JPS63208003A - 光フアイバ - Google Patents

光フアイバ

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JPS63208003A
JPS63208003A JP62041718A JP4171887A JPS63208003A JP S63208003 A JPS63208003 A JP S63208003A JP 62041718 A JP62041718 A JP 62041718A JP 4171887 A JP4171887 A JP 4171887A JP S63208003 A JPS63208003 A JP S63208003A
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JP
Japan
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core
refractive index
cladding
optical fiber
band
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JP62041718A
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English (en)
Inventor
Masayuki Shigematsu
昌行 重松
Shigeru Tanaka
茂 田中
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Sumitomo Electric Industries Ltd
Original Assignee
Sumitomo Electric Industries Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は耐環境性の光ファイバに関するもので、特に広
い波長範囲にわたって低分散なものに使用される。
〔従来の技術〕
大、容量で長距離の光通信を実現するためには、光ファ
イバは低分散であって伝送損失が小さいことが要求され
る。すなわち、光ファイバにある程度以上の分散がある
と、変調によって発生する光源波長の広がりが無視でき
なくなり、大容量の通信が難しくなる。また、光の伝送
損失が高いと光フアイバケーブルに中継器を多く設置し
なければならず、長―離通信に適しなくなる。   □
一般に、石英系光ファイバでは1.3μm帯と1.55
μm帯において低損失になることが知られており、特に
1.55μm帯で低損失が著しい。
そこで従来から、この1.55μm帯において低分散と
なる光ファイバの研究、開発がなされている。
1.55μm帯で低分散の光ファイバを実現する従来技
術として、第1に分散シフトファイバと呼ばれるものが
知られている。これは、波長分散が零近傍となる状態を
前述の1.3μm帯から1.55μm帯にシフトさせよ
うとするものである。この方式によれば、1.55μm
帯という光伝送損失の低い波長域で波長分散を著しく低
く抑えることができるので、大容量で長距離の光通信が
可能となる。
し・かじながら、上記第1の従来方式によれば、分散を
低く抑えることのできる波長域は狭い。このため、発光
波長の異なる発光素子(例えば半導体レーザ、発光ダイ
オード)を用いるたびに異なる光ラアイバとしなければ
ならず、また広い帯域での光通信にも適していなかった
低分散ファイバを実現する第2の従来技術としては、例
えばレオナルト・シー・コーエンらによる[オプティッ
クス・レターズ]第7巻第4号第183〜185頁(1
982)や、用土らによるrlEE、Eジャーナル・オ
ブ・ファンタム・エレクトロニクス・キュー・イー」第
10巻第12号第879〜887頁(1974)に示さ
れるものがある。第5図はこのような光ファイバの屈折
重分イFを示す図である。
図示の通りこの光ファイバは、中心部のコア1と、その
周辺部の第1クラッド2と、更にその周辺部の第2クラ
ッド3より構成される。そして、コア1の屈折率n1と
第1おJ:び第2クラッド2゜3の屈折率n2.n3の
関係は となっている。
かかる構造の光ファイバにおいて、コア1と第1クラッ
ド2の比屈折率差Δ1を大きくとると、広い波長範囲で
低分散な特性を実現することかできる。すなわち、第6
図に示す如く、波長1.3〜1.55μm帯において、
−分散値を狭い範囲内に抑えることができる。なお1、
第6図において符号へで示す如き特性とするか、符号B
で示す如き特性(1,3〜1.55μm帯で有効な特性
)とするかは、第5図のa、b、Δ1.Δ2で示す諸元
を適当に設定することにより実現できる。また、第6図
中の符@Cは通常のステップインデックス光ファイバの
分散特性を示す。
(発明が解決しようとする問題点) しかしながら、上記の如き2重クラッド構造の光ファイ
バ(第2の従来方式の光ファイバ)を、水素雰囲気ある
いは放射線照射などの如き苛酷な環境下で使用すると、
その光、伝送特性が著しく劣化する。
