2／R1・ｋ／ｑlnK＋∂VBE（Q7）／∂T…
……(4) となる。一般に、∂VBE／∂T−２ｍＶ／℃であるか ら、(4)式から ∂V0／∂TR2／R1・ｋ／ｑlnK−２×10-3（Ｖ／℃） ………(5) が得られる。即ちR1／R2の比を変えれば、出力
電圧V0の温度係数は任意にとり得ることがわか
る。また、R1／R2を∂V0／∂T＝０になるように選べ ば、温度特性を有しない基準電圧源を得ることが
できる。
今、R1＝1kΩ、Ｋ＝２に設定すれば、
R2＝２×R1／ｋ／ｑ・ln233K ………(6)
になるようなＲ２を接続することにより温度係数
をもたない基準電圧源を得ることができる。
をもたない基準電圧源を得ることができる。
この可変温度係数をもつ基準電圧源はＲ１とＲ
２の比、Ｑ１，Ｑ２，Ｑ６のオフセツト電圧、Ｑ
４，Ｑ５のオフセツト電圧が小さいことが要求さ
れるが、これらの条件は集積回路化すれば、極め
て容易に実現することが可能である。本発明によ
れば、トランジスタ、抵抗で温度係数を設定でき
るので、温度検出回路、温度補償回路など温度に
関する回路を集積回路化する場合、容易にこれら
にくみいれることが可能となり、外付部品の低減
に効果がある。
２の比、Ｑ１，Ｑ２，Ｑ６のオフセツト電圧、Ｑ
４，Ｑ５のオフセツト電圧が小さいことが要求さ
れるが、これらの条件は集積回路化すれば、極め
て容易に実現することが可能である。本発明によ
れば、トランジスタ、抵抗で温度係数を設定でき
るので、温度検出回路、温度補償回路など温度に
関する回路を集積回路化する場合、容易にこれら
にくみいれることが可能となり、外付部品の低減
に効果がある。
第１図は本発明の一実施例を示す回路図であ
る。 Ｑ１，Ｑ２，Ｑ３，Ｑ４，Ｑ５，Ｑ６，Ｑ７…
…トランジスタ、１……直流増幅器、Ｒ１，Ｒ２
……抵抗。
る。 Ｑ１，Ｑ２，Ｑ３，Ｑ４，Ｑ５，Ｑ６，Ｑ７…
…トランジスタ、１……直流増幅器、Ｒ１，Ｒ２
……抵抗。
Claims (1)
- １ エミツタを第１の抵抗を介して電位源に接続
した第一のトランジスタおよびこのトランジスタ
よりもエミツタ面積が小さくエミツタを直接前記
電位源に接続しベースを前記第一のトランジスタ
のベースに接続した第二のトランジスタを持つカ
レントミラー回路と、前記第一および第二のトラ
ンジスタに流れるコレクタ電流をほぼ同一にする
ための手段と、第２の抵抗とダイオードとの直列
回路と、ベースを前記第一のトランジスタのベー
スに接続しエミツタを前記電位源に接続しコレク
タを前記直列回路に接続し前記第一のトランジス
タのコレクタとほぼ同じコレクタ電流を得るよう
にした第三のトランジスタとを有し、前記直列回
路に発生する電圧を基準電圧としてとり出すよう
にし、前記第一のトランジスタに流れるコレクタ
電流が絶対温度にほぼ比例し、前記基準電圧が前
記第２の抵抗の関数としての温度係数を持つよう
にしたことを特徴とする基準電圧源。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11318180A JPS5739424A (en) | 1980-08-18 | 1980-08-18 | Reference voltage source |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11318180A JPS5739424A (en) | 1980-08-18 | 1980-08-18 | Reference voltage source |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5739424A JPS5739424A (en) | 1982-03-04 |
| JPH0232644B2 true JPH0232644B2 (ja) | 1990-07-23 |
Family
ID=14605598
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11318180A Granted JPS5739424A (en) | 1980-08-18 | 1980-08-18 | Reference voltage source |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5739424A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58172722A (ja) * | 1982-04-02 | 1983-10-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 熱遮断装置 |
| JPS5970222U (ja) * | 1982-10-29 | 1984-05-12 | 株式会社東芝 | 定電圧回路 |
| JPH0789304B2 (ja) * | 1984-05-25 | 1995-09-27 | ローム 株式会社 | 基準電圧回路 |
| JPH0229810A (ja) * | 1988-07-20 | 1990-01-31 | Mitsubishi Electric Corp | 定電流・定電圧回路 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56147212A (en) * | 1980-04-18 | 1981-11-16 | Fujitsu Ltd | Integrated circuit for generation of reference voltage |
-
1980
- 1980-08-18 JP JP11318180A patent/JPS5739424A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5739424A (en) | 1982-03-04 |
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