第1に、Ge Oを含有するSiO2コアの光ファイバ
を水素雰囲気下に置、くと、コア内に水素分子が拡散し
、化学反応によってOl−I Wが生成される。このよ
うなOHIがコア中のGe O;2によって生成される
と、1.4μm近傍の11失増加の他に1.5μmより
長波長域でも損失増加が現れる。これは、2.7μm帯
でのOH基による赤外吸収の裾引きによるものであり、
かかるOH基は不可逆であって一度発生すると取り除く
ことかできない。そして、このOH基の生成量がコア内
のGe ozfJ度に依存することが、例えば9藤らに
よる「電子通信学会研究実用化報告」、第35巻第6項
第625〜631頁(1986)などに示されている。
第2に、GeOを含有する5i02コアの光ファイバを
放射線照射下に置くと、放射線エネルギーによって組成
′ガラス中に光の吸収中心・などか生成される。そして
、これらは光伝送損失の増加をもたらす。このように、
従来の広い波長域で低分散なGe0−2含有コア型の光
ファイバでは、耐環境性が低いために苛酷な条件下での
使用に適さず、また長期の信頼性に乏しいものであった
そこで本発明は、光伝送損失が少なくかつ広い波長域で
低分散でおり、しかも耐環境性に優れた信頼性の高い光
ファイバを提供することを目的とする。
(問題点を解決するための手段) 本発明に係る光ファイバは、コアと、その外側のコアよ
り低屈折率の第1クラッドと、更にその外側のコアより
低屈折率で第1クラッドより高屈折率の第2クラッドと
を備える光ファイバであって、コアの少なくとも中心部
を純粋石英もしくは微最の添加物を含む石英で形成した
ことを特徴とする。
〔作用〕
本発明に係る光ファイバは、以上の通りに構成されるの
で、コア中のG。02によってOHMを生成させたり放
射線照射による光吸収中心を生成させたりすることがな
くなるように作用する。
〔実施例〕
以下、添付図面を参照して、本発明のいくつかの実施例
を説明する。なお、図面の説明において同一要素には同
一符号を付し、重複する説明を省略する。
第1図は実施例に係る光ファイバの屈折率分布を示す図
で、同図(A>はその基本型を示し、同図(B)はこれ
を変形したものを示している。
同図(A>に示す如く本実施例の光ファイバでは、コア
11は純粋のシリカで形成し、第1クラッド12はフッ
素を添加したシリカで形成し、第2クラッド13より少
ないフッ素を添加したシリカで形成している。このため
、かかる光フファイバが水素雰囲気下に置かれても、水
素分子の拡散によってコア11中のGeO2と化学反応
し、ここにOH基が生成されるようなことはない。従っ
て、1.4μm帯や2.7μm帯での赤外吸収が生じる
ことはない。その結果、1.55μm帯あるいは1.3
μm帯における伝送損失の増加を防止することができる
。また、放射線照射下に置かれてもGeO2が吸収中心
を招くことはなく、伝送損失の増加を抑えることができ
る。
第1図(B)の変形例では、コア11の材料は第1図(
A>のものと同様であるが、第2クラッド13の屈折重
分イ「を異ならしめている。すなわら、第2クラッド1
3の内側の屈折率を外側に比べて高くしている。このよ
うにすれば、低分散かつ低光損失のファイバにおいて耐
環境性の向上を実現しながら、光ファイバの曲げ損失を
も低くできるという利点がある。
なお、上記第1図(A)〜(C)のいずれの光ファイバ
にあっても、コア1の最大屈折率をnl、第1および第
2クラッドの屈折率をn2.n3としたときには、 nl>n3>n2          ′なる関係が成
立している。また、波長分散が低く、抑えられる波長域
は第1図のファイバの諸元すなわちa、b、Δ1.Δ2
の値を変えることにより、種々変更することができる。
すなわち、第6図の曲線Aの如くにすることも、曲線B
の如くにすることも可能である。
本発明者らは上記実施例の有効性を確認するため、下記
の如き実験を行なった。
まず、本発明に係る第1図(A>の構造の光ファイバと
しては、コアに純粋シリカを用い、第1クラッドにフッ
素添加シリカを用い、第2クラッドにもフッ素添加シリ
カを用いた。そして、コアおよび第1クラッドの半径a
、bをそれぞれa=2.4μm、b=6.’1m とし、第1クラッドに対するコアの比屈折率差Δ1おJ
:び第1クラッドに対する第2クラッドの比屈折率差Δ
2をそれぞれ Δ =0.97%、Δ2=0.31% に設定した。
次に、従来技術に係る第5図の構造の光ファイバとして
は、コアにGeO2添加のシリカを用い、第1クラッド
にフッ素添加のシリカを用い、第2クラッドに純粋シリ
カを用い、下記の諸元のものを作成した。すなわち、コ
アおよび第1クラッドの半径a、bをそれぞれ a=2.5μm、b=5.1μm とし、比屈折率差をそれぞれ Δ1=1.09%、Δ2=0.38% に設定した。
上記の如き2種類の光ファイバについて光伝送特性(初
期伝送特性)を調べたところ、第2図の如き結果を得た
。すなわち、本発明に係る光ファイバでは波長が1.5
5μmのところで光損失が0.247dB/kmであっ
たのに対し、従来例に係る光ファイバでは光損失が0.
310dB/kmとなった。このように、初期伝送損失
が本発明ファイバと従来ファイバで異なるのは、本発明
ではコアにほぼ純粋の石英を用いているためである。す
なわち、従来ファイバではコア中に含まれるGeO2に
よる散乱が伝送特性を劣化させているのに対し、本発明
ではかかる散乱がないからである。
しかる後、以上の如き2種の光ファイバについて耐水素
特性を調べた。
まず、本発明ファイバについては、素線状態で500m
に束取りし、200℃で1気圧の水素雰囲気に100時
間放置した。一方、従来ファイバについては、索線状態
で500mに束取りし、200℃で1気圧の水素雰囲気
に20時間放置した。そして、このような高温水素処理
を行なった後に光伝送特性を調べたところ、第2図およ
び第3図に示すような結果を得た。図から明らかなよう
に、従来ファイバでは光伝送特性が著しく劣化している
が、本発明ファイバではほとんど劣化が現れていない。
同様に、耐放射線特性についても評価を行なった。
すなわち、前述の本発明ファイバと従来ファイバについ
て、コバルト60のガンマ(γ)線を105R/時間の
線量率で1時間だけ照射し、1.3μm帯での光損失増
加の経時変化を測定した。この測定結果をグラフに示す
と第4図の如くになる。
同図より、下記の2点が確認できる。第1は、放射線照
射時の損失増加が本発明では低く抑えられることであり
、増加量は従来ファイバに比べてほぼ1/3程度となっ
ている。第2は、放射線照射の停止後の回復が本発明で
は良好なことであり、照射停止から1時間経過後には従
来ファイバに比べて1/10程度となっている。
本発明は上記実施例に限定されるものではなく、種々の
変形が可能である。
例えば、コアの材料は純粋石英に限られず、耐環境性に
悪影響を与えない程度の微量のGe 02等が添加され
ていてもよい。また、コアの屈折率分布については外側
に向って滑らかに低下するようになっていてもよく、コ
アと第1クラッドの界面あるいは第1クラッドと第2ク
ラッドの界面についても、屈折率が滑らかに変化するよ
うにしてもよい。
また、上記実施例における光ファイバの諸元は波長が1
.55μm帯における低分散を実現するものであって、
諸元の変更により1.3μm帯から1.55μm帯に至
るまで、広い波長範囲に適用可能にすることができる。
このようにすれば、例えば1.3μm帯から1.55μ
m帯までの発光波長を持つ複数のLED等を用いて、波
長多重光通信を行なうことも可能になる。
〔発明の効果〕
以上、詳細に説明した通り、本発明に係る光ファイバに
よれば、コアは純粋の石英もしくは耐環境性に悪影響を
与えない程度の微量の添加物を含む石英によって形成さ
れるので、耐水素特性および耐放射線特性を著しく向上
できる。このため、広い波長域にわたっての低分散を維
持しながら、光伝送特性の劣化を防止でき、しかも耐環
境性を大幅に改善できる効果がある。従って、本発明の
光ファイバは苛酷な環境下で使用される場合や、長距離
、人容吊の光通信を行なうケーブル(例えば海底ケーブ
ル)に用いる場合などに特に適している。
更に、第2クラッドの内側に高屈折率の層を設けるよう
にすれば、曲げ光損失をも少なくできるという格別の利
点がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明に係る光ファイバの屈折率分布図、第2
図は光伝送損失を比較する図、第3図はH2処理による
従来の光ファイバの損失増加の説明図、第4図はガンマ
線照射による損失増加の説明図、第5図は従来の光ファ
イバの屈折率分布図、第6図は波長分散特性図である。 1・・・コア(GeO2添加シリカ)、2・・・第1ク
ラッド(フッ素添加シリカ)、3・・・第2クラッド(
IIJT!粋シリカ)、11・・・コア(IIT!粋シ
リカシリカ2・・・第1クラッド(フッ素添加シリカ)
、13・・・第2クラッド(フッ素添加シリカ)。 特許出願人  住友電気工業株式会社 代理人弁理士   長谷用  芳  樹(A) (B) 本発明の光ファイバの屈折率分布 第1図 波長 光伝送損失 第2図 H2処理による損失増加 第3図 y線照射による損失増加(1,3μm)第4図 従来の光ファイバの屈折率分布 第5図 波長分散特性 第6図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、少なくとも中心部が純粋石英又は微量の添加物を含
    む石英からなるコアと、このコアの外側に形成され当該
    コアよりも低屈折率の第1クラッドと、この第1クラッ
    ドの外側に形成され当該第1クラッドよりも高屈折率で
    前記コアの中心部よりも低屈折率の第2クラッドとを備
    える光ファイバ。 2、前記第2クラッドの内側部分はその外側部分よりも
    高屈折率である特許請求の範囲第1項記載の光ファイバ
    。 3、低分散な波長範囲が1.5μm帯になるように、少
    くとも前記コアと第1クラッドおよび当該第1クラッド
    と第2クラッドの比屈折率差並びに前記コアおよび第1
    クラッドの半径を設定した特許請求の範囲第1項又は第
    2項記載の光ファイバ。 4、低分散な波長範囲が1.3μmから 1.5μm帯になるように、少くとも前記コアと第1ク
    ラッドおよび当該第1クラッドと第2クラッドの比屈折
    率差並びに前記コアおよび第1クラッドの半径を設定し
    た特許請求の範囲第1項又は第2項記載の光ファイバ。
